JPH02304742A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光記録ディスクに関し、特に、ディスク基材と
してポリカーボネート樹脂、ポリホルマール樹脂を使用
した、透明性、耐熱性、耐湿性および機械的強度に優れ
るとともに、光学的性質としてレタデーシ目ン（複屈折
値）が小さく光学的均質性に優れた光ディスク、その製
造方法および光記録ディスクに関するものである。

［従来の技術］ 光学式情報記録、再生方式として、レーザー光線のスポ
ットビームを光記録ディスク上にあて。

光記録ディスク上の微細なピットによって記録された信
号を反射または透過光量を検出することによって読み出
す方式がある。この光学式情報記録、再生方式は、著し
く記録密度を上げることができ、また、それから再生さ
れる画像や音質が優れた特性を有することから、画像や
音質の記録再生、多量の情報の記録再生等に広く実用さ
れることが期待されている。

この記録再生方式に利用される光記録ディスクには、デ
ィスク基材がレーザ光線を透過させるために透明である
ことは勿論のこと、光学的均質性が強く求められている
。

この種のディスク材料としては、従来からメタクリル樹
脂などが知られている。

また、ビスフェノールＡ　（２，２−ビス（４′−ヒド
ロキシフェニル）プロパン）をホスゲンや炭酸ジフェニ
ル等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂が知ら
れている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、メタクリル樹脂を材料として用いる場合
には、耐熱性や耐湿性、耐衝撃性の点で不充分である。

また、前述のポリカーボネート樹脂の場合には、耐熱性
、耐湿性、耐衝撃性などにおいて優れているものの、レ
タデーション（複屈折値）が大きく光学的均質性に劣り
、ディスクに記録された情報の読み取り感度が低下した
り、エラーが発生するという欠点がある（日経エレクト
ロニクス、第２９２号、１９８２年６月７日号）。

本発明の目的は、レタデーションが小さく光学的均質性
に優れ、光記録ディスクに記録された情報の読み腹り感
度の高い光ディスク、その製造方法を提供することであ
る。

［課題を解決するための手段］ すなわち、本発明は、一般式 （ただし、上記Ｒ１〜Ｒ４はＨ，Ｃ１〜、の低級アルキ
ル基ま、たはフェニル基を表わす）で表わされるビス（
ヒドロキシフェニル）アントラセン誘導体（２０〜９０
重量％）から得られるポリカーボネート樹脂および／ま
たはポリホルマール樹脂を基材とすることを特徴とする
光ディスクを提供するものである。

また、本発明は、その光ディスクに光記録膜を固着させ
て成ることを特徴とする光ディスクを。

提供するものである。

さらに、本発明は、射出成形によりその光ディスクを製
造する方法を提供するものである。

上記化合物が２０重量％より少ないと、光ディスクが熱
によって反り、ねじれ等の変化を受は易い。一方、９０
重量％より多いと、耐衝撃性が劣る。　　　　゛ また、ポリスチレン換算の数平均分子量は、２０００〜
２０万が望ましく、特に１万〜１０万が好適である。数
平均分子量が２０００より小さいと、耐衝撃性、耐熱性
が劣り、２０万より大きいと成形性が劣り、成形後の光
学特性が劣るので好ましくない。

さらに、本発明の基材の成分として、スタンパ−との離
型性を改良するために、たとえば、シリコーン、ワック
ス、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族ア
ルコール等の離型性改良助剤を添加してもよい、また、
帯電防止の目的で。

たとえば高級アルコールのスルホン酸塩、第４級アンモ
ニウム塩等の帯電防止助剤を添加してもよい、ｉた、耐
熱安定剤として、フェノール系又は硫黄系酸化防止剤を
添加してもよい。

これらの添加は、本発明の目的達成を阻害しない範囲で
、上記のポリカーボネート樹脂、ポリホルマール樹脂と
併用することができる。

本発明の光ディスクは、上記の樹脂を射出成形。

またはプレス成形することにより、スタンパ−をセット
した金型にて、樹脂に記録信号となるビットを転写して
成形される。

さらに、複製ディスクの場合には、一般的には、ビット
転写面に、金属の真空蒸着、スパッタリングまたはイオ
ンブレーティング等の方法によって反射層を形成し、さ
らに必要に応じて反射層の保護層を形成して製造するこ
とができる。

