JP2002170888A5 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜、
(b)前記半導体基板上に形成された前記MISFETのゲート絶縁膜、
(c)前記ゲート絶縁膜上に形成された前記MISFETのゲート電極、
(d)前記半導体基板に形成され、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記MISFETのゲート長方向において、前記ゲート電極の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。
【請求項2】 前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜を囲んでいることを特徴とした請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】 前記MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第2半導体領域の順に形成されていることを特徴とした請求項1または2記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】 前記第1半導体領域は、前記第2半導体領域よりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】 前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成された膜であることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】 前記第1絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝に埋め込まれていることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】 前記ゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とした請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】 前記ゲート電極の端部は、そのゲート長方向において、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成されていることを特徴とした請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に形成された第2絶縁膜、
(c)前記第1および第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜、
(d)前記第3絶縁膜上に形成された導電体膜、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は、前記第2および第3絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第3絶縁膜の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記導電体膜の端部は前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に位置していることを特徴とした半導体集積回路装置。
【請求項10】 前記半導体集積回路装置は更に、
(e)前記半導体基板に形成された第1半導体領域、
(f)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域、
を有し、
前記第1半導体領域は前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項9記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】 前記第2および第3絶縁膜は前記MISFETのゲート絶縁膜を構成し、
前記導電体膜は前記MISFETのゲート電極を構成し、
前記第1および第2半導体領域は前記MISFETのソース・ドレイン領域を構成することを特徴とした請求項10記載の半導体集積回路装置。
【請求項12】 前記第3絶縁膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とした請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項13】 前記第3絶縁膜はCVD法により形成されていることを特徴とした請求項7〜12のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項14】 前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜13のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項15】 前記第2絶縁膜は熱酸化法により前記半導体基板に形成された酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜14のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項16】 前記MISFETは、液晶表示装置駆動用の回路の一部を構成することを特徴とした請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項1】 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜、
(b)前記半導体基板上に形成された前記MISFETのゲート絶縁膜、
(c)前記ゲート絶縁膜上に形成された前記MISFETのゲート電極、
(d)前記半導体基板に形成され、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記MISFETのゲート長方向において、前記ゲート電極の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。
【請求項2】 前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜を囲んでいることを特徴とした請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】 前記MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第2半導体領域の順に形成されていることを特徴とした請求項1または2記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】 前記第1半導体領域は、前記第2半導体領域よりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】 前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成された膜であることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】 前記第1絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝に埋め込まれていることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】 前記ゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とした請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】 前記ゲート電極の端部は、そのゲート長方向において、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成されていることを特徴とした請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に形成された第2絶縁膜、
(c)前記第1および第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜、
(d)前記第3絶縁膜上に形成された導電体膜、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は、前記第2および第3絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第3絶縁膜の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記導電体膜の端部は前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に位置していることを特徴とした半導体集積回路装置。
【請求項10】 前記半導体集積回路装置は更に、
(e)前記半導体基板に形成された第1半導体領域、
(f)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域、
を有し、
前記第1半導体領域は前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項9記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】 前記第2および第3絶縁膜は前記MISFETのゲート絶縁膜を構成し、
前記導電体膜は前記MISFETのゲート電極を構成し、
前記第1および第2半導体領域は前記MISFETのソース・ドレイン領域を構成することを特徴とした請求項10記載の半導体集積回路装置。
【請求項12】 前記第3絶縁膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とした請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項13】 前記第3絶縁膜はCVD法により形成されていることを特徴とした請求項7〜12のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項14】 前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜13のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項15】 前記第2絶縁膜は熱酸化法により前記半導体基板に形成された酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜14のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項16】 前記MISFETは、液晶表示装置駆動用の回路の一部を構成することを特徴とした請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
