JPH07144351A - 転写性に優れた光ディスク成形基板の製造方法 - Google Patents
転写性に優れた光ディスク成形基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH07144351A JPH07144351A JP29227093A JP29227093A JPH07144351A JP H07144351 A JPH07144351 A JP H07144351A JP 29227093 A JP29227093 A JP 29227093A JP 29227093 A JP29227093 A JP 29227093A JP H07144351 A JPH07144351 A JP H07144351A
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- JP
- Japan
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- molding
- substrate
- optical disk
- mold
- acrylate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 アクリル系樹脂を、成形温度２７０〜２９０
℃、型温８０〜９０℃、型締圧１０〜２０トンの成形条
件で射出圧縮成形することを特徴とする、転写性に優れ
た光ディスク成形基板の製造方法。 【効果】 本発明の成形方法により、従来得られなかっ
た、透明なアクリル系樹脂を用い、転写性が優れ、且つ
反りの小さな光ディスク成形基板を得ることが可能とな
ることから、量産性及びコスト面で非常に優れており、
更に得られたディスク成形基板の転写性が良好であり、
且つ反りが小さいことから、画像の高密度入力が可能と
なり、次世代の光ディスク基板として、その効果は極め
て大きいものである。
℃、型温８０〜９０℃、型締圧１０〜２０トンの成形条
件で射出圧縮成形することを特徴とする、転写性に優れ
た光ディスク成形基板の製造方法。 【効果】 本発明の成形方法により、従来得られなかっ
た、透明なアクリル系樹脂を用い、転写性が優れ、且つ
反りの小さな光ディスク成形基板を得ることが可能とな
ることから、量産性及びコスト面で非常に優れており、
更に得られたディスク成形基板の転写性が良好であり、
且つ反りが小さいことから、画像の高密度入力が可能と
なり、次世代の光ディスク基板として、その効果は極め
て大きいものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は射出圧縮成形法によるア
クリル樹脂系光ディスク成形基板の製造方法に関する。
クリル樹脂系光ディスク成形基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９８０年代初頭にコンパクトディスク
（ＣＤ）とレーザーディスク（ＬＤ）が市販されて以
来、光ディスクは急速に普及してきているが、現在で
は、更に、ＣＤサイズの光ディスクにＬＤ並の動画をデ
ジタルで記録することが望まれており、薄型で高密度化
されたものの開発が種々検討されている。（１９９２年
秋の「応用物理学会」における講演１７ｐ−Ｔ−１１、
１７ｐ−Ｔ−１３、１９９３年春の「応用物理学会」に
おける講演２９ａ−Ｂ−８、２９ａ−Ｂ−５等）従来、
薄型高密度ディスクの製造方法としては、転写法の１つ
である２Ｐ法によって、ガラス基板や樹脂板上に硬化性
樹脂を塗布又は注入し、ピット又は溝を形成させた原盤
を重ね合わせた後に硬化性樹脂を硬化させる方法、又
は、エッチング法によって基板上にピット又は溝を形成
していた。しかしながら、これらの方法は量産性とコス
ト面では優れているとは言えない。
（ＣＤ）とレーザーディスク（ＬＤ）が市販されて以
来、光ディスクは急速に普及してきているが、現在で
は、更に、ＣＤサイズの光ディスクにＬＤ並の動画をデ
ジタルで記録することが望まれており、薄型で高密度化
されたものの開発が種々検討されている。（１９９２年
秋の「応用物理学会」における講演１７ｐ−Ｔ−１１、
１７ｐ−Ｔ−１３、１９９３年春の「応用物理学会」に
おける講演２９ａ−Ｂ−８、２９ａ−Ｂ−５等）従来、
薄型高密度ディスクの製造方法としては、転写法の１つ
である２Ｐ法によって、ガラス基板や樹脂板上に硬化性
樹脂を塗布又は注入し、ピット又は溝を形成させた原盤
を重ね合わせた後に硬化性樹脂を硬化させる方法、又
は、エッチング法によって基板上にピット又は溝を形成
していた。しかしながら、これらの方法は量産性とコス
ト面では優れているとは言えない。
【０００３】このような状況において、量産性とコスト
面で優れている製造方法として、透明な熱可塑性樹脂を
射出成形法又は射出圧縮成形法によって薄型高密度ディ
スク成形基板を得る方法の開発が強く望まれている。
面で優れている製造方法として、透明な熱可塑性樹脂を
射出成形法又は射出圧縮成形法によって薄型高密度ディ
スク成形基板を得る方法の開発が強く望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、従来得られなかった、透明なアクリル系樹脂を
用い、射出圧縮成形法により、転写性に優れ、反りの小
さな光ディスク成形基板を得るための成形方法を提供す
ることにある。
ころは、従来得られなかった、透明なアクリル系樹脂を
用い、射出圧縮成形法により、転写性に優れ、反りの小
さな光ディスク成形基板を得るための成形方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、アクリル系樹脂を、成形温度２７０〜２９０℃、
型温８０〜９０℃、型締圧１０〜２０トンの成形条件で
