JPS60185236A - 光学式デイスク - Google Patents
光学式デイスクInfo
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- JPS60185236A JPS60185236A JP59040823A JP4082384A JPS60185236A JP S60185236 A JPS60185236 A JP S60185236A JP 59040823 A JP59040823 A JP 59040823A JP 4082384 A JP4082384 A JP 4082384A JP S60185236 A JPS60185236 A JP S60185236A
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- JP
- Japan
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- resin
- monomer
- yields
- photoelastic coefficient
- disk
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、レーザー光の反射または透過により、記録
された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディスク
に関する。
された信号の読み出しを行う光学式情報記録用ディスク
に関する。
レーザー光線のスポットビームをディスク上にあて、デ
ィスク上の微細なビットによって記録された信号を反射
または透過光量を検出することによって読み出す光学式
情報記録、再生方式は、著しく記録密度を上げることが
でき、また、それから群成される画像や音質が優れた特
性を有することから、画像や音声の記録再生、多量の情
報の記憶再生等に広く実用されることが期待されている
。この記録再生方式に利用されるディスクには、ディス
ク基材をレーザ光が透過するために透明であることば勿
論のこと、光学的均質性が強くめられる。ディスク基材
成形時の樹脂の冷却および流動過程において生じた熱応
力５分子配向、軟化点イ」近の材料の容積変化による残
留応力等が原因で、レーザー光をディスクにあてたとき
、複屈折が生じるが、この複屈折が大きいことに起因す
る光学的不均一性は光学式ディスクとしては致命的欠陥
である。
ィスク上の微細なビットによって記録された信号を反射
または透過光量を検出することによって読み出す光学式
情報記録、再生方式は、著しく記録密度を上げることが
でき、また、それから群成される画像や音質が優れた特
性を有することから、画像や音声の記録再生、多量の情
報の記憶再生等に広く実用されることが期待されている
。この記録再生方式に利用されるディスクには、ディス
ク基材をレーザ光が透過するために透明であることば勿
論のこと、光学的均質性が強くめられる。ディスク基材
成形時の樹脂の冷却および流動過程において生じた熱応
力５分子配向、軟化点イ」近の材料の容積変化による残
留応力等が原因で、レーザー光をディスクにあてたとき
、複屈折が生じるが、この複屈折が大きいことに起因す
る光学的不均一性は光学式ディスクとしては致命的欠陥
である。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、
複屈折率の非常に小さい光学式ディスクを提供すること
を目的としている。
複屈折率の非常に小さい光学式ディスクを提供すること
を目的としている。
複屈折率は、下記の（Ａ）式に示されるように、光弾性
係数と残留応力の積として表わされる。
係数と残留応力の積として表わされる。
（ｎ＋ −Ｊ ） ＝Ｃ（σ＋ −（Ｆ２ ） ・・−
（Ａ）（ｎ＋ ｎ２）：複屈折率 （σ裏 −σ２）：残留応力 Ｃ：光弾性係数 （Ａ）式かられかるように、光弾性係数および残留応力
のいずれか一方を小さくすることにより、複屈折率を小
さくすることができる。そこで、発明者らは、まず、残
留応力を小さくすることに着目した。しかし、残留応力
はディスク成形時の成形条件により変化するが、最適の
成形条件を選んだ場合でも残留応力を零に近くすること
は困難であることがわかった。
（Ａ）（ｎ＋ ｎ２）：複屈折率 （σ裏 −σ２）：残留応力 Ｃ：光弾性係数 （Ａ）式かられかるように、光弾性係数および残留応力
のいずれか一方を小さくすることにより、複屈折率を小
さくすることができる。そこで、発明者らは、まず、残
留応力を小さくすることに着目した。しかし、残留応力
はディスク成形時の成形条件により変化するが、最適の
成形条件を選んだ場合でも残留応力を零に近くすること
は困難であることがわかった。
つぎに、発明者らは、光弾性係数を小さくすることに着
目した。光弾性係数は、応力に対してどれほど複屈折が
起こりやすいかの指標となるものである。これは、材料
固有の値であり、応力をかけた場合に、応力の方向と同
方向の屈折率が応力の方向に垂直な方向の屈折率より大
きくなるような光弾性係数が正の樹脂と、逆に応力方向
