JPH0315264B2 - - Google Patents

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JPH0315264B2
JPH0315264B2 JP57002144A JP214482A JPH0315264B2 JP H0315264 B2 JPH0315264 B2 JP H0315264B2 JP 57002144 A JP57002144 A JP 57002144A JP 214482 A JP214482 A JP 214482A JP H0315264 B2 JPH0315264 B2 JP H0315264B2
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JP
Japan
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layer
optical disk
optical
resin
recording
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JP57002144A
Other languages
English (en)
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JPS58121151A (ja
Inventor
Rinjiro Ichikawa
Chotsugu Hitomi
Akinori Nakajima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyobo Co Ltd
Original Assignee
Toyobo Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toyobo Co Ltd filed Critical Toyobo Co Ltd
Priority to JP57002144A priority Critical patent/JPS58121151A/ja
Publication of JPS58121151A publication Critical patent/JPS58121151A/ja
Publication of JPH0315264B2 publication Critical patent/JPH0315264B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は2p法(photo−polymer法)によつて
形成される光学デイスクに関し、詳細には、デイ
スク基材として4−メチルペンテン系重合体又は
その架橋体を使用してなる、透明性、非旋光性
(非複屈折性)、耐湿性、耐衝撃性、成形忠実性等
に優れた光学デイスクに関するものである。 デイスクの片面に、光エネルギーによつて変化
可能な記録層(以下情報ビツトという)を形成
し、その露出側に金属被覆層を形成してデイスク
面側からレーザー光線を照射し情報を再生するタ
イプの情報記録・再生デイスクとして、ビデオデ
イスクやオーデイオデイスク等が開発され、最近
急速に発展してきている。この種のデイスク材料
としては硬質塩化ビニル系樹脂、ポリカーボネー
ト系樹脂、ポリメタクリル酸メチル系樹脂等が検
討され、このうちポリメタクリル酸メチル系樹脂
については一部で実用化が進められている。しか
しながらこれら公知の光学デイスク材料には以下
に示す様な欠点があり、汎用性を高めていくうえ
で大きな隘路となつている。 即ち硬質塩化ビニル系樹脂では、添加剤(成形
性改善の為の可塑剤等)がデイスク表面に滲出
(ブリード)して経時的に光線透過率が低下し、
再生精度が低下するという問題がある。一方可塑
剤等の添加量を少なくすると、デイスク成形時に
光学的歪が発生して旋光性が生じる等の問題が生
じ、高感度・高精度が使命とされる光学デイスク
材料としては到命的である。 またポリカーボネート系樹脂は透明性、耐熱
性、機械的性質等において極めて優れているが、
硬質である為成形性に難点があり、成形時に光学
的歪が生じ易い(レターデーシヨン値が大きく旋
光性が生じる)。この為該樹脂で製作した光学デ
イスクでは再生(読取り)時に誤差(ノイズ)が
生じ易い。 これに対しポリメタクリル酸メチル系重合体は
透明性、非旋光性に優れているが、耐湿性が乏し
く空気中の水分を吸収して表面側が膨張し反りが
生じるという問題がある。この様な問題に対処す
る為、デイスク板と同厚の補強板を貼合して反り
防止を図つているが、満足し得るものとは言い難
い。しかもこの樹脂は機械的強度殊に耐衝撃強度
が劣悪で割れ易く、また硬質である為成形性にも
問題がある。この様な高硬度ゆえの難点をポリメ
タクリル酸エチルやポリメタクリル酸ブチル等の
添加によつて改善しようとする動きもあるが、耐
熱性が乏しくなり、実用面で障害になる。 本発明者等は上記の様な事情に着目し、光学デ
イスクの汎用性を高めていく為にはその要求特性
