JPH0422288B2 - - Google Patents
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- JPH0422288B2 JPH0422288B2 JP59134206A JP13420684A JPH0422288B2 JP H0422288 B2 JPH0422288 B2 JP H0422288B2 JP 59134206 A JP59134206 A JP 59134206A JP 13420684 A JP13420684 A JP 13420684A JP H0422288 B2 JPH0422288 B2 JP H0422288B2
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- information recording
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学的記録あるいは再生方式に使用さ
れる円盤上の情報記録担体に関するものである。
れる円盤上の情報記録担体に関するものである。
従来例の構成とその問題点
光学的記録再生方式においては、回転駆動され
る円盤状情報記録担体（以下デイスクと呼ぶ）の
光記録層に、情報信号に対応したレーザ光を照射
することにより、光記録層に光学的な濃淡あるい
は凹凸を設けて、情報の記録・再生を行うもので
数μmの微小信号を記録することができ、原理的
には光の波長程度の高密度記録が可能な方式であ
る。
る円盤状情報記録担体（以下デイスクと呼ぶ）の
光記録層に、情報信号に対応したレーザ光を照射
することにより、光記録層に光学的な濃淡あるい
は凹凸を設けて、情報の記録・再生を行うもので
数μmの微小信号を記録することができ、原理的
には光の波長程度の高密度記録が可能な方式であ
る。
最近では、情報化社会の中にあつて、オフイス
オートメーシヨンやラボラトリーオートメーシヨ
ン等の合理化が重要視されてきており、こうした
要望に応えるものとして、ユーザーが自由に記録
再生のできる追加記憶形デイスクは最適である。
それと同時に高感度の記録媒体を始めとし、高性
能な部品材料が必要であり、外部環境の変化によ
る記録媒体の劣化を生じないデイスク構造が要求
される。
オートメーシヨンやラボラトリーオートメーシヨ
ン等の合理化が重要視されてきており、こうした
要望に応えるものとして、ユーザーが自由に記録
再生のできる追加記憶形デイスクは最適である。
それと同時に高感度の記録媒体を始めとし、高性
能な部品材料が必要であり、外部環境の変化によ
る記録媒体の劣化を生じないデイスク構造が要求
される。
ここで、従来から使われているデイスクの記録
膜劣化の一例を図面とともに説明する。第１図は
ポリカーボネート樹脂からなるデイスク基材１に
光案内用の溝２が設けられており、その上に記録
膜３が蒸着されている。さらにこれらの外表面全
体が紫外線硬化樹脂からなる保護膜４で覆われて
いる。
膜劣化の一例を図面とともに説明する。第１図は
ポリカーボネート樹脂からなるデイスク基材１に
光案内用の溝２が設けられており、その上に記録
膜３が蒸着されている。さらにこれらの外表面全
体が紫外線硬化樹脂からなる保護膜４で覆われて
いる。
このような構造のデイスク基材１、記録膜３、
保護膜４の線膨張係数は様々の場合が多く、高温
高湿な環境下に置かれた時や、この環境と室温雰
囲気とのサイクル条件下の時には熱膨張の度合が
異なるためそれぞれの境界面で内部応力を発生す
ることが多い。各境界面での接着力がこの内部応
力に耐えられない時は、例えば第２図ａ，ｂに示
されるように、デイスク基材１と記録膜３の間、
もしくは記録膜３と保護膜４との間に微小な剥離
５ａ，５ｂを発生することがある。実験によれ
ば、微小な剥離は第２図ａの場合が非常に多く、
これは、デイスク基材１の表面の薄層状の汚れや
デイスク基材成形時の表層変質層が原因と考えら
れ、洗浄液による一般的な洗浄法では解決し難い
ものである。
保護膜４の線膨張係数は様々の場合が多く、高温
高湿な環境下に置かれた時や、この環境と室温雰
囲気とのサイクル条件下の時には熱膨張の度合が
異なるためそれぞれの境界面で内部応力を発生す
ることが多い。各境界面での接着力がこの内部応
力に耐えられない時は、例えば第２図ａ，ｂに示
されるように、デイスク基材１と記録膜３の間、
もしくは記録膜３と保護膜４との間に微小な剥離
５ａ，５ｂを発生することがある。実験によれ
