JPS62196127A - 光磁気記録デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特定のポリカーボネートを基板とし。

光磁気メモリー磁気記録表示素子などに用いられる磁性
薄膜記録ディスクに関するものである。

〔従来の技術〕

希土類−遷移金属アモルファス層を真空蒸着、Ｘ　バッ
タリング等の手段で基板上に形成しこのアモルファス層
にレー゛ザービームをあてて熱磁気効果により情報の書
き込み読み出し、消去を行なう光磁気記録方法は公知で
あるが、かかるアモルファス層を形成する基板としては
、ガラス板、アクリル樹脂板、エポキシ樹脂板、ポリカ
ーボネート樹脂板等様々な提案がなされている。これら
の中でアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂は射出成形
によ？）量産化が可能であり比較的安価な生産コストで
基板が得られることから最も実用的であり有望視されて
いる。

量が大きいため吸湿変形を生ずること、また耐熱性も劣
シ熱変形を生じ易いという欠点を有する。かかる変形に
より記録膜あるいは保護層として形成するＳｉｎ！、Ｔ
ｉ偽ｐ　Ａｌ！Ｏｓ　　等の膜にクラックが入ったり、
基板からこれら薄膜が剥離すい〇 一方ポリカーボネート樹脂は、アクリル樹脂の如き吸湿
変形及び熱変形は少ないのであるが、複屈折が大きいと
いう欠点がある。すなわち、希土類−遷移金属アモルフ
ァス層を用いる光磁気記録ディスクにおいては、アモル
ファス層にレーザービームを照射し、カー効果による情
報の書き込み再生を行なうが、このカー効果に基づくカ
ー回転角は非常に小さいため、基板の複屈折が大きいと
微少な反転磁化よりなる情報点を明確に判別することが
できなくなってしまう。

本発明者らはかかる問題点に対し、ポリカーボネート樹
脂が総合的な物性に優れているため、複屈折さえ小さく
することができれば、優れた光磁気記録ディスクを製造
できると考え鋭意検討し、本発明に到達した。

〔発明の目的〕

従って本発明の目的は、複屈折の小さいポリカーボネー
ト基板を作製し、かかる基板上に希土類−遷移金属のア
モルファス層を支持することにより、高感度の光磁気記
録ディスクを提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明の要旨は透明グラスチック基板上に、希土類−遷
移金桶のアモルファス層を支持した光磁気記録ディスク
において上記プラスチック基板が、カーボネート結合を
構成する単位の中で、下記一般式（１）　　で表わされ
る単位を全カーボネート結合構成単位に対して５重量％
よシ多くｉｏｏ重量％までの範囲で含むポリカーボネー
トよりなることを特徴とする光磁気記録ディスク、ｐ　
ｔ＝ｎ″する。

一般式（１） り基板上に希土類−遷移金属のアモルファス層を支持し
九光磁気記碌ディスクにおいて、透明プラスチック基板
が特定のポリカーボネートである点である。

以下本発明を具体的に説明する。

この発明でいうカーボネート結合とは、アルボネート結
合間に構成される構成単位を指す。

また、このカーボネート結合間の構成単位中に他の結合
ｔｕｔ、例えばエステル結合、アミド結合、カーバメー
ト結合、エーテル結合等が含まれていてもさしつかえは
ない。

このようなポリカーボネートを製造する方法としては、
一般式（１）の構造を与えるビスフェノール化合物を含
むジオール化合物の１種以上にホスゲ／を吹き込み界面
ないし溶液重合させる方法が提案される。このような一
般式（１）で示される構造を与えるビスフェノール化合
物としては例えばコ、λ−ビス（参−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）フロパン、コ、２−ビス−（μｍヒド
ロキシ−３−エチルフェニル）フロパン、λ、λ−ビス
−（４ｔ−ヒドロキシ−３−イソフロビルフェニル）プ
ロパン、λ、２−ビス−（≠−ヒドロキシーＪ　−Ｂｅ
Ｑブチルフェニル）プロパン、２．２−ビス−（弘−ヒ
ドロキシ−３−ｐ−シャリ−ブチルフェニル）プロパン
、等が挙げられる。