また、メモリーディスク（光記録ディスク）の場合には
、ディスクは、上記と同様にしてトラッキング信号とな
るビットを転写してから、このビット面に、例えば、非
晶質レアーメタルや、レーザーによって熱的に分解し得
る化合物等よりなる、ユーザーで書き込み可能な記録層
（光記録膜）を、スパッタリング、真空蒸着または塗布
等によって形成（固着）し、さらに必要に応じて上記の
ような反射層や保護層を形成して、製造することができ
る。

特に、書き込み、消去可能な光記録ディスク（光磁気デ
ィスク、相転移型光ディスク等）の場合には、ディスク
は、上記と同様にしてトラッキング信号となるビットを
転写してから、このビット面に、例えば、磁性体金属や
、レーザによって熱的に相変化し得る化合物等よりなる
。ユーザで書き込み・消去可能な記録層（光記録膜）を
、スパッタリング、蒸着または塗布等によって形成（固
着）し、さｊに必要に応じて上記のような反射層や保護
層を形成して、製造することができる。

なお、光ディスクの基材は、均一性を容易に達成するた
め、ポリカーボネート樹脂とポリホルマール樹脂とで、
その一方の単一の化合物から成ることが望ましいが、複
数の化合物から成ってもよく、ポリカーボネート樹脂と
ポリホルマール樹脂との混合物から成ってもよい。

［実施例］ 次に、本発明を実施例によってさらに詳細に説明する。

［実施例１］ 実施例１では、以下で示す本発明試料および比較試料を
用いて、光磁気ディスクを製造し、特性を測定した。用
いた本発明試料は、以下の（１）〜（１８）の通りであ
る。但し、ｍ、ｎは正の整数とする。

（以下余白） 式（Ａ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万であ
って、左側に示すアントラセン誘導体成分を２０重量％
含むポリカーボネート樹脂・・・・・・（１）上記式（
Ａ）で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万
であって、左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重
量％含むポリカーボネート樹脂　　　　　　　　　　　
　　　　　・・・・・・（２）上記式（Ａ）で表わされ
る。ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側のアン
トラセン誘導体成分を９０重量％含むポリカーボネート
樹脂・・・・・・（３） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（４）で表わさ
れる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側に示
すアントラセン誘導体成分を５０重量％を含むポリカー
ボネート樹脂　　・・・・・・（５）式（Ｄ） で表わされる。ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を３０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（６）（以下余
白） 式（Ｅ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を７０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（７）式（Ｆ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約４万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を５０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（８）式（Ｇ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を４０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（９）（以下余
白） 式（Ｈ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を２０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１０）で表ｔ
４れる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側に
示すアントラセン誘導体成分を２０重量％含むポリホル
マール樹脂　　　　・・・・・・（１１）上記式（Ｉ）
で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重重量含むポ
リホルマール樹脂・・・・・・（１２） 上記式ＣＩ）で表わされる。ポリスチレン換算の分子量
が約２万で、左側に示すアントラセン誘導体成分を９０
重重量含むポリホルマール樹脂で表わされる。ポリスチ
レン換算の分子量が約２万で、左側に示すアントラセン
誘導体成分を６０重量％含むポリホルマール樹脂　　　
　・・・・・・（１４）Ｏ で表わされる′、ボリスチレ′ン換算の分子量が約２万
で、左側に示すアントラセン誘導体成分を５０重量％含
むポリホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１５）υ で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を７０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１６）式（Ｍ
） υ で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を４０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１７）式（Ｎ
） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を３０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１８）また、
比較のため、それぞれ下記式（０）、（Ｐ）で表わされ
る繰り返し単位からなり、光ディスクに通常用いられて
いるポリカーボネート樹脂（１９）およびアクリル樹脂
（２０）を用いた。

一イスクの　゛ 上記の２０種類の樹脂（重合体）ペレットを。

それぞれスタンバ−を装着した金型中に射出成形し、厚
さ１．２■、直径１２０ｍのディスクを得た。次にディ
スクのグループとビットが刻まれた面にスパッタリング
法によって、Ｔ　ｅ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ系光磁気記録膜（厚
さ２０．１μｍ）よりなる記録層を、形成した（第１図
）。第１図で、Ａはディスク基板（光ディスク）、Ｂは
光磁気記録膜、Ｃは案内溝（グループ）、Ｄはビットを
示している。

なお、第１図で、寸法は単なる例示であって、本発明を
限定するものではない、さらに、この記録層上にアクリ
ルラッカーを塗布してから乾燥し、保護層を形成して、
光磁気ディスクを得た。

