JPH01137441A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01137441A JPH01137441A JP62295476A JP29547687A JPH01137441A JP H01137441 A JPH01137441 A JP H01137441A JP 62295476 A JP62295476 A JP 62295476A JP 29547687 A JP29547687 A JP 29547687A JP H01137441 A JPH01137441 A JP H01137441A
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- Japan
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- film
- protective film
- resin
- resin layer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生される光情報
記録媒体のディスク構造に関するものである。
記録媒体のディスク構造に関するものである。
（従来の技術）
光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に使用され
ることがあり、高温高湿の環境下に放置されても記録材
料の変化がなく記録データを正確に読み書きできること
が必要である。
ることがあり、高温高湿の環境下に放置されても記録材
料の変化がなく記録データを正確に読み書きできること
が必要である。
例えばＧｅ−Ｔｅ系材料では、かかる点についてみると
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。従来は、第４図に示す様に、基板１に酸化物、窒化
物等の無機薄膜の保護せて、高温高湿環境下におけるＧ
ｅ−Ｔｅ系薄膜の劣化を防止していた。
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。従来は、第４図に示す様に、基板１に酸化物、窒化
物等の無機薄膜の保護せて、高温高湿環境下におけるＧ
ｅ−Ｔｅ系薄膜の劣化を防止していた。
（発明が解決しようとする問題点）
この方法によれば、保護用基板または同様の構造の記録
膜基板を貼合せる両面密着型貼合せ構造では劣化防止に
効果が上がったが、コンパクトディスク（ＣＤ）等の片
面記録構造で肉勢會参脩光ビーム照射でのピット形成に
伴う保護膜のクラック発生によシ、耐龍性試験では記録
膜の劣化が認められるという欠点があった。
膜基板を貼合せる両面密着型貼合せ構造では劣化防止に
効果が上がったが、コンパクトディスク（ＣＤ）等の片
面記録構造で肉勢會参脩光ビーム照射でのピット形成に
伴う保護膜のクラック発生によシ、耐龍性試験では記録
膜の劣化が認められるという欠点があった。
即ち、ＣＤ等の様な片面記録膜ディスクで、例では、光
ビーム照射による記録膜のピット形成時に起こる体積収
縮によシ、記録膜と密着している保護膜にクラックが発
生し、この部分よ多水分が浸透して、記録膜が酸化され
ＯＮ比が低下し、ビット誤シ率が増加する。この様に水
分浸透はＵＶ樹脂層側からが多く、基板側からの水分浸
透はポリカーボネイト樹脂の吸水性が小さいという特徴
により少ない。本発明はこの様な水分の浸透を防止し、
記録薄膜の高温高湿環境下における酸化。
ビーム照射による記録膜のピット形成時に起こる体積収
縮によシ、記録膜と密着している保護膜にクラックが発
生し、この部分よ多水分が浸透して、記録膜が酸化され
ＯＮ比が低下し、ビット誤シ率が増加する。この様に水
分浸透はＵＶ樹脂層側からが多く、基板側からの水分浸
透はポリカーボネイト樹脂の吸水性が小さいという特徴
により少ない。本発明はこの様な水分の浸透を防止し、
記録薄膜の高温高湿環境下における酸化。
腐食を防止し、長期間にわた多安定して情報を記録再生
できる光情報記録媒体を提供することを目的としている
。
できる光情報記録媒体を提供することを目的としている
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するために、記録膜を、酸化
物、窒化物等の第１の保護膜と、第１の紫外線硬化樹脂
（以下ＵＶ樹脂とする）膜とで両側からはさみ、更に上
記第１のＵＶ樹脂膜上に酸化物、窒化物等の第２の保護
膜及び第２のＵＶ樹脂膜を積層させた構造の光情報記録
媒体を提供するものである。
物、窒化物等の第１の保護膜と、第１の紫外線硬化樹脂
（以下ＵＶ樹脂とする）膜とで両側からはさみ、更に上
記第１のＵＶ樹脂膜上に酸化物、窒化物等の第２の保護
膜及び第２のＵＶ樹脂膜を積層させた構造の光情報記録
媒体を提供するものである。
（作用）
本手段による作用を以下に説明する。上述の様なディス
ク構造では記録膜と、その上層の保護膜とが直接接触し
ておらず、柔軟なＵＶ樹脂膜が介在するので、記録膜の
体積収縮が吸収される。従って、この上に積層された保
護膜にはクラックが生じにくく、従って最上層のＵＶ樹
脂膜を通過浸透する水分は、この保護膜によシ完全に阻
止される。このことから、記録薄膜は水分浸透による劣
化から保護され、高温高湿の環境下に母期間置かれても
記録材料としての性質に変化が生じない。