射出圧縮成形することを特徴とする、転写性に優れた光
ディスク成形基板の製造方法にある。
ろは、アクリル系樹脂を、成形温度２７０〜２９０℃、
型温８０〜９０℃、型締圧１０〜２０トンの成形条件で
射出圧縮成形することを特徴とする、転写性に優れた光
ディスク成形基板の製造方法にある。
【０００６】本発明に用いられるアクリル系樹脂の具体
例としては、例えば、メタクリル酸エステル単量体及び
アクリル酸エステル単量体、必要に応じて更にＮ−置換
マレイミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸
無水物類等の他の共重合可能な単量体、からなる共重合
体が挙げられる。
例としては、例えば、メタクリル酸エステル単量体及び
アクリル酸エステル単量体、必要に応じて更にＮ−置換
マレイミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸
無水物類等の他の共重合可能な単量体、からなる共重合
体が挙げられる。
【０００７】上記メタクリル酸エステル単量体として
は、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタク
リル酸プロピル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタク
リル酸トリメチルシクロヘキシル、メタクリル酸フェニ
ル、メタクリル酸フルオロフェニル、メタクリル酸クロ
ロフェニル、メタクリル酸ブロモフェニル、メタクリル
酸ベンジル、メタクリル酸シクロペンチル、メタクリル
酸ノルボルニル、メタクリル酸ノルボルニルメチル、メ
タクリル酸イソボルニル、メタクリル酸ボルニル、メタ
クリル酸メンチル、メタクリル酸フェンチル、メタクリ
ル酸アダマンチル、メタクリル酸ヂメチルアダマンチ
ル、メタクリル酸トリシクロ［５，２，１，０2,6］デ
カ−８−イル、メタクリル酸トリシクロ［５，２，１，
０2,6］デカー４ーメチル、メタクリル酸トリシクロデ
シル、メタクリル酸２，２，２−トリフルオロエチル等
の単独またはそれらの混合物が挙げられる。
は、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタク
リル酸プロピル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタク
リル酸トリメチルシクロヘキシル、メタクリル酸フェニ
ル、メタクリル酸フルオロフェニル、メタクリル酸クロ
ロフェニル、メタクリル酸ブロモフェニル、メタクリル
酸ベンジル、メタクリル酸シクロペンチル、メタクリル
酸ノルボルニル、メタクリル酸ノルボルニルメチル、メ
タクリル酸イソボルニル、メタクリル酸ボルニル、メタ
クリル酸メンチル、メタクリル酸フェンチル、メタクリ
ル酸アダマンチル、メタクリル酸ヂメチルアダマンチ
ル、メタクリル酸トリシクロ［５，２，１，０2,6］デ
カ−８−イル、メタクリル酸トリシクロ［５，２，１，
０2,6］デカー４ーメチル、メタクリル酸トリシクロデ
シル、メタクリル酸２，２，２−トリフルオロエチル等
の単独またはそれらの混合物が挙げられる。
【０００８】また、アクリル酸エステル単量体として
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
プロピル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸トリ
メチルシクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル
酸フルオロフェニル、アクリル酸クロロフェニル、アク
リル酸ブロモフェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル
酸シクロペンチル、アクリル酸ノルボルニル、アクリル
酸ノルボルニルメチル、アクリル酸イソボルニル、アク
リル酸ボルニル、アクリル酸メンチル、アクリル酸フェ
ンチル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸ヂメチル
アダマンチル、アクリル酸トリシクロ［５，２，１，０
2,6］デカ−８−イル、アクリル酸トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカー４ーメチル、アクリル酸トリシ
クロデシル、アクリル酸２，２，２−トリフルオロエチ
ル等の単独またはそれらの混合物が挙げられる。
は、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸
プロピル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸トリ
メチルシクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル
酸フルオロフェニル、アクリル酸クロロフェニル、アク
リル酸ブロモフェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル
酸シクロペンチル、アクリル酸ノルボルニル、アクリル
酸ノルボルニルメチル、アクリル酸イソボルニル、アク
リル酸ボルニル、アクリル酸メンチル、アクリル酸フェ
ンチル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸ヂメチル
アダマンチル、アクリル酸トリシクロ［５，２，１，０
2,6］デカ−８−イル、アクリル酸トリシクロ［５，
２，１，０2,6］デカー４ーメチル、アクリル酸トリシ
クロデシル、アクリル酸２，２，２−トリフルオロエチ
ル等の単独またはそれらの混合物が挙げられる。
【０００９】更に、他の共重合可能な単量体としては、
