JPS619436A - 光学式デイスクの製法 - Google Patents

光学式デイスクの製法

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JPS619436A
JPS619436A JP59130486A JP13048684A JPS619436A JP S619436 A JPS619436 A JP S619436A JP 59130486 A JP59130486 A JP 59130486A JP 13048684 A JP13048684 A JP 13048684A JP S619436 A JPS619436 A JP S619436A
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JP
Japan
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optical disc
crosslinking
methylstyrene
copolymer
molding
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Pending
Application number
JP59130486A
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English (en)
Inventor
Shinobu Ikeno
池野 忍
Hiroaki Usui
宏明 碓氷
Masashi Nakamura
正志 中村
Tetsuya Takanaga
高永 哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、一般に光学式ディスク(光ディスク)と呼
ばれている高密度情報記録用ディスクの製法に関する。
(背景技術〕“ 近年、高密度情報記録媒体として光学式ディスクが注目
されてきている。光学式ディスクは、用途によってつぎ
の3種類に分けられる。すなわち、(a)再生専用型、
(b)ユーザーで情報の書込みのできる追記型(DRA
W型)および(C)書き換え可能型(イレーザブル型)
である。
(a)の再生専用型光学式ディスクでは情報が微細な凹
凸(ビット)の形°で記録されており、その上にレーザ
ー光線の反射膜としてアルミニウム(Aβ)薄膜が形成
されている。(b)、 (C)の型の光学式ディスクで
は、微細な案内溝が全面にきざまれでおり、その上に、
レーザー光線の熱によって穴があいたり(蒸発、熔融な
どして穴があ<)、反射率が変化する記録i!!膜(た
とえば、TeやTi金属または合金、’TeOからなる
膜)が形成されている。
記録信号の再生は、光学式ディスク本体(基板)側から
レーザー光線を照射し、反射光の強弱を検出することに
よって行っている。
このような光学式ディスク本体の材料には、主として樹
脂(プラスチックス)が用いられている光学式ディスク
の製造には、信号情報となる凹凸(ビット)に対応する
凹凸を刻んだスタンパを金型に組込んで、射出成形によ
り樹脂を成形してディスク本体とし、このディスク本体
の信号面に上記のような薄膜を形成する方法が一般に採
用されている。
このような製法において、光学式ディスク本体用樹脂に
特に要求される特性としては、■光線透過率が高く、複
屈折が小さいこと、■吸湿率および吸湿による寸法変化
(特に反り)が小さいこと、■熱変形温度が高いこと、
■成形性に優れ、凹凸転写性のよいことの4つがあげら
れる。
現在、光学式ディスク本体に用いられている樹脂には、
前記■〜■の特性をすべて満足できるものがなく、ビデ
オディスクや追記ディスクには、■および■は十分満足
できないが、■および■の特性が比較的よいアクリル樹
脂(ポリメチルメタクリレート)が採用されており、コ
ンパクトディスクには、■および■は十分満足できない
が、■、■の特性が比較的よいポリカーボネート樹脂が
採用されているのが実情である。
前記のような樹脂の欠点を改良し、光学式ディスク本体
用樹脂として優れた特性をもつ樹脂の研究開発が行われ
ている。その多くはアクリル樹脂の改質にポイントをお
