JPH09212913A - 光ディスクメモリおよびその製造方法 - Google Patents

光ディスクメモリおよびその製造方法

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JPH09212913A
JPH09212913A JP8022270A JP2227096A JPH09212913A JP H09212913 A JPH09212913 A JP H09212913A JP 8022270 A JP8022270 A JP 8022270A JP 2227096 A JP2227096 A JP 2227096A JP H09212913 A JPH09212913 A JP H09212913A
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JP
Japan
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layer
optical disk
disk memory
optical recording
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP8022270A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Kodera
宏一 小寺
Hiroyoshi Tanaka
博由 田中
Masao Uchida
正雄 内田
Akira Shiokawa
塩川　　晃
Sakae Noda
栄 野田
Hideaki Yasui
秀明 安井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性の高い光ディスクメモリおよびその形
成方法を提供する。 【解決手段】 一方の面に信号凹凸部あるいは光案内用
溝部を有するプラスチック基板の他方の面に強固なＣ−
Ｆ結合を有するフッ素含有カーボン層を構成し、フッ素
含有カーボン層の最表面においてフッ素原子数とカーボ
ン原子数の比Ｆ／Ｃ値を0.6以上として撥水性表面を構
成することにより、耐久性の高い光ディスクメモリを形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は耐久性に優れた光デ
ィスクメモリおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会の到来に伴い、情報メモ
リの重要性が高まり、高密度記録が可能な光ディスクメ
モリが注目されるようになってきた。光ディスクメモリ
として、すでに情報が記録ビットとして書き込まれた読
み出し専用のものとしてＣＤやＣＤ−ＲＯＭがあり、す
でに大容量リードオンリメモリとして広く普及してい
る。
【０００３】図２６はＣＤの断面構成図を示している。
ポリカーボネート製のプラスチック基板１には情報を記
録ビットとして形成したピットが凹部に相当する凹凸部
2-1が片面に形成され、その上にＡｌより成る光反射層
４が形成される。光反射層４上には光硬化性樹脂より成
る保護樹脂層6-1が形成され、さらにその上に印刷等に
よりメモリ内容明示層6-2が形成され、ＣＤが構成され
ている。
【０００４】また最近では、ユーザが情報を直接書き込
むことができ、それを読み出すことができる光ディスク
メモリが提案され、市場に送り出されるようになってき
た。これはレーザ光ビーム照射による熱エネルギで光記
録層の相を変化させて記録ビットを形成する相変化型光
ディスクメモリ等であり、大容量書き換え可能メモリと
して期待されている。
【０００５】図２７は書き換え可能型の相変化型光ディ
スクメモリの断面構成図を示している。ポリカーボネー
ト製のプラスチック基板１にはレーザ光案内用トラッキ
ング溝部2-2が形成され、その上に光記録構成層５が形
成されている。光記録構成層５は透明誘電体層5-1、光
記録層5-2、透明誘電体層5-3、光反射層5-4を順次積層
して構成される。光反射層5-4の上には光硬化性樹脂よ
り成る保護樹脂層６が形成されたり、図２８に示すよう
にプラスチック保護基板７が接着層８を介して貼り付け
られて、光ディスクメモリが構成される。
【０００６】また最近、よりメモリ容量を増加させるた
め、２枚の基板を貼り合わせて容量を２倍にする試みも
行われている。図２９はＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭを接
着層８を介して２枚貼り合わせた光ディスクメモリを、
図３０は書き換え可能型の相変化型光ディスクメモリを
接着層８を介して２枚貼り合わせた光ディスクメモリの
断面構成図を示している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】情報メモリとしての光
ディスクメモリが要求される項目の最も重要なものは情
報の長期保存性、すなわち信頼性を保証することであ
る。通常の恒温恒湿の制御されたオフィス環境で使用さ
れる場合は余り問題にならないことが多いが、ユーザが
一般個人へと広がり、その使用環境が多岐に渡ってきた
現在、信頼性の保証に課題がでてきた。
【０００８】例えば、梅雨時のような高温高湿の環境で
長時間保存しておくと、ＣＤやＣＤ−ＲＯＭのＡｌより
成る光反射層４が腐食し、記録ビットエラーが生ずるこ
とがある。また、相変化型のメモリの場合もＣＤと同様
に高温高湿下で光記録層5-2の腐食を招く。
【０００９】また、２枚を貼り合わせた光ディスクメモ
リでは、高温高湿下で接着層８を介した貼り合わせ部で
剥離が発生し、情報の読み取りに支障が生じる課題が発
生することもあった。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、耐久性の高い長期信頼性を保証する光ディスクメモ
リ及びその製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる光ディス
クメモリは、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部あ
るいは光案内用トラッキング溝部を有するプラ一スチッ
ク基板を用いて構成する光ディスクメモリにおいて、前
記プラスチック基板の凹凸部を持たない面、あるいは溝
部を持たない面上にＣ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆
層を形成して成るものである。
【００１２】さらに、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板を用いて構成
する光ディスクメモリ、あるいは一方の面に光案内用ト
ラッキング溝部を有する表面に光記録構成層を形成した
プラスチック基板を用いて構成する光ディスクメモリに
おいて、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上に
樹脂層を形成し、さらに前記樹脂層の上にＣ−Ｆ結合を
有するフッ素含有被覆層を形成して成るものである。
【００１３】次に、本発明にかかる光ディスク形成方法
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部あるいは光
案内用トラッキング溝部を有するプラスチック基板を用
いて構成する光ディスクメモリの製造方法において、前
記プラスチック基板の凹凸部を持たない面、あるいは溝
部を持たない面上にフッ素含有のプラズマあるいはフッ
素含有のイオンを照射してプラスチック基板の上層部
を、Ｃ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層に改質するも
のである。
【００１４】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板を用いて構
成する光ディスクメモリ、あるいは一方の面に光案内用
トラッキング溝部を有する表面に光記録構成層を形成し
たプラスチック基板を用いて構成する光ディスクメモリ
を用いて構成する光ディスクメモリの製造方法におい
て、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上に樹脂
層を形成し、前記樹脂層の表面にフッ素含有のプラズマ
あるいはフッ素含有のイオンを照射して前記樹脂層の上
層部を、Ｃ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層に改質す
るものである。
【００１５】次に、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、前
記光反射層の形成された表面同士において接着層を介し
て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
において、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上
にＡｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層を形成し、２枚
のプラスチック基板の被覆層を接着層を介して貼り合わ
せて構成されるものである。
【００１６】さらに、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、前
記光反射層の形成された表面同士において接着層を介し
て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
