JP2000173099A

JP2000173099A - 貼合わせ光ディスク

Info

Publication number: JP2000173099A
Application number: JP10350967A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Fujimaru; 滋樹藤丸
Original assignee: Teijin Chemicals Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1998-12-10
Filing date: 1998-12-10
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】不要となった光ディスク基板または光ディス
クをダミー基板として再利用し、片面型貼合わせ光ディ
スクを提供する。【解決手段】熱可塑性樹脂製のディスク基板の一面に
設けたデータ記録面上に接着層を介してダミー基板を貼
合わせた光ディスクであって、該ダミー基板が不要の光
ディスク基板または光ディスクを原料樹脂の少くとも一
部に用いてなるダミー基板である貼合わせ光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、データ記録面を設
けたディスク基板（以下データ基板と称する）とその記
録面上にダミー基板を貼合わせてなる片面のみを情報媒
体として利用する貼合わせ光ディスク（以下片面型貼合
わせ光ディスクと称する）に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光の照射により情報の記録・再生
をおこなう光ディスクとしては、光磁気ディスク、各種
追記型ディスク、デジタルオーディオディスク（いわゆ
るコンパクトディスク）、光学式ビデオディスク（いわ
ゆるレーザディスク）などが実用化されている。

【０００３】このうち、コンパクトディスクやレーザデ
ィスクは、再生専用（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒ
ｙ：ＲＯＭ）型の光ディスクである。これらの光ディス
クは、透明基板上に、情報信号に対応したピットが再生
波長の１／４程度の深さを有して凹凸形状で形成され、
この上にＡｌ反射層が５０ｎｍ以上の厚さで製膜されて
いる。このような光ディスクでは、ピットで生じる光干
渉による反射率変化を検出することで情報信号が再生さ
れる。

【０００４】一方、追記型光ディスク、光磁気ディスク
は、ユーザによって任意情報の書き込みが行えるＲＡＭ
（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）型の光
ディスクである。

【０００５】すなわち、追記型光ディスクは、ユーザに
よって一度だけ書き込みを行なうことが可能な光ディス
クであり、透明基板上に、レーザ光の照射によって光学
特性が変化したり凹凸形状が形成される追記型の記録層
が形成されて構成される。この記録層としては、例えば
初期状態で結晶状態を呈し、レーザ光が照射されること
でアモルファス状態に相変化する、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相
変化材料などが用いられる。この記録層では、情報信号
に対応して微小領域を相変化させることで記録ピットが
形成され、ピットに相当するアモルファス部分とそれ以
外の結晶領域との反射率変化を検出することにより情報
信号が再生される。

【０００６】一方、光磁気ディスクは、ユーザによって
情報の書き込み・消去が繰り返し行うことができる、書
き換え可能型のディスクであり、透明基板上に、Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ非晶質合金薄膜などの磁気光学効果（例えば
カー効果）を有する垂直磁化膜が形成されて構成され
る。この光磁気ディスクでは、情報信号に対応して垂直
磁化膜の微小領域を上向きあるいは下向きに磁化するこ
とで記録ピットが形成される。そして、反射光での直線
偏光の回転角θｋ（カー回転角）が、この光磁気ディス
クでは、情報信号に対応して垂直磁化膜の微小領域を上
向きあるいは下向きに磁化することで記録ピットが形成
される。そして、反射光での直線偏光の回転角θｋ（カ
ー回転角）が、垂直磁化膜の磁化の向きによって異なる
ことを利用して情報信号が再生される。

【０００７】なお、このような光磁気ディスクや前述の
追記型光ディスクでは、記録層の酸化防止や多重干渉に
よる信号変調度の増大を目的として、記録層の両側を透
明な誘電体層で挟み込み、さらにその上にＡｌ反射層を
積層した４層構造が採られる場合が多い。なお、誘電体
層としては、窒化シリコン膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂混成膜
などが用いられる。

【０００８】ところで、最近、このような光ディスクを
デジタル映像記録用として用いるための検討が盛んに行
われており、そのような光ディスクとしてデジタル・バ
ーサイル・ディスク（ＤＶＤ）が開発されるに至ってい
る。

