JPS61231074A - 光学式デイスク基板の製法 - Google Patents

光学式デイスク基板の製法

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JPS61231074A
JPS61231074A JP60071535A JP7153585A JPS61231074A JP S61231074 A JPS61231074 A JP S61231074A JP 60071535 A JP60071535 A JP 60071535A JP 7153585 A JP7153585 A JP 7153585A JP S61231074 A JPS61231074 A JP S61231074A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
monomer
group
optical
substrate
optical disc
Prior art date
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Pending
Application number
JP60071535A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Nakamura
正志 中村
Shinobu Ikeno
池野 忍
Hiroaki Usui
宏明 碓氷
Takahiro Heiuchi
隆博 塀内
Akitake Ito
伊藤 彰勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60071535A priority Critical patent/JPS61231074A/ja
Publication of JPS61231074A publication Critical patent/JPS61231074A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、レーザ光の照射により情報の記録/再生・
消去可能な光学式ディスクの基板の製法に関するもので
ある。
〔背景技術〕
光学式ディスクには、情報を凹凸のピットとして基板に
刻んだ再生専用型、トラッキング用の案内溝(以下、「
グループ」と称する)の上に形成された記録材料の光反
射率あるいは光透過率をレーザ光の照射により変化させ
ることにより情報の記録再生を行うDRAW型、および
、記録/再生・消去のくり返しが可能なE−DRAW型
(書き換え可能型)の3種に分類される。
E−DRAW型光学式ディスクの場合には、記録材料と
して垂直磁化可能な磁性材料を用いてレーザ光の照射に
よって磁化方向を反転させることにより、情報の記録を
行う光磁気ディスクも知られている。いずれにしてもD
RAW型およびE・DRAW型光ディスクの場合には、
情報の記録を行う際に記録材料の結晶−非結晶転移ある
いは磁化方向の反転を行わすため、レーザ光の照射によ
り記録材料を短時間ではあるが数百度以上に加熱する必
要がある。
したがって、このような高温状態になる記録材料に隣接
する光学式ディスク基板としては、高温状態においても
グループが熱変形しない(ここでいう熱変形は通常の荷
重下での熱変形ではない。
かかる熱変形を、以下、「熱ダレ」と称する。)ような
高度な耐熱性が要求される。
従来、再生専用型光学式ディスクの基板材料として第1
の要件である光学特性に優れたメタクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられているが、
かかる熱可塑性樹脂を用いてE−DRAW型光学式ディ
スクの基板を得ると記録および消去時にその高温のため
樹脂が軟化しグループが変形してしまうという欠点があ
る。それゆえ、このような熱可塑性樹脂を、記録/再生
・消去がくり返し行われ、その信頼性が要求されるE−
DRAW型光学式ディスクの基板材料として用いること
が出来ない。
〔発明の目的〕
この発明は、このような現状に鑑みて、記録および消去
時におけるレーザ光の照射による熱のために、グループ
が熱ダレを起こすことのない高度な耐熱性を有する光学
式ディスク基板の製法を提供するものである。
〔発明の開示〕
このような目的を達成するために、この発明者らは、く
り返し行う記録および消去時の熱に耐え、グループの熱
ダレが生じない光学式ディスクの基板材料について種々
検討した結果、架橋結合を有しており、もはや熱可塑性
を有しないタイプの樹脂の場合に耐熱ダレ性がよいこと
を見い出し、この発明を完成するに至った。
したがって、この発明は、メタクリル酸エステル単量体
(A)、エステル残基中にエポキシ基をもつメタクリル
酸エステル単量体(B)、およびエポキシ基と反応する
官能基を有して前記2種のエステル単量体とラジカル共
重合可能な単量体(C)の、3種の単量体を必須成分と
して得られる共重合体を基板材料とし、この基板材料を
スタンパが装着されている金型内において熱硬化成型す
る光学式ディスク基板の製法を要旨とする。以下に、こ
の発明の詳細な説明する。
前述のように、この発明においては、光学式ディスク基
板は、(A)、  (B)、  (C)の3種の単量体
を必須成分として共重合させたのち熱硬化成型して得ら
れるが、具体的に述べると、単量体(A)としては、た
とえば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メ
タクリル酸イソプロピル、メタクリル酸n−ブチル、メ
タクリル酸イソブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタ
クリル酸シクロヘキシル等のエステル残基(エステル残
基とは、エステル化反応の際のアルコールから一〇H基
を取った残りの基のことをいう。)として炭素数が1〜
6のアルキル基およびシクロアルキル基をもつメタクリ
ル酸エステル単量体およびこれらの混合物が好ましい。
特に、ディスクの熱変形温度、吸水性、ta械時特性の
性能を考慮すると、メタクリル酸メチル、メタクリル酸
イソプロピル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸
シクロヘキシル等の単量体およびこれらの混合物が好ま
しい。単量体CB)としては、普通、メタクリル酸グリ
シジルを用いる。しかし、エステル残基中にエポキシ基
をもった他のメタクリル酸エステル単量体であっても良
い。単量体(C)としては、不飽和基を持った二塩基酸
無水物またはカルボン酸、好ましくは無水マレイン酸ま
たは(メタ)アクリル酸である。なお、この3単量体に