において、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上
にＡｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層を形成し、２枚の
プラスチック基板の被覆層を接着層を介して貼り合わせ
て構成されるものである。
【００１７】次に、本発明にかかる光ディスク形成方法
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、前
記光反射層の形成された表面同士において接着層を介し
て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
の製造方法において、前記光反射層あるいは前記光記録
構成層の上にフッ素含有のプラズマあるいはフッ素含有
のイオンを照射して前記光反射層あるいは前記光記録構
成層の上層部を、Ａｌ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆
層に改質して、２枚のプラスチック基板の前記被覆層を
接着層を介して貼り合わせて構成されるものである。
【００１８】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、
前記光反射層の形成された表面同士において接着層を介
して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるい
は一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に
多層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
の製造方法において、前記光反射層あるいは前記光記録
構成層の上に紫外線光を照射して前記光反射層あるいは
前記光記録構成層の上層部を、Ａｌ−Ｏ結合を有する酸
素含有被覆層に改質して、２枚のプラスチック基板の前
記被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成されるもの
である。
【００１９】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、
前記光反射層の形成された表面同士において接着層を介
して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるい
は一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に
多層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
の製造方法において、前記光反射層あるいは前記光記録
構成層の上に酸素含有のプラズマあるいは酸素含有のイ
オンを照射して前記光反射層あるいは前記光記録構成層
の上層部を、Ａｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層に改
質して、２枚のプラスチック基板の前記被覆層を接着層
を介して貼り合わせて構成されるものである。
【００２０】次に、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板と、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板と保護用
プラスチック基板を接着層を介して貼り合わせて構成さ
れる光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは
前記光記録構成層の上にＡｌ−Ｆ結合を含む被覆層を形
成し、前記保護用プラスチック基板の貼り合わせ面上に
Ｃ−Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板よりも多く含
む酸素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含む被
覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせ
て構成されるものである。
【００２１】さらに、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板と、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板と保護用
プラスチック基板を接着層を介して貼り合わせて構成さ
れる光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは
前記光記録構成層の上にＡｌ−Ｏ結合を含む被覆層を形
成し、前記保護用プラスチック基板の貼り合わせ面上に
Ｃ−Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板よりも多く含
む酸素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含む被
覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせ
て構成されるものである。
【００２２】次に、本発明にかかる光ディスク形成方法
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板と、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板と保護用
プラスチック基板を接着層を介して貼り合わせて構成さ
れる光ディスクメモリの製造方法において、前記光反射
層あるいは前記光記録構成層の上にフッ素含有のプラズ
マあるいはフッ素含有のイオンを照射して、Ａｌ−Ｆ結
合を含むフッ素含有被覆層に改質し、前記保護用プラス
チック基板の貼り合わせ面上に酸素含有のプラズマある
いは酸素含有のイオンを照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記保
護用プラスチック基板よりも多く含む酸素含有被覆層を
形成し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層と前
記酸素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成さ
れるものである。
【００２３】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板と、あるい
は一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に
多層の光記録構成層を形成したプラスチック基板と保護
用プラスチック基板を接着層を介して貼り合わせて構成
される光ディスクメモリの製造方法において、前記光反
射層あるいは前記光記録構成層の上に紫外線光を照射し
て、Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層に改質し、前記
保護用プラスチック基板の貼り合わせ面上に紫外線光を
照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板よ
りも多く含む酸素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ結
合を含むフッ素含有被覆層と前記酸素含有被覆層を接着
層を介して貼り合わせて構成されるものである。
【００２４】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板と、あるい
は一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に
多層の光記録構成層を形成したプラスチック基板と保護
用プラスチック基板を接着層を介して貼り合わせて構成
される光ディスクメモリの製造方法において、前記光反
射層あるいは前記光記録構成層の上に酸素含有のプラズ
マあるいは酸素含有のイオンを照射して、Ａｌ−Ｏ結合
を含む酸素含有被覆層に改質し、前記保護用プラスチッ
ク基板の貼り合わせ面上に酸素含有のプラズマあるいは
酸素含有のイオンを照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記保護用
プラスチック基板よりも多く含む酸素含有被覆層を形成
し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層と前記酸
素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成される
ものである。
【００２５】次に、本発明にかかる光ディスクメモリ
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、前
記光反射層の形成された表面同士において接着層を介し
て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
において、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上
に樹脂層を形成し、前記樹脂層上にＣ−Ｏ結合を前記樹
脂層よりも多く含む酸素含有被覆層を形成し、２枚のプ
ラスチック基板の酸素含有被覆層を接着層を介して貼り
合わせて構成されるものである。
【００２６】次に、本発明にかかる光ディスク形成方法
は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する表
面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、前