いたもので、つぎのようなものが提案されている。
(A)吸湿性の少ないコそツマ−をメタクリル酸メチル
(メチルメタクリレート、MMA>に共重合させて吸湿
性の改良を主目的とするもの(特開昭55−11515
号公報、特開昭58−13652号公報、および特開昭
58−154751号公報参照)。
(B)吸湿性の低減と複屈折とのバランスを主目的とす
るもの(特開昭58−68251号公報および特開昭5
8−68253号公報参照)。
(C)流動性の改良により、複屈折の低減と凹凸転写性
の改良を図るもの(特開昭58−88843号公報参照
)。
しかしながら、熱変形温度に関する改良は全くなされて
いない。そのため、前記■〜■の特性をすべて満足する
光学式ディスク本体を用いる光学式ディスクの製法は、
これまで開発されてはいない。
〔発明の目的〕
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
ディスク本体の成形、凹凸転写を正確かつ容易に行え、
光線透過性が高く、複屈折が小さく、また吸湿率および
吸湿による寸法変化が小さく、しかも熱変形温度が高い
ものを得ることができる光学式ディスクの製法を蝉供す
ることを目的としている。
〔発明の開示〕
発明者らは、前記のような目的を達成するため、鋭意研
究を重ねた。その結果、前記■の特性と■の特性とを同
時に満足する樹脂を得ることは本質的に困難であること
が分かった。そこで発明者らは、■、■の特性が優れ、
流動性がよいため、■の特性も十分満足する樹脂でディ
スク本体を成形したのち、簡易な手段(放射線照射等)
により、樹脂を架橋させて熱変形温度を高くすればよい
−と考えた。
ディスク本体成形後、熱変形温度を高(する(耐熱性を
向上させる)ため、樹脂を架橋させる手段としては、加
熱硬化、紫外線硬化、放射線(電子線など)硬化が考え
られた。しかし、加熱硬化法では、ディスク本体成形時
の加熱によって硬化が起るうえ、成形後の加熱によって
ディスク本体の変形やディスク本体に設けた凹凸形状の
変形が生じるという欠点がある。紫外線硬化法は、簡易
な手段であり、かつ、低温で行えるので、ディスク本体
の変形が生じないが、紫外線では、架橋反応を行わせる
ためのエネルギーが不十分であり、光重合開始剤によっ
ては着色がディスク本体に生したすする欠点があるので
、レーザー光線を用いて信号を読み取る光学式ディスク
には好ましい方法ではない。放射線による架橋法は、放
射線が架橋反応を行わせるのに十分なエネルギーをもち
、特別な重合開始剤も不要であり、成形時に熱安定性の
優れた樹脂を採用することができるので、この発明の目
的に適したものである。
そこで、放射線架橋が可能で、成形時の熱安定性がよい
樹脂を検討したところ、p−メチルスチレンあるいはp
−メチルスチレン異性体を主成分とする異性体混合物を
コモノマーとして含むコポリマーが適することを見出し
た。p−メチルスチレンは、そのポリマー(ポリp−メ
チルスチレン)の吸水率が0.05%であって、ポリメ
タクリル酸メチル(PMMA)の0.30%に比べると
、1/6と小さく、吸湿性改善の点からも好ましいもの
である。
なお、光学式ディスク本体用としてよく使われている(
ポリ)メタクリル酸メチルは、放射線照射により分解し
、また、架橋効果も小さいため、放射線架橋には適さな
いこともわかった。
以上のことから、成形時の熱安定性がよく、放射線架橋
が可能で、かつ、前記■〜■の特性もすべて満足する樹
脂組成を検討したところ、光学特性(光線透過率と複屈
折)、成形性、耐熱性および耐放射線性の点からアクリ
ル酸エステルを主成分として20〜80wt%、放射線
架橋を可能とするためp−メチルスチレンおよび/また
はp−メチルスチレン異性体を10〜70wt%、およ
び、吸湿性、成形性を改良するため、前記モノマーと共
重合しうるビニル系モノマー0〜50wt%を必須成分
とし、これらを共重合させてなるコポリマーを用いれば
よいことを見出し、ここにこの発明を完成した。
したがって、この発明は、光学式ディスク本体の成形後
、放射線照射により架橋を行わせる工程を含む光学式デ
ィスクの製法において、前記ディスク本体成形用樹脂が