に応じた最適の樹脂を見出す必要があると考え、
その線に沿つて研究を進めてきた。そして以下に
示す如き要求特性を全て満足し得る様な光学デイ
スクの開発を期して鋭意研究を行なつた。 レーザー光線に光学的な歪を与えず(非旋光
性)、しかもレーザー光線を十分に透過する透
明性を有していること。 光デイスクは読み取り誤差が生じない様平面
性の維持(反りが生じないこと)が不可欠であ
り、反りを生じる最大の原因は吸湿性にあると
考えられる。光学デイスクの片面側に形成され
る情報ビツト側には、レーザー光線反射用の金
属被覆層が形成されているので、透明樹脂にも
金属なみの耐吸湿性を与える必要がある。 光学デイスクの製造作業性や使用時のハンド
リング等を考えるとある程度の機械的強度が必
要であり、また自動車用等のオーデイオデイス
クにおいては100℃程度の温度に耐える耐熱性
も必要である。 本発明はかかる研究の結果完成されたものであ
つて、特に2p法による光学デイスクの提供を目
的とするものである。即ち本発明のデイスクとは
4−メチルペンテン系重合体又はその架橋体から
なる光学的に透明なプレートの片面に(必要に応
じて該プレートとほぼ同程度の屈折率を有するプ
ラスチツクからなる平担で且つ表面に光学的欠陥
のない被覆層が形成され、該被覆層を形成したと
きはその露出側に、光硬化性樹脂製記録層が形成
され、更に該記録層に刻設された記録面側に金属
被覆層を形成してなるものであつて、該金属被覆
層の反対側からレーザー光線を照射することによ
り情報を再生可能にしたところに要旨が存在す
る。 本発明で使用する4−メチルペンテン系重合体
とは、ポリ−4メチルペンテン−1、ポリ−4−
メチルペンテン−2、4−メチルペンテン−1と
他のオレフイン(エチレン、プロピレン、イソプ
レン、ブタジエン等)との共重合体、或いはこれ
らと混練可能なポリマー(ポリプロピレン、ポリ
エチレン、ポリイソプレン、ポリ酢酸ビニル等)
等とのブレンド物等が挙げられ、これらは何れも
前記した光学デイスク用樹脂としての要求特性
〜を全て具備している。但し上記のうち共重合
体又はブレンド物中のオレフイン又はブレンド用
ポリマーの含有量が多すぎると、特に光学デイス
クの透明性や非旋光性が低下し本発明の特徴が減
殺されるので、多くとも50重量%以下に抑えるべ
きである。またこれらの4−メチルペンテン系重
合体はそのままでも優れた諸特性を有している
が、これに適量の有機過酸化物を配合して架橋さ
せ、或いは放射線に照射して架橋させれば、硬度
等を更に高めることができる。尚架橋反応の時期
は特に制限されない。 次に本発明に係る光学デイスクの製造法を簡単
に説明する。第1図(概略工程図)及び第2図
(各工程における成形体の説明図)に示す如く、
ガラス基盤1のフオトレジスト面1′に蒸着又は
無電解メツキ法で導電性膜を形成した後ニツケル
電鋳を行ない、マスター盤1a、マザー盤1b、
次いで大量複製の為の雌型(スタンパー)2を作
製する。次いで該スタンパーを母型とし、スペー
サー3を介して、4−メチルペンテン系重合体か
らなる透明基板4を配置し、スタンパー2と透明
基板4の間に光硬化性樹脂5を注入し、基板4側
から光を照射して記録層ビツトを形成する。尚基
板4は前述の如く4−メチルペンテン系重合体又
はその架橋体を素材として成形するものであり、
成形法は特に限定されないが、通常は注出成形
法、注出圧縮成形法、射出成形法、射出圧縮成形
法等が利用される。即ち上記素材を200〜400℃程
度に加熱して溶融し、上記成形法に従つて金型内
に充填した後急冷して成形する。尚冷却速度は
100℃/秒以上であることが望ましく冷却速度が
遅いときは球晶が成長して透明性が低下するので
可及的速やかに且つ常温付近まで一気に冷却する
ことが推奨される。得られた基板の物性は特に制
限されないが、1.2mm厚さのものを基準にとると、
500〜950mμの平均光線透過率が85%以上、レタ
ーデーシヨン値が110nm以下、吸湿率は40℃、95
%RHにおいて0.1%以下、耐衝撃強度は2.0Kg・
cm/cm以上であるものが望ましい。又該基板4は
直接上述の成形工程に提供してもよいが、ビツト
形成面と反対側(即ち光学デイスク製品としては
表側)に該基板と同程度の屈折率を有する樹脂コ
ート3′を形成して製品表面の平滑性を高めると
共に保護を図る様にすることもできる。樹脂コー
ト3′を形成する為の素材としては、アクリル系
樹脂、メラミン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、シ
リコン系樹脂等が例示され、好ましいのはアクリ
ル系樹脂である。又光硬化性樹脂5についても基
板と同程度の屈折率を有するものであることが好
ましい。光硬化性樹脂の注入が終ると、樹脂コー
ト3′側の面から紫外線、電子線或いは放射線等
を照射させて硬化させると共に、スタンパー2と
の境界面に情報ビツトを形成する。次いでスタン
パー2を外し、樹脂コート3′、基板4、光硬化
樹脂層5からなる中間製品を反転し、情報ビツト
形成面に金属被覆層7を形成する。金属被覆層7