記光反射層の形成された表面同士において接着層を介し
て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるいは
一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に多
層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
の製造方法において、前記光反射層あるいは前記光記録
構成層の上の樹脂層を形成し、前記樹脂層の上に紫外線
光を照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記樹脂層よりも多く含む
酸素含有被覆層を形成し、２枚のプラスチック基板の酸
素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成される
ものである。
【００２７】さらに、本発明にかかる光ディスク形成方
法は、一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を有する
表面に光反射層を形成したプラスチック基板の２枚を、
前記光反射層の形成された表面同士において接着層を介
して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ、あるい
は一方の面に光案内用トラッキング溝部を有する表面に
多層の光記録構成層を形成したプラスチック基板の２枚
を、前記光記録構成層の形成された表面同士において接
着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ
の製造方法において、前記光反射層あるいは前記光記録
構成層の上の樹脂層を形成し、前記樹脂層の上に酸素含
有のプラズマあるいは酸素含有のイオンを照射して、Ｃ
−Ｏ結合を前記樹脂層よりも多く含む酸素含有被覆層を
形成し、２枚のプラスチック基板の酸素含有被覆層を接
着層を介して貼り合わせて構成されるものである。
【００２８】前記した本発明の光ディスクメモリの構成
によれば、一方の面に記録ビット用の凹凸部あるいはそ
のための光案内用トラッキング溝部を形成したプラスチ
ック基板の他方の面にフッ素をＣ−Ｆ結合化することに
より含有させた、低表面エネルギを有するフッ素含有被
覆層が形成されていることから、優れた撥水性能を有
し、凹凸部等の信号形成部、すなわち光反射層や光記録
層へのプラスチック基板側から水分の侵入を遮蔽するこ
とができる。
【００２９】また、プラスチック基板の一方の面に形成
された光反射層や光記録構成層の上に保護用の樹脂層が
形成され、その樹脂層上にフッ素をＣ−Ｆ結合化するこ
とにより含有させた、低表面エネルギを有するフッ素含
有被覆層が形成されていることから、その優れた撥水性
能により、プラスチック基板とは反対側からの凹凸部等
の信号形成部、すなわち光反射層や光記録層への水分の
侵入を遮蔽することができる。これにより、高温高湿化
での光反射層や光記録層の腐食を防止することができ
る。
【００３０】次に、前記した本発明の光ディスクメモリ
の製造方法によれば、前記の一方の面に記録ビット用の
凹凸部あるいはそのための光案内用トラッキング溝部を
形成したプラスチック基板の他方の面、あるいは光反射
層や光記録構成層の上に形成した保護用の樹脂層にフッ
素含有のプラズマやイオンを照射することにより、Ｃ−
Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成し、前記の優れ
た撥水性能を有する光ディスクメモリを再現性よく製造
することができる。
【００３１】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板の２枚を、光反射層の形成
された表面同士、あるいは光記録構成層の形成された表
面同士において接着層を介して貼り合わせて構成される
光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記
光記録構成層の上にフッ素をＡｌ−Ｆ結合化することに
より含有させた、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｆ結合
を含む被覆層、あるいは酸素をＡｌ−Ｏ結合化すること
により含有させたＡｌ−Ｏ結合を含む被覆層が形成され
ていることにより、その優れた親水性能により、接着層
を構成する接着剤とのぬれ性を向上することができ、２
枚のプラスチック基板の被覆層を接着層とを介して強固
に接着することができる。これにより、高温高湿下であ
っても貼り合わせ部での剥離の発生を防止することがで
きる。
【００３２】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上にフッ素含有のプラズマやイオ
ンを照射することにより、優れた親水性能を有するＡｌ
−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成することがで
きる。また紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズ
マやイオンを照射することにより、優れた親水性能を有
するＡｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成するこ
とができる。以上により、２枚のプラスチック基板を強
固な接着性を持って接着することができる。
【００３３】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板と保護用プラスチック基板
を接着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメ
モリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録構成層
の上にフッ素をＡｌ−Ｆ結合化することにより含有させ
た、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｆ結合を含むフッ素
含有被覆層、あるいは酸素をＡｌ−Ｏ結合化することに
より含有させた、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｏ結合
を含む酸素含有被覆層が形成され、また保護プラスチッ
ク基板の貼り合わせ面上に高表面エネルギを有するＣ−
Ｏ結合を保護用プラスチック基板よりも多く含む酸素含
有被覆層が形成されることにより、その優れた親水性能
により、接着層を構成する接着剤とのぬれ性を向上する
ことができ、２枚のプラスチック基板の被覆層を接着層
とを介して強固に接着することができる。
【００３４】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上にフッ素含有のプラズマやイオ
ンを照射することにより、優れた親水性能を有するＡｌ
−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成することがで
きる。また紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズ
マやイオンを照射することにより、優れた親水性能を有
するＡｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成するこ
とができる。また、保護用プラスチック基板の貼り合わ
せ面に紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズマや
イオンを照射することにより、優れた親水性能を有する
Ａｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成することが
できる。以上により、２枚のプラスチック基板を強固な
接着性を持って接着することができる。
【００３５】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板の２枚を、光反射層の形成
された表面同士、あるいは光記録構成層の形成された表
面同士において接着層を介して貼り合わせて構成される
光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記
光記録構成層の上に樹脂層を形成し、この樹脂層上に高
表面エネルギを有するＣ−Ｏ結合を前記樹脂層よりも多
く含む酸素含有被覆層が形成されることにより、その優
れた親水性能により、接着層を構成する接着剤とのぬれ
性を向上することができ、２枚のプラスチック基板の被
覆層を接着層とを介して強固に接着することができる。
【００３６】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上に樹脂層を形成し、この樹脂層
の上に酸素含有のプラズマやイオンを照射することによ
り、優れた親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素含
有被覆層を形成する。また紫外線光を照射することによ
っても、優れた親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸
素含有被覆層を形成するものである。以上により、酸素
含有被覆層を形成した２枚のプラスチック基板を接着層
を介して強固な接着性を持って接着するものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。
