JPS63100401A - 光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔浬業上の利用分野〕 本発明は光ディスクに関し、％に、ディスク基材として
上記ポリエーテルイミド樹脂を使用した、透明性、耐熱
性、耐湿性および機械的強度にすぐれるとともに、光学
的性質としてレタデーシｌン（榎屈折櫃）が小さく光学
的均質性にすぐれた元ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

レーザー光線のスポットビームなディスク上にあて、デ
ィスク上の微細なピットによりて記録された信号を反射
または透過光量を検出することによって絖み出す光学式
情報記録、再生方式は、著しく記録密度を上げることが
でき、また、それから再生される画像や音質がすぐれた
特性を有することから、画像や音質の記録再生、多量の
情報の記憶再生等に広く実用されることが期待され【い
ろ。

この記録再生方式に利用されるディスクには、ディスク
基材をレーザ光が透過するために透明であることは勿論
のこと、光学的均質性が強く求められる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この種のディスク材料としては、従来からメタクリル樹
月旨などが知られているが、このものは耐熱性や耐湿性
、耐衝撃性の点でまだ充分なものとは言い難い。また、
ビスフェノールＡＣ２，２−ビス（４′−ヒトミキシフ
ェニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフェニル等と反
応させて得られるボ１）カーボネート樹脂は、耐熱性、
耐湿性、耐衝撃性などにおいてすぐれているものの、レ
タデーシ１ン（複屈折値）が大きく光学的均質性に劣り
、ディスクに記録された情報の読み取り感度が低下した
り、エラーが発生するという欠点がある（日経エレクト
ロニクス、第２９２　号、１９８２年６月７日号）。

本発明は、レタデーシ璽ンが小さく光学的均質性にすぐ
れ、ディスクに記録された情報の絖木取り感度の高い光
ディスクを提供することを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明は、一般式、 で表わされるポリエーテルイミド樹脂を基材とすること
を特徴とする光ディスクを提供するものである。ただし
、上記Ｒ１およびＲ３は、それぞれ、水素またはメチル
基とする。また、上記Ｒ１はつぎの化学式で表わされる
基がよく、特に後４者の基がＣＨｓ　　　　　Ｉ　　　
　　　Ｋ さらに、３　＝　５　＃　５，０００がよく、特にｆ＆
＝２０〜４．０００　（ただし、ルは数平均重合度）が
望ましい。

ルが５未満であると、光ディスクが熱によって反り、換
れ等の変化を受けやすい。またｎがｓ、ｏｏ。

を超えると、成型が著しく困難となる。

さらに、本発明の基材の成分として、スタンバ−との離
型性を改良するために、たとえばシリコーン、ワックス
、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族アル
コール等の助剤や、帯電防止の目的で、たとえば高級ア
ルコールのスルホン酸塩、第４級アンモニウム塩等の助
剤を、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、上記のポ
リエーテルイミド樹脂と併用してもよい。

本発明の元ディスクは、上記ポリエーテルイミド樹脂を
射出成型、またはプレス成型等の方法によってスタンパ
−をセットした金型にて記録信号となるビットを転写し
ディスク基材を成型する。

さらに複製ディスクの場合には、−膜内には、ビット転
写面に金属の真空蒸溜、スパッタリングまたはイオンブ
レーティングなどの方法によっ【反射層を形成し、さら
に必要に応じて反射層の保護コーチインクを行なって製
造することができる。

また、メモリーディスクの場合には、上記と同様にして
トラッキング信号となるビットを転写した後、さら忙ビ
ット面に、たとえば非晶質レアーメタルやレーザーによ
りて熱的に分解し得る化合物等の、ユーザーでの書き込
み可能な記録層をスパッタリング、真空蒸着または箪布
等し、さらに必要に応じ上記のような反射層や保護コー
ディングの形成を行なってメモリー用光ディスクを製造
することができる。

