JPS63122033A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS63122033A JPS63122033A JP61267658A JP26765886A JPS63122033A JP S63122033 A JPS63122033 A JP S63122033A JP 61267658 A JP61267658 A JP 61267658A JP 26765886 A JP26765886 A JP 26765886A JP S63122033 A JPS63122033 A JP S63122033A
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- Japan
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- polysulfone resin
- number average
- average mol
- optical
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスクに関し、特に、ディスク基材とし
て特定のポリサルホン樹脂を使用した、透明性、耐熱性
、耐湿性および機械的強度にすぐ〜れるとともに、光学
的性質としてレタデーシ冒ン(複屈折値)が小さく光学
的均質性にすぐれた光ディスクに関するものである。
て特定のポリサルホン樹脂を使用した、透明性、耐熱性
、耐湿性および機械的強度にすぐ〜れるとともに、光学
的性質としてレタデーシ冒ン(複屈折値)が小さく光学
的均質性にすぐれた光ディスクに関するものである。
レーザー光線のスポットビームなディスク上にあて、デ
ィスク上の微細なピットによって記録された信号を反射
または透過光量を検出することによって読み出す光学式
情報記鎌、再生方式は、著しく記録密度を上げることが
でき、また、それから再生される画像や音質がすぐれた
特性を有することから、画像や音声の記録再生、多量の
情報の記憶再生等に広く実用されることが期待されてい
る。
ィスク上の微細なピットによって記録された信号を反射
または透過光量を検出することによって読み出す光学式
情報記鎌、再生方式は、著しく記録密度を上げることが
でき、また、それから再生される画像や音質がすぐれた
特性を有することから、画像や音声の記録再生、多量の
情報の記憶再生等に広く実用されることが期待されてい
る。
この記録再生方式に利用されるディスクには、ディスク
基材をレーザ光が透過するために透明であることは勿論
のこと、光学的均質性が強く求められる。
基材をレーザ光が透過するために透明であることは勿論
のこと、光学的均質性が強く求められる。
この種のディスク材料としては、従来からメタクリ、ル
樹脂などが知られているが、この樹脂は耐無性や耐湿性
、耐衝重性の点でまだ充分なものとは言い難い。また、
ビスフェノールA(2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)フロパン)ヲホスゲンや炭酸ジフェニル等と反応
させて得られるポリカーボネート樹脂は、耐熱性、耐湿
性、耐衝粘性などにおいてすぐれているものの、レタデ
ーシ膳ン(複屈折値)が大きく光学的均質性に劣り、デ
ィスクに記録された情報の読み取り感度が低下したり、
エラーが発生するという欠点がある(日経エレクトロニ
クス、第292号、1982年6月7日号)。
樹脂などが知られているが、この樹脂は耐無性や耐湿性
、耐衝重性の点でまだ充分なものとは言い難い。また、
ビスフェノールA(2,2−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)フロパン)ヲホスゲンや炭酸ジフェニル等と反応
させて得られるポリカーボネート樹脂は、耐熱性、耐湿
性、耐衝粘性などにおいてすぐれているものの、レタデ
ーシ膳ン(複屈折値)が大きく光学的均質性に劣り、デ
ィスクに記録された情報の読み取り感度が低下したり、
エラーが発生するという欠点がある(日経エレクトロニ
クス、第292号、1982年6月7日号)。
本発明は、レタデーシiンが小さく光学的均質性にすぐ
れ、ディスクに記録された情報の読み取り感度の高い光
ディスクを提供することを目的とするものである。
れ、ディスクに記録された情報の読み取り感度の高い光
ディスクを提供することを目的とするものである。
すなわち、本発明は、式
で表される繰り返し単位からなり、数平均分子量が2.