【００３８】（実施例１）図１は本願発明の実施例１に
よるＣＤ用光ディスクメモリの構成を示す断面図であ
る。一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部2-1を有す
るプラスチック基板１の凹凸部2-1を持たない面上にＣ
−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層3-1を５nmから30nm
の範囲で形成する。フッ素含有被覆層3-1の最表面にお
いてフッ素原子数とカーボン原子数の比Ｆ／Ｃ値を0.6
以上として撥水性表面を構成している。
【００３９】プラスチック基板１の凹凸部2-1を有する
面上にはスパッタリング等によりＡｌより構成される光
反射層４を約100nmの膜厚で形成し、さらにその上に樹
脂層６を形成する。樹脂層６は光硬化性樹脂より成り、
回転塗布法によって形成された保護樹脂層6-1とその上
に印刷法により形成したディスク内容明示層6-2より構
成され、ＣＤディスクが構成される。
【００４０】図１のフッ素含有被覆層3-1を形成する第
１の製造方法を以下に説明する。図２はこの第１の製造
方法に適用される処理装置の概略構成を示す図である。
排気系１１を接続した処理チャンバ１０の中には基板ホ
ルダ−１２が配置され、その上にプラスチック基板１が
設置されている。基板ホルダー１２にはＲＦ電源１３か
らＲＦバイアス電圧が供給されるようになっている。
【００４１】処理チャンバ１０を排気系１１で真空引き
した後、CF4ガスを導入して処理チャンバ１０内を100mT
orr程度の真空度にして基板ホルダー１２にＲＦ電圧を
印加することにより、接地された対向電極１４との間で
CF4プラズマを発生させる。基板ホルダー１２にはＲＦ
電圧に基づく負の自己バイアス電圧が発生し、フッ素含
有のプラスマがプラスチック基板に照射される。
【００４２】図３はプラスチック基板１としてポリカー
ボネートを用い、その表面をフッ素化してフッ素含有被
覆層3-1を形成するに際し、ＲＦバイアス電圧と最表面
におけるフッ素原子数とカーボン原子数の比Ｆ／Ｃ値の
関係を求めた結果である。ＲＦバイアス電圧の上昇とと
もに、Ｆ／Ｃ値は増加しており、フッ素化が進んでいる
ことがわかる。図４はＲＦバイアス電圧を変化させて作
製したフッ素含有被覆層3-1における水に対する接触角
が経時的にどのように変化するかを調べた結果である。
バイアス電圧が低いと接触角の低下が観察されるが、−
８０Ｖで経時的な変化は少なくなっていることがわか
る。なお、ＲＦバイアス電圧が−８０Ｖで処理したフッ
素含有被覆層3-1のＦ／Ｃ値は図３より0.6であることが
わかる。
【００４３】図５はプラスチック基板１としてのポリカ
ーボネート基板をＲＦバイアス電圧を印加して処理した
際の基板エッチング速度を調べた結果である。ＲＦバイ
アス電圧の上昇に伴い、エッチング速度は大きくなって
いるが、−１８０Ｖより大きくなるとエッチング速度が
急激に大きくなり、基板厚さの管理が不十分になり、適
当ではない。この−１８０Ｖで生成されるフッ素含有被
覆層3-1のＦ／Ｃ値は0.9であることは図３より明らかで
ある。
【００４４】以上より、フッ素含有被覆層3-1のＦ／Ｃ
値は0.6から0.9の範囲内であることが好ましい。
【００４５】本実施例において、図６にその断面構成図
に示すような書き換え可能型の相変化型光ディスクメモ
リにも適用ができる。ポリカーボネート製のプラスチッ
ク基板１にはレーザ光案内用トラッキング溝部2-2が形
成され、その上に光記録構成層５が形成されている。光
記録構成層５はZnSにSiO2が含有された透明誘電体層5-
1、Te、Ge、Sbより構成される光記録層5-2、ZnSにSiO2
が含有された透明誘電体層5-3、Alより成る光反射層5-4
を順次積層して構成される。光反射層5-4の上には光硬
化性樹脂より成る保護樹脂層6-1が形成される。レーザ
光を照射することにより、光記録層5-2の結晶状態を変
化させて記録ビットを形成するものである。プラスチッ
ク基板１のレーザ光案内用トラッキング溝部2-2を持た
ない面上にＣ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層3-1を
５nmから30nmの範囲で形成する。フッ素含有被覆層3-1
の最表面においてフッ素原子数とカーボン原子数の比Ｆ
／Ｃ値を0.6以上として撥水性表面を構成している。
【００４６】なお、本実施例において、フッ素含有被覆
層3-1は、下地のプラスチック基板との界面から最表面
に向かってフッ素原子数とカーボン原子数の比(Ｆ／Ｃ
値)を順次増加することにより、プラスチック基板１と
フッ素含有被覆層3-1の界面で発生するミスマッチに基
づく応力を緩和することができ、ディスク内に導入され
る内部応力に起因する反り等を解消することができ有効
である。
【００４７】また、その製造方法にあって、図２に示す
導電性基板ホルダー12に、負のＲＦバイアス電圧値を順
次増加させて印加し、フッ素含有のプラズマあるいはフ
ッ素含有のイオンをプラスチック基板上に照射すること
によって容易にかつ効果的にプラスチック基板との界面
から最表面に向かってフッ素原子数とカーボン原子数の
比(Ｆ／Ｃ値)を順次増加することが可能となる。
【００４８】（実施例２）図７は本願発明の実施例２に
よるＣＤ用光ディスクメモリの構成を示す断面図であ
る。一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部2-1を有す
る表面にＡｌより成る光反射層４を例えばスパッタリン
グ法で形成したポリカーボネート製のプラスチック基板
１の光反射層４の上に光硬化性樹脂より成り、回転塗布
法によって形成された保護樹脂層6-1とその上に印刷法
により形成したディスク内容明示層6-2より構成された
樹脂層６を形成する。さらに樹脂層６の上に実施例１と
同様のＲＦ電圧を印加したプラズマ処理方法でＣ−Ｆ結
合を有するフッ素含有被覆層3-2を５nmから30nmの範囲
で形成する。フッ素含有被覆層3-2の最表面においてフ
ッ素原子数とカーボン原子数の比Ｆ／Ｃ値を0.6以上と
して撥水性表面が構成される。
【００４９】本実施例において、図８にその断面構成図
に示すような書き換え可能型の相変化型光ディスクメモ
リにも適用ができる。構成は実施例１の図６に示すもの
と同様であるが、フッ素含有被覆層3-2を光反射層5-4上
に形成した光硬化性樹脂より成る保護樹脂層６の上に５
nmから30nmの範囲で形成している。これによって保護樹
脂層６側からの水分の侵入を遮蔽することができる。
【００５０】さらにＣＤ用光ディスクメモリの場合は、
図９に示すように記録ビット用の微小な凹凸部2-1を有
するプラスチック基板１の凹凸部2-1を持たない面上に
Ｃ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層3-1を、そして保
護樹脂層6-1とその上に印刷法により形成したディスク
内容明示層6-2より構成された樹脂層６の上にＣ−Ｆ結
合を有するフッ素含有被覆層3-2を形成することによ
り、より効果的に水分の侵入を遮断することができ、有
効である。また、書き換え可能型の相変化型光ディスク
メモリにおいても、図１０に示すようにプラスチック基
板１のレーザ光案内用トラッキング溝部2-2を持たない
面上、そして保護樹脂層６上にフッ素含有被覆層3-2を
形成することにより、信頼性の高いディクメモリを提供
することができる。
【００５１】さらに、書き換え可能型の相変化型光ディ
スクメモリにおいても、図１１に示すようにプラスチッ
ク基板１のレーザ光案内用トラッキング溝部2-2を持た
ない面上、そして保護プラスチック基板７の表面にフッ
素含有被覆層3-3を形成してプラスチック基板１と保護
プラスチック基板７を接着層８を介して貼り合わせても
同様の効果を得ることができ、信頼性の高いディクメモ
リを提供することができる。
【００５２】（実施例３）図１２は本願発明の実施例３
による貼り合わせ型のＣＤ用光ディスクメモリの構成を
示す断面図である。一方の面に記録ビット用の微小な凹
凸部2-1を有する表面にAlより成る光反射層４を形成し
たプラスチック基板１の光反射層４の上にＡｌ−Ｆ結合
を含むフッ素含有被覆層3-4を形成する。このように作
製したプラスチック基板を２枚、用意し、光反射層４上
のフッ素含有被覆層3-4同士を接着層８を介して貼り合
わせて光ディスクメモリを構成する。
【００５３】Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層3-4
を形成する製造方法を以下に説明する。ここで使用する
処理装置の概略構成は図２に示すものと同様である。排
気系１１を接続した処理チャンバ１０の中には基板ホル
ダ−１２が配置され、その上にプラスチック基板１が設
置されている。基板ホルダー１２にはＲＦ電源１３から
ＲＦバイアス電圧が供給されるようになっている。
【００５４】処理チャンバ１を排気系１１で真空引きし
た後、CF4ガスを導入して処理チャンバ１０内を100mTor
r程度の真空度にして基板ホルダー１２にＲＦ電圧を印
加することにより、接地した対向電極１４との間でCF4
プラズマを発生させる。基板ホルダー１２にはＲＦ電圧
に基づく負の自己バイアス電圧が発生し、CF4プラズマ
がプラスチック基板１に照射される。これによりAlより
成る反射層４の表面にフッ素が進入し、Ａｌ−Ｆ結合を
含むフッ素含有被覆層3-4に改質される。
【００５５】Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層3-4