に垂直な方向の屈折率が大きくなるような光弾性係数が
負の樹脂とがある。そこで、発明者らは、両種の樹脂を
作り得る単量体を適当に組み合せて共重合することとす
れば、光弾性係数が非常に小さい共重合体（樹脂）を得
ることができるのでばないがと考え、研究を重ねた。そ
の結果、両種の樹脂の単量体を組み合わせて所定量ずつ
共重合することにより、光弾性係数が零またはそれに近
い値を持つ共重合体を得ることができ、この共重合体は
複屈折率も小さいので、これを基材として用いることと
すれば、複屈折率の小さい光学式ディスクが得られると
いうことを見出し、ここにこの発明を完成した。
目した。光弾性係数は、応力に対してどれほど複屈折が
起こりやすいかの指標となるものである。これは、材料
固有の値であり、応力をかけた場合に、応力の方向と同
方向の屈折率が応力の方向に垂直な方向の屈折率より大
きくなるような光弾性係数が正の樹脂と、逆に応力方向
に垂直な方向の屈折率が大きくなるような光弾性係数が
負の樹脂とがある。そこで、発明者らは、両種の樹脂を
作り得る単量体を適当に組み合せて共重合することとす
れば、光弾性係数が非常に小さい共重合体（樹脂）を得
ることができるのでばないがと考え、研究を重ねた。そ
の結果、両種の樹脂の単量体を組み合わせて所定量ずつ
共重合することにより、光弾性係数が零またはそれに近
い値を持つ共重合体を得ることができ、この共重合体は
複屈折率も小さいので、これを基材として用いることと
すれば、複屈折率の小さい光学式ディスクが得られると
いうことを見出し、ここにこの発明を完成した。
したがって、この発明は、光弾性係数が正の樹脂が得ら
れる単量体と、光弾性係数が、負の樹脂が得られる単量
体とを必須原材料として、光弾性係数が−Ｉ Ｘ １０
’ ｃｎ？／ｄｙｎｅ以上、＋ｌＸ１Ｏ−３ｃＪ ／
ｄｙｎｅ以下となるように共重合させた共重合体を基
材とする光学式ディスクをその要旨としている。以下に
、この発明の詳細な説明する。
れる単量体と、光弾性係数が、負の樹脂が得られる単量
体とを必須原材料として、光弾性係数が−Ｉ Ｘ １０
’ ｃｎ？／ｄｙｎｅ以上、＋ｌＸ１Ｏ−３ｃＪ ／
ｄｙｎｅ以下となるように共重合させた共重合体を基
材とする光学式ディスクをその要旨としている。以下に
、この発明の詳細な説明する。
ここで、光弾性係数が正の樹脂となる単量体（以下、「
正の単量体」と記す）としては、スチレン、ビニルトル
エン、シクロへキシルメタクリレート、フェニルメタク
リレート等があげられ、これらのうちの少なくともＩＭ
が用いられる。光弾性係数が負の樹脂となる単量体（以
下、「負の単量体」と記す）としては、メタクリル酸メ
チル。
正の単量体」と記す）としては、スチレン、ビニルトル
エン、シクロへキシルメタクリレート、フェニルメタク
リレート等があげられ、これらのうちの少なくともＩＭ
が用いられる。光弾性係数が負の樹脂となる単量体（以
下、「負の単量体」と記す）としては、メタクリル酸メ
チル。
α−メチルスチレン等があり、これらのうちの少なくと
も１種が用いられる。
も１種が用いられる。
光弾性係数が０±ｌＸｌ０−３ｃ♂／ｄｙｎｅの範囲内
となるよう、前記のような正負の単量体それぞれの所定
量ずつを共重合させて共重合体とし、この共重合体をデ
ィスク基材として用いる。公知のとおり、基材の上に記
録層や保護層などを必要に応じて形成すれば、光学式デ
ィスクが得られる。
となるよう、前記のような正負の単量体それぞれの所定
量ずつを共重合させて共重合体とし、この共重合体をデ
ィスク基材として用いる。公知のとおり、基材の上に記
録層や保護層などを必要に応じて形成すれば、光学式デ
ィスクが得られる。
正負の単量体の使用割合は、両者の組み合わせに応じて
決める必要がある。そこで、例として、正の単量体とし
てスチレン、負の単量体としてメタクリル酸メチルをそ
れぞれ用いる場合の使用割合について説明する。
決める必要がある。そこで、例として、正の単量体とし
てスチレン、負の単量体としてメタクリル酸メチルをそ
れぞれ用いる場合の使用割合について説明する。
発明者らの行った実験によると、スチレンとメタクリル
酸メチルの共重合体の光弾性係数は、使用したスチレン
単量体のモル比に応じて第１図に示されているように変
化することがわかった。第１図より、スチレン単量体の
モル比を３５〜５０％、メタクリル酸メチル単量体のモ
ル比を５０〜６５％として共重合を行えば、光弾性係数
が０±Ｉ Ｘ １０−３ｅｔａ ／ ｄｙｎｅの範囲内
に入って非常に小さく、複屈折率の非常に小さい共重合
体が得られることがわかる。
酸メチルの共重合体の光弾性係数は、使用したスチレン
単量体のモル比に応じて第１図に示されているように変
化することがわかった。第１図より、スチレン単量体の
モル比を３５〜５０％、メタクリル酸メチル単量体のモ
ル比を５０〜６５％として共重合を行えば、光弾性係数
が０±Ｉ Ｘ １０−３ｅｔａ ／ ｄｙｎｅの範囲内
に入って非常に小さく、複屈折率の非常に小さい共重合
体が得られることがわかる。
つぎに、正の１！量体としてビニルトルエン、負の単量
体としてメタクリル酸メチルをそれぞれ用いる場合の使