、アクリル酸エステル20〜3Qwt%、p−メチルス
チレンおよび/またはp−メチルスチレン異性体IO〜
70wt%、および前記七ツマ−と共重合可能なビニル
系モノマー0〜50wt%を必須成分とし、これらを共
重合させてなるコポリマーであることを特徴とする光学
式ディスクの製法をその要旨としている。
以下に、この発明の詳細な説明する。
まず、ディスク本体に成形される樹脂について述べる。
この発明で用いられる樹脂は、上記のような組成のコポ
リマーであり、流動性がよい。主成分であるアクリル酸
エステルのエステル残基としては、メチル、エチル、イ
ソプロピル、n−ブチル、イソブチル、4−メチル−2
−ペンチル。
Fデシル、シクロヘキシル、ベンジル、フェニルなどの
炭素(C)数1〜20のアルキル基、アラルキル基を例
示することができる。これらのうち、炭素数が多(なる
と吸湿性改善に効果が大きく、また、枝分れを有するア
ルキル基、脂環式アルキル基は熱変形温度を高くする効
果があるので好ましい。これらのアクリル酸エステルは
、単独で、あるいは、混合して用いることができる。ア
クリル酸エステルの使用量が2Qwt%未満であると、
共重合体の光学特性および耐熱性が低下し、80wt%
を越えると共重合体の吸湿性が大きくなる。p−メチル
スチレンおよび/またはp−メチルスチレン異性体の使
用量が10wt%未満であると、架橋効果が少なくなり
、70wt%を越えると、複屈折性が悪くなる。p−メ
チルスチレンあるいはp−メチルスチレン異性体は、た
とえば、p−メチルスチレン単独、あるいは、p−メチ
ルスチレン異性体を主成分とする異性体混合物のかたち
で用いられる。アクリル酸エステル、およびp−メチル
スチレンおよび/またはp−メチ  4ルスチレン異性
体と共重合しうるビニル系モノマーとしては、p−メチ
ルスチレン、p−メチルスチレン異性体以外のスチレン
糸上ツマ−1たとえばスチレン、クロルスチレンなどの
耐放射線性にすぐれたモノマー、ブタジェンなどの共役
ジエン ゛系モノマー、エチレンなどのオレフィン系モ
ノマー、およびアクリル酸などがあり、それぞれ単独も
しくはそれらの混合系で使用される。
この発明で用いるコポリマーは、前記のような七ツマ−
を使用し、塊状重合法、懸濁重合法、溶′/fi、重合
法あるいは乳化重合法等の公知の重合体製造法のいずれ
の方法によって製造されてもよいが、含有不純物量を低
減させるという観点からみると、塊状重合法および懸濁
重合法が好ましい。
以上のような組成のコポリマーに放射線を照射すれば架
橋反応が生じ、耐熱性9機械的性質が向上するのである
が、コポリマーに架橋剤を、コポリマーに対して0.1
〜10wt%混合すると一層架橋効率が高くなり、より
低線量の放射線の照射で架橋を行わせることが可能とな
る。
このような架橋剤としてはラジカル重合可能な多官能上
ツマ−9たとえばジビニルヘンゼン、シアリルフタレ−
1・、トリアリルイソシアネート。
などの多官能ビニル、アリル化合物、トリメチロールプ
ロパントリ (メタ)アクリレート、  1.6−ヘキ
サンシオールジ(メタ)アクリレート、ネオベンチルグ
リコールジ(メタ)アクリレートなどの多官能(メタ)
アクリレートなどがある。これらは、単独または混合し
て用いることができる。
なお、上記の架橋剤に代えてtert−ブチルヒドロペ
ルオキシドのような高温分解型の過酸化物を加えてもよ
い。
コポリマーと架橋剤の混合は、公知の溶液混合法や押出
機を用いた溶融混合法で行うことができる。
また、ディスク本体とスタンパ−との離型性を改良する
ための離型剤や帯電防止のための帯電防止剤を、この発
明の目的の達成を阻害しない範囲で前記のコポリマーに
併用してもよい。離型剤としては、シリコン、ワックス
、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族アル
コール等が用いられ、帯電防止剤としては、高級アルコ
ールのスルフォン酸塩、第4級アンモニウム塩等が用い
られる。
この発明にかかる光学式ディスクの製法は、前記のよう
なコポリマーを使用し、次のようにして実施される。ま
ず、スタンパ−をセットした金型によりコポリマーをイ