は表面自由エネルギが大きく、水に対して親和性、すな
わち親水性を有することを発明者らは見い出している。
従って、例えば熱硬化性の樹脂より成る接着層を塗布し
た場合も十分に馴染んで塗ることができ、硬化させた場
合も強い接着力を有して貼り合わすことができる。
【００５６】この実施例３の発明も、図１３に示すよう
に一方の面に光案内用トラッキング溝部2-2を有する表
面に多層の光記録構成層５を形成したプラスチック基板
１の２枚を、光記録構成層５の形成された表面同士にお
いて接着層８を介して貼り合わせて構成される書き換え
可能型の相変化型光ディスクメモリにおいても、光記録
構成層５の反射層5-4の表面へのＡｌ−Ｆ結合を含むフ
ッ素含有被覆層3-4の改質形成により適用することがで
き、十分な接着性を得ることができる。
【００５７】さらに、この実施例において、実施例１で
説明したフッ素含有被覆層を図１４、図１５に示すよう
にプラスチック基板１の２枚に3-1として形成すること
により、水分の侵入を遮断することも可能となり、格段
の効果を発揮するものである。
【００５８】（実施例４）図１６は本願発明の実施例４
による貼り合わせ型のＣＤ用光ディスクメモリの構成を
示す断面図である。一方の面に記録ビット用の微小な凹
凸部2-1を有する表面にAlより成る光反射層４を形成し
たプラスチック基板１の光反射層４の上にＡｌ−Ｏ結合
を含む酸素含有被覆層3-5を形成する。このように作製
したプラスチック基板を２枚、用意し、光反射層４上の
酸素含有被覆層3-5同士を接着層８を介して貼り合わせ
て光ディスクメモリを構成する。
【００５９】Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層3-5を
形成する製造方法を以下に説明する。ここで使用する処
理装置の概略構成は図２に示すものと同様である。処理
チャンバ１０を排気系１１で真空引きした後、02ガスを
導入して処理チャンバ１０内を100mTorr程度の真空度に
して基板ホルダー１２にＲＦ電圧を印加することによ
り、O2プラズマを発生させる。基板ホルダー１２にはＲ
Ｆ電圧に基づく負の自己バイアス電圧が発生し、基板ホ
ルダー１２にはＲＦ電圧に基づく負の自己バイアス電圧
が発生し、O2を含むプラズマがプラスチック基板１に照
射される。これによりAlより成る反射層４の表面に酸素
が進入し、Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層3-5に改
質される。
【００６０】Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層3-5は
表面自由エネルギが大きく、水に対して親和性、すなわ
ち親水性を有することを発明者らは見い出している。従
って、例えば熱硬化性の樹脂より成る接着層８を塗布し
た場合も十分に馴染んで塗ることができ、硬化させた場
合も強い接着力を有して貼り合わすことができる。
【００６１】また光反射層４上の紫外線光を照射するこ
とによっても親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素
含有被覆層3-5を形成することが可能であり有効である
が、O 2プラズマを用いた方がより強い親水性を示し、よ
り有効である。
【００６２】この実施例４の発明も図１７に示すように
一方の面に光案内用トラッキング溝部2-2を有する表面
に多層の光記録構成層５を形成したプラスチック基板１
の２枚を、光記録構成層５の形成された表面同士におい
て接着層８を介して貼り合わせて構成される書き換え可
能型の相変化型光ディスクメモリにおいても適用するこ
とができ、十分な接着性を得ることができる。
【００６３】さらに、この実施例において、実施例１で
説明したフッ素含有被覆層を図１８、図１９に示すよう
にプラスチック基板１の２枚に3-1として形成すること
により、水分の侵入を遮断することも可能となり、格段
の効果を発揮するものである。
【００６４】（実施例５）図２０は本願発明の実施例５
による貼り合わせ型のＣＤ用光ディスクメモリの構成を
示す断面図である。一方の面に記録ビット用の微小な凹
凸部2-1を有する表面にAlより成る光反射層４を形成し
たプラスチック基板１の光反射層４の上に高表面エネル
ギを有するＡｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層3-4を
形成する。
【００６５】一方、保護プラスチック基板７の貼り合わ
せ面上に高表面エネルギを有するＣ−Ｏ結合を保護用プ
ラスチック基板よりも多く含む酸素含有被覆層3-6を形
成する。
【００６６】これにより、プラスチック基板１と保護プ
ラスチック基板７の貼り合わせ面に優れた親水性能が付
加され、接着層８を構成する接着剤とのぬれ性を向上す
ることができ、２枚のプラスチック基板の被覆層3-4,3-
6を接着層８を介して強固に接着することができる。
【００６７】また、プラスチック基板１の光反射層４の
上にO2を含むプラズマを照射して高表面エネルギを有す
るＡｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層3-5を形成しても
同様の効果が得られる。
【００６８】また、その製造方法にあって、光反射層の
上に図２に示す装置によってフッ素含有のプラズマを照
射することにより、優れた親水性能を有するＡｌ−Ｆ結
合を有するフッ素含有被覆層3-4を形成することができ
る。また酸素含有のプラズマを照射することにより、優
れた親水性能を有するＡｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被
覆層3-5を形成することができる。また、保護用プラス
チック基板の貼り合わせ面に酸素含有のプラズマを照射
したり、紫外線光を照射することによっても、親水性能
を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層3-6を形成
することができる。以上により、２枚のプラスチック基
板１，７を強固な接着性を持って接着することができ
る。
【００６９】この実施例５の発明もすでに説明している
書き換え可能型の相変化型光ディスクメモリにおいても
図２１に示すようにプラスチック基板１にフッ素含有被
覆層3-4あるいは酸素含有被覆層3-5を、保護プラスチッ
ク基板７に酸素含有被覆層3-6を形成することにより、
十分な接着性を得ることができる。
【００７０】さらに、この実施例において、実施例２で
説明したフッ素含有被覆層を図２２、図２３に示すよう
にプラスチック基板１と保護プラスチック基板７に各々
3-1、3-3として形成することにより、水分の侵入を遮断
することも可能となり、格段の効果を発揮するものであ
る。
【００７１】（実施例６）図２４は本願発明の実施例６
による貼り合わせ型のＣＤ用光ディスクメモリの構成を
示す断面図である。一方の面に光反射層４を形成したプ
ラスチック基板１の２枚において、光反射層４の上に回
転塗布法により光硬化性樹脂より成る樹脂層６を形成
し、この樹脂層６上に高表面エネルギを有するＣ−Ｏ結
合を樹脂層６よりも多く含む酸素含有被覆層3-7を形成
する。酸素含有被覆層3-7の優れた親水性能により、熱
硬化型の樹脂より形成される接着層８を構成する接着剤
とのぬれ性を向上することができ、２枚のプラスチック
基板１の被覆層3-7を接着層８を介して強固に接着する
ことができる。
【００７２】また、その製造方法にあって、光反射層４
の上に樹脂層６を形成し、この樹脂層６の上に酸素含有
のプラズマやイオンを照射することにより、優れた親水
性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層3-7を
形成する。また紫外線光を照射することによっても、優
れた親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆
層3-7を形成することが可能であり有効であるが、O2プ
ラズマを用いた方がより強い親水性を示し、より有効で
ある。以上により、酸素含有被覆層3-7を形成した２枚
のプラスチック基板を熱硬化型の接着剤より成る接着層
８を介して接着することにより、強固な接着性を持って
接着することができる。
【００７３】この実施例は書き換え可能型の相変化型光
ディスクメモリにおいてもプラスチック基板１に酸素含
有被覆層3-5を、保護プラスチック基板７に酸素含有被
覆層3-6を形成することにより、十分な接着性を得るこ
とができる。
【００７４】さらに、この実施例において、実施例１で
説明したフッ素含有被覆層を図２５に示すようにプラス
チック基板１に各々3-1、3-3として形成することによ
り、水分の侵入を遮断することも可能となり、格段の効
果を発揮するものである。また、書き換え可能型の相変
化型光ディスクメモリにおいても同様の効果が得られ
る。
【００７５】本発明ではＣＤや書き換え可能型の相変化
型光ディスクメモリについて説明したが、これに限るも
のでなく、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等にも適
用でき、信頼性の高い光ディスクメモリを提供すること
ができる。
【００７６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、一方の面
に記録ビット用の凹凸部あるいはそのための光案内用ト
ラッキング溝部を形成したプラスチック基板の他方の面
にフッ素をＣ−Ｆ結合化することにより含有させた、低
表面エネルギを有するフッ素含有被覆層が形成されてい