000から200 、000の範囲にあるポリサルホン
樹脂を基材とする光ディスクを提供するものである。た
だし、上記R1、R2は、それぞれ、水素またはメチル
基とする。
000から200 、000の範囲にあるポリサルホン
樹脂を基材とする光ディスクを提供するものである。た
だし、上記R1、R2は、それぞれ、水素またはメチル
基とする。
本発明に用いろポリサルホン樹脂の数平均分子量が2
、000未満であると、光ディスクが熱によって反り、
捩れ等の変化を受けやすい。また、数平均分子量が20
0 、000を超えると、成型が著しく困難となる。
、000未満であると、光ディスクが熱によって反り、
捩れ等の変化を受けやすい。また、数平均分子量が20
0 、000を超えると、成型が著しく困難となる。
さらに、本発明の基材の成分として、スタンパ−との離
型性を改良するために、たとえばシリコーン、ワックス
、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族アル
コール等の助剤や、帯電防止の目的で、たとえば高級ア
ルコールのスルホン酸塩、第4級アンモニウム塩等の助
剤を、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、上記のポ
リサルホン樹脂と併用してもよい。
型性を改良するために、たとえばシリコーン、ワックス
、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族アル
コール等の助剤や、帯電防止の目的で、たとえば高級ア
ルコールのスルホン酸塩、第4級アンモニウム塩等の助
剤を、本発明の目的達成を阻害しない範囲で、上記のポ
リサルホン樹脂と併用してもよい。
本発明の光ディスクは、上記ポリサルホン樹脂を射出成
型、またはプレス成型等の方法によってスタンパ−をセ
ットした金屋にて記録信号となるビットを転写し、ディ
スク基材を成型する。さらに複製ディスクの場合には、
一般的には、ビット転写面に金属の真空蒸着、スパッタ
リングまたはイオンブレーティングなどの方法によって
反射層を形成し、さらに必要に応じて反射層の保護コー
ティングを行って製造することができる。また、メモリ
ーディスクの場合には、上記と同様にして・トツラッキ
/グ信号となるビットを転写した後、さらにビット面に
、たとえば非晶質レアーメタルやレーザーによって熱的
に分解し得る化合物等の、ユーザーでの書き込み可能な
記録層をスパッタリング、真空蒸着または塗布等し、さ
らに必要に応じ上記のような反射層や保護コーティング
の形成を行ってメモリー用光ディスクを製造することが
できる。
型、またはプレス成型等の方法によってスタンパ−をセ
ットした金屋にて記録信号となるビットを転写し、ディ
スク基材を成型する。さらに複製ディスクの場合には、
一般的には、ビット転写面に金属の真空蒸着、スパッタ
リングまたはイオンブレーティングなどの方法によって
反射層を形成し、さらに必要に応じて反射層の保護コー
ティングを行って製造することができる。また、メモリ
ーディスクの場合には、上記と同様にして・トツラッキ
/グ信号となるビットを転写した後、さらにビット面に
、たとえば非晶質レアーメタルやレーザーによって熱的
に分解し得る化合物等の、ユーザーでの書き込み可能な
記録層をスパッタリング、真空蒸着または塗布等し、さ
らに必要に応じ上記のような反射層や保護コーティング
の形成を行ってメモリー用光ディスクを製造することが
できる。
つぎに、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
用いた本発明試料は以下の通りとする。
で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量20
、000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・川・・
・固成 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量40.
000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・・
・・(B1式 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量60
、000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・
・・・(O上記(C)の化学構造で数平均分子量180
,000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・■)また、比較
例試料として、式 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量30.
000の市販ポリカーボネート樹脂・・・・・・固成 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量。
、000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・川・・
・固成 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量40.
000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・・
・・(B1式 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量60
、000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・
・・・(O上記(C)の化学構造で数平均分子量180
,000のポリサルホン樹脂・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・■)また、比較
例試料として、式 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量30.