は、透明なデイスク基板4の表面側から照射され
るレーザー光線を情報ビツトの面で反射させる為
のもので、金属の種類は特に制限されないが、最
も一般的なのはアルミニウム、クロム、金、銀、
銅、錫等であり、被覆層7の形成法は蒸着法、ス
パツタリング法、イオンプレーテイング法等、従
来から知られた全ての方法を採用することができ
る。またその厚さは、上記反射能が有効に発揮さ
れる限り格別の制約はないが、該被覆層の物性と
経済性の両面を満足するうえで最も一般的なのは
500〜1500Å、特に好ましくは700〜800Å程度で
ある。 本発明の光学デイスクは上記の構成でその目的
を発揮するが、実用化に当つては金属被覆層7の
剥離や裂傷等を防止する為前述の如き保護層6
(エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂
或いはシリコン等の無機樹脂等)を形成するのが
よい。 又上記の例では1枚のデイスク基板4を用いて
片面側のみから記録情報を再生し得る様にした
が、例えば第3図に示す如く、金属被覆層7が対
面する様に接着剤8を介して合体させれば、表・
裏面を記録再生面として利用することができる。 本発明は概略以上の様に構成されており、その
効果を要約すれば下記の通りである。 即ち4−メチルペンテン系重合体は透明性及び
非施光性が極めて良好であり、記録再性源たるレ
ーザー光線の進行方向性を阻害することがない。
しかも耐吸湿性は金属と同程度の低レベルである
から保存時に反りが生じる様な恐れがなく、また
適度の耐熱性も具備しているから、長期間に亘つ
て記録情報の保管と高精度の再生能を維持する。 次に本発明の実施例を示すが、下記はもとより
本発明を限定する性質のものではない。 尚下記実施例において最大レターデーシヨン値
及び耐湿性とは、下記の方法で測定した値を言
う。 〔最大レターデーシヨン値(R値)〕 偏光顕微鏡を備えたセナルモンコンペンセータ
ー(日本地科学社製)を用い、ナトリウムランプ
を光源として測定した。 〔耐湿性〕 得られた光学デイスクを95%RH、40℃の雰囲
気中に放置し、1時間毎に取り出して第4図に示
す要領で反り(x)を測定した。 実施例 1 第5図は本発明の実施例1を示すもので、4は
透明樹脂層、5は情報ビツトを有する光学的記録
層、7は透明樹脂層側から入射するレーザー光線
を有効に反射する反射層、6は反射層を傷やほこ
りから保護する保護層である。第6図は上記透明
樹脂層4の成型手順を説明するもので、10,1
0′は鏡面層11,11′を有する金型、12は樹
脂である。即ちポリ−4−メチルペンテン樹脂
〔三井石油化学(株)製TPX PT−18〕40部を、内径
120mm、総深さ1.15mmの円盤状凹部を有する金型
10,10′の間に入れ、更に該金型10,1
0′をヒートプレス内に設置し加温した。樹脂温
度が240℃に達した後、金型を70Kg/cm2迄徐々に
加圧し、約30秒放置した。減圧後、該金型をすみ
やかに20℃の水中に入れ急冷した。冷却後ポリ−
4−メチルペンテン樹脂成型体からなる透明樹脂
層4を取り出した。 得られた透明樹脂層4の上に、メチルメタクリ
レート(30部)、メチルアクリレート(10部)、エ
チレングリコールジメタクリレート(20部)、ト
リメチロールプロパントリメタクリレート(40
部)及びベンゾインエチルエーテル(0.1部)か
なる液をグラビアコーテイングの手法で10μmの
厚みに塗布した後、情報ビツトの刻まれたスタン
パーを、5μmのスペーサーを介して透明樹脂層
4におき、紫外線ランプで10分間照射し架橋させ
た。スタンパー及びスペーサーを取り除くと10μ
mの光学的記録層5が得られた。該複合成型体の
光学的記録層側に真空蒸着により約1000Åのアル
ミニウム薄膜(反射層7)を形成した後、メチル
メタクリレート(40部)、メチルアクリレート
(5部)、エチレングリコールジメタクリレート
(15部)、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート(40部)及びベンゾインエチルエーテル
(0.1部)からなる樹脂を約15μm塗布し、更に紫
外線ランプで約10分間照射し、架橋させて保護層
6を形成して光学デイスクを得た。第1表に透明
樹脂層の特性を、又第2表に光学デイスクの特性
をそれぞれ比較例1及び2とともに示した。 第1表より、実施例1でのポリ−4−メチルペ
ンテン樹脂からなる透明樹脂層4は、比較例1に
対して吸水性、耐衝撃性の点で、また比較例2に
対して光学的歪み(最大レターデーシヨン値)の
面で優れていることがわかる。 また第2表より、同じく実施例1での透明樹脂
層1は、比較例1に対して耐湿性、耐衝撃性の点
で、又比較例2に対しては光学的歪み(最大レタ
ーデーシヨン値)の点で優れていることがわか
る。 比較例 1 透明樹脂層4を、市販のポリメチルメタクリレ
ート樹脂を用いて実施例1と同様にヒートプレス
で作製した(樹脂温度:230℃、ヒートプレス時
のゲージ圧50Kg/cm2)。 このポリメチルメタクリレート樹脂からなる透