用割合について説明する。
体としてメタクリル酸メチルをそれぞれ用いる場合の使
用割合について説明する。
発明者らの行った実験によると、ビニルトルエンとメタ
クリル酸メチルの共重合体の光弾性係数は、使用したビ
ニルトルエン単量体のモル比に応して第２図のように変
化することがわかった。第２図より、ビニル１−ルエン
単量体のモル比を３０〜５０％、メタクリル酸メチル単
量体のモル比を５０〜７０％として共重合を行えば、光
弾性係数が０±１ ｘ １０ ’ ｃ＋＋！／ｄｙｎｅ
の範囲内に入って非常に小さく、複屈折率の非常に小さ
い共重合体が得られることがわかる。
クリル酸メチルの共重合体の光弾性係数は、使用したビ
ニルトルエン単量体のモル比に応して第２図のように変
化することがわかった。第２図より、ビニル１−ルエン
単量体のモル比を３０〜５０％、メタクリル酸メチル単
量体のモル比を５０〜７０％として共重合を行えば、光
弾性係数が０±１ ｘ １０ ’ ｃ＋＋！／ｄｙｎｅ
の範囲内に入って非常に小さく、複屈折率の非常に小さ
い共重合体が得られることがわかる。
なお、光学式ディスクの性能を向上させるといったよう
な目的で、必要に応じ、この発明の目的を阻害しない範
囲において、正負の単量体と共に重合可能な単量体を併
用するようにしてもよい。
な目的で、必要に応じ、この発明の目的を阻害しない範
囲において、正負の単量体と共に重合可能な単量体を併
用するようにしてもよい。
共重合体は、例えば塊状重合法、懸濁重合法。
溶液重合法、乳化重合法等の公知の電合体製造法のいず
れの方法によって製造されてもよい。
れの方法によって製造されてもよい。
基材の成分として、スタンバ−との離型性を改良する目
的で、例えばシリコン、ワックス、脂肪酸、脂肪酸エス
テル、脂肪酸金属塩、脂肪族アルコール等の助剤や、帯
電防止の目的で、例えば高級アルコールのスルフォン酸
塩、第４級アンモニウム塩等の助剤をこの発明の目的の
達成を阻害しない範囲で、上記の共重合体に併用しても
よい。
的で、例えばシリコン、ワックス、脂肪酸、脂肪酸エス
テル、脂肪酸金属塩、脂肪族アルコール等の助剤や、帯
電防止の目的で、例えば高級アルコールのスルフォン酸
塩、第４級アンモニウム塩等の助剤をこの発明の目的の
達成を阻害しない範囲で、上記の共重合体に併用しても
よい。
この発明の光学式ディスクを製造するにあたっては、た
とえばつぎのようにして行う。まず、共重合体を射出成
型またはプレス成型等の方法によって、スタンパ−をセ
ットした金型により記録信号となるビットを転写しディ
スク基材を成形する。成形はできるだけ残留応力が小さ
くなるような条件で行う必要がある。つぎに、複製ディ
スクの場合には一般的には、ビット転写面に金属の真空
蒸着、スパッタリングあるいはイオンブレーティング等
の方法によって反射層を形成し、さらに必要に応じて反
射層の保護コーティングを行なって製造することができ
る。また、メモリーディスクの場合には上記と同様にし
てトラッキング信号となるビットを転写した後、さらに
ビット面に、例えば非晶質レアーメタルやレーザーによ
って熱的に分解し得る化合物のユーザーでの書き込み可
能な記録層を蒸着または塗布し、さらに必要に応じ上記
のような反射層や保護コーティングの形成を行ってメモ
リー用光学式ディスクを製造することができる。
とえばつぎのようにして行う。まず、共重合体を射出成
型またはプレス成型等の方法によって、スタンパ−をセ
ットした金型により記録信号となるビットを転写しディ
スク基材を成形する。成形はできるだけ残留応力が小さ
くなるような条件で行う必要がある。つぎに、複製ディ
スクの場合には一般的には、ビット転写面に金属の真空
蒸着、スパッタリングあるいはイオンブレーティング等
の方法によって反射層を形成し、さらに必要に応じて反
射層の保護コーティングを行なって製造することができ
る。また、メモリーディスクの場合には上記と同様にし
てトラッキング信号となるビットを転写した後、さらに
ビット面に、例えば非晶質レアーメタルやレーザーによ
って熱的に分解し得る化合物のユーザーでの書き込み可
能な記録層を蒸着または塗布し、さらに必要に応じ上記
のような反射層や保護コーティングの形成を行ってメモ
リー用光学式ディスクを製造することができる。
前記のようにして得られるこの発明の光学式ディスクは
、複屈折率が非常に小さい。
、複屈折率が非常に小さい。
この発明にかかる光学式ディスクは、光弾性係数が正の
樹脂が得られる単量体と、光弾性係数が、負の樹脂が得
られる単量体とを必須原材料として、光弾性係数が−Ｉ
Ｘ １０ ’ ｃｔ ／ｄｙｎｅ以上、＋Ｉ Ｘ １
０−３ａＩ！／ｄｙｎｅ以下となるように共重合させた
共重合体を基材とするので、複屈折率が非常に小さい。
樹脂が得られる単量体と、光弾性係数が、負の樹脂が得
られる単量体とを必須原材料として、光弾性係数が−Ｉ
Ｘ １０ ’ ｃｔ ／ｄｙｎｅ以上、＋Ｉ Ｘ １
０−３ａＩ！／ｄｙｎｅ以下となるように共重合させた
共重合体を基材とするので、複屈折率が非常に小さい。
第１図は、スチレンおよびメタクリル酸メチルからなる
共重合体のスチレンモル比と光弾性係数の関係をあられ