ば、微小な剥離は第２図ａの場合が非常に多く、
これは、デイスク基材１の表面の薄層状の汚れや
デイスク基材成形時の表層変質層が原因と考えら
れ、洗浄液による一般的な洗浄法では解決し難い
ものである。
微小剥離は一度発生すると、その後の剥離が助
長され易く、周囲に拡大する可能性を十分もつて
いる。これは初期の剥離を発生させる応力と、剥
離の存在しているものを押し開く応力とではメカ
ニズムが異なり、後者の方がより小さい力で発生
させることができるからである。
長され易く、周囲に拡大する可能性を十分もつて
いる。これは初期の剥離を発生させる応力と、剥
離の存在しているものを押し開く応力とではメカ
ニズムが異なり、後者の方がより小さい力で発生
させることができるからである。
このような微小剥離は、初期は真空状態である
ため、デイスクの外気に触れている部分との通気
が生じると、一瞬にして剥離部内に外気を取り入
れることになる。したがつて、外気の環境が高温
高湿な条件下であると、湿度の影響を受け易い材
料の場合には、酸化をし劣化が促進されることが
考えられる。また剥離部の外気との通気が瞬時に
発生しなくても、一度剥離を生じた箇所は接着力
が弱まつており、その後デイスク基材や保護膜を
徐々に浸透してきた水分によつて影響を受ける可
能性は十分あり記録膜の劣化はまぬかれない。
ため、デイスクの外気に触れている部分との通気
が生じると、一瞬にして剥離部内に外気を取り入
れることになる。したがつて、外気の環境が高温
高湿な条件下であると、湿度の影響を受け易い材
料の場合には、酸化をし劣化が促進されることが
考えられる。また剥離部の外気との通気が瞬時に
発生しなくても、一度剥離を生じた箇所は接着力
が弱まつており、その後デイスク基材や保護膜を
徐々に浸透してきた水分によつて影響を受ける可
能性は十分あり記録膜の劣化はまぬかれない。
以上は、記録膜が比較的透水性の小さいポリカ
ーボネート樹脂やこれと等価な保護膜で外気から
遮断保護されていても、剥離を生じた場合にはそ
の効果は消滅し、デイスクの信頼性の点で重大な
問題となる。もし、剥離の状態が拡大せず微小剥
離のままであつたとしても、記録、再生時のレー
ザ光の照射に対してはその影響をまぬかれず、特
性の低下からデイスクとしての信頼性を失うこと
になる。
ーボネート樹脂やこれと等価な保護膜で外気から
遮断保護されていても、剥離を生じた場合にはそ
の効果は消滅し、デイスクの信頼性の点で重大な
問題となる。もし、剥離の状態が拡大せず微小剥
離のままであつたとしても、記録、再生時のレー
ザ光の照射に対してはその影響をまぬかれず、特
性の低下からデイスクとしての信頼性を失うこと
になる。
発明の目的
本発明は以上のような欠点を除去し、高温高湿
な環境下に置かれても剥離を発生せず、記録膜の
劣化を最小限に押さえる信頼性の高い情報記録担
体とその製造方法を提供するものである。
な環境下に置かれても剥離を発生せず、記録膜の
劣化を最小限に押さえる信頼性の高い情報記録担
体とその製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は光案内用の溝を形成したデイスク基材
の溝形成面全体に、遠紫外線を照射して洗浄効果
をもたせ、光記録膜との接着性を強化するもので
ある。これにより、光記録膜のデイスク基材から
の剥離を防止するとともに、寿命の長い信頼性の
高いデイスクの製作を可能にするものである。
の溝形成面全体に、遠紫外線を照射して洗浄効果
をもたせ、光記録膜との接着性を強化するもので
ある。これにより、光記録膜のデイスク基材から
の剥離を防止するとともに、寿命の長い信頼性の
高いデイスクの製作を可能にするものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を図面とともに説明す
る。第３図において、第１図，第２図と同一物は
同一番号を付して説明する。第３図において、ポ
リカーボネート樹脂からなるデイスク基材１に光
案内用の溝２が設けてあり、この溝形成面全体に
対して第３図のごとく遠紫外線６を照射する。こ
うして照射された遠紫外線励起物理的，化学的活
性層７は、薄膜状の汚れや不均一な表層変質層も
除去する効果があり、光学的に均一な基材表面が
得られる。
る。第３図において、第１図，第２図と同一物は
同一番号を付して説明する。第３図において、ポ
リカーボネート樹脂からなるデイスク基材１に光
案内用の溝２が設けてあり、この溝形成面全体に