【０００９】このＤＶＤは、ＣＤと同じ１２０ｍｍ径と
しながら、映画１本分に相当する映像情報を記録し、現
行テレビ並みの画質で再生できるようになされたもので
ある。ここで、このような映像情報を光ディスクに記録
するには、例えばＣＤの６〜８倍の記録容量が必要にな
る。このため、ＤＶＤでは、レーザ波長をＣＤでの７８
０ｎｍに対して６３５〜６５０ｎｍと短波長化するとと
もに対物レンズの開口数ＮＡをＣＤでの０.４５に対し
て０.５２あるいは０.６に増大させることによりトラッ
クピッチやピットの最短記録マーク長を縮め、記録密度
を上げるようにしている。

【００１０】このうち対物レンズの開口数ＮＡの増大
は、ディスク基板の反りに対する許容量を小さくするこ
とになる。このため、ＤＶＤでは、基板の厚さをＣＤの
１.２ｍｍに対して０.６ｍｍと薄くすることにより、レ
ーザ光がディスク基板を透過する距離を短くし、反りに
対する許容量を補償するようにしている（日経エレクト
ロニクス１９９５年２月２７日号Ｎｏ.６３０）。
そして、さらに基板を薄くすることによるディスク強度
の低下を補うため、特開平６−２７４９４０号公報で記
載されているように、基板上に形成された記録層の上
に、さらに基板を貼合わせる、いわゆる貼合わせ構造が
採られている。なお、貼合わせ光ディスクの記録層とし
ては、上述の単板構成で用いられるＲＯＭ型の記録層、
ＲＡＭ型の記録層のいずれもが採用できる。

【００１１】さらに、貼合わせ光ディスクには、その片
側の面のみを利用する片面型貼合わせ光ディスクと、両
側の面を利用する両面型貼合わせ光ディスクとがある。

【００１２】このうち片面型貼合わせ光ディスクは、例
えばポリカーボネート樹脂等の透明樹脂を原料樹脂とす
るデータ基板の一面に設けたデータ記録面上に接着層を
介してダミー基板が貼付けられている。データ基板およ
びダミー基板は、いずれも射出成形により作成されてい
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
は多くのユーザに使用されており、生産される量も年々
増え続けている。従って、使用されなくなった不要の光
ディスクや販売店から返却されてくる光ディスクあるい
は生産時発生する不良品などのいわゆる再生利用すべき
光ディスク基板もしくは光ディスクが増えており、それ
らの再生方法について種々の検討が行われている。本発
明は、資源の有効利用ならびに環境保護の見地から、こ
れら不要の光ディスクの再生利用を目的とするととも
に、片面型貼合わせ光ディスクの機械的特性、記録再生
特性を維持しながら、製造効率の向上、製造コストの低
減が図られる片面型貼合わせ光ディスクを提供すること
をも目的とする。

【００１４】本発明者は、上記課題を解決せんとして鋭
意研究を重ねた結果、従来廃棄されていた不要の光ディ
スクまたは光ディスク基板を、ダミー基板の原料樹脂と
して用いることにより、単に原料樹脂のロスを抑制し得
るのみならず、上記課題を全て解決し得ることを見出
し、本発明を完成するに至った。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、熱可塑性樹脂
製のディスク基板（Ａ）の一面に設けたデータ記録面上
に接着層を介してダミー基板（Ｂ）を貼合わせた光ディ
スクであって、該ダミー基板（Ｂ）が成形された光ディ
スク基板（Ｃ）もしくは光ディスク（Ｄ）を原料樹脂の
少くとも一部として用いたダミー基板である貼合わせ光
ディスクに係るものである。以下本発明の貼合わせ光デ
ィスクについてさらに詳細に説明する。

【００１６】本発明の片面型貼合わせ光ディスクのデー
タ基板の原料樹脂は、射出成形可能な透明な熱可塑性樹
脂であればよく、例えばポリカーボネート樹脂、アクリ
ル樹脂またはポリオレフィン樹脂などが挙げられ、なか
でもポリカーボネート樹脂が好ましく用いられる。