Claims (81)
- 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜、
(b)前記半導体基板上に形成された前記MISFETのゲート絶縁膜、
(c)前記ゲート絶縁膜上に形成された前記MISFETのゲート電極、
(d)前記半導体基板に形成され、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記MISFETのゲート長方向において、前記ゲート電極の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 前記第1半導体領域は、前記第1絶縁膜を囲んでいることを特徴とした請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第2半導体領域の順に形成されていることを特徴とした請求項1または2記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1半導体領域は、前記第2半導体領域よりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成された膜であることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝に埋め込まれていることを特徴とした請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とした請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記ゲート電極の端部は、そのゲート長方向において、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成されていることを特徴とした請求項7記載の半導体集積回路装置。
- 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に形成された第2絶縁膜、
(c)前記第1および第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜、
(d)前記第3絶縁膜上に形成された導電体膜、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は、前記第2および第3絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第3絶縁膜の端部は前記第1絶縁膜上に位置しており、
前記導電体膜の端部は前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に位置していることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 前記半導体集積回路装置は更に、
(e)前記半導体基板に形成された第1半導体領域、
(f)前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域、
を有し、
前記第1半導体領域は前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とし た請求項9記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2および第3絶縁膜は前記MISFETのゲート絶縁膜を構成し、
前記導電体膜は前記MISFETのゲート電極を構成し、
前記第1および第2半導体領域は前記MISFETのソース・ドレイン領域を構成することを特徴とした請求項10記載の半導体集積回路装置。 - 前記第3絶縁膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚く形成されていることを特徴とした請求項7〜11のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3絶縁膜はCVD法により形成されていることを特徴とした請求項7〜12のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜13のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2絶縁膜は熱酸化法により前記半導体基板に形成された酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項7〜14のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記MISFETは、液晶表示装置駆動用の回路の一部を構成することを特徴とした請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜、
(b)前記第1領域の半導体基板上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(d)前記第1領域の半導体基板に形成された前記第1MISFETの第1ドレイン領域、
(e)前記第2領域の半導体基板上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(f)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(g)前記第2領域の半導体基板に形成された前記第2MISFETの第2ドレイン領域、
を有し、
前記第1ドレイン領域の構造は前記第2ドレイン領域の構造とは異なっており、
前記第1絶縁膜の膜厚は、前記第1および第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く、
前記第2MISFETのドレイン領域内には、前記第1絶縁膜が形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 前記第1ドレイン領域は、前記半導体基板に形成された第1半導体領域および前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を有し、
前記第2ドレイン領域は、前記半導体基板に形成された第3半導体領域および前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域を有することを特徴とした請求項17記載の半導体集積回路装置。 - 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記第1領域の半導体基板上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(d)前記第1領域の半導体基板に形成され、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記第1領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い 不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
(f)前記第2領域の半導体基板上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(g)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(h)前記第2領域の半導体基板に形成され、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域、
(i)前記第2領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域、
を有し、
前記第2ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第1絶縁膜は、前記第1および第2ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第2MISFETのゲート長方向において、前記第2ゲート電極の端部が前記第1絶縁膜上に位置し、
前記第3半導体領域の深さは前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記第1領域の半導体基板上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(d)前記第1領域の半導体基板に形成され、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記第1領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
(f)前記第2領域の半導体基板上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(g)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(h)前記第2領域の半導体基板に形成され、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域、
(i)前記第2領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域、
を有し、
前記第2ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第1絶縁膜は、前記第1および第2ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第3半導体領域は、前記複数の第1絶縁膜のうち少なくとも一つを囲んでおり、
前記第1および第2半導体領域は、前記第1絶縁膜に囲まれていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記半導体基板上に形成された複数の第1絶縁膜、
(b)前記第1領域の半導体基板上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(d)前記第1領域の半導体基板に形成され、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(e)前記第1領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