対して第３図のごとく遠紫外線６を照射する。こ
うして照射された遠紫外線励起物理的，化学的活
性層７は、薄膜状の汚れや不均一な表層変質層も
除去する効果があり、光学的に均一な基材表面が
得られる。
遠紫外線励起物理的，化学的活性層７を形成後
は清浄な状態を保ちながら、短時間のうちに第４
図のごとく、活性層７の上に記録膜３を蒸着法ま
たはスパツタ法により形成する。さらにこれらの
デイスク基板８の全外表面を紫外線硬化樹脂から
なる保護膜４で覆つている。
は清浄な状態を保ちながら、短時間のうちに第４
図のごとく、活性層７の上に記録膜３を蒸着法ま
たはスパツタ法により形成する。さらにこれらの
デイスク基板８の全外表面を紫外線硬化樹脂から
なる保護膜４で覆つている。
このように遠紫外線を基材表面に照射したもの
は、記録膜の基材に対する接着力が非常に強化さ
れ、例えば70℃90％R.H.のような苛酷な環境下
での寿命試験をした場合でも、微小な剥離の発生
は全くなく、寿命の点からしても、処理しない基
板の数倍の寿命をもつという結果が得られた。
は、記録膜の基材に対する接着力が非常に強化さ
れ、例えば70℃90％R.H.のような苛酷な環境下
での寿命試験をした場合でも、微小な剥離の発生
は全くなく、寿命の点からしても、処理しない基
板の数倍の寿命をもつという結果が得られた。
この原因の一つとしては遠紫外線の照射によつ
てオゾンが発生し、この影響を受けて基材表面が
酸化をされて極性基が生じ、接着力が強化される
ことが考えられる。また酸素プラズマによる基材
表面の改質処理の場合のように極めて微小な凹凸
が発生することによつて接着力が強化されること
も一つの原因と考えられる。こうした現象は遠紫
外線励起による物理的，化学的に活性化された層
が基材表面に発生するということもできる。同時
に、薄層状の汚れや不均一な表層変質層を均一化
する点においては基材表面の洗浄効果をもつこと
も考えられる。
てオゾンが発生し、この影響を受けて基材表面が
酸化をされて極性基が生じ、接着力が強化される
ことが考えられる。また酸素プラズマによる基材
表面の改質処理の場合のように極めて微小な凹凸
が発生することによつて接着力が強化されること
も一つの原因と考えられる。こうした現象は遠紫
外線励起による物理的，化学的に活性化された層
が基材表面に発生するということもできる。同時
に、薄層状の汚れや不均一な表層変質層を均一化
する点においては基材表面の洗浄効果をもつこと
も考えられる。
微小な凹凸を発生した場合のＣ／Ｎ，RF振幅
等の再生信号への影響はほとんどなく、遠紫外線
の照射条件の選択によつて最適値を選ぶことが可
能である。
等の再生信号への影響はほとんどなく、遠紫外線
の照射条件の選択によつて最適値を選ぶことが可
能である。
実験においては、遠紫外線の波長は2537Åを主
波長とした1849Åを含む混合波を用い、照射パワ
ーとしては2.61mW／m2／sec程度を使用した。
このときの照射時間は５分〜30分を実験で行つた
が、いずれの場合も同程度の効果が得られた。厳
密に言えば、15分程度のものが比較的良い結果で
あつたが、量産化を考えると照射時間は短い方が
好ましい。逆に長すぎる場合は、基材表面の変質
化が進行するため、デイスク化した後のＣ／Ｎの
低下や、ドロツプアウトの増加等膜特性に影響を
及ぼすことが十分考えられる。
波長とした1849Åを含む混合波を用い、照射パワ
ーとしては2.61mW／m2／sec程度を使用した。
このときの照射時間は５分〜30分を実験で行つた
が、いずれの場合も同程度の効果が得られた。厳
密に言えば、15分程度のものが比較的良い結果で
あつたが、量産化を考えると照射時間は短い方が
好ましい。逆に長すぎる場合は、基材表面の変質
化が進行するため、デイスク化した後のＣ／Ｎの
低下や、ドロツプアウトの増加等膜特性に影響を
及ぼすことが十分考えられる。
遠紫外線の照射をした基材の表面には予め形成
してある光案内用の溝が存在するが、この溝の深
さは700Å前後であり、照射によつてこの溝の深
さに大きく影響を与える程度のものであつてはな
らない。しかしながら、本実施例の条件下で処理
を施したものは、溝のトラツキングや、フオーカ
スの制御，記録膜の反射率，ドロツプアウト等に
特に影響を与えるものではないことが実験的に確
かめられた。
してある光案内用の溝が存在するが、この溝の深
さは700Å前後であり、照射によつてこの溝の深
さに大きく影響を与える程度のものであつてはな