基材の耐熱性向上を目的とする場合には、Ｎ−シクロヘ
キシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−クロ
ロフェニルマレイミド、Ｎ−メチルフェニルマレイミ
ド、Ｎ−ブロモフェニルマレイミド等のＮ−置換マレイ
ミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物
類が挙げられる。
基材の耐熱性向上を目的とする場合には、Ｎ−シクロヘ
キシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−クロ
ロフェニルマレイミド、Ｎ−メチルフェニルマレイミ
ド、Ｎ−ブロモフェニルマレイミド等のＮ−置換マレイ
ミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物
類が挙げられる。
【００１０】尚、上記アクリル系樹脂において、光ディ
スク成形基板への金属膜形成方法としてスパッタリング
法を使用する場合には、メタクリル酸エステル単量体と
アクリル酸エステル単量体２０モル％以上含む混合物を
重合してなる共重合体で、共重合体中のメタクリル酸エ
ステルの比率が８０モル％以下であり、共重合体の２５
℃クロロホルム中で測定した固有粘度が０．３〜１．５
ｄｌ／ｇの範囲である共重合体を使用するのが好まし
い。
スク成形基板への金属膜形成方法としてスパッタリング
法を使用する場合には、メタクリル酸エステル単量体と
アクリル酸エステル単量体２０モル％以上含む混合物を
重合してなる共重合体で、共重合体中のメタクリル酸エ
ステルの比率が８０モル％以下であり、共重合体の２５
℃クロロホルム中で測定した固有粘度が０．３〜１．５
ｄｌ／ｇの範囲である共重合体を使用するのが好まし
い。
【００１１】本発明においては、得られる光ディスク成
形基板の厚みは１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
即ち、「光学技術コンタクト」２３，Ｎｏ．７，１９８
５の４５１頁の（４）式に記載されているように、傾い
た光ディスク成形基板上には板厚と開口数の３乗に比例
した大きさのコマ収差が発生する。従って、厚みが１．
０ｍｍを越えると、光ディスクを高密度化するために開
口数の高い対物レンズを使った場合、コマ収差が大きく
なり、その結果、ディスク基板が傾いたときにクロスト
ークが大きくなると同時に、ディスクからの戻り光量が
減少するため、Ｓ／Ｎ比が劣化すると共に、ジッターが
増大し過ぎ、好ましくない。
形基板の厚みは１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
即ち、「光学技術コンタクト」２３，Ｎｏ．７，１９８
５の４５１頁の（４）式に記載されているように、傾い
た光ディスク成形基板上には板厚と開口数の３乗に比例
した大きさのコマ収差が発生する。従って、厚みが１．
０ｍｍを越えると、光ディスクを高密度化するために開
口数の高い対物レンズを使った場合、コマ収差が大きく
なり、その結果、ディスク基板が傾いたときにクロスト
ークが大きくなると同時に、ディスクからの戻り光量が
減少するため、Ｓ／Ｎ比が劣化すると共に、ジッターが
増大し過ぎ、好ましくない。
【００１２】本発明においては、光ディスク基板は射出
圧縮成形法によって成形されるが、成形条件としては、
成形温度２７０〜２９０℃、型温８０〜９０℃、型締圧
１０〜２０トンであることが必要である。
圧縮成形法によって成形されるが、成形条件としては、
成形温度２７０〜２９０℃、型温８０〜９０℃、型締圧
１０〜２０トンであることが必要である。
【００１３】成形温度が２７０℃未満、型温が８０℃未
満又は型締圧が１０トン未満では転写性が悪くなり、特
に１ｍｍ厚以下の薄型ディスク基板を得る場合には好ま
しくない。成形温度が３００℃を越えると成形材料が分
解し易くなり、好ましくない。また、型温が９０℃を越
えると成形基板の反りが大きくなり、好ましくない。ま
た、型締圧が２０トンを越えるとディスク基板の反りが
大きくなり、好ましくない。
満又は型締圧が１０トン未満では転写性が悪くなり、特
に１ｍｍ厚以下の薄型ディスク基板を得る場合には好ま
しくない。成形温度が３００℃を越えると成形材料が分
解し易くなり、好ましくない。また、型温が９０℃を越
えると成形基板の反りが大きくなり、好ましくない。ま
た、型締圧が２０トンを越えるとディスク基板の反りが
大きくなり、好ましくない。
【００１４】上記条件で射出圧縮成形することにより、
得られる光ディスク成形基板の反りは２００μｍ以下と
少なく、且つ、得られる光ディスク成形基板表面のピッ
ト又は溝は１．０μｍ以下という優れた転写性が得られ
る。
得られる光ディスク成形基板の反りは２００μｍ以下と
少なく、且つ、得られる光ディスク成形基板表面のピッ
ト又は溝は１．０μｍ以下という優れた転写性が得られ
る。
【００１５】
【実施例】以下に、実施例により本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
【００１６】本発明では、射出成形機（名機製作所
（株）製ダイナメルタＭ−７０Ａ−ＤＭ）を用い、０．
６μｍのピッチを有するピット及び溝が形成されたスタ
ンパーを装着した金型を用い、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６又は１．２ｍｍの光ディスク成形基板を射出圧縮
成形し、その基板について転写性及び反りの状態につい
て評価を行った。
（株）製ダイナメルタＭ−７０Ａ−ＤＭ）を用い、０．
６μｍのピッチを有するピット及び溝が形成されたスタ
ンパーを装着した金型を用い、外径１２０ｍｍ、厚さ
０．６又は１．２ｍｍの光ディスク成形基板を射出圧縮