ンジェクション成形あるいはプレス成形して記録信号と
なるピットあるいは案内溝を転写したディスク本体をつ
くる。このあと、架橋を行わせるためにディスク本体に
放射線を照射する。架橋反応に利用できる放射線として
は、たとえば、γ(ガンマ−)線、X線等の電磁波や電
子線、α(アルファー)線、β(ベータ)線環O粒子線
などがあげられ、いずれを用いてもよい。架橋反応を生
じさせるためには、吸収線量として20〜70メガラド
の範囲の放射線を照射するのが好ましい。成形前にコポ
リマーが架橋剤を含んでおれば放射線の線量が少なくて
すむ。このようにしてつくったディスク本体のピットあ
るいは案内溝転写面に、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンブレーティング等の方法によって、金属ある
いは金属酸化物からなる反射層を形成し、さらに、必要
に応じて反射層の保護コーティングを行って最終製品と
なる光学式ディスクを得る。
この発明にかかる光学式ディスクの製法では、前記のよ
うなコポリマーを用いるようにしているので、光線透過
率が高く、複屈折が小さく、吸湿率および吸湿による寸
法変化が小さい光学式ディスクを得ることができ、ディ
スク本体成形に際して、前記のような流動性のよい樹脂
を用いることができるので、成形性および凹凸転写性が
よく、しかも、成形圧力を低減できることから一層複屈
折の小さい光学式ディスクを作製することも可能である
。また、ディスク本体成形後、常温でディスクに放射線
を照射することにより、架橋反応を行わせるので、ディ
スク本体の熱変形温度を高くすることができる。成形前
にコポリマーが架橋剤を含んでいれば、より低線量の放
射線ですむ。また、アクリル酸エステルなど耐放射線性
のある七ツマ−を用いているので放射線による分解も生
じない。熱変形温度が高いということは、レーザー光線
の熱により情報を記録するDRAW型やイレーザブル型
のディスク等に特に有用であり、自動車用途など高温に
さらされる機械のあるコンパクトディスクにも有用なも
のである。さらに、架橋により光学式ディスクの機械的
強度の向上させ、反り、ネジレに対する抵抗性を増加さ
せることもできる。なお、この発明にかかる製法により
得られる光学式ディスクは、一般に光磁気ディスクと言
われている光学式ディスク等にも有用なもの5ある。
つぎに、実施例について説明する。
(実施例1) アクリル酸メチル、アクリル酸シクロヘキシル、および
p−メチルスチレンを重量比15:35:50の割合で
共重合させてなるコポリマーを用いることとし、スタン
パ−を装着した金型を用いて射出成形によりこのコポリ
マーをディスク本体に成形した。成形後、ディスク本体
に電子線を50メガラドとなるように照射した。次に、
このディスク本体の信号面にアルミニウムを蒸着させた
(実施例2) 実施例1で用いた組成のコポリマーに、架橋剤としてジ
ビニルベンゼンを、コポリマーに対して5wt%混合し
て、実施例1と同様にディスク本体を成形した。成形後
、ディスク本体に電子線を40メガラドとなるように照
射した。次に、このディスク本体の信号面にアルミニウ
ムを蒸着した(実施例3) アクリル酸イソプロピル、アクリル酸シクロヘキシル、
p−メチルスチレンおよびスチレンを重量比10 : 
45’ :’ 30 : 15の割合で共重合させてな
るコポリマーを用い、実施例1と同様にしてディスク本
体を成形した。成形後、ディスク本体に電子線を60メ
ガラドとなるように照射した。
次に、このディスク本体の信号面にアルミニウムを蒸着
させた。
(実施例4) 実施例3で用いた組成のコポリマーに、架橋剤として、
トリアリルイソシアネートを、コポリマーに対して3w
t%混合して、実施例1と同様に、ディスク本体を成形
した。成形後、ディスク本体に電子線を20メガラドと
なるように照射した。
次に、このディスク本体の信号面にアルミニウムを蒸着
した。
(実施例5) 実施例3で用いた組成のコポリマーに、架橋剤としてト
リメチロールプロパントリアクリレートを、コポリマー
に対して2wt%を混合して、実施例1と同様にディス
ク本体を成形した。成形後、ディスク本体に電子線を3
0メガラドとなるように照射した。次に、このディスク