らない。しかしながら、本実施例の条件下で処理
を施したものは、溝のトラツキングや、フオーカ
スの制御，記録膜の反射率，ドロツプアウト等に
特に影響を与えるものではないことが実験的に確
かめられた。
次に本発明の第２の実施例を図面とともに説明
する。第５図において、光案内用の溝２が形成さ
れたポリカーボネート樹脂からなるデイスク基材
１の溝形成面に、遠紫外線を照射して遠紫外線励
起物理的，化学的活性層７を設け、その上に記録
膜３を蒸着したものを第１のデイスク基板８とす
る。これと同様の光案内用の溝２ａ、遠紫外線励
起物理的，化学的活性層７ａをもつデイスク基材
１ａに記録膜３ａを蒸着した第２のデイスク基板
８ａが接着剤９によつて全面接合されている。
する。第５図において、光案内用の溝２が形成さ
れたポリカーボネート樹脂からなるデイスク基材
１の溝形成面に、遠紫外線を照射して遠紫外線励
起物理的，化学的活性層７を設け、その上に記録
膜３を蒸着したものを第１のデイスク基板８とす
る。これと同様の光案内用の溝２ａ、遠紫外線励
起物理的，化学的活性層７ａをもつデイスク基材
１ａに記録膜３ａを蒸着した第２のデイスク基板
８ａが接着剤９によつて全面接合されている。
このような構成からなるデイスクは、記録膜が
光を透過しないため接着剤として光硬化性の樹脂
は使えないが、常温硬化型あるいは熱硬化型の接
着剤や、ホツトメルト系の接着剤を用いれば特に
問題はない。この実施例においても、記録膜はい
ずれも遠紫外線で表面処理された面に蒸着されて
いるため、接着力が強化され、高温高湿な環境に
置かれた場合や室温とのサイクル条件下でも記録
膜の剥離は発生せず、寿命の長い信頼性の高いデ
イスクが得られた。
光を透過しないため接着剤として光硬化性の樹脂
は使えないが、常温硬化型あるいは熱硬化型の接
着剤や、ホツトメルト系の接着剤を用いれば特に
問題はない。この実施例においても、記録膜はい
ずれも遠紫外線で表面処理された面に蒸着されて
いるため、接着力が強化され、高温高湿な環境に
置かれた場合や室温とのサイクル条件下でも記録
膜の剥離は発生せず、寿命の長い信頼性の高いデ
イスクが得られた。
また遠紫外線による表面処理法は一度に多量の
基材を処理することが可能で、装置としても高価
なものではなく、コスト的にも有利な量産性に適
した方法といえる。
基材を処理することが可能で、装置としても高価
なものではなく、コスト的にも有利な量産性に適
した方法といえる。
以上の構成による情報記録担体は、その材質が
有機高分子からなる場合に特に有効であり、その
一例としてはポリカーボネート，アクリル樹脂
（RMMA）の他に、塩化ビニル，ポリスチレン，
ポリエチレン，ポリエステル，アセテート等があ
る。
有機高分子からなる場合に特に有効であり、その
一例としてはポリカーボネート，アクリル樹脂
（RMMA）の他に、塩化ビニル，ポリスチレン，
ポリエチレン，ポリエステル，アセテート等があ
る。
なお、本発明における光記録膜の材料は、光吸
収性の半透明膜であつて、レーザー光の照射によ
り光吸収係数あるいは光吸収係数と屈折率の両方
が変化するものが必要であり、その一例として、
TeOx（ｘ≒1.0）（TeO2とTeとの混合物）を主成
分とする薄膜を設けたものがある。これらの薄膜
としては、Ge15Te81Sb2S2，As2S3等のアモルフ
アス薄膜が使われる。
収性の半透明膜であつて、レーザー光の照射によ
り光吸収係数あるいは光吸収係数と屈折率の両方
が変化するものが必要であり、その一例として、
TeOx（ｘ≒1.0）（TeO2とTeとの混合物）を主成
分とする薄膜を設けたものがある。これらの薄膜
としては、Ge15Te81Sb2S2，As2S3等のアモルフ
アス薄膜が使われる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、簡単な構成と製
造方法により、外部環境の変化に対しても記録膜
の剥離がなく、安価で長期間画像品質の保証がで
きる信頼性の高い情報記録担体を得るために大き
な効果を有するものである。
造方法により、外部環境の変化に対しても記録膜
の剥離がなく、安価で長期間画像品質の保証がで
きる信頼性の高い情報記録担体を得るために大き
な効果を有するものである。
第１図は従来例における情報記録担体の断正面
図、第２図ａ，ｂは従来例における情報記録担体
が剥離を発生した状態を示す断正面図、第３図は
本発明の第１の実施例の製造方法を示す説明図、
第４図は本発明の第１の実施例における情報記録