〔実施例〕

つぎに、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。

用いた本発明試料は以下の通りとする。

中− で表わされる、数平均重合度ル＝２５のポリエーテルイ
ミ　ド樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・（，４）式 で表わされる。数平均重合度鴇＝２０のポリエーテルイ
ミド樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・−・・・・・・ＣＢ）式 で表わされる。数平均重合ｗｎ＝ｓｏのポリエーテルイ
ミ　ド樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＣ）上記１？）の
化学構造で、数平均重合度ル＝５のポリエーテルイミド
樹脂・・・・・・・−・・・・・・・−ＣＤ　）上記（
Ｂ）の化学構造で、数平均重合１！Ｌ　ｎ　＝５、ｏｏ
ｏのポリエーテルイミド樹脂・・・・・・・・・（Ｅ）
で表わされる。数平均重合度ｎ；２５のボリエーテルイ
ミ　ド樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＦ）式 で表わされる。数平均重合度ル＝２０のポリエーテルイ
ミド樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・（Ｇ）式 で表わされる、数平均重合度ｔ＄＝５０のポリエーテル
イミ　ド樹月旨・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・−（Ｈ）また、比較
例試料として、式 で表わされる、数平均重合度Ｆ＆＝ｘｊ２Ｑの重膜ポリ
カーボネート樹脂・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・−（Ｘ　）式 で表わされる、数平均重合度ル＝２４０市般ボリエーテ
ルイきド樹艙・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・−（Ｙ　）また１元ディスクの製造
は以下のように行なった。

上記の各種樹月旨ペレットを用いて、スタンバ−を装着
した全世中に射出底置し、厚さ１．２ｍｍ、直径１２０
ｙｈｍのディスクを得た。

つぎに信号ビットの刻まれた面にスパッタリング法によ
ってアルミニウムの反射ｌを形成し、つぎに反射層に保
護コートとしてアクリルラッカーを塗布して乾燥し、光
ディスクを製造した。

特性は以下に示す方法で測定した。

１１）耐熱性：１２０’Ｃ，４時間　元ディスクを放置
して１反り、捩れの有無を測定した。

（２）光学的均質性；上記ディスクのレタデーシｌンを
エリプソメータ（溝尻光学工業所社裏）を用い、波長６
５２．８３ｍのＨａ　−）ｈ　Ｌ／　−ｆ−を光源とし
てディスクの内園から外側まで１０箇所にわたって求め
、最も大きい値を最大レタデーシ四ンとした。小さい値
のものは光学的均質性が優れている。

つぎに、実施例と比較例をまとめて第１表に示した。第
１表から、本発明のポリエーテルイミド樹脂ＣＡ）〜（
ｆｆ）は、比較例の市販ポリカーボネート樹脂（Ｘ）、
市販ポリニーデルイミド樹脂（１’）とともに、光ディ
スクとし【の耐熱性を満足することがわかる。さらに、
本発明の光ディスクは最大レタデーシ冒ンが比較例のも
のに比べて極めて小さく、光学的均質性に著しく優れて
いることが明らか鳴る。

すなわち、本発明のポリエーテルイミド樹脂を用いて成
型した元ディスクは、従来のポリカーボネート樹脂やポ
リエーテルイミド樹脂を用いて成型したものに比べ、ｑ
＃に、光学的均質性に優れ、耐熱性だけでなく、他の要
求特性も充分満足する実用価値の高いものであった。

（以下余白） 〔発明の効果〕 上記のような方法により製造される本発明の元ディスク
は、従来のポリカーボネート樹脂やポリエーテルイミド
樹脂を用いた元ディスクに比べ、レタデーシマンが小さ
いので、光学的均質性に優れ、ディスクに記録された情
報の読み取り感度が高（、従来の光ディスクの欠点を大
幅に改良することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるポリエーテルイミド樹脂を基材とすること
   を特徴とする光ディスク。 ただし、上記Ｒ＿１およびＲ＿２は、それぞれ、水素ま
   たはメチル基とする。また、上記Ｒ＿３は、つぎの化学
   式を表わされる基とする。 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