すグラフ、第２図は、ビニルトルエンおよびメタクリル
酸メチルからなる共重合体のビニルトルエンモル比と光
弾性係数の関係をあられずグラフである。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ ビニ；叶ルエンモ！し几（’／、） 年ト糸宍ネ市正書（自発） ■訓５９年 ６月 ４日 昭和５９年特許願第０４０８２３号 ２、発明の名称 光学式ディスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪ＪＲ門真市大字門真１０４８番地名 称（
５８３）松下電工株式会社 代表者 （（Ｊｌｆｉ帝役小林 郁 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１１明細書の特許請求の範囲器の全文を別紙のとおり
に訂正する。 （２）明細書第５頁第７行の２箇所、同頁第２０行、第
６頁第１８行、第７頁第１１行、第９頁第１４行および
同頁第１５行に、それぞれ、ｒｌｏ’」とあるを、ｒ
１０−′３Ｊと訂正する。 〔補正後の特許請求の範囲〕 ２、特許請求の範囲 （１） 光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体と、光
弾性係数が、負の樹脂が得られる単量体とを必須原材料
として、光弾性係数が−Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ −’ｃＪ／ｄ
ｙｎｅ以上、＋ Ｉ Ｘ １０−” ｃｒＡ ／ ｄｙ
ｎｅ以下となるように共重合させた共重合体を基材とす
る光学式ディスク。 （２）光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体が、スチ
レン、ビニルトルエン、シクロヘキシルメタクリレート
およびフェニルメタクリレートからなる群の中から選ば
れた少なくとも一つである特許請求の範囲第１項記載の
光学式ディスク。 （３）光弾性係数が負の樹脂が得られる単量体がメタク
リル酸メチル、α−メチルスチレンの少なくとも一方で
ある特許請求の範囲第１項ｔ７ｊ基厘（項記載の光学式
ディスク。
共重合体のスチレンモル比と光弾性係数の関係をあられ
すグラフ、第２図は、ビニルトルエンおよびメタクリル
酸メチルからなる共重合体のビニルトルエンモル比と光
弾性係数の関係をあられずグラフである。 代理人 弁理士 松 本 武 彦 ０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ ビニ；叶ルエンモ！し几（’／、） 年ト糸宍ネ市正書（自発） ■訓５９年 ６月 ４日 昭和５９年特許願第０４０８２３号 ２、発明の名称 光学式ディスク ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪ＪＲ門真市大字門真１０４８番地名 称（
５８３）松下電工株式会社 代表者 （（Ｊｌｆｉ帝役小林 郁 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 （１１明細書の特許請求の範囲器の全文を別紙のとおり
に訂正する。 （２）明細書第５頁第７行の２箇所、同頁第２０行、第
６頁第１８行、第７頁第１１行、第９頁第１４行および
同頁第１５行に、それぞれ、ｒｌｏ’」とあるを、ｒ
１０−′３Ｊと訂正する。 〔補正後の特許請求の範囲〕 ２、特許請求の範囲 （１） 光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体と、光
弾性係数が、負の樹脂が得られる単量体とを必須原材料
として、光弾性係数が−Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ −’ｃＪ／ｄ
ｙｎｅ以上、＋ Ｉ Ｘ １０−” ｃｒＡ ／ ｄｙ
ｎｅ以下となるように共重合させた共重合体を基材とす
る光学式ディスク。 （２）光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体が、スチ
レン、ビニルトルエン、シクロヘキシルメタクリレート
およびフェニルメタクリレートからなる群の中から選ば
れた少なくとも一つである特許請求の範囲第１項記載の
光学式ディスク。 （３）光弾性係数が負の樹脂が得られる単量体がメタク
リル酸メチル、α−メチルスチレンの少なくとも一方で
ある特許請求の範囲第１項ｔ７ｊ基厘（項記載の光学式
ディスク。
Claims (3)
- （１）光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体と、光弾
性係数が、負の樹脂が得られるＲ量体とを必須原材料と
して、光弾性係数が−Ｉ Ｘ Ｉ ０−３ｃａ／ｄｙｎ
ｅ以上、４− Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ−３ｃａ／ｄｙｎｅ以下
となるように共重合させた共重合体を基材とする光学式
ディスク。 - （２）光弾性係数が正の樹脂が得られる単量体が、スチ
レン、ビニルトルエン、シクロへキシルメタクリレート