担体の断正面図、第５図は本発明の第２の実施例
における情報記録担体の断正面図である。 １……デイスク基材、２……光案内用の溝、３
……記録膜、７……洗浄面。
図、第２図ａ，ｂは従来例における情報記録担体
が剥離を発生した状態を示す断正面図、第３図は
本発明の第１の実施例の製造方法を示す説明図、
第４図は本発明の第１の実施例における情報記録
担体の断正面図、第５図は本発明の第２の実施例
における情報記録担体の断正面図である。 １……デイスク基材、２……光案内用の溝、３
……記録膜、７……洗浄面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光案内用の溝形成面を有する樹脂基材の、前
記溝形成面に遠紫外線励起物理的・化学的活性層
を設け、前記活性層の上に光吸収性の半透明膜で
ある情報記録膜を設けた情報記録担体。 ２ 情報記録膜として、レーザー光の照射により
光吸収係数あるいは光吸収係数と屈折率の両方が
変化する材料を用いた特許請求の範囲第１項記載
の情報記録担体。 ３ 少なくとも一方に光案内用の溝形成面とこの
溝形成面に設けた遠紫外線励起物理的・化学的活
性層と光吸収性の半透明膜である情報記録膜を有
する２つの樹脂基材を設け、前記情報記録膜を内
側にして前記両樹脂基材を全面接合した情報記録
担体。 ４ 情報記録膜として、レーザー光の照射により
光吸収係数あるいは光吸収係数と屈折率の両方が
変化する材料を用いた特許請求の範囲第３項記載
の情報記録担体。 ５ 光案内用の溝形成面を有するデイスク基板を
設け、このデイスク基板の前記溝形成面に遠紫外
線を照射した後、その上に光吸収性の半透明膜を
設けることを特徴とする情報記録担体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134206A JPS6113455A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 情報記録担体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134206A JPS6113455A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 情報記録担体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113455A JPS6113455A (ja) | 1986-01-21 |
| JPH0422288B2 true JPH0422288B2 (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=15122896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59134206A Granted JPS6113455A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 情報記録担体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113455A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01271935A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| US5707561A (en) * | 1996-07-18 | 1998-01-13 | Walbro Corporation | Tamper resistant carburetor needle valve adjustment limiter |
| JP2010034075A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Kyocera Corp | 光学要素組立体の組立方法 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59134206A patent/JPS6113455A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6113455A (ja) | 1986-01-21 |
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