【００１７】かかるポリカーボネート樹脂としては、以
下説明するものが使用される。すなわち、ポリカーボネ
ート樹脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体
とを溶液法または溶融法で反応させて得られるものであ
る。ここで使用される二価フェノールの代表的な例とし
ては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジ
ヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチ
ル）フェニル｝メタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−１−フェニルエタン、２,２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、
２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニ
ル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５
−ジメチル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３,
５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、
２,２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）
フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ
−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２,２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３−ジメチルブ
タン、２,４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−
メチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ペンタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−メチルペンタン、１,１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、１,１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサ
ン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,
５−トリメチルシクロヘキサン、９,９−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン、９,９−ビス｛（４−
ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α,
α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプ
ロピルベンゼン、α,α’−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベン
ゼン、１,３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５,７
−ジメチルアダマンタン、４,４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルホン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホキシド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルフ
ィド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４,
４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４,４’
−ジヒドロキシジフェニルエステル等が挙げられ、これ
らは単独または２種以上を混合して使用できる。

【００１８】なかでもビスフェノールＡ、２,２−ビス
｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパ
ン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチル
ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３−ジメチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−メチルペンタン、１,１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキ
サンおよびα,α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた
少くとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体
または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノールＡの
単独重合体および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンとビスフェ
ノールＡ、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチ
ル）フェニル｝プロパンまたはα,α’−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとの
共重合体が好ましく使用される。

【００１９】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げ
られる。

【００２０】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を溶液法または溶融法によって反応させてポリカーボネ
ート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末
端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用しても
よい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能
性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂
であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸
を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であっても
よく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２種以上
を混合した混合物であってもよい。

【００２１】溶液法による反応は、通常二価フェノール
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間
は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つの
が好ましい。

【００２２】また、かかる重合反応において、通常末端
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
または低級アルキル置換フェノールであって、下記一般
式で表される単官能フェノール類を示すことができる。

【００２３】

【化１】［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９の直鎖または
分岐アルキル基あるいはフェニル基置換アルキル基であ
り、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。］

【００２４】上記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。

【００２５】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効
果があり、また基板の複屈折率が低減される効果もあ
り、好ましく使用される。なかでも、下記一般式（２）
および（３）で表される長鎖のアルキル基を置換基とし
て有するフェノール類が好ましく使用される。

【００２６】

【化２】

【００２７】

【化３】［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ
−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１
〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を
示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］

【００２８】前記式（２）の置換フェノール類としては
ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、そ
の具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシルフ
ェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフェ
ノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノー
ル、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノー
ル等を挙げることができる。

【００２９】また、前記式（３）の置換フェノール類と
してはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である
化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６
のものが好適であって、その具体例としては例えばヒド
ロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、
ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸
ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロ
キシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリア
コンチルが挙げられる。

【００３０】これらの末端停止剤は、得られたポリカー
ボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ま
しくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ま
しく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合し
て使用してもよい。

【００３１】溶融法による反応は、通常二価フェノール
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。
反応後期には系を１０〜０.１Ｔｏｒｒ程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常１〜４時間程度である。

【００３２】カーボネートエステルとしては、置換され
ていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネー
ト、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。

【００３３】また、溶融法において重合速度を高めるた
めに重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価
フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金
属化合物；水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化
マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物；テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン
等の含窒素塩基性化合物；アルカリ金属やアルカリ土類
金属のアルコキシド類；アルカリ金属やアルカリ土類金
属の有機酸塩類；その他に亜鉛化合物類、ホウ素化合物
類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウ
ム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウ
ム化合物類、アンチモン化合物類、マンガン化合物類、
チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エス
テル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用い
ることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種
以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使
用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、好ましく
は１×１０^-8〜１×１０^-3当量、より好ましくは１×１
０^-7〜５×１０^-4当量の範囲で選ばれる。

【００３４】また、かかる重合反応において、フェノー
ル性の末端基を減少するために、重縮反応の後期あるい
は終了後に、例えばビス（クロロフェニル）カーボネー
ト、ビス（ブロモフェニル）カーボネート、ビス（ニト
ロフェニル）カーボネート、ビス（フェニルフェニル）
カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネート、
ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェニル
フェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネー
ト、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート
およびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネー
ト等の化合物を加えることが好ましい。なかでも２−ク
ロロフェニルフェニルカーボネート、２−メトキシカル
ボニルフェニルフェニルカーボネートおよび２−エトキ
シカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好まし
く、特に２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカー
ボネートが好ましく使用される。