(f)前記第2領域の半導体基板上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(g)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(h)前記第2領域の半導体基板に形成され、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域、
(i)前記第2領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域、
を有し、
前記第2ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第1絶縁膜は、前記第1および第2ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第1MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第2半導体領域および前記第1絶縁膜の順に形成されており、
前記第2MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第3半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第4半導体領域の順に形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成されていることを特徴とした請求項18〜21のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝に埋め込まれていることを特徴とした請求項18〜21のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1および第2半導体領域は、前記第1絶縁膜よりも浅い位置に形成されていることを特徴とした請求項23記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜は第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成されていることを特徴とした請求項18〜24のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2MISFETの前記第2ゲート電極の端部は、そのゲート長方向において、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成されていることを特徴とした請求項25記載の半導体集積回路装置。
- 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1領域の半導体基板上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(b)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(c)前記第1領域の半導体基板に形成され、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(d)前記第1領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
(e)前記第2領域の半導体基板上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(f)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(g)前記第2領域の半導体基板に形成され、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域、
(h)前記第2領域の前記半導体基板に形成され、且つ、前記第3半導体領域よりも高い 不純物濃度で形成された第4半導体領域であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域、
を有し、
前記第3半導体領域は前記第1半導体領域よりも深い位置に形成され、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記第2領域の半導体基板上に形成された第2絶縁膜および前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜を含んで形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 半導体基板に形成された第1ウェル領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板に形成された第2ウェル領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置であって、
(a)第1ウェル領域上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜、
(b)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された前記第1MISFETの第1ゲート電極、
(c)前記第1ウェル領域に形成され、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域、
(d)前記第1ウェル領域に形成され、且つ、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域、
(e)前記第2ウェル領域上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜、
(f)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された前記第2MISFETの第2ゲート電極、
(g)前記第2ウェル領域に形成され、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域、
(h)前記第2ウェル領域に形成され、且つ、前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域、
を有し、
前記第2ウェル領域と接合を形成している領域における前記第3半導体領域の接合深さは、前記第1ウェル領域と接合を形成している領域における前記第1半導体領域の接合深さよりも深く、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成されており、
前記第2ゲート絶縁膜は、前記第2ウェル領域上に形成された第2絶縁膜および前記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜を含んで形成されていることを特徴とした半導体集積回路装置。 - 前記第1、第2、第3および第4半導体領域はn型の導電性を示す領域であり、前記第1および第2ウェル領域はp型の導電型を示す領域であることを特徴とした請求項28記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1、第2、第3および第4半導体領域はp型の導電性を示す領域であり、前記第1および第2ウェル領域はn型の導電型を示す領域であることを特徴とした請求項28記載の半導体集積回路装置。
- 前記半導体集積回路装置は更に、
(i)前記半導体基板に形成された複数の第1絶縁膜、
を有し、
前記第2MISFETの第2ドレイン領域内には前記第1および第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い前記第1絶縁膜が形成されていることを特徴とした請求項27〜30のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第3絶縁膜はCVD法により形成された膜であることを特徴とした請求項25〜31のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3絶縁膜の膜厚は、前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とした請求項25〜32のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項2 5〜33のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とした請求項25〜34のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1ゲート絶縁膜には窒素が導入されていることを特徴とした請求項35記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3半導体領域の不純物濃度ピークは、前記第1半導体領域の不純物濃度ピークよりも深い位置に形成されていることを特徴とした請求項18〜36のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3半導体領域の深さは前記第4半導体領域よりも深い位置に形成されており、
前記第1半導体領域は前記第2半導体領域よりも浅い位置に形成されていることを特徴とした請求項18〜37のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2MISFETは、そのゲート長方向において、前記第2ゲート電極の端部が前記第1半導体領域上に位置していることを特徴とした請求項18〜38のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2MISFETの第2ドレイン領域に印加される固定電圧は、前記第1MISFETの第1ドレイン領域に印加される固定電圧よりも絶対値の高い電圧であることを特徴とした請求項17〜36のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- ゲート長方向において、前記第2ゲート電極の長さは前記第1ゲート電極の長さよりも長いことを特徴とした請求項17〜37のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1および第2MISFETは、液晶表示装置駆動用の回路を構成することを特徴とした請求項18〜43のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
- 半導体基板に形成されたMISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記MISFETのゲート絶縁膜を形成する工程、
(c)前記ゲート絶縁膜上に前記MISFETのゲート電極を形成する工程、
(d)前記半導体基板に前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる第1半導体領域を形成する工程、