ク構造では記録膜と、その上層の保護膜とが直接接触し
ておらず、柔軟なＵＶ樹脂膜が介在するので、記録膜の
体積収縮が吸収される。従って、この上に積層された保
護膜にはクラックが生じにくく、従って最上層のＵＶ樹
脂膜を通過浸透する水分は、この保護膜によシ完全に阻
止される。このことから、記録薄膜は水分浸透による劣
化から保護され、高温高湿の環境下に母期間置かれても
記録材料としての性質に変化が生じない。
（実施例）
第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示し
たものである。即ち、１はポリカーボネイト基板であシ
、その上に保護膜２１としてＳｉｎ。
たものである。即ち、１はポリカーボネイト基板であシ
、その上に保護膜２１としてＳｉｎ。
Ｓｉｎ、等の酸化物及びＳｉ３Ｎ、 、 Ａ−ＡＮ等の
窒化物を有し、更にＧｅ−Ｔｅ系記録膜３．ＵＶ樹脂膜
４１、保護膜２２．ＵＶ樹脂膜４２を積層した。ここで
、基板１はポリカーボネイトに限ることな〈従来から公
知の如（、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン。
窒化物を有し、更にＧｅ−Ｔｅ系記録膜３．ＵＶ樹脂膜
４１、保護膜２２．ＵＶ樹脂膜４２を積層した。ここで
、基板１はポリカーボネイトに限ることな〈従来から公
知の如（、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン。
エポキシ等のプラスチック材、ガラス板、ＡＪ−等の金
属板等を使用できる。Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜３及びＳｉＯ、
ＳｉＯ□、 Ｓｉ、Ｎ、 、 ＡｊＮ 等の保護膜４１
゜４２は、蒸着法及びスパッタリング法によシ作製する
。ＵＶ樹脂は、スピンナーによシスピンコートする。
属板等を使用できる。Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜３及びＳｉＯ、
ＳｉＯ□、 Ｓｉ、Ｎ、 、 ＡｊＮ 等の保護膜４１
゜４２は、蒸着法及びスパッタリング法によシ作製する
。ＵＶ樹脂は、スピンナーによシスピンコートする。
まず、同一真空槽内で基板１に蒸着法及びスパッタリン
グ法によシ保護膜２１．Ｇｅ−Ｔ６系薄膜３を連続で作
製し、ここで−度真空を破壊し、ＵＶ樹脂膜４１をスピ
ンコードする。更にもう１度真空にして、蒸着法入隊ス
パッタリング法によシ保護膜２２を作製し、ＵＶ樹脂４
２をスピンコードする。この保護膜作製、Ｕｖ樹脂スピ
ンコードの行程を増やすことによシ、−層の耐イｆＬ懺
向上が望める。
グ法によシ保護膜２１．Ｇｅ−Ｔ６系薄膜３を連続で作
製し、ここで−度真空を破壊し、ＵＶ樹脂膜４１をスピ
ンコードする。更にもう１度真空にして、蒸着法入隊ス
パッタリング法によシ保護膜２２を作製し、ＵＶ樹脂４
２をスピンコードする。この保護膜作製、Ｕｖ樹脂スピ
ンコードの行程を増やすことによシ、−層の耐イｆＬ懺
向上が望める。
本実施例によるディスク状光情報記録媒体にレーザービ
ームを照射し、回転数１８０Ｏｒｐｍで周波数ＩＭＨｚ
の信号を記録し、その後Ｊ Ｉ ８０５０２４Ｍ−１の
温湿度サイクル試験を行ったときのＯＮ比の変化を第２
図、ピット誤シ率の変化を第８図に示す。なお、本試験
での１サイクルは通常の環境下では１年に相当する。
ームを照射し、回転数１８０Ｏｒｐｍで周波数ＩＭＨｚ
の信号を記録し、その後Ｊ Ｉ ８０５０２４Ｍ−１の
温湿度サイクル試験を行ったときのＯＮ比の変化を第２
図、ピット誤シ率の変化を第８図に示す。なお、本試験
での１サイクルは通常の環境下では１年に相当する。
第２図、第３図からも明白なように、本実施例によるＧ
ｅ−Ｔｅ系材料の薄膜３を保護膜２１とＵＶ樹脂４１で
挟み、更に保護膜２２、ＵＶ樹脂膜４２を積層す゛るデ
ィスク構造での光情報記録媒体は１従来のＧｅ−Ｔｅ系
材料を保護膜で挟み、ＵＶ樹脂層を設けるディスク構造
のものに比べて、温湿度サイクル試験後もＯＮ比、ピッ
ト誤シ率の変化が小さいことを示している。ＯＮ比が初
期値（０サイクルのとき°の値）の３ｄＢ低下になる時
点また、ビット誤シ率が初期値の３倍になる時点を媒体
寿命とすると従来例の媒体寿命が３年であるのに比べて
、本実施例による光情報媒体ディスク構造では、媒体寿
命が１０年以上という長寿命になっていることがわかる
。
ｅ−Ｔｅ系材料の薄膜３を保護膜２１とＵＶ樹脂４１で
挟み、更に保護膜２２、ＵＶ樹脂膜４２を積層す゛るデ
ィスク構造での光情報記録媒体は１従来のＧｅ−Ｔｅ系
材料を保護膜で挟み、ＵＶ樹脂層を設けるディスク構造
のものに比べて、温湿度サイクル試験後もＯＮ比、ピッ
ト誤シ率の変化が小さいことを示している。ＯＮ比が初
期値（０サイクルのとき°の値）の３ｄＢ低下になる時
点また、ビット誤シ率が初期値の３倍になる時点を媒体
寿命とすると従来例の媒体寿命が３年であるのに比べて
、本実施例による光情報媒体ディスク構造では、媒体寿
命が１０年以上という長寿命になっていることがわかる
。
（発明の効果）
このように本発明による光情報記録媒体は、記録膜を第
１の保護膜と第１のＵＶ樹脂層で挟み、この柔軟な第１
のＵＶ樹脂層上に第２の保護膜及び第２のＵＶ樹脂層を
積層するディスク構造としたので、記録膜のビット部の
変形は柔軟な第１のＵＶ樹脂層で吸収され、クラックが