この・ようなビスフェノール化合物によって導入される
一般式（１）で表わされるカーボネート結合構成単位（
以下カーボネート結合単位Ａということがある）は、全
カーボネート結合構成単位に対し！重量％より多く１０
０重量％までの範囲である。セしてカーボネート結合単
位人以外のカーボネート結合構成単位を導入するために
用いられるジオール化合物、特に、芳香族ジオールとし
てはビス−（弘−ヒドロキシフェニル）メタン、／、ｌ
−ビス−（弘−ヒドロキシフェニル）工ｐ　７、／、／
　−に’スー（弘−ヒドロキシフェニル）フロパン、λ
、λ−ビス−（弘−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビ
スフェノール人）、λ、λ−ビス−（４ｃｍヒドロキシ
フェニル）ブタン、コツ２−ビス−（ｌＬ−ヒドロキシ
フェニル）ペンタ／、２，２−ビス−（４Ａ−ヒドロキ
シフェニル）−３−メチルブタン、コツ２−ビス−（≠
−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、コツ２−ビス−（弘
−ヒドロキシフェニル）−μｍメチルペンタン、／、ｌ
−ビス−（ｌＬ−ヒドロキシフェニル）フェニルメタ：
ｙ、ｉ、ｉ−ビス−（弘−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキｔ／、コ、コービスー（弘−ヒドロキシ−３−クロ
ロフェニル）フロパン、２，２−ビス−（弘−ヒドロキ
シ−３，！−ジメチルフェニル）プロパン、弘、クージ
ヒドロキシジフェニルエーテル、≠、ｒ−ジヒドロキシ
ジフェニルスルホ／、弘、弘′−ジヒドロキシジフェニ
ルサルファイド、又ハノ）イドロキノン、レゾルシン、
Ｏ−メチルレゾルシン、０−クミルレゾルシンといった
ビスフェノール化合物を挙げることが出来るが、一般式
１０の炭化水素基を示す）で我わされるカーボネート結
合を構成する単位を与える化合物、中でもビスフェノー
ル人がポリカーボネート合成時の反応性、操作性の上で
最も好適な原料である。又、場合によってはイソフタル
酸クロライド、テレフタル酸クロ２イド、アジピン酸ク
ロライド、セパシン酸クロライドの様な酸クロライド、
ピペラジ／の様なジアミ／をビスフェノールＡと組み合
せ共存させても良い。

カーボネート結合単位人をポリカーボネートに導入する
にあたっては、この発明の要件を満たす範囲で共重合さ
せても喪いし、また、別途重合したものについて、この
発明の要件を満たす様にあとから適宜混合させても良い
。その際カーボネート結合単位人が全カーボネート結合
構成単位に対しｓ　ｊｉ量−に満たないと溶融流動性の
改善の程度が小さく、光学的歪みの小さな成形材料を安
定して得る上で支障となる。

本発明を実施するにあたり、一般式（１）の構造ヲ与え
るビスフェノール化合物とホスゲンからポリカーボネー
ト樹脂を製造する方法は、具体的には塩化メチレフ、／
、２−ジクロルメタ／などの不活性溶媒存在下ジオール
類に酸受容体としてアルカリ水溶液あるいはビリビンな
どを入れホスゲンを導入しながら反応させる。酸受容体
としてアルカリ水溶液を使う時は触媒としてトリメチル
アミン、トリエチルアミン等の第３級アミンあるいはテ
トラブチルアンモニウムクロリド、ペンジルトリブテル
アンモニウムブ諺ミド等第弘級アンモニウム化合物を用
いると反応速度が増大する。また必要に応じて分子量調
節剤としてフェノール、Ｐ−ターシャリ−ブチルフェノ
ール等−価のフェノールを共存させてもよい。反応温度
はｏ−１ｏｏ℃である。触媒は最初から入れてもよいし
、オリゴマーを作った後に入れて高分子量化する等任意
の方法がとれる。

また一般式（■）の構造を与えるビスフェノール化合物
と一般式（Ｉｆ）の構造を与えるビスフェノール化合物
とを共重合する方法としては、（イ）最初に同時にホス
ゲンと反応させて重合する。

（ロ）一方をまずホスゲ／と反応させある程度反応を行
なった後他方を入れて重合する。

（ハ）別々にホスゲンと反応させ１オリゴマーをつくり
それらを反応させて重合する。

等任意の方法がとれる。

更に別途重合し友ものについて混合する方法としては、
それぞれの粉末あるいは粒状物を混合し九後押出機、ニ
ーダ−１混線ロール等で溶融状態にして混合する方法溶
液プレ／ド法等任意の方法がとれる。また、この発明に
使用されるポリカーボネートは平均分子量にして／２０
００−２ＪＯＯＯのものが好ましい。ここで言う平均分
子量とはポリマーｔ、ｏｙ７ｔの塩化メチレン溶液を用
い２０℃で測定されるηｓｐ　　から下記の式−ｌおよ
び式−２より求められる値である。

