JPS61134945A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS61134945A JPS61134945A JP59256426A JP25642684A JPS61134945A JP S61134945 A JPS61134945 A JP S61134945A JP 59256426 A JP59256426 A JP 59256426A JP 25642684 A JP25642684 A JP 25642684A JP S61134945 A JPS61134945 A JP S61134945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- reflecting film
- reflective film
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分針〕
本発明は、映像ま九は音声等の情報１き号を高密度に記
録する元ディスク（二関し、さらに詳しくはその光ディ
スク（＝用いられる反射膜に関する。
録する元ディスク（二関し、さらに詳しくはその光ディ
スク（＝用いられる反射膜に関する。
従来、光学的な再生を行う光ディスクは、基盤（＝透明
性の漫れたプラスチック、例えばポリカーボネート、ポ
リメチルメタアクリレート、ポリスチレン等を用い、そ
の表面に倣細なビットを形成し、これら（二高い反射率
を示すＡｕ＋Ａｇ＋ＡＩ 等れらの反射膜は非常（＝軟
かいため取扱いの顛に損傷を受けやすく、この損傷はす
べてドロップアウトの原因ζ二なる。それ故反射１１１
表面に合成南脂、例えばエチレンビニルアセテートから
なる保護膜をオーバーコートさせて損傷を防ぎ、裏面か
らレーザ光など照射して、その反射光の元ｉｆ化で信号
検出することで実用（＝供している。しかしながらこの
反射膜にはこのような入射光を反射させる働きの他（二
基盤及び保護膜との旙い蜜４法も要求され、従来この相
方４：兼ね備えた反射膜は得られていなかった。
性の漫れたプラスチック、例えばポリカーボネート、ポ
リメチルメタアクリレート、ポリスチレン等を用い、そ
の表面に倣細なビットを形成し、これら（二高い反射率
を示すＡｕ＋Ａｇ＋ＡＩ 等れらの反射膜は非常（＝軟
かいため取扱いの顛に損傷を受けやすく、この損傷はす
べてドロップアウトの原因ζ二なる。それ故反射１１１
表面に合成南脂、例えばエチレンビニルアセテートから
なる保護膜をオーバーコートさせて損傷を防ぎ、裏面か
らレーザ光など照射して、その反射光の元ｉｆ化で信号
検出することで実用（＝供している。しかしながらこの
反射膜にはこのような入射光を反射させる働きの他（二
基盤及び保護膜との旙い蜜４法も要求され、従来この相
方４：兼ね備えた反射膜は得られていなかった。
本発明の目的は、前記問題点に対し反射膜と保護膜及び
反射膜と光デイスク基盤との密層性を向上させ、かつ−
反射率の反射属を備えた元ディスクを提供することを目
的とする。
反射膜と光デイスク基盤との密層性を向上させ、かつ−
反射率の反射属を備えた元ディスクを提供することを目
的とする。
本発明者らは、光学的再生を行なう元ディスクにおける
前述の欠点に対して鋭意研究を重ねた結果、反射膜とし
て高い反射率を示す銀（Ａｇ）と唆れた密層性を有する
アルミニウム（Ａｌ）と（−看目し、これらの双方を用
い、その特性を生かした反射膜を備えた元ディスクを完
成する（＝至った。すなわちＡｇとＡＪとを真空蒸着法
（：より同時（二基盤（二蒸層させて会雀膜とする仁と
（二より高い密着性及び反射率を兼ね備えた反射膜を得
ることができることを見出した。この時、ＡｇとＡＩと
の比率はＡｇ二Ａｌが膜厚比で１：ｌＯ〜１０：１の間
が好ましく、また蒸着）＝よる膜厚は２５０〜２００Ｏ
Ａ８度が好ま−しい。
前述の欠点に対して鋭意研究を重ねた結果、反射膜とし
て高い反射率を示す銀（Ａｇ）と唆れた密層性を有する
アルミニウム（Ａｌ）と（−看目し、これらの双方を用
い、その特性を生かした反射膜を備えた元ディスクを完
成する（＝至った。すなわちＡｇとＡＪとを真空蒸着法
（：より同時（二基盤（二蒸層させて会雀膜とする仁と
（二より高い密着性及び反射率を兼ね備えた反射膜を得
ることができることを見出した。この時、ＡｇとＡＩと
の比率はＡｇ二Ａｌが膜厚比で１：ｌＯ〜１０：１の間
が好ましく、また蒸着）＝よる膜厚は２５０〜２００Ｏ
Ａ８度が好ま−しい。
実施例−１
合ｇ樹脂ででき友インジェクション成形ディスク（３０
０φ、１．２ｔ）を蒸留水、有４ｉＡ浴剤等でよく洗伊
した後、真空蒸着装置のペルジャー内のディスク基！１
Ｅ取り付は治具に取付けた。次いでペルジャー内の真空
度をＩ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ ｌｎ調至し、２つのタン
グステンヒーターを加熱させて各々（二股直した紹及び
ＡＪを同時４＝蒸発させ、基板上に厚さ８００〜１００