生じに＜＜、高温高湿下に放置されても保護膜がＧｅ−
Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止するので記録材料の変化
がなく、シたがって長期間にわたって正確に情報を記録
再生することができる。
１の保護膜と第１のＵＶ樹脂層で挟み、この柔軟な第１
のＵＶ樹脂層上に第２の保護膜及び第２のＵＶ樹脂層を
積層するディスク構造としたので、記録膜のビット部の
変形は柔軟な第１のＵＶ樹脂層で吸収され、クラックが
生じに＜＜、高温高湿下に放置されても保護膜がＧｅ−
Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止するので記録材料の変化
がなく、シたがって長期間にわたって正確に情報を記録
再生することができる。
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図、第２図
は本発明によるディスク構造の光情報記録媒体のＯＮ比
の変化を示す線図、第３図は同じくビット誤シ率の変化
を示す線図、第４図は従来の光情報記録媒体の断面図で
ある。 １・・・基板 ２１，２２・・・保護膜３・
・−Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 ４１．４２ ・Ｕ Ｖ樹脂膜特
許出願人 日本コロムビア株式会社メ】回
算汀
は本発明によるディスク構造の光情報記録媒体のＯＮ比
の変化を示す線図、第３図は同じくビット誤シ率の変化
を示す線図、第４図は従来の光情報記録媒体の断面図で
ある。 １・・・基板 ２１，２２・・・保護膜３・
・−Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 ４１．４２ ・Ｕ Ｖ樹脂膜特
許出願人 日本コロムビア株式会社メ】回
算汀
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された記録薄膜へ光ビームを照射
し、情報を記録する光情報記録媒体において、上記記録
薄膜を第１の保護膜と第１の紫外線硬化樹脂とで挾み、
該紫外線硬化樹脂第２の保護膜と第２の紫外線硬化樹脂
とをこれら順序で重ね合せたことを特徴とする光情報記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295476A JPH01137441A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295476A JPH01137441A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137441A true JPH01137441A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17821095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62295476A Pending JPH01137441A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01137441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224037B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-05-29 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device with high and low breakdown-voltage MISFETs |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP62295476A patent/JPH01137441A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224037B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-05-29 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device with high and low breakdown-voltage MISFETs |
| US7541661B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-06-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device with high and low breakdown-voltage MISFETs |
| US7790554B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-09-07 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device with high and low breakdown-voltage MISFETs |
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