−スフの　　゛ （１）光透過率 上記の２０種類の樹脂板（厚さ１．２ｍ）を作り、分光
光度計を用いて波長８３０ｎｍの光透過率を求めた。

（２）耐衝撃性 上記の２０種類の樹脂板（形状：５０＋ｍ＋Ｘ５０ｗＸ
１ｍ）を作り、上品製作所■製デュポン衝撃試験機を用
いて、１０７ｇのおもりを上記樹脂板の上に落下させた
。クラックが入るときのおもりと樹脂板の間の距離を、
落球衝撃強さの尺度として求、めた。

（３）ガラス転移温度（Ｔｇ） 上記の２０種類の樹脂板を作り、示差走査型熱量計を用
いてＴｇを求めた。

（４）耐熱性 上記のようにして作製した２０種類の光磁気ディスクを
１２０℃で４時間放置してから、そり、ねじれの有無を
判定した。

（５）耐湿性 上記の２０種類の樹脂板（形状：５０ｍｍＸ５０ｍＸ１
ｍ）を作り、２５℃の水中に１週間放置後の重量増加率
を、吸水率として求めた。

（６）光学的均質性 上記のようにして作製した２０種類の光磁気ディスクに
、エリプソメータ（溝尻光学工業所社製）によって、波
長６３２．８ｎｍのＨｅ　−Ｎ　ａレーザ光を照射して
、レタデーションを、光磁気ディスクの内側から外側ま
で１０箇所測定した。そして。

最大値を最大レタデーションと表示した。最大レタデー
ション値の小さい方が、光学的均質性が良妓顎あること
を示す。

１ｍ 評価結果をまとめた下表１に示す。表１から明らかなよ
うに、本発明に係る樹脂（重合体）［（１）〜（１８）
　］を用いて製造した光磁気ディスクは、いずれも、通
常のポリカーボネート樹脂［（１９）　］を用いて製造
した光磁気ディスクよりも光学的均質性に優れており、
情報の読み取り感度が高いことがわかる。

また１本発明にかかる樹脂（重合体）［（１）〜（１８
）　］を用いて製造した光磁気ディスクは、いずれも、
通常のアクリル樹脂［（２０）　］を用いて製造した光
磁気ディスクよりも、耐衝撃性、耐熱性が優れており、
信頼性が高いことがわかる。

さらに、本発明に係る樹脂製光磁気ディスクは、透明性
、耐湿性も良好であることが明らかになった。

（以下余白） ［実施例２］ 実施例２では、以下で示す本発明試料および比較試料を
用いて、光磁気ディスクを製造し、特性を測定した。用
いた本発明試料は、以下の（１）〜（１８）の通りであ
る。但し、ｍ、ｎは正の整数とする。

式（Ａ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万であ
って、左側に示すアントラセン誘導体成分を２０重量％
含むポリカーボネート樹脂・・・・・・（１）上記式（
Ａ）で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万
であって、左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重
量％含むポリカーボネート樹脂　　　　　　　　　　　
　　　　・・・・・・（２）上記式（Ａ）で表わされる
、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側のアント
ラセン誘導体成分を９０重量％含むポリカーボネート樹
脂・・・・・・（３） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（４）（以下余
白） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を５０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（５）式（Ｄ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を３０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（６）で表わさ
れる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、左側に示
すアントラセン誘導体成分を７０重量％含むポリカーボ
ネート樹脂　　　・・・・・・（７）式（Ｆ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約４万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を５０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　・、・・・・・・（８）式（Ｇ） で表わされる。ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を４０重量％含むポ
リカーボネート樹脂　　　・・・・・・（９）式（Ｈ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を２０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１０）で表わ
される、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側に
示すアントラセン誘導体成分を２０重量％含むポリホル
マール樹脂　　　　・・・・・・（１１）上記式（Ｉ）
で表わされる。ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重量％含むポ
リホルマール樹脂・・・・・・（１２） 上記式（Ｉ）で表わされる。ポリスチレン換算の分子量
が約２万で、左側に示すアントラセン誘導体成分を９０
重重量含むポリホルマール樹脂１．・・・・・・（１３
） （以下余白） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約２万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を６０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１４）で表わ
される。ポリスチレン換算の分子量が約２万で、左側に
示すアントラセン誘導体成分を５０重量％含むポリホル
マール樹脂　　　　・・・・・・（１５）式（Ｌ） で表わされる。ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を７０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１６）式（Ｍ
） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を４０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１７）（以下
余白） 式（Ｎ） で表わされる、ポリスチレン換算の分子量が約３万で、
左側に示すアントラセン誘導体成分を３０重量％含むポ
リホルマール樹脂　　　　・・・・・・（１８）また、
比較のため、実施例１で用いた式（Ｏ）。