【００３５】ポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平
均分子量（Ｍ）で１０,０００〜２２,０００が好まし
く、１２,０００〜２０,０００がより好ましく、１３,
０００〜１８,０００が特に好ましい。かかる粘度平均
分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材料と
して十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も
良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう
粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍＬにポリカーボ
ネート樹脂０.７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた
比粘度（η_sp）を次式に挿入して求めたものである。 η_sp／ｃ＝［η］＋０.４５×［η］²ｃ（但し［η］は
極限粘度）［η］＝１.２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０.７

【００３６】前記した透明樹脂、殊にポリカーボネート
樹脂を使用してデータ基板あるいはダミー基板を射出成
形するに当っては、通常の条件や手段が採用できる。

【００３７】本発明にあっては、一旦成形された不要の
光ディスク基板（Ｃ）または光ディスク（Ｄ）を回収
し、ダミー基板を射出成形する際の原料樹脂として用い
る。回収した不要の光ディスク基板（Ｃ）または光ディ
スク（Ｄ）は射出成形機に供給できる形状に再生され
る。不要の光ディスク基板または光ディスクの再生の具
体的な方法としては、例えば粉砕機等で粉砕する方法が
ある。このとき粉砕した再生品はその長径が１０ｍｍ以
下になるように調整されることが好ましい。これ以上大
きいときは成形機シリンダの原料供給部における噛み込
み不良の原因になる。また、粉砕品は、そのままダミー
基板の射出成形に用いても、一旦押出機などによってペ
レット化してから射出成形に供してもよい。

【００３８】さらには、不要の光ディスクに含まれる記
録膜、反射膜、保護膜、接着剤、インクなどの原料樹脂
以外の構成部を取り除いて用いることがより好ましい。
その具体的な方法としては、光ディスクの表面を切硝研
磨する方法、振動圧縮する方法などの物理的方法あるい
は、酸、アルカリなどを用いた化学的方法などがある。

【００３９】一層好適には特開平１０−５８４５０号公
報に提案されている方法が挙げられる。すなわち、光デ
ィスクをローラー間を通過させて圧延する工程、圧延さ
れた光ディスクを加熱水と接触させる工程、該光ディス
クから剥離した塗膜の実質量を分離する工程、得られた
光ディスクを粉砕する工程、得られた光ディスクの細片
を加熱水と接触させて、金属薄膜成分を除去する工程お
よび除去された金属薄膜成分を加熱水とともに細片から
分離し、細片を回収し取得する工程からなる回収方法な
どがある。

【００４０】不要の光ディスク再生品によってダミー基
板を射出成形するに当り、再生品のみで成形してもよ
く、また任意の比率でバージンの原料樹脂と混合しても
よい。バージンの原料樹脂を用いるときは、データ基板
の成形に用いたと同種の樹脂を用いるのが好ましく、不
要の光ディスク再生品が多すぎると、アルミニウム片に
より成形の樹脂の流動が不安定になり、射出樹脂量にバ
ラツキが生じるため、ダミー基板（Ｂ）の全重量当たり
不要の光ディスク再生品の割合が５〜１００重量％、好
ましくは１０〜９０重量％になる量混合するのが有利で
ある。特に光ディスク再生品として、光ディスク（Ｄ）
を使用する場合、この光ディスク（Ｄ）には原料樹脂以
外の構成部が含まれていることから、そのより好ましい
割合は１０〜７０重量％である。ここでバージン樹脂と
は、射出成形等により加工された履歴を持たない樹脂で
あり、重合した樹脂を押出機等によって溶融押出したペ
レットなどを意味する。

【００４１】上記不要の光ディスク再生品または不要の
光ディスク再生品とバージン樹脂の混合品は、射出成形
機に供給されダミー基板が成形される。この際用いるス
タンパーは、信号情報の入ったものでも、信号情報の入
っていないものでもかまわないが、信号基板を所定枚数
成形した後の不要のスタンパーを用いるとスタンパーの
再利用という観点からも好ましい。また、ダミー基板を
射出成形するに際し、成形機や金型の設定温度等の成形
条件を、データ基板成形時と同一に設定するのが好まし
い。