成形し、その基板について転写性及び反りの状態につい
て評価を行った。
【００１７】評価法としては、光ディスク基板のピット
又は溝が転写されている表面に、導電膜として約２０ｎ
ｍの厚さに金をスパッタし、走査型トンネル顕微鏡（以
下ＳＴＭと略す）を用いて射出圧縮成形基板のピット又
は溝形状を測定した。これらの断面形状から深さを求
め、スタンパのピット又は溝の深さで除した値を転写率
と定義し、転写性の評価基準とした。
又は溝が転写されている表面に、導電膜として約２０ｎ
ｍの厚さに金をスパッタし、走査型トンネル顕微鏡（以
下ＳＴＭと略す）を用いて射出圧縮成形基板のピット又
は溝形状を測定した。これらの断面形状から深さを求
め、スタンパのピット又は溝の深さで除した値を転写率
と定義し、転写性の評価基準とした。
【００１８】また、光ディスクの反りについては、成形
後１日以上室温放置した基板について、ディスク基板の
中心部分に対する、最外周における垂直方向の変位量を
反り量として測定した。
後１日以上室温放置した基板について、ディスク基板の
中心部分に対する、最外周における垂直方向の変位量を
反り量として測定した。
【００１９】［実施例１〜１０、比較例１〜６］透明熱
可塑性樹脂として、メタクリル酸メチル９０重量部及び
アクリル酸メチル１０重量部からなるアクリル系樹脂を
用い、表１に示すシリンダー温度、型温、型締圧の成形
条件にて各種光ディスク成形基板を成形し、表１に示す
厚みの基板を得た。この基板の転写性及び反りについて
の評価結果を表１に示した。
可塑性樹脂として、メタクリル酸メチル９０重量部及び
アクリル酸メチル１０重量部からなるアクリル系樹脂を
用い、表１に示すシリンダー温度、型温、型締圧の成形
条件にて各種光ディスク成形基板を成形し、表１に示す
厚みの基板を得た。この基板の転写性及び反りについて
の評価結果を表１に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の成形方法により、従来得られな
かった、透明なアクリル系樹脂を用い、転写性が優れ、
且つ反りの小さな光ディスク成形基板を得ることが可能
となることから、量産性及びコスト面で非常に優れてお
り、更に得られたディスク成形基板の転写性が良好であ
り、且つ反りが小さいことから、画像の高密度入力が可
能となり、次世代の光ディスク基板として、その効果は
極めて大きいものである。
かった、透明なアクリル系樹脂を用い、転写性が優れ、
且つ反りの小さな光ディスク成形基板を得ることが可能
となることから、量産性及びコスト面で非常に優れてお
り、更に得られたディスク成形基板の転写性が良好であ
り、且つ反りが小さいことから、画像の高密度入力が可
能となり、次世代の光ディスク基板として、その効果は
極めて大きいものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 アクリル系樹脂を、成形温度２７０〜２
９０℃、型温８０〜９０℃、型締圧１０〜２０トンの成
形条件で射出圧縮成形することを特徴とする、転写性に
優れた光ディスク成形基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29227093A JPH07144351A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 転写性に優れた光ディスク成形基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29227093A JPH07144351A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 転写性に優れた光ディスク成形基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07144351A true JPH07144351A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17779588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29227093A Pending JPH07144351A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 転写性に優れた光ディスク成形基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07144351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5787068A (en) * | 1996-11-07 | 1998-07-28 | Imation Corp. | Method and arrangement for preventing unauthorized duplication of optical discs using barriers |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP29227093A patent/JPH07144351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5787068A (en) * | 1996-11-07 | 1998-07-28 | Imation Corp. | Method and arrangement for preventing unauthorized duplication of optical discs using barriers |
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