りｓｐ／ｃ＝（η〕（ｉ＋ｃ　　ηθｐ）・・・・・・
・・・ｌ）〔η）＝ＫＭ”・・凹曲・・凹曲曲間・・凹
曲・２）式中　Ｏ：　ポリマー濃度（ｆ／ｌ） 〔η〕：　極限粘度 に’：　　ｏ、２ｒ％ｙｚ；　　ｔ、ｘｉ×ｔｏ−”α
：ｏ、ｒ３ Ｍ：　平均分子量 すなわち１２０００に満たないと衝撃強度等機械的物性
の面で好ましくなく、また２２０００を越えると溶融粘
度が高過ぎて光学的歪みの小さい成形材料を得る上で支
障をきたす。

この発明のポリカーボネート系重合体を成形するにあた
って、亜リン酸エステル類を樹脂に対し０．０　／〜２
重量％添加することは樹脂の分解による着色、透明性の
低下を抑制する上で好ましい。

かかる亜リン酸エステルとしては、トリデシルホスファ
イト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、ト
リデシルホスファイト、トリステアリルホスファイト、
トリフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト
、λ−エチルへキシルジフェニルホスファイト、テゝ１
シルジフェニルホスファイト、トリシクロへキシルホス
ファイト、ジステアリルペンタエリスリチルジホスファ
イト等を挙げることが出来る。かかる亜リン酸エステル
を含有させる方法としてはトライブレンドする方法、押
し出し機でベレット化する際に溶融混合する方法、ある
いはその際亜リン酸エステル温度の高いマスターベレッ
トをつくシ未添加ベレットとトライブレンドする方法を
挙げることが出来る。

次に本発明で用いられるポリカーボネートを射出成形し
て円盤状光デイスク基板を得る際には、樹脂温度は３０
０〜弘ＯＯ℃とする。ここで樹脂温度を４ｃＯＯ℃以上
とすると樹脂の分解が避けられなくなり、着色やシルバ
ーストリークの発生を招き好ましくない。一方樹脂温度
が３００℃以下では複屈折の大きな成形物しか得られな
い。

まｆＦ−仁の成形において金型温度はｊ０〜ｉｒ。

℃好ましくは６０〜／４Ａｊ℃穆度とする。ここで金型
温度がｉｚｏ℃以上では離型時の変形が大きくなり、反
りが発生し易すい。一方金型温度が１０℃以下では複屈
折の大きな成形物しか得られない６ 本発明の光磁気ディスクは上記の方法で射出成形して得
られたプラスチック基板上に記録層として希土類−遷移
金属のアモルファス層を支持する。成膜方法としては通
常の真空蒸着法特に電子ビームによる多元蒸着法、また
はスパッタ蒸着法が用いられる。ここでスパッタ蒸着法
としては５合金のスパッタ、単一の金属ターゲット上に
チップを配置する複合ターゲットのスパッタ、または２
つ以上のターゲットを同時にスパッタするコスパッタ法
等が用いられる。

また希土類−遷移金属のアモルファス層の劣化を防ぐ為
通常上記成膜に先立ちプラスチック基板側に無機または
有機の保＠Ｉ−を成膜する。

さらにかかる目的で希土類−遷移金属のアモルファス層
を成膜後、この上に無機または有機の保護層を成膜した
９更にはその上に耐食性の金ｓｗＸを設けたり樹脂をコ
ートする場合もある。

一方、プラスチック基板の記録層が支持されていない片
面は硬質の樹脂や無機の膜でオーバーコートすることも
可能である。

さらに詳しく説明すれば、このよつな希土類−遷移金属
のアモルファス層としては希土鉄系光磁気記録媒体が代
表的であり具体的にはＧｄ。

が用いられる。即ちＧａＦｅ、　ＧｄＦｅｃｏ、　Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＣ；ｏ。

ＧｄＴｂＦ３．ｃａＴｂＦｅａｏ、Ｄ７Ｆ８ＧＯ，Ｇｄ
Ｄ７Ｆ８ＧＯ，Ｄ７ＴｂＦｅ。

ＤｙＴｂＦｅＣ０などがよく知られている。

なおこれらの磁性体にＢｉ、　ｓｎ、　ＳＬ　　などの
半金属、Ｐｔ、Ｔｉ、　Ｏｒ、　Ａｌなどの金ＰＡ　を
耐食性向上を目的として敬％程度添加することも知られ
ている。また、これらの磁性体の積層膜も公知の技術で
ある。