【００４２】成形されたダミー基板の表面に反射膜、記
録層、保護膜、印刷面等を形成してもよい。特に、接着
層を介してデータ基板と貼合わされる面にデータ基板と
同一の記録層を形成すると、後の貼合わせにおいて接着
層との親和性が等しくなり、反りの抑制に効果がある。
データ基板および必要に応じてダミー基板の一面に設け
るデータ記録面において、その記録層は再生専用（ＲＯ
Ｍ）型の記録層であってもユーザによって任意情報が書
き込める追記型またはＲＡＭ型の記録層であってもよ
い。例えば再生専用型の記録層であれば、スタンパーに
より形成された記録すべきデータを凹凸で表すピットの
上に、スパッタリングなどの気相メッキ法により反射膜
としてＡｌなどの金属膜反射膜を形成することで構成さ
れる。このようにして作成されたデータ基板とダミー基
板は、例えばＵＶ接着剤等の接着層を介して互いに貼合
わされる。接着層としてはＵＶ接着剤の他に熱可塑性樹
脂によるホットメルト接着や粘着剤を用いた粘着シート
なども用いることができる。また、本発明の片面型貼合
わせ光ディスクの具体例としては、例えば記録容量が
４.７ＧＢのＤＶＤ、２.６ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭおよび
３.９ＧＢのＤＶＤ−Ｒが挙げられる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下に実施例をあげて本発明をさ
らに説明する。（１）基板の成形：データ基板とダミー基板の成形は、
住友重機械工業（株）製射出成形機ＤＩＳＫ３Ｍ３と情
報信号に対応した凹凸形状を持つスタンパーが設置され
た厚さ０.６ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ
金型を用いて行った。（２）ＣＤ基板の成形：ＣＤ基板の成形は、住友重機械
工業（株）製射出成形機ＤＩＳＫ３Ｍ３と情報信号に対
応した凹凸形状を持つスタンパーが設置された厚さ１.
２ｍｍ、直径１２０ｍｍのキャビティを持つ金型を用い
て行った。

【００４４】（３）反射膜、保護膜の除去：ＣＤを朋来（株）製粉砕機により８ｍｍφスクリーン
通過品に粉砕した。この粉砕品１部をステンレス製の篭
に入れ、４０℃に保持したｐＨ１の希塩酸水溶液１０部
に浸漬し、井内盛栄堂（株）製超音波洗浄器ＶＳ−１０
０型（周波数５０ｋＨｚ）により処理したところ３０分
でアルミニウム膜が溶解し、ＵＶコート膜が剥離した。
ここでステンレス製篭を取出して純水で洗浄した後１２
０℃で乾燥して透明なポリカーボネート樹脂粉砕品を得
た。ＣＤを相対するロール間隙が０.４ｍｍで、表面温度
を１３０℃に設定した大竹機械工業製２本ロール機にて
圧延した。この時の圧延条件はロール回転数＝高速側１
６ｒｐｍ、低速側１４ｒｐｍ、ロール径＝１２インチ、
ロール巾＝２４インチとした。圧延されたＣＤは、その
長さ（長径）が、１３.８ｃｍとなり、元のＣＤの長さ
の１.１５倍に圧延され、その全面の被覆層にクラック
が生じていた。次に熱水処理として９０℃の加熱水に５
分間浸漬し、膨潤させながら攪拌した。この時のＣＤの
割合は、ＣＤと加熱水との合計に対して５重量％とし、
主としてＵＶコート層を剥離させた。次に水洗を施し、
剥離した被覆層を除去した樹脂基板を得て、かかる樹脂
基板を回転する回転刃と固定刃を有し、下部に８ｍｍの
円孔スクリーンを設けた朋来（株）製粉砕機により粉砕
した。得られた基板細片は、その９７重量％が直径２ｍ
ｍの円孔を通過しないものであった。この基板細片を、
主に残留するアルミ蒸着成分を除去するために９０℃の
加熱水に３０分間攪拌浸漬した。このとき、基板細片の
割合は、基板細片と加熱水との合計に対して１５重量％
とした。その後、かかる基板細片から除去されたアルミ
蒸着成分を加熱水と共に分離し、透明なポリカーボネー
ト樹脂基板細片を回収した。得られたポリカーボネート
樹脂基板細片を常法によりペレット化し、１２０℃で５
時間乾燥して、透明なポリカーボネート樹脂ペレットを
得た。