ることから、優れた撥水性能を有し、凹凸部等の信号形
成部、すなわち光反射層や光記録層へのプラスチック基
板側から水分の侵入を遮蔽することができる。
【００７７】また、プラスチック基板の一方の面に形成
された光反射層や光記録構成層の上に保護用の樹脂層が
形成され、その樹脂層上にフッ素をＣ−Ｆ結合化するこ
とにより含有させた、低表面エネルギを有するフッ素含
有被覆層が形成されていることから、その優れた撥水性
能により、プラスチック基板とは反対側からの凹凸部等
の信号形成部、すなわち光反射層や光記録層への水分の
侵入を遮蔽することができる。これにより、高温高湿化
での光反射層や光記録層の腐食を防止することができ
る。
【００７８】次に、前記した本発明の光ディスクメモリ
の製造方法によれば、前記の一方の面に記録ビット用の
凹凸部あるいはそのための光案内用トラッキング溝部を
形成したプラスチック基板の他方の面、あるいは光反射
層や光記録構成層の上に形成した保護用の樹脂層にフッ
素含有のプラズマやイオンを照射することにより、Ｃ−
Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成し、前記の優れ
た撥水性能を有する光ディスクメモリを再現性よく製造
することができる。
【００７９】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板の２枚を、光反射層の形成
された表面同士、あるいは光記録構成層の形成された表
面同士において接着層を介して貼り合わせて構成される
光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記
光記録構成層の上にフッ素をＡｌ−Ｆ結合化することに
より含有させた、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｆ結合
を含む被覆層、あるいは酸素をＡｌ−Ｏ結合化すること
により含有させたＡｌ−Ｏ結合を含む被覆層が形成され
ていることにより、その優れた親水性能により、接着層
を構成する接着剤とのぬれ性を向上することができ、２
枚のプラスチック基板の被覆層を接着層とを介して強固
に接着することができる。これにより、高温高湿下であ
っても貼り合わせ部での剥離の発生を防止することがで
きる。
【００８０】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上にフッ素含有のプラズマやイオ
ンを照射することにより、優れた親水性能を有するＡｌ
−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成することがで
きる。また紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズ
マやイオンを照射することにより、優れた親水性能を有
するＡｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成するこ
とができる。以上により、２枚のプラスチック基板を強
固な接着性を持って接着することができる。
【００８１】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板と保護用プラスチック基板
を接着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメ
モリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録構成層
の上にフッ素をＡｌ−Ｆ結合化することにより含有させ
た、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｆ結合を含むフッ素
含有被覆層、あるいは酸素をＡｌ−Ｏ結合化することに
より含有させた、高表面エネルギを有するＡｌ−Ｏ結合
を含む酸素含有被覆層が形成され、また保護プラスチッ
ク基板の貼り合わせ面上に高表面エネルギを有するＣ−
Ｏ結合を保護用プラスチック基板よりも多く含む酸素含
有被覆層が形成されることにより、その優れた親水性能
により、接着層を構成する接着剤とのぬれ性を向上する
ことができ、２枚のプラスチック基板の被覆層を接着層
とを介して強固に接着することができる。
【００８２】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上にフッ素含有のプラズマやイオ
ンを照射することにより、優れた親水性能を有するＡｌ
−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成することがで
きる。また紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズ
マやイオンを照射することにより、優れた親水性能を有
するＡｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成するこ
とができる。また、保護用プラスチック基板の貼り合わ
せ面に紫外線光を照射、あるいは酸素含有のプラズマや
イオンを照射することにより、優れた親水性能を有する
Ａｌ−Ｏ結合を有する酸素含有被覆層を形成することが
できる。以上により、２枚のプラスチック基板を強固な
接着性を持って接着することができる。
【００８３】次に、本発明の他の光ディスクメモリの構
成によれば、一方の面に光反射層あるいは光記録構成層
を形成したプラスチック基板の２枚を、光反射層の形成
された表面同士、あるいは光記録構成層の形成された表
面同士において接着層を介して貼り合わせて構成される
光ディスクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記
光記録構成層の上に樹脂層を形成し、この樹脂層上に高
表面エネルギを有するＣ−Ｏ結合を前記樹脂層よりも多
く含む酸素含有被覆層が形成されることにより、その優
れた親水性能により、接着層を構成する接着剤とのぬれ
性を向上することができ、２枚のプラスチック基板の被
覆層を接着層とを介して強固に接着することができる。
【００８４】また、その製造方法にあって、光反射層あ
るいは光記録構成層の上に樹脂層を形成し、この樹脂層
の上に酸素含有のプラズマやイオンを照射することによ
り、優れた親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸素含
有被覆層を形成する。また紫外線光を照射することによ
っても、優れた親水性能を有するＣ−Ｏ結合を有する酸
素含有被覆層を形成するものである。以上により、酸素
含有被覆層を形成した２枚のプラスチック基板を接着層
を介して強固な接着性を持って接着するものである。
【００８５】このように、本発明では信頼性の高い光デ
ィスクメモリを提供することができ、その工業的価値は
極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく第一の実施例における光ディス
クメモリの断面構成図
【図２】本発明に基づく撥水性表面の製造方法の一実施
例に使用する処理装置の概略図
【図３】本発明に用いるＲＦバイアス電圧を説明する特
性図
【図４】本発明に基づく撥水性能の特性図
【図５】本発明に基づく撥水性の経時性能を示す特性図
【図６】本発明に基づく第一の実施例における光ディス
クメモリの断面構成図
【図７】本発明に基づく第二の実施例における光ディス
クメモリの断面構成図
【図８】本発明に基づく第二の実施例における光ディス
クメモリの断面構成図
【図９】本発明に基づく第二の実施例における光ディス
クメモリの断面構成図
【図１０】本発明に基づく第二の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１１】本発明に基づく第二の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１２】本発明に基づく第三の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１３】本発明に基づく第三の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１４】本発明に基づく第三の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１５】本発明に基づく第三の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１６】本発明に基づく第四の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１７】本発明に基づく第四の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１８】本発明に基づく第四の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図１９】本発明に基づく第四の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２０】本発明に基づく第五の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２１】本発明に基づく第五の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２２】本発明に基づく第五の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２３】本発明に基づく第五の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２４】本発明に基づく第六の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２５】本発明に基づく第六の実施例における光ディ