例えば、ＧａＦｅ／ＴｂＦｅ、　ＧｄＦｅＣｏ／ＴｂＦ
ｅＣ；Ｏ，ｃａｒｅａ。

／ＤｙＦｅＣ０等の２層膜が良く知られており、斜線の
左側が信号読出し層である。また光磁気記録媒体は通常
両面を保護膜によりテンドイツチされている。特に信号
続出し側の保護膜は光の透過率が高い必要がありＳｌ−
、ＡＩ、Ｏｌ　ｌ　”ｇｏ、”’へ。

Ｓｉｎ、　Ｚｒ０１等の酸化物及びこれらを混合した複
合酸化物、またＳｉＮ、　ＢＮ、　ＡＩＮ　　などのチ
ツ化物有機物を用いてもよい。また信号続出し側の反対
側の保ト膜は必ずしも透明である必要はないため上述の
物質の他にＴｉＮ、　ｚｒＮ、　ＣｒＮ、　　の不透明
なデソ化物、　Ｇｒ、　ＡＩ、　Ｔ１．ステ／レス等の
耐食性に優れた金属が用いられてもよい。

なおこれらの信号読出し側の保護膜表面は樹脂などによ
りおおわれることもありうる。また本基板の外気側表面
を無機物、有機物の表面硬化剤によυおおうことも可能
である。またこれらの基板上に積層した媒体を貼り合わ
せることも可能である。

これらをよりわかりやすく示すと以下のようになる。

（１）　　基本構成 保護膜／磁性層／保護膜／基板 （２）基板にドッグコートをした場合 保護膜／磁性層／保護膜／基板／トップコート ／基板 （４）貼り合わせの例 基板／保護膜／磁性）ｉｎ／保護膜／接着層／保護膜／
磁性層／保護膜／基板 （５）反射膜構造 反射層（金属チツ化物）／保護膜／磁性層／保護膜／基
板 〔実施例〕 くポリカーボネートオリゴマーの製造ｆｌＪ／＞２μｍ
ビス−（４ｃｍヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロ
パン　　　　　　　ｉｏｏ部水散水酸化ナトリウム　　
　　　　　５０部水　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　１７０部塩化メチレン　　　　　　　　
　　１３０部Ｐ−ターシャリーブチルフェノール　２．
０部上上記台物を攪拌機付反応機に仕込み１１００ｒｐ
で攪拌した。これにホス７７７０部を２時間の間に吹き
込み界面重合を行なった。反応終了後ポリカーボネート
オリゴマーを含有する塩化メチレン溶液のみを捕集した
。得られ九オリゴマーの塩化メチレン溶液の分析結果は
下記の通りであった。

オリゴマー濃度（注／）　　　　２弘、Ｏ重ｉｔ％末端
クロロホーメート基Ｉ１１度（注λ）０、ｊ６現定 末端フェノール性水酸基濃度（注３） ０、／　３規定 注ｌ）蒸発乾固させて測定。

２）アニリンと反応させて得られるアニリン塩酸塩を０
．２規定水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定。

３）四塩化チタン、酢酸溶液に溶解させたときの発色を
！≠４ｎｍで比色定量。

以上の方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー
溶液−人と略称する。

〈ポリカーボネートオリゴマーの製造例コ〉水酸化ナト
リウム水溶液にビスフェノール人を溶解して調整したビ
スフェノールＡナトリウム塩の／≦、６チ水溶液　　　
　　１００部Ｐ−ターシャリーブチルフェノール　　ｏ
、ｔ３部塩化メチレ／　　　　　　　　　　　弘Ｏ部ホ
スゲン　　　　　　　　　　　　７部上記組成の混合物
を定量的にパイプリアクターへ供給し、界面重合を行な
った。

反応混合物を分液し、ポリカーボネートオリゴマーを含
有する塩化メチレン溶液のみを捕集した。

得られ九オリゴマーの塩化メチレン溶液の分析結果は下
記のとおりであった。

オリゴマー濃度　　　　　コ弘、！重量−末端りロロホ
ーメート基濃度 ／、！規定 末端フェノール性水酸基濃度 ０．３規定 以上の方法で得られたオリゴマー溶液を以下オリゴマー
溶液−Ｂと略称する。

〈ポリカーボネートの製造例〉 オリゴマー溶液−Ａ　　　　　１１０部オリゴマー溶液
−Ｂ　　　　　　１０部塩化メチレン　　　　　　　ｌ
ＤＯ部 Ｐ−ターシャリ−ブチルフェノール　０．３　部を攪拌
機付反応器に仕込みｊ　ｊ　Ｏｒｐｍで攪拌した。更に
下記組成の水溶液を仕込み３時間界面重合を行なった。