(e)前記半導体基板に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記MISFETのソース・ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚く形成し、
前記MISFETのゲート長方向において、前記ゲート電極の端部は前記第1絶縁膜上に位置するように形成し、
前記第1半導体領域は、前記複数の第1絶縁膜よりも深い位置に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記第1半導体領域は、前記複数の第1絶縁膜のうち少なくとも一つを囲むように形成することを特徴とする請求項43記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第2半導体領域の順に位置するように形成することを特徴とする請求項43または44記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第1半導体領域は、前記第2半導体領域よりも深い位置に形成することを特徴とする請求項43〜45のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製 造方法。
- 前記MISFETのゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成することを特徴とする請求項43〜46のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記ゲート電極は、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項47記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- (a)半導体基板上に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記半導体基板に第1半導体領域を形成する工程、
(c)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に第2絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1および第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第3絶縁膜上に導電体膜を形成する工程、
(f)前記半導体基板に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記第2半導体領域を前記第1半導体領域よりも浅い位置に形成する工程、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記第3絶縁膜はCVD法により形成することを特徴とする請求項47〜49のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜はCVD法によって堆積した後に、熱処理工程を加えることで形成することを特徴とする請求項50記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記熱処理工程によって前記第3絶縁膜のゲート絶縁膜としての膜質が向上することを特徴とする請求項51記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第2絶縁膜は熱酸化法により形成することを特徴とする請求項47〜52のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜の膜厚は前記第2絶縁膜の膜厚よりも厚く形成することを特徴とする請求項47〜53のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(a)工程において、前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成することを特徴とする請求項43〜54のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(a)工程は、
(a1)前記半導体基板に溝を形成する工程、
(a2)前記溝内に前記第1絶縁膜を埋め込む工程、
を有することを特徴とする請求項43〜54のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - (a)半導体基板の第1および第2領域に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記第2領域の半導体基板に第3半導体領域を形成する工程、
(c)前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に第2絶縁膜を形成する工程、
(d)前記第1および第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第3絶縁膜をパターニングする工程、
(f)前記第2領域の前記第3絶縁膜上に第2導電体膜を形成する工程、
(g)前記第1領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板を露出させる工程、
(h)前記第1領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に第4絶縁膜を形成する工程、
(i)前記第4絶縁膜上に第1導電体膜を形成する工程、
(j)前記第1領域の半導体基板に第1半導体領域を形成する工程、
(k)前記第1および第2領域の半導体基板にそれぞれ第2および第4半導体領域を形成する工程であって、前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第2半導体領域および前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度を有する第4半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記第2および第3絶縁膜の膜厚よりも厚くなるように形成し、
前記第3半導体領域は前記第4半導体領域および前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成し、
前記第1半導体領域は前記第2半導体領域よりも浅い位置に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記(a)工程において、前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成することを特徴とする請求項57記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(a)工程は、
(a1)前記半導体基板に溝を形成する工程、
(a2)前記溝内に前記第1絶縁膜を埋め込む工程、
を有することを特徴とする請求項57記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記(d)工程において、前記第3絶縁膜はCVD法により形成することを特徴とする請求項57〜59のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(e)工程後に、前記第3絶縁膜に熱処理を施す工程を有することを特徴とする請求項60記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(e)工程において、前記第3絶縁膜は前記第1絶縁膜上でパターニングすることを特徴とする請求項57〜61のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(f)工程において、前記第2導電体膜の端部を前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項62記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(e)工程における前記パターニングする工程は、前記第3絶縁膜のエッチングレートよりも前記第1絶縁膜のエッチングレートよりも大きくなる条件で行うことを特徴とする請求項57〜63のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)前記第1および第2領域に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記第1領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜を形成する工程、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1MISFETの第1ゲート電極を形成する工程、
(d)前記第1領域の半導体基板に前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域を形成する工程、
(e)前記第1領域の前記半導体基板に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域を形成する工程、
(f)前記第2領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第2ゲート絶縁膜上に前記第2MISFETの第2ゲート電極を形成する工程、
(h)前記第2領域の半導体基板に前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域を形成する工程、
(i)前記第2領域の前記半導体基板に前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域を形成する工程であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第2ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記第1および第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚くなるように形成し、
前記第3半導体領域は、前記複数の第1絶縁膜のうち少なくとも一つを囲むように形成し、
前記第1および第2半導体領域は、前記第1絶縁膜に囲まれるように形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)前記第1および第2領域に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
(b)前記第1領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜を形成する工程、