スクメモリの断面構成図
【図２６】従来のＣＤの断面構成図
【図２７】従来の書き換え可能型の相変化型光ディスク
メモリの断面構成図
【図２８】従来の書き換え可能型の相変化型光ディスク
メモリの断面構成図
【図２９】従来のＣＤの断面構成図
【図３０】従来の書き換え可能型の相変化型光ディスク
メモリの断面構成図
【符号の説明】
１ プラスチック基板 ２−１ 凹凸部 ２−２ レーザ光案内用トラッキング溝部 ３−１ フッ素含有被覆層 ３−２ フッ素含有被覆層 ３−３ フッ素含有被覆層 ３−４ フッ素含有被覆層 ３−５ 酸素含有被覆層 ３−６ 酸素含有被覆層 ３−７ 酸素含有被覆層 ４ 光反射層 ５ 光記録構成層 ５−１ 透明誘電体層 ５−２ 光記録層 ５−３ 透明誘電体層 ５−４ 光反射層 ６ 樹脂層 ７ 保護プラスチック基板 ８ 接着層 １０ 処理チャンバ １１ 排気系 １２ 基板ホルダー １３ ＲＦ電源 １４ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩川 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 野田 栄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 安井 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部あ
    るいは光案内用トラッキング溝部を有するプラスチック
    基板を用いて構成する光ディスクメモリにおいて、前記
    プラスチック基板の凹凸部を持たない面、あるいは溝部
    を持たない面上にＣ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層
    を形成して成る光ディスクメモリ。
  2. 【請求項２】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を
    有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板を用
    いて構成する光ディスクメモリ、あるいは一方の面に光
    案内用トラッキング溝部を有する表面に光記録構成層を
    形成したプラスチック基板を用いて構成する光ディスク
    メモリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録構成
    層の上に樹脂層を形成し、さらに前記樹脂層の上にＣ−
    Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層を形成して成る光ディ
    スクメモリ。
  3. 【請求項３】樹脂層は光硬化性樹脂より成る保護層、お
    よび部分選択的堆積によるメモリ内容明示層より成る請
    求項２記載の光ディスクメモリ。
  4. 【請求項４】光記録構成層は透明誘電体層、光記録層、
    透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項２記
    載の光ディスクメモリ。
  5. 【請求項５】フッ素含有被覆層の最表面においてフッ素
    原子数とカーボン原子数の比(Ｆ／Ｃ値)が0.6以上であ
    る請求項１又は２記載の光ディスクメモリ。
  6. 【請求項６】フッ素含有被覆層の最表面において、フッ
    素原子数とカーボン原子数の比(Ｆ／Ｃ値)が0.9以下で
    ある請求項１又は２記載の光ディスクメモリ。
  7. 【請求項７】フッ素含有被覆層は、下地のプラスチック
    基板との界面から最表面に向かってフッ素原子数とカー
    ボン原子数の比(Ｆ／Ｃ値)が順次増加したものである請
    求項１又は２記載の光ディスクメモリ。
  8. 【請求項８】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部あ
    るいは光案内用トラッキング溝部を有するプラスチック
    基板を用いて構成する光ディスクメモリの製造方法にお
    いて、前記プラスチック基板の凹凸部を持たない面、あ
    るいは溝部を持たない面上にフッ素含有のプラズマある
    いはフッ素含有のイオンを照射してプラスチック基板の
    上層部を、Ｃ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層に改質
    して成る光ディスクメモリの製造方法。
  9. 【請求項９】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部を
    有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板を用
    いて構成する光ディスクメモリ、あるいは一方の面に光
    案内用トラッキング溝部を有する表面に光記録構成層を
    形成したプラスチック基板を用いて構成する光ディスク
    メモリを用いて構成する光ディスクメモリの製造方法に
    おいて、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上に
    樹脂層を形成し、前記樹脂層の表面にフッ素含有のプラ
    ズマあるいはフッ素含有のイオンを照射して前記樹脂層
    の上層部を、Ｃ−Ｆ結合を有するフッ素含有被覆層に改
    質して成る光ディスクメモリの製造方法。
  10. 【請求項１０】樹脂層は光硬化性樹脂より成る保護層お
    よび部分選択的堆積によるメモリ内容明示層より成る請
    求項９記載の光ディスクメモリの製造方法。
  11. 【請求項１１】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    ９記載の光ディスクメモリの製造方法。
  12. 【請求項１２】導電性基板ホルダーに、負のＲＦバイア
    ス電圧値を順次増加させて印加し、フッ素含有のプラズ
    マあるいはフッ素含有のイオンをプラスチック基板上に
    照射する請求項８又は９記載の光ディスクメモリの製造
    方法。
  13. 【請求項１３】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録
    構成層の上にＡｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層を形
    成し、２枚のプラスチック基板の被覆層を接着層を介し
    て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ。
  14. 【請求項１４】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録
    構成層の上にＡｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層を形成
    し、２枚のプラスチック基板の被覆層を接着層を介して
    貼り合わせて構成される光ディスクメモリ。
  15. 【請求項１５】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    13又は14記載の光ディスクメモリ。
  16. 【請求項１６】光反射層はＡｌを構成元素として含む請
    求項13又は14記載の光ディスクメモリ。
  17. 【請求項１７】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法において、前記光反射層あるいは
    前記光記録構成層の上にフッ素含有のプラズマあるいは
    フッ素含有のイオンを照射して前記光反射層あるいは前
    記光記録構成層の上層部を、Ａｌ−Ｆ結合を有するフッ
    素含有被覆層に改質して、２枚のプラスチック基板の前
    記被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成される光デ
    ィスクメモリの製造方法。
  18. 【請求項１８】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法において、前記光反射層あるいは
    前記光記録構成層の上に紫外線光を照射して前記光反射
    層あるいは前記光記録構成層の上層部を、Ａｌ−Ｏ結合
    を有する酸素含有被覆層に改質して、２枚のプラスチッ
    ク基板の前記被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成
    される光ディスクメモリの製造方法。
  19. 【請求項１９】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法において、前記光反射層あるいは
    前記光記録構成層の上に酸素含有のプラズマあるいは酸
    素含有のイオンを照射して前記光反射層あるいは前記光
    記録構成層の上層部を、Ａｌ−Ｏ結合を有する酸素含有
    被覆層に改質して、２枚のプラスチック基板の前記被覆
    層を接着層を介して貼り合わせて構成される光ディスク
    メモリの製造方法。