ＯＡの合金膜よりなる反射膜を形成した。蒸着時間はＦ
１１８秒であった。得られた元ディスク（二レーザ光（
波長６３３ｎｍ）を当て反射率を測定したところ約９２
チでらりた。これＣ二対して従来のＡＪだけからなる蒸
着（二よって得られた反射率は約９０チでめった。また
、保鏝膜との密層性を調べるため（二、粘着テープ（Ｆ
＃Ａ品名：七ロテーグンで剥離テストを行なったところ
、従来の前述のＡまたけからなる反射膜及びＡｇだけか
らなる反射膜は全面剥離を起こしたが、ＡｇとＡＪを同
＃（二＃看させてなる本発明の反射膜は、部分的な剥Ｈ
ｔ二とどまり、密着性が同上していることが判明した。
０φ、１．２ｔ）を蒸留水、有４ｉＡ浴剤等でよく洗伊
した後、真空蒸着装置のペルジャー内のディスク基！１
Ｅ取り付は治具に取付けた。次いでペルジャー内の真空
度をＩ Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ ｌｎ調至し、２つのタン
グステンヒーターを加熱させて各々（二股直した紹及び
ＡＪを同時４＝蒸発させ、基板上に厚さ８００〜１００
ＯＡの合金膜よりなる反射膜を形成した。蒸着時間はＦ
１１８秒であった。得られた元ディスク（二レーザ光（
波長６３３ｎｍ）を当て反射率を測定したところ約９２
チでらりた。これＣ二対して従来のＡＪだけからなる蒸
着（二よって得られた反射率は約９０チでめった。また
、保鏝膜との密層性を調べるため（二、粘着テープ（Ｆ
＃Ａ品名：七ロテーグンで剥離テストを行なったところ
、従来の前述のＡまたけからなる反射膜及びＡｇだけか
らなる反射膜は全面剥離を起こしたが、ＡｇとＡＪを同
＃（二＃看させてなる本発明の反射膜は、部分的な剥Ｈ
ｔ二とどまり、密着性が同上していることが判明した。
以上のよう（二本発明−係る元ディスクは、その基盤上
１： ＡｇとＡｌとからなる反射膜を儂えること（二よ
シ嬌い密着性及び反射率の双方を有しているので、従来
（ニルべてより反射膜の寿命が長くなジさら（二弱い出
力の光でも４牢が可屈（−なる等の効果を有している。
１： ＡｇとＡｌとからなる反射膜を儂えること（二よ
シ嬌い密着性及び反射率の双方を有しているので、従来
（ニルべてより反射膜の寿命が長くなジさら（二弱い出
力の光でも４牢が可屈（−なる等の効果を有している。
Claims (1)
- （１）基板上に銀とアルミニウムとの合金膜よりなる反
射膜を備えたことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256426A JPS61134945A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256426A JPS61134945A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134945A true JPS61134945A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17292498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256426A Pending JPS61134945A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134945A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267752A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体 |
| EP1146509A3 (en) * | 1997-03-27 | 2002-05-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59256426A patent/JPS61134945A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267752A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体 |
| EP1146509A3 (en) * | 1997-03-27 | 2002-05-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| EP1396851A2 (en) * | 1997-03-27 | 2004-03-10 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| EP1396851A3 (en) * | 1997-03-27 | 2004-03-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
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