(c)前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1MISFETの第1ゲート電極を形成する工程、
(d)前記第1領域の半導体基板に前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域を形成する工程、
(e)前記第1領域の前記半導体基板に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域を形成する工程、
(f)前記第2領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜を形成する工程、
(g)前記第2ゲート絶縁膜上に前記第2MISFETの第2ゲート電極を形成する工程、
(h)前記第2領域の半導体基板に前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域を形成する工程、
(i)前記第2領域の前記半導体基板に前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域を形成する工程であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第2ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜よりも厚い膜厚で形成し、
前記第1絶縁膜の膜厚は前記第1および第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚くなるように形成し、
前記第1MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第1半導体領域、前記第2半導体領域および前記第1絶縁膜の順に形成し、
前記第2MISFETは、そのゲート長方向において、チャネル領域、前記第3半導体領域、前記第1絶縁膜および前記第4半導体領域の順に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記(e)工程と前記(i)工程は同一工程で行うことを特徴とする請求項65または66記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は熱酸化法により形成することを特徴とする請求項65〜67のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記(a)工程は、
(a1)前記半導体基板に溝を形成する工程、
(a2)前記溝内に前記第1絶縁膜を埋め込む工程、
を有することを特徴とする請求項65〜67のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記第2ゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成することを特徴とする請求項65〜69のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第2ゲート電極の端部は、そのゲート長方向において、前記第3絶縁膜を介して前記第1絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項70記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 半導体基板の第1領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)前記第1領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜を形成する工程、
(b)前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1MISFETの第1ゲート電極を形成する工程、
(c)前記第1領域の半導体基板に前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域を形成する工程、
(d)前記第1領域の前記半導体基板に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域を形成する工程、
(e)前記第2領域の前記複数の第1絶縁膜間の半導体基板上に前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜を形成する工程、
(f)前記第2ゲート絶縁膜上に前記第2MISFETの第2ゲート電極を形成する工程、
(g)前記第2領域の半導体基板に前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域を形成する工程、
(h)前記第2領域の前記半導体基板に前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域を形成する工程であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第3半導体領域は、前記第1半導体領域よりも深く形成し、
前記第2ゲート絶縁膜は、第2および第3絶縁膜を含む積層膜で形成し、
前記第2および第3絶縁膜の膜厚の和は前記第1ゲート絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 半導体基板の第1ウェル領域に複数の第1MISFETを有し、前記半導体基板の第2ウェル領域に複数の第2MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、
(a)第1ウェル領域上に前記第1MISFETの第1ゲート絶縁膜を形成する工程、
(b)前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1MISFETの第1ゲート電極を形成する工程、
(c)前記第1ウェル領域に前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる第1半導体領域を形成する工程、
(d)前記第1ウェル領域に前記第1半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第2半導体領域を形成する工程であって、前記第1MISFETの第1ソースもしくは第1ドレイン領域の一部となる前記第2半導体領域を形成する工程、
(e)前記第2ウェル領域上に前記第2MISFETの第2ゲート絶縁膜を形成する工程、
(f)前記第2ゲート絶縁膜上に前記第2MISFETの第2ゲート電極を形成する工程、
(g)前記第2ウェル領域に前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる第3半導体領域を形成する工程、
(h)前記第2ウェル領域に前記第3半導体領域よりも高い不純物濃度で形成された第4半導体領域を形成する工程であって、前記第2MISFETの第2ソースもしくは第2ドレイン領域の一部となる前記第4半導体領域を形成する工程、
を有し、
前記第2ウェル領域と接合を形成している領域における前記第3半導体領域の接合深さを、前記第1ウェル領域と接合を形成している領域における前記第1半導体領域の接合深さよりも深くなるように形成し、
前記(e)工程において、前記第2ゲート絶縁膜形成工程は、
(e1)前記第2ウェル領域上に第2絶縁膜を形成する工程、
(e2)前記第1および第2絶縁膜上に第3絶縁膜を形成する工程、
を含み、
前記第2および第3絶縁膜の膜厚の和は、前記第1ゲート絶縁膜の膜厚よりも大きくなるように形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記第1、第2、第3および第4半導体領域はn型の導電性を示す領域であり、前記第1および第2ウェル領域はp型の導電型を示す領域であることを特徴とする請求項73記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第1、第2、第3および第4半導体領域はp型の導電性を示す領域であり、前記第1および第2ウェル領域はn型の導電型を示す領域であることを特徴とする請求項73記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記半導体集積回路装置の製造方法は更に、
(i)前記半導体基板に複数の第1絶縁膜を形成する工程、
を有し、
前記第2MISFETの第2ドレイン領域内に、前記第1および第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い前記第1絶縁膜を形成することを特徴とする請求項73〜75のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記(d)工程と前記(h)工程は同一工程で行うことを特徴とする請求項72〜76のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜はCVD法により形成することを特徴とする請求項70〜77のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第3半導体領域は前記第4半導体領域および前記第1絶縁膜よりも深い位置に形成し、
前記第1半導体領域は前記第2半導体領域よりも浅い位置に形成することを特徴とする請求項57〜78のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - ゲート長方向において、前記第2ゲート電極の長さは前記第1ゲート電極の長さよりも長いことを特徴とする請求項57〜79のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 前記第1および第2MISFETによって、液晶表示装置駆動用の回路を構成することを特徴とする請求項65〜80のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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JP2005051148A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005116744A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100542395B1 (ko) * | 2003-11-13 | 2006-01-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드 플래시 소자의 제조 방법 |