【００４５】（４）割れ発生率の測定：ダミー基板成形
時に可塑化シリンダ内で起きる熱分解による分子量低下
が著しいと、金型から基板をはく離し取り出す過程で行
われる金型の突き出しピンによる突き出しにより基板が
割れることがある。これを基板を５００枚成形して、目
視で割れ発生の有無を確認し、割れ発生率を求めて評価
した。

【００４６】（５）エラー率の測定：エラー率の測定は
パルステック工業（株）製ＤＤＵ−１０００を用いて、
ＰＩエラーの発生率を測定した。測定はｎ＝１０で行っ
た。

【００４７】合成例１温度計、攪拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交
換水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.
２部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン５７.５部（０.２５２モル）およびハ
イドロサルファイト０.１２部を溶解した後、塩化メチ
レン１８１部を加え、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２
８.３部を４０分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み
終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部および
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２.４２部を加え、攪
拌を始め、乳化後トリエチルアミン０.０６部を加え、
さらに２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。
反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後
塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と
ほとんど同じになったところで、軸受け部に異物取出口
を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸
発して、粘度平均分子量１５０００のパウダーを得た。
このパウダーにトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）ホスファイトを０.０１重量％、ステアリン
酸モノグリセリドを０.０８重量％加えた。次に、かか
るパウダーをベント式二軸押出機（神戸製鋼（株）製Ｋ
ＴＸ−４６）によりシリンダ温度２４０℃で脱気しなが
ら溶融混練し、径２.９ｍｍ、長さ３ｍｍのペレットを
得た。

【００４８】合成例２攪拌機および蒸留塔を備えた反応器に２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン２２８部（約１モ
ル）、ジフェニルカーボネート（バイエル社製）２２０
部（約１.０３モル）および触媒として水酸化ナトリウ
ム０.００００２４部とテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド０.００７３部を仕込み、窒素置換した。この
混合物を２００℃まで加熱して攪拌しながら溶解させ
た。次いで、減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら
１時間で大半のフェノールを留去し、さらに２７０℃ま
で温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして２時間重合反
応を行ったところで、末端停止剤として２−メトキシカ
ルボニルフェニルフェニルカーボネート２.３部を添加
した。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封
鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤と
してドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩を０.０００２３部添加して２７０℃、１０Ｔｏ
ｒｒ以下で１０分間反応を継続し、粘度平均分子量１
５,０００のポリマーを得た。このポリマーをギアポン
プでルーダーに送った。ルーダー途中でトリス（２，４
−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０.
０１重量％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０８重
量％加え、径２.５ｍｍ、長さ３ｍｍの樹脂ペレットを
得た。

【００４９】実施例１合成例１で得られた樹脂ペレットからＣＤ基板を成形し
た。このＣＤ基板を粉砕機で粉砕して最大粒子の長径が
８ｍｍのＣＤ基板再生品を得た。この再生品からダミー
基板を成形し、割れ発生率を評価した。その結果割れ発
生率は０.２％と極めて良好な値が得られた。さらに合
成例１で得られた樹脂ペレットからデータ基板を成形し
た後、データ基板ならびにダミー基板のスタンパーによ
り凹凸が形成された面にアルミニウム反射膜をスパッタ
法により製膜し、次に接着剤によりデータ基板とダミー
基板を貼合わせ、エラー率を測定した。その結果、４.
４×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５０】実施例２実施例１で得られたＣＤ基板上に、アルミニウム反射膜
をスパッタ法により製膜した。次にＵＶ硬化樹脂をスピ
ンコート法により均一に塗布した後、ＵＶ光を照射して
これを硬化させ、保護膜を形成することによりＣＤを作
成した。このＣＤを粉砕機で粉砕して最大粒子の長径が
８ｍｍのＣＤ再生品を得た。この再生品からダミー基板
を得る以外は実施例１と同じ手順で貼合わせ光ディスク
を作成し、割れ発生率とエラー率を測定した。その結果
割れ発生率は１.８％と良好な値が得られ、エラー率は
４.８×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５１】実施例３実施例２で得られたＣＤから前記（３）のの方法によ
り反射膜と保護膜を除去した後、粉砕機で粉砕して最大
粒子の長径が８ｍｍのＣＤ再生品を得る以外は実施例１
と同じ手順で貼合わせ光ディスクを作成し、割れ発生率
とエラー率を測定した。その結果、それぞれ０.４％、
４.５×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５２】実施例４および５実施例２で得られたＣＤから反射膜と保護膜を除去して
後、粉砕機で粉砕して最大粒子の長径が８ｍｍのＣＤ再
生品を得て、これと合成例１で得られた樹脂ペレットと
を７０重量％および３０重量％（実施例４）もしくは５
０重量％および５０重量％（実施例５）の割合で混合す
る以外は実施例１と同じ手順で貼合わせ光ディスクを作
成し、割れ発生率とエラー率を測定した。その結果はそ
れぞれ０.３％と４.５×１０^-4（実施例４）および０.
３％と４.４×１０^-4（実施例５）と極めて良好な値が
得られた。