（Ｐ）で表わされる繰り返し単位からなり、光ディスク
に通常用いられているポリカーボネート樹脂（１９）お
よびアクリル樹脂（２０）を用いた。

（以下余白） ディスクの　゛および　　゛　　　　２上記の２０種類
の樹脂を用いて、実施例１と同様にして、光磁気ディス
クを製造し、（１）光透過率（２）耐衝撃性（３）ガラ
ス転移温度（４）耐熱性（５）耐湿性（６）光学的均質
性について測定した。

韮負藍米 評価結果をまとめた下表２に示す。表２から明らかなよ
うに１本発明に係る樹脂（重合体）［（１）〜（１８）
　］を用いて製造した光磁気ディスクは、いずれも、通
常のポリカーボネート樹脂［（１９）　］を用いて製造
した光磁気ディスクよりも光学的均質性に優れており、
情報の読み取り感度が高いことがわかる。

また、本発明にかかる樹脂（重合体）［（１）〜（１８
）　］を用いて製造゛した光磁気ディスクは、いずれも
、通常のアクリル樹脂［（２０）　］を用いて製造した
光磁気ディスクよりも、耐衝撃性、耐熱性が優れており
、信頼性が高いことがわかる。

さらに、本発明に係る樹脂製光磁気ディスクは、透明性
、耐湿性も良好であることが明らかになった。

（以下余白） ［発明の効果］ 以上述べたように本発明の光ディスク、その製造方法は
、耐衝撃性、耐熱性、耐湿性、透明性に優れ、またレタ
デーションが小さく光学的均質性に優れ、かつ情報の読
み取り感度も高く、信頼性が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の光磁気ディスクの、保護層を
塗布する前の、ディスク基板と記録膜を示す部分縦断面
図である。 Ａ・・・ディスク基板（光ディスク）、Ｂ・・・光磁気
記録膜、Ｃ・・・案内溝（グループ）、Ｄ・・・ピット
。 第　１１￥１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２０〜９０重量％のビス（ヒドロキシフェ
   ニル）アントラセン誘導体（ただし、上記Ｒ＾１〜Ｒ＾
   ４はＨ、Ｃ＿１＿〜＿４の低級アルキル基またはフェニ
   ル基を表わす）から得られるポリカーボネート樹脂およ
   び／またはポリホルマール樹脂を基材とすることを特徴
   とする光ディスク。 ２、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２０〜９０重量％のビス（ヒドロキシフェ
   ニル）アントラセン誘導体（ただし、上記Ｒ＾１〜Ｒ＾
   ４はＨ、Ｃ＿１＿〜＿４の低級アルキル基またはフェニ
   ル基を表わす）から得られるポリカーボネート樹脂およ
   び／またはポリホルマール樹脂を基材とすることを特徴
   とする光ディスク。 ３、前記ビス（ヒドロキシフェニル）アントラセン誘導
   体は、ポリスチレン換算の数平均分子量が２０００〜２
   ０万の範囲にあることを特徴とする請求項１または２記
   載の光ディスク。 ４、前記ビス（ヒドロキシフェニル）アントラセン誘導
   体は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１万〜１０万
   の範囲にあることを特徴とする請求項１または２記載の
   光ディスク。 ５、前記基材は離型性改良助剤、帯電防止助剤および／
   または耐熱安定剤を含むことを特徴とする請求項１、２
   、３または４記載の光ディスク。 ６、請求項１、２、３、４または５記載の光ディスクに
   、光記録膜を固着させて成ることを特徴とする光ディス
   ク。 ７、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２０〜９０重量％のビス（ヒドロキシフェ
   ニル）アントラセン誘導体（ただし、上記Ｒ＾１〜Ｒ＾
   ４はＨ、Ｃ＿１＿〜＿４の低級アルキル基またはフェニ
   ル基を表わす）から得られるポリカーボネート樹脂およ
   び／またはポリホルマール樹脂から成る基材を、射出成
   形することにより光ディスクを製造する方法。 ８、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる２０〜９０重量％のビス（ヒドロキシフェ
   ニル）アントラセン誘導体（ただし、上記Ｒ＾１〜Ｒ＾
   ４はＨ、Ｃ＿１＿〜＿４の低級アルキル基またはフェニ
   ル基を表わす）から得られるポリカーボネート樹脂およ
   び／またはポリホルマール樹脂から成る基材を、射出成
   形することにより光ディスクを製造する方法。