JP4707947B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7084035B2 (en) * | 2004-04-13 | 2006-08-01 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device placing high, medium, and low voltage transistors on the same substrate |
US7144784B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-12-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a semiconductor device and structure thereof |
JP2006049365A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
KR20070042911A (ko) * | 2004-08-17 | 2007-04-24 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5001522B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2012-08-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
KR100672156B1 (ko) * | 2005-05-11 | 2007-01-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 및 이의 형성방법 |
JP2006024953A (ja) * | 2005-07-15 | 2006-01-26 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100734302B1 (ko) * | 2006-01-12 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 집적도를 향상시킬 수 있는 반도체 집적 회로 소자 및 그제조방법 |
JP5103830B2 (ja) * | 2006-08-28 | 2012-12-19 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置 |
JP4648286B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5280716B2 (ja) * | 2007-06-11 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8072035B2 (en) | 2007-06-11 | 2011-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP4930725B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2012-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
JP2010062182A (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
JP5434489B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2014-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5778900B2 (ja) * | 2010-08-20 | 2015-09-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5211132B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2013-06-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN110838437B (zh) * | 2019-11-25 | 2022-11-29 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 光阻残留物的去除方法及逻辑器件 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3793090A (en) * | 1972-11-21 | 1974-02-19 | Ibm | Method for stabilizing fet devices having silicon gates and composite nitride-oxide gate dielectrics |
JP2845869B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1999-01-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JPH01137441A (ja) | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
JP2712359B2 (ja) * | 1988-09-01 | 1998-02-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0377464U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-08-05 | ||
JP2642523B2 (ja) * | 1991-03-19 | 1997-08-20 | 株式会社東芝 | 電荷結合素子を持つ半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH0629313A (ja) * | 1991-11-18 | 1994-02-04 | Sony Corp | Locosオフセットドレインの製造方法 |
JPH08264779A (ja) | 1995-03-17 | 1996-10-11 | Ricoh Co Ltd | Mos型半導体装置の製造方法 |
JP3230184B2 (ja) * | 1996-10-28 | 2001-11-19 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6114741A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Trench isolation of a CMOS structure |
JPH113946A (ja) * | 1997-04-18 | 1999-01-06 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US5936384A (en) | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Ricoh Company, Ltd. | Charge and discharge protection circuit and battery pack with high withstand voltage |
US5910673A (en) | 1997-12-04 | 1999-06-08 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Locos MOS device for ESD protection |
JP3967440B2 (ja) | 1997-12-09 | 2007-08-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3758366B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2006-03-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US5960289A (en) * | 1998-06-22 | 1999-09-28 | Motorola, Inc. | Method for making a dual-thickness gate oxide layer using a nitride/oxide composite region |
JP4674293B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2011-04-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | Mosトランジスタの製造方法 |
JP2000138347A (ja) | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000307012A (ja) | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Nec Corp | 膜厚が異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法 |
JP3041354B2 (ja) | 1999-05-21 | 2000-05-15 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US6117725A (en) * | 1999-08-11 | 2000-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for making cost-effective embedded DRAM structures compatible with logic circuit processing |
JP2001118933A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-11-30 JP JP2000364146A patent/JP2002170888A/ja active Pending
-
2001
- 2001-11-08 TW TW090127788A patent/TW535281B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-21 US US09/989,061 patent/US6780717B2/en not_active Expired - Lifetime
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