【００５３】実施例６実施例２で得られたＣＤから前記（３）のの方法によ
り反射膜と保護膜を除去した後、粉砕機で粉砕して最大
粒子の長径が８ｍｍのＣＤ再生品を得る以外は実施例１
と同じ手順で貼合わせ光ディスクを作成し、割れ発生率
とエラー率を測定した。その結果、それぞれ０.３％、
４.４×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５４】実施例７実施例２で得られたＣＤ再生品に対して合成例１で得ら
れた樹脂ペレットを５０重量％混合する以外は実施例２
と同じ手順で貼合わせ光ディスクを作成し、割れ発生率
とエラー率を測定した。その結果、それぞれ０.２％、
４.５×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５５】実施例８合成例２で得られた樹脂ペレットから実施例１と同じ手
順でＣＤを作成する以外は、実施例１と同じ手順で貼合
わせ光ディスクを作成し、割れ発生率とエラー率を測定
した。その結果、それぞれ０.２％、４.９×１０^-4と極
めて良好な値が得られた。

【００５６】参照例１合成例１で得られた樹脂ペレットを均等に２等分し、そ
れらを用いてデータ基板とダミー基板を成形する以外は
実施例１と同じ手順で貼合わせ光ディスクを作成し、割
れ発生率とエラー率を測定した。その結果、それぞれ
０.０％、４.２×１０^-4と極めて良好な値が得られた。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【発明の効果】本発明の片面型貼合わせ光ディスクは、
不要の光ディスク基板または光ディスクをダミー基板の
材料として活用したものであり、資源の有効利用および
環境保護の見地から従来廃棄されていた不要の光ディス
クの再利用によるコストダウンに効果を奏する。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱可塑性樹脂製のディスク基板（Ａ）の
一面に設けたデータ記録面上に接着層を介してダミー基
板（Ｂ）を貼合わせた光ディスクであって、該ダミー基
板（Ｂ）が、成形された光ディスク基板（Ｃ）もしくは
光ディスク（Ｄ）を原料樹脂の少くとも一部に用いてな
るダミー基板である貼合わせ光ディスク。
【請求項２】光ディスク基板（Ｃ）が光ディスク
（Ｄ）から原料樹脂以外の構成部を取り除いたものであ
る請求項１記載の貼合わせ光ディスク。
【請求項３】光ディスク基板（Ｃ）もしくは光ディス
ク（Ｄ）の使用量が、ダミー基板（Ｂ）の全重量当たり
の５〜１００重量％の範囲である請求項１記載の貼合わ
せ光ディスク。
【請求項４】光ディスク基板（Ｃ）もしくは光ディス
ク（Ｄ）を予め長径が１０ｍｍ以下に破砕し、そのまま
あるいはペレット化してダミー基板（Ｂ）の原料樹脂と
して用いた請求項１記載の貼合わせ光ディスク。
【請求項５】データ記録面を設けたディスク基板
（Ａ）およびダミー基板（Ｂ）の樹脂が、同種の樹脂で
ある請求項１記載の貼合わせ光ディスク。
【請求項６】データ記録面を設けたディスク基板
（Ａ）およびダミー基板（Ｂ）の樹脂が、いずれもポリ
カーボネート樹脂である請求項１記載の貼合わせ光ディ
スク。
【請求項７】該ダミー基板（Ｂ）の一面にデータ記録
面と同じ金属膜が形成されている請求項１記載の貼合わ
せ光ディスク。