  20. 【請求項２０】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    17、18又は19記載の光ディスクメモリの製造方法。
  21. 【請求項２１】光反射層はＡｌを構成元素として含む請
    求項17、18、19、20のいずれかに記載の光ディスクメモ
    リの製造方法。
  22. 【請求項２２】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板
    と、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板と保護用プラスチック基板を接着層を介して貼り合
    わせて構成される光ディスクメモリにおいて、前記光反
    射層あるいは前記光記録構成層の上にＡｌ−Ｆ結合を含
    む被覆層を形成し、前記保護用プラスチック基板の貼り
    合わせ面上にＣ−Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板
    よりも多く含む酸素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ
    結合を含む被覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介し
    て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ。
  23. 【請求項２３】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板
    と、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板と保護用プラスチック基板を接着層を介して貼り合
    わせて構成される光ディスクメモリにおいて、前記光反
    射層あるいは前記光記録構成層の上にＡｌ−Ｏ結合を含
    む被覆層を形成し、前記保護用プラスチック基板の貼り
    合わせ面上にＣ−Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板
    よりも多く含む酸素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ
    結合を含む被覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介し
    て貼り合わせて構成される光ディスクメモリ。
  24. 【請求項２４】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    22又は23記載の光ディスクメモリ。
  25. 【請求項２５】光反射層はＡｌを構成元素として含む請
    求項22、23又は24記載の光ディスクメモリ。
  26. 【請求項２６】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板
    と、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板と保護用プラスチック基板を接着層を介して貼り合
    わせて構成される光ディスクメモリの製造方法におい
    て、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上にフッ
    素含有のプラズマあるいはフッ素含有のイオンを照射し
    て、Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層に改質し、前
    記保護用プラスチック基板の貼り合わせ面上に酸素含有
    のプラズマあるいは酸素含有のイオンを照射して、Ｃ−
    Ｏ結合を前記保護用プラスチック基板よりも多く含む酸
    素含有被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素
    含有被覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介して貼り
    合わせて構成される光ディスクメモリの製造方法。
  27. 【請求項２７】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板
    と、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板と保護用プラスチック基板を接着層を介して貼り合
    わせて構成される光ディスクメモリの製造方法におい
    て、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上に紫外
    線光を照射して、Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層に
    改質し、前記保護用プラスチック基板の貼り合わせ面上
    に紫外線光を照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記保護用プラス
    チック基板よりも多く含む酸素含有被覆層を形成し、前
    記Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被覆層と前記酸素含有
    被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法。
  28. 【請求項２８】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板
    と、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板と保護用プラスチック基板を接着層を介して貼り合
    わせて構成される光ディスクメモリの製造方法におい
    て、前記光反射層あるいは前記光記録構成層の上に酸素
    含有のプラズマあるいは酸素含有のイオンを照射して、
    Ａｌ−Ｏ結合を含む酸素含有被覆層に改質し、前記保護
    用プラスチック基板の貼り合わせ面上に酸素含有のプラ
    ズマあるいは酸素含有のイオンを照射して、Ｃ−Ｏ結合
    を前記保護用プラスチック基板よりも多く含む酸素含有
    被覆層を形成し、前記Ａｌ−Ｆ結合を含むフッ素含有被
    覆層と前記酸素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせ
    て構成される光ディスクメモリの製造方法。
  29. 【請求項２９】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    26、27又は28記載の光ディスクメモリの製造方法。
  30. 【請求項３０】光反射層はＡｌを構成元素として含む請
    求項26、27、28、29のいずれかに記載の光ディスクメモ
    リの製造方法。
  31. 【請求項３１】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリにおいて、前記光反射層あるいは前記光記録
    構成層の上に樹脂層を形成し、前記樹脂層上にＣ−Ｏ結
    合を前記樹脂層よりも多く含む酸素含有被覆層を形成
    し、２枚のプラスチック基板の酸素含有被覆層を接着層
    を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモリ。
  32. 【請求項３２】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    31記載の光ディスクメモリ。
  33. 【請求項３３】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法において、前記光反射層あるいは
    前記光記録構成層の上の樹脂層を形成し、前記樹脂層の
    上に紫外線光を照射して、Ｃ−Ｏ結合を前記樹脂層より
    も多く含む酸素含有被覆層を形成し、２枚のプラスチッ
    ク基板の酸素含有被覆層を接着層を介して貼り合わせて
    構成される光ディスクメモリの製造方法。
  34. 【請求項３４】一方の面に記録ビット用の微小な凹凸部
    を有する表面に光反射層を形成したプラスチック基板の
    ２枚を、前記光反射層の形成された表面同士において接
    着層を介して貼り合わせて構成される光ディスクメモ
    リ、あるいは一方の面に光案内用トラッキング溝部を有
    する表面に多層の光記録構成層を形成したプラスチック
    基板の２枚を、前記光記録構成層の形成された表面同士
    において接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法において、前記光反射層あるいは
    前記光記録構成層の上の樹脂層を形成し、前記樹脂層の
    上に酸素含有のプラズマあるいは酸素含有のイオンを照
    射して、Ｃ−Ｏ結合を前記樹脂層よりも多く含む酸素含
    有被覆層を形成し、２枚のプラスチック基板の酸素含有
    被覆層を接着層を介して貼り合わせて構成される光ディ
    スクメモリの製造方法。
  35. 【請求項３５】光記録構成層は透明誘電体層、光記録
    層、透明誘電体層、光反射層を順次積層して成る請求項
    33又は34記載の光ディスクメモリの製造方法。
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