000の市販ポリカーボネート樹脂・・・・・・固成 で表される繰り返し単位からなる、数平均分子量。
30.000の市販ポリサルホン樹脂・・・・・・・・
・・・・(至)また、光ディスクの製造は以下のように
行った。
・・・・(至)また、光ディスクの製造は以下のように
行った。
上記の各種樹脂ペレットを用いて、スタンパ−を装着し
た金型中に射出成型し、厚さ1.2朋、直径1201m
+のディスクを得た。
た金型中に射出成型し、厚さ1.2朋、直径1201m
+のディスクを得た。
つぎに信号ビットの刻まれた面にスパッタリング法によ
ってアルミニウムの反射層を形成し、つぎに反射層に保
護コートとしてアクリルラッカーを塗布して乾燥し、光
ディスクを製造した。
ってアルミニウムの反射層を形成し、つぎに反射層に保
護コートとしてアクリルラッカーを塗布して乾燥し、光
ディスクを製造した。
特性は以下に示す方法で測定した。
(1)耐熱性:1206C,4時間 光ディスクを放置
して、反り、捩れの有無を測定した。
して、反り、捩れの有無を測定した。
(2)光学的均質性:上記ディスクのレタデーションを
エリプソメータ(溝尻光学工業所社M)を用い、波長6
32.8 FLmのHe −Neレーザーを光源として
ディスクの内側から外側まで10箇所にわたって求め、
最も大きい値を最大レタデーシ四ンとした。小さい値の
ものは光学的均質性が優れている。
エリプソメータ(溝尻光学工業所社M)を用い、波長6
32.8 FLmのHe −Neレーザーを光源として
ディスクの内側から外側まで10箇所にわたって求め、
最も大きい値を最大レタデーシ四ンとした。小さい値の
ものは光学的均質性が優れている。
つぎK、実施例と比較例をまとめて第1表に示した。第
1表から、本発明のポリサルホン樹脂囚〜■)は、比較
例の市販ポリカーボネート樹脂(3)。
1表から、本発明のポリサルホン樹脂囚〜■)は、比較
例の市販ポリカーボネート樹脂(3)。
市販ポリサルホン樹脂菌とともに、光ディスクとしての
耐熱性を満足することがわかる。さらに、本発明の光デ
ィスクは最大レタデーシ罵ンが比較例のものに・比べて
極めて小さく、光学的均質性に著しく優れていることが
明らかである。
耐熱性を満足することがわかる。さらに、本発明の光デ
ィスクは最大レタデーシ罵ンが比較例のものに・比べて
極めて小さく、光学的均質性に著しく優れていることが
明らかである。
すなわち、本発明のポリサルホン樹脂を用いて成型した
光ディスクは、従来のポリカーボネート樹脂やポリサル
ホン樹脂を用いて成型し?eものに比べ、特に、光学的
均質性に優れ、耐熱性だけでなく、他の要求特性をも充
分満足する実用価値の高いものであった。
光ディスクは、従来のポリカーボネート樹脂やポリサル
ホン樹脂を用いて成型し?eものに比べ、特に、光学的
均質性に優れ、耐熱性だけでなく、他の要求特性をも充
分満足する実用価値の高いものであった。
以下余白
〔発明の効果〕
上記したところから明らかなように、本発明の元ディス
クは、従来のポリカーボネート樹脂やポリサルホン樹脂
を用いた元ディスクに比べ、レタデーシツンが小さいの
で、光学的均質性に優れ、ディスクに記録された情報の
読み取り感度が高く、従来の光ディスクの欠点を大幅に
改良することができる。
クは、従来のポリカーボネート樹脂やポリサルホン樹脂
を用いた元ディスクに比べ、レタデーシツンが小さいの
で、光学的均質性に優れ、ディスクに記録された情報の
読み取り感度が高く、従来の光ディスクの欠点を大幅に
改良することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表される繰り返し単位からなり、数平均分子量が2,
000から200,000の範囲にあるポリサルホン樹
脂を基材とすることを特徴とする光ディスク。 ただし、上記R1、R2は、それぞれ、水素またはメチ
ル基とする。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61267658A JPS63122033A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61267658A JPS63122033A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63122033A true JPS63122033A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17447735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61267658A Pending JPS63122033A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63122033A (ja) |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61267658A patent/JPS63122033A/ja active Pending
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