明樹脂層4に実施例1と同様に光学的記録層5、
反射層7、保護層6を積層して光学デイスクを作
成した。 比較例 2 透明樹脂層4を、市販のポリカーボネート樹脂
を用いて実施例1と同様にヒートプレスで作成し
た(樹脂温度:290℃、ヒートプレス時のゲージ
圧70Kg/cm2)。 このポリカーボネート樹脂からなる透明樹脂層
4に実施例1と同様に光学的記録層5、反射層
7、保護層6を積層して光学デイスクを作成し
た。 第1表に透明樹脂の特性を、第2表に光学デイ
スクの特性を、それぞれ示した。 実施例 2 第7図は本発明の実施例2を示したもので、
3′は平面性改良層、6は表面保護層を示す。 透明樹脂層4を次の様に作成した。実施例1と
同様にして、直径120mm、厚さ1.10mmのポリ−4
−メチルペンテン樹脂成型体を得た。この成型体
を窒素雰囲気下、室温でCo60を線源とする線量率
5Mrad/hrのγ線を延べ2時間照射させ、架橋
性の透明樹脂層4を得た。 この透明樹脂層4の両面にn−メチル化メラミ
ン100部、p−トルエンスルホン酸ナトリウム0.5
部を混合してなるメラミン樹脂を、それぞれ5μ
m、20μmの厚みに塗布後、160℃で40分加熱し、
硬化させ、それぞれ表面保護層6、平面性改良層
3′を得た。得られた複合体の平面性改良層3′の
側に実施例1と同様に順次光学的記録層5、反射
層7、保護層6をそれぞれ積層して光学デイスク
を作成した。透明樹脂層4の特性を第1表に光学
デイスクの特性を第2表にそれぞれ示した。 実施例 3 4−メチルペンテン−1−エチレン共重合体
(4−メチルペンテン−1/エチレン=90/10:
モノマーユニツト比)を用い、実施例1と同様に
透明樹脂層、光学的記録層、反射層、保護層を形
成して光学デイスクを得た。第1表に透明樹脂層
の特性を、第2表に光学デイスクの特性をそれぞ
れ示した。 実施例 4 ポリ−4−メチルペンテン樹脂40部、トリメチ
ロールプロパントリメタクリレート1部、ジクメ
ルパーオキシド0.2部からなる混合物を実施例1
と同様に、第6図に示す金型を用い圧縮成型し、
架橋された透明樹脂層を得た。該透明樹脂層に更
に実施例1と同様にして順次光学的記録層、反射
層、保護層を形成し、光学デイスクを得た。第1
表に透明樹脂層の特性を、第2表に光学デイスク
の特性をそれぞれ示した。 実施例 5 第8図は本発明の実施例5を示すもので、8は
実施例1において作成した反射層7を積層した2
枚の複合体のそれぞれ反射層側を、厚さ20μmで
100℃のポリブタジエン層を介して圧着し、光学
デイスクを作成した。
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は光学デイスクの製造法を例示する概略
工程図、第2図は第1図の各工程における成形体
の説明図、第3図は本発明に係る光学デイスクを
例示する断面略図、第4図は耐吸湿性の測定法を
示す説明図、第5,7,8図は実施例で得た光学
デイスクを示す断面略図、第6図は本発明で用い
る金型の概念図である。 1a……マスター盤、2……スタンパー、3′
……樹脂コート(平面性改良層)、4……透明樹
脂層、5……情報ビツト(光学的記録層)、6…
…保護層、7……金属被覆層(反射層)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 4−メチルペンテン系重合体又はその架橋体
    からなる光学的に透明なプレートの片面に、光硬
    化性樹脂製記録層が形成され、更に該記録層に刻
    設された記録面側に金属被覆層を形成してなるこ
    とを特徴とする光デイスク。 2 特許請求の範囲第1項において、同項記載の
    金属被覆層形成板を、該金属被覆層形成面側が対
    向する様に接着剤を介して貼合し、両面を記録・
    再生可能に構成してなる光デイスク。 3 特許請求の範囲第1又は2項において、光学
    的に透明なプレートが、4−メチルペンテン系重
    合体に有機過酸化物を配合して架橋されたもので
    ある光デイスク。 4 特許請求の範囲第1又は2項において、光学
    的に透明なプレートが、4−メチルペンテン系重
    合体を放射線照射によつて架橋させたものである
    光デイスク。 5 特許請求の範囲第1,2又は3項において、
    金属被覆層の露出側に裏面保護層を形成したもの
    である光デイスク。
JP57002144A 1982-01-09 1982-01-09 光学デイスク Granted JPS58121151A (ja)

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US4999234A (en) * 1987-08-10 1991-03-12 Polaroid Corporation Holographic optical data storage medium

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