水酸化ナトリウム　　　　　　　／４を部トリエチルア
ミン　　　　　　０．０７部水　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　ｔｏ部ひき続き反応混合物を分液し
、ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液を水、
塩酸水溶液、水を用いて洗浄し、最後に塩化メチレンを
蒸発させて樹脂をとり出した。この樹脂の平均分子量は
ｉ、ｒ、ｚｏｏであつ九。またＮＭＲの分析結果から共
重合されているビスフェノール人の量は２５Ｆ、２重量
−であった。

〈樹脂基板の射出成形例〉 上記製造例で得られたポリカーボネート樹脂のフレーク
にコーエチルへキシルジフェニルホスファイト／　Ｊ　
Ｏｐｐｍを混合後４ｃｏｖｍφ押出機（多機社製Ｍ−ｔ
ｌＬｏ＊）を用いて樹脂温度３３０℃、金型温度ｉｏｏ
℃にて厚さ１．λ瓢、直径／　Ｊ　０１ｍの円盤状ディ
スクを成形し九。この基板の複屈折はディスクの中央か
ら３．０１および！、よ１の位置でλｎｍ及び／　ｎｌ
であった。

尚、複屈折の測定は日本光学社製の偏光顕微鏡を用いた
。

一方、比較のなめ市販のポリカーボネート樹脂Ｃ三菱化
成社！Ｒ７０２０ＡＤ、）　　を樹脂温度３７０℃金型
温度／ＩＩ℃にて同様の円盤状ディスクを成形した。こ
の基板の複屈折はディスク中央からＪ、Ｏｃａの位置で
ｒ　ｎｍ　及びｊ　ｎｍ　であった。

実施例及び比較例 上記２種の樹脂基板上に希土類としてはＴｌ）、遷移金
属としてはＦθ　及びＣＯ，または保護層としてはＡ　
１４０３Ｔ　ａｌＯＢ　　を電子ビーム蒸着した例の高
真空とした後、！ｒｐｍで基板を回転し、蒸着速度６Ｘ
　／　ｓｅｃ、真空［４ＣＪ　〜！、弘Ｘ　／　０−’
悠、　　Ｔｂｙ　ｅｃｏ　　アモメファス層を蒸着した
０ム１＊ｏｓ　　Ｔ　”！Ｏ５の保護層を同様の処方で
蒸着した。

これらのディスクの動特性をＡＰＤ　ｓｉｎｇｌｅの検
出系により下記条件で測定したところ下我の様になった
。

書き込みレーザーパワー　　　　　ｊ　ｍＷ再生レーザ
ーパワー　　　　　　ｏ、ｒ　ｍｗ線速　　　　　　　
　　　　　弘ｍ／ｓｅａ再生周波数　　　　　　　　　
／　ＭＨｚ分解能帯域巾　　　　　　　　Ｊ　ＯＫＨｚ
印加磁界　　　　　　　　　ｚｏｏメｅ上表の様に市販
のポリカーボネート樹脂からなる基板は複屈折値が大き
くまた位置によるふれも大きいが、本発明の樹脂からな
る基板は全記碌領域に亘って複屈折が小さい。そしてこ
の複屈折に起因すると考えられるエノベロープは市販品
では極めて大きくかつふれ幅が大きく実用的ではないが
、本発明品では全域に亘って小さく抑えることができた
。

〔発明の効果〕

以上説明した様に本発明により得られ九樹脂を基板とし
て用い念光磁気記碌ディスクは、従来のポリカーボネー
ト樹脂基板に比べて複屈折、を低く抑えたことにより動
特性が改善され、実用可能なものとなった。

出　願　人　三菱化成工業株式会社 代　理　人　　弁理士　長谷用　　　−ほか１名

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明プラスチック基板上に、希土類−遷移金属の
   アモルファス層を支持した光磁気記録ディスクにおいて
   上記プラスチック基板が、カーボネート結合を構成する
   単位の中で下記一般式（ I ）で表わされる単位を全カ
   ーボネート結合構成単位に対して５重量％より多く １００重量％までの範囲で含むポリカーボネートよりな
   ることを特徴とする光磁気記録ディスク。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼　 （但し、Ｘ、Ｙ、ＺおよびＷは水素原子または　炭素数
   １〜６のアルキル基を示しＸ及びＷの　うち少なくとも
   １つは水素原子でない。）