本体の信号面にアルミニウムを蒸着した。・ 実施例1〜5で得られた光学式ディスクを、プレーヤに
より画像を再生したところジッタや信号のドロップアウ
トの極めて少ない画像が再生できた。これらの光学式デ
ィスクは、光透過率が高く、複屈折が小さく、吸湿によ
る寸法変化が小さく、しかも、熱変形温度が高いものに
なっていた。
成形時の凹凸転写性も良好であった。また、架橋剤を含
んだコポリマーは、同じ組成のコポリマーに比べ低い吸
収線量の電子線で架橋が進行していた。アクリル酸エス
テル、p−メチルスチレンなど耐放射線性の良いものを
用いているので電子線照射による分解も生じていなかっ
た。
〔発明の効果〕
この発明にかかる光学式ディスクの製法は、アクリル酸
エステル20〜80wt%、p−メチルスチレンおよび
/またはp−メチルスチレン異性体lO〜70wt%、
および前記七ツマ−と共重合可能なビニル系モノマーO
〜50wt%を必須成分とし、これらを共重合させてな
るコポリマーを用いており、ディスク本体の成形後、デ
ィスク本体に放射線を照射する工程を含んでいる。その
ため、この製法を用いれば、ディスク本体の成形、凹凸
転写を正確かつ容易に行え、放射線照射による分解も生
じず、また、光透過率が高く、複屈折が小さく、吸湿率
および吸湿による寸法変化が小さく、熱変形温度が高い
光学式ディスクを得ることができる。
代理人 弁理士  松 本 武 彦 手続ネ市正書(自発) 昭和59年 9月251 、発明の名称 光学式ディスクの製法 3、補正をする者 事件との関係     特許出願人 性   所    大阪府門真市大字門真1048番地
名 称(583)松下電工株式会社 代表者  代表@帝役小林 郁 4、代理人 な   し 6、補正の対象 明細書 7、補正の内容 (1)  明細書第11頁第14行に1トリアリルイソ
シアネート」とあるを、「トリアリルイソシアヌレート
およびトリアリルシアヌレート」と訂正する。
(2)明細書第14頁第17行に「機械」とあるを、「
機会」と訂正する。
(3)明細書第14頁第19行に「機械的強度の」とあ
るを、「機械的強度を」と訂正する。
(4)明細書第16頁第15行に「トリアリルイソシア
ネート」とあるを、「トリアリルイソシアヌレート」と
訂正する。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光学式ディスク本体の成形後、放射線照射により
    架橋を行わせる工程を含む光学式ディスクの製法におい
    て、前記ディスク本体成形用樹脂が、アクリル酸エステ
    ル20〜80wt%、p−メチルスチレンおよび/また
    はp−メチルスチレン異性体10〜70wt%、および
    前記モノマーと共重合可能なビニル系モノマー0〜50
    wt%を必須成分とし、これらを共重合させてなるコポ
    リマーであることを特徴とする光学式ディスクの製法。
  2. (2)コポリマーが架橋剤0.1〜10wt%を含むも
    のである特許請求の範囲第1項記載の光学式ディスクの
    製法。
  3. (3)放射線の線量が20〜70メガラドである特許請
    求の範囲第1項または第2項記載の光学式ディスクの製
    法。
JP59130486A 1984-06-25 1984-06-25 光学式デイスクの製法 Pending JPS619436A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313145A (ja) * 1986-03-07 1988-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 書込み/消去型光デイスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313145A (ja) * 1986-03-07 1988-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 書込み/消去型光デイスク

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