およびフェニルメタクリレートからなる群の中から選ば
れた少なくとも−っである特許請求の範囲第１項記載の
光学式ディスク。 - （３）光弾性係数が負の樹脂が得られるＩｌ量体がメタ
クリル酸メチル、α−メチルスチレンの少なくとも一方
である特許請求の範囲第１項記載の光学式ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040823A JPS60185236A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 光学式デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59040823A JPS60185236A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 光学式デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185236A true JPS60185236A (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=12591379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59040823A Pending JPS60185236A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 光学式デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185236A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136307A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 低吸湿性メタクリル系樹脂 |
| EP0199824A1 (en) * | 1984-11-02 | 1986-11-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin material used for an optical device |
| EP0256554A2 (en) * | 1986-08-18 | 1988-02-24 | Teijin Chemicals, Ltd. | Plastic substrate for optical memory card or disk |
| WO1997030119A1 (fr) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition de resine optique non birefringente et element optique constitue de celle-ci |
-
1984
- 1984-03-03 JP JP59040823A patent/JPS60185236A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136307A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 低吸湿性メタクリル系樹脂 |
| JPH036165B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1991-01-29 | Mitsubishi Rayon Co | |
| EP0199824A1 (en) * | 1984-11-02 | 1986-11-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin material used for an optical device |
| US4785053A (en) * | 1984-11-02 | 1988-11-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Optical resin material having improved birefringence |
| EP0256554A2 (en) * | 1986-08-18 | 1988-02-24 | Teijin Chemicals, Ltd. | Plastic substrate for optical memory card or disk |
| WO1997030119A1 (fr) * | 1996-02-14 | 1997-08-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Composition de resine optique non birefringente et element optique constitue de celle-ci |
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