加えて、アクリル酸エステル単量体も若干台まれていて
もよいが、多量であると共重合体の光学特性に悪影響を
与える。
この3種の単量体を単量体(A)が5〜80重量%、単
量体(B)および単量体(C)が95〜20重量%、好
ましくは、単量体(A)が20〜50重量%、それ以外
の単量体が80〜50重量%の割合で共重合させる。た
だし、単量体(C)の量は、単量体(B)のエポキシ基
と反応する量である。また、この不飽和無水二塩基酸と
不飽和カルボン酸は併用してもよい。
この共重合体を得るための重合法は、塊状重合、乳化重
合、懸濁重合、溶液重合等の公知の方法のうちいずれを
用いても良い。この重合によって、3単量体のビニル基
部分をラジカル共重合させて基板材料を得る。
このようにして出来た基板材料を一般の熱硬化樹脂と同
様にして80〜100℃で可塑化したのちスタンバを装
着した金型内において150〜180℃の温度で成型し
て光学式ディスク基板を得る。このとき、一つの共重合
体中のエポキシ基と別の共重合体のカルボキシル基が架
橋反応を起こし、3次元的網目構造をもった記録および
消去時のレーザ光の熱に耐えて熱ダレを起こさない樹脂
に変わるのである。成型法としては、直圧成型。
トランスファー成型、射出成型いずれでも良いが、射出
成型が能率的によい。
また、基板材料の流動性を付与するために、あらかじめ
アクリル酸エステル類などの単量体を混合したり、金型
からの離型性を良くするような目的でステアリン酸等の
脂肪酸および脂肪酸エステル等を混合しておいてもよい
このようにして成型された光学式ディスク基板は、記録
および消去時のレーザ光によるグループ等の熱ダレ(樹
脂の熱変形)を引き起こさず、メタクリル酸エステル樹
脂の優れた光学的性質も引き継ぎ複屈折もなく、他の機
械的性質にも優れたものをもっている。
つぎに、この発明の実施例と比較例を詳しく説明する。
(実施例1) メタクリル酸メチル単量体が30.0重量部・メタクリ
ル酸グリシジル単量体が46.9重量部・無水マレイン
酸が23.1重量部、および、重合開始剤、連鎖移動剤
、離型剤として過酸化ベンゾイルが1.0重量部、n−
ラウリルメルカプタンが0.2重量部、ステアリン酸グ
リセライドが0.05重量部となるように混合し、水が
200.0重量部およびヒドロキシエチルセルロースが
10.0重量部よりなる分散相に攪拌分散を行い、70
℃で3時間重合した。重合後、生成したビーズを取り出
したところ、重量平均分子量2万〜3万のポリマーとな
っていた。このビーズをスクリュ一温度100℃、金型
温度160℃に設定してスタンパを装着した金型内に射
出成型を行い、厚み1.2mm、直径120mmの光学
式ディスク基板を得た。
(実施例2) メタクリル酸メチルのかわりに、メタクリル酸シクロヘ
キシルが30,0重量部にした以外は実施例1と同様に
して光学式ディスク基板を得た。
(実施例3) メタクリル酸グリシジルが31.5重量部、無水マレイ
ン酸にかわりメタクリル酸が38.5重量部にした以外
は実施例2と同様にして光学式ディスク基板を得た。
実施例の原材料の比を第1表に示す。
第  1  表 (比較例1) 市販のアクリベットVH(三菱レーヨン製PMMA)を
用いて射出成型で実施例1と同様の光学式ディスク基板
を得た。
(比較例2) 市販のノバレフクス(三菱化成工業部PC)を用いて射
出成型で実施例1と同様の光学式ディスク基板を得た。
実施例および比較例で得た光学式ディスク基板のガラス
転移点、耐熱ダレ性、複屈折の有無、吸水率の各特性に
ついて調査した結果を第2表に示す。なお、ガラス転移
点は粘弾性スペクトロメータを用いてE Ifのピーク
を求めた。耐熱ダレ性は記録膜を蒸着したディスク基板
にレーザ光を照射し、記録および消去を100回行った
後にグループの変形の有無を調べた。複屈折の有無はボ
ーラリスコープで複屈折の有無を調べた。吸水率はJI
SK6911に従って測定した。
第2表 第2表から分かるように、この発明の実施例の光学式デ
ィスク基板は、比較例に比べ、耐熱ダレ性がすぐれ、複
屈折もなく、その他の点についても充分良好なものであ
った。
〔発明の効果〕
この発明の光学式ディスク基板の製法によると、レーザ
光による記録および消去のくり返し使用に充分耐えうる
耐熱ダレ性を有し、光学特性にも優れた光学式ディスク
を得ることができる。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)メタクリル酸エステル単量体(A)、エステル残
    基中にエポキシ基をもつメタクリル酸エステル単量体(
    B)、およびエポキシ基と反応する官能基を有して前記
    2種のエステル単量体とラジカル共重合可能な単量体(
    C)の、3種の単量体を必須成分として得られる共重合
    体を基板材料とし、この基板材料をスタンパが装着され
    ている金型内において熱硬化成型する光学式ディスク基
    板の製法。
  2. (2)単量体(A)のエステル残基が炭素数1〜6のア
    ルキル基およびシクロアルキル基よりなる群より選ばれ
    たうちの1つである特許請求の範囲第1項記載の光学式
    ディスク基板の製法。
  3. (3)単量体(B)がメタクリル酸グリシジルである特
    許請求の範囲第1項または第2項記載の光学式ディスク
    基板の製法。
  4. (4)単量体(C)が不飽和基をもつ二塩基酸無水物お
    よびカルボン酸のうちの少なくとも1つである特許請求
    の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の光学式デ
    ィスク基板の製法。
  5. (5)不飽和基をもつ二塩基酸無水物が無水マレイン酸
    である特許請求の範囲第4項記載の光学式ディスク基板
    の製法。
  6. (6)不飽和基をもつカルボン酸が、アクリル酸および
    メタクリル酸のうちのいずれかである特許請求の範囲第
    4項または第5項記載の光学式ディスク基板の製法。
JP60071535A 1985-04-03 1985-04-03 光学式デイスク基板の製法 Pending JPS61231074A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131348A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63131348A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク

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