JPS58153241A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
- Publication number
- JPS58153241A JPS58153241A JP57034738A JP3473882A JPS58153241A JP S58153241 A JPS58153241 A JP S58153241A JP 57034738 A JP57034738 A JP 57034738A JP 3473882 A JP3473882 A JP 3473882A JP S58153241 A JPS58153241 A JP S58153241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- coating layer
- layer
- metal coating
- ethylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ディスクに関し1詳細には一ディスク基材と
して主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートであ
り〉かつ10・4以上の固有粘度を有する共重合ポリエ
ステル樹脂(以下単に共重合ぎりエステルと云うこ2が
ある)を使用してなる1透明性1非旋光性(非複屈折性
)S耐温性−耐衝撃性1耐薬品性1成彫忠実性等に優れ
た光ディスクに関するものである。
して主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレートであ
り〉かつ10・4以上の固有粘度を有する共重合ポリエ
ステル樹脂(以下単に共重合ぎりエステルと云うこ2が
ある)を使用してなる1透明性1非旋光性(非複屈折性
)S耐温性−耐衝撃性1耐薬品性1成彫忠実性等に優れ
た光ディスクに関するものである。
≠イスクの片面に1光エネルギーによって変化可能な記
録層(以下情報ビットという)を彫威し1その露出側に
金属被覆層を形成してディスク面側からレーザー光線を
照射し情報を再生するタイプの情報記録・再生ディスク
として1ビデオデイスクやオーディオデスク等が開発さ
れ1最近急速に発展してきている◎この種のディスク材
料としては硬質塩化ビニル系樹脂−ボリカーボネーF系
樹脂、ポリ□メタクリル酸メチル系樹脂Sぼりエチレン
テレフタレート樹脂については一部で実用化が進められ
ている。しかしながらこれら公知の光デイスク材料には
以下に示す様な欠点があり1汎用性を高めていくうえで
大きな隘路となっている。
録層(以下情報ビットという)を彫威し1その露出側に
金属被覆層を形成してディスク面側からレーザー光線を
照射し情報を再生するタイプの情報記録・再生ディスク
として1ビデオデイスクやオーディオデスク等が開発さ
れ1最近急速に発展してきている◎この種のディスク材
料としては硬質塩化ビニル系樹脂−ボリカーボネーF系
樹脂、ポリ□メタクリル酸メチル系樹脂Sぼりエチレン
テレフタレート樹脂については一部で実用化が進められ
ている。しかしながらこれら公知の光デイスク材料には
以下に示す様な欠点があり1汎用性を高めていくうえで
大きな隘路となっている。
即ち硬質塩化ビニル系樹脂では、添加剤(成形性改曽の
為の可塑剤等)がディスク表面に法用(ブリード)して
経時的に光線透過率が低下し、再生精度が低下するとい
う間歇がある・一方可蝦剤等の添加量を少なくすると、
ディスク成形時に光学的歪が発生して旋光性が生じる等
の間歇が生じ1高感度・高精度が使命とされる光デイス
ク材料としては至金的である。
為の可塑剤等)がディスク表面に法用(ブリード)して
経時的に光線透過率が低下し、再生精度が低下するとい
う間歇がある・一方可蝦剤等の添加量を少なくすると、
ディスク成形時に光学的歪が発生して旋光性が生じる等
の間歇が生じ1高感度・高精度が使命とされる光デイス
ク材料としては至金的である。
會たメリカーボネート系樹脂は透明性、耐熱性1機械的
性質等において極めて優れているが1硬質である為成形
性に難点があり、成形時に光学的歪が生じ易い(レター
デージ曹ン値が大きく旋光性が生じる)0この為該樹脂
で製作した光ディスクでは再生(読取り)時に誤差(ノ
イズ)が生じ易い0しかも成形性が悪い為、スタンパ−
に形成された情報ビット刻設用微細凹凸を忠実に再現さ
せるのが困難であり、やはり感度及び精度が不足する・ これに対しポリメタクリル酸メチル系重合体は透明性1
非旋光性に優れているか1耐湿性が乏しく空気中の水分
を吸収して表面側が膨張し反りが生じるという問題があ
る・この様な問題に対処する為、ディスク板と同厚の補
強板を貼合して反り防止を図っているが1満足し得るも
のとは言い難い。しかもこの樹脂は機械的強度殊に耐衝
撃強度が劣悪で割れ易く、また硬質である為成形性にも
問題がある@この様な高硬度ゆえの難点をポリメタクリ
ル酸エチルやポリメタクリル酸ブチル等の添加によって
改着しようとする動きもあるが、耐熱性が乏しくなり1
実用面で障害になる・また、ポリエチレンテレフタレー
ト樹脂は、機械的性質、耐熱性等において優れているが
IIL形時の高結晶性のため1透明性を有するディスク
成形体が得がたく、またたとえ成形時の高結晶性を抑え
た場合でも、なお1透明性が不充分であり非常に高度の
透明性を必要とされる光ディスク用達には不適当である
。
性質等において極めて優れているが1硬質である為成形
性に難点があり、成形時に光学的歪が生じ易い(レター
デージ曹ン値が大きく旋光性が生じる)0この為該樹脂
で製作した光ディスクでは再生(読取り)時に誤差(ノ
イズ)が生じ易い0しかも成形性が悪い為、スタンパ−
に形成された情報ビット刻設用微細凹凸を忠実に再現さ
せるのが困難であり、やはり感度及び精度が不足する・ これに対しポリメタクリル酸メチル系重合体は透明性1
非旋光性に優れているか1耐湿性が乏しく空気中の水分
を吸収して表面側が膨張し反りが生じるという問題があ
る・この様な問題に対処する為、ディスク板と同厚の補
強板を貼合して反り防止を図っているが1満足し得るも
のとは言い難い。しかもこの樹脂は機械的強度殊に耐衝
撃強度が劣悪で割れ易く、また硬質である為成形性にも
問題がある@この様な高硬度ゆえの難点をポリメタクリ
ル酸エチルやポリメタクリル酸ブチル等の添加によって
改着しようとする動きもあるが、耐熱性が乏しくなり1
実用面で障害になる・また、ポリエチレンテレフタレー
ト樹脂は、機械的性質、耐熱性等において優れているが
IIL形時の高結晶性のため1透明性を有するディスク
成形体が得がたく、またたとえ成形時の高結晶性を抑え
た場合でも、なお1透明性が不充分であり非常に高度の
透明性を必要とされる光ディスク用達には不適当である
。
本発明者等は上記の様な事情に着目し1光デイスクの汎
用性を高めていく為にはその要求特性に応じた最適の樹
脂を見出す必要があると考え、その線に沿って研究を進
めてきた0そして以下に示す如き要求特性を全て満足し
得る様な光ディスクの開発を期して鋭意研究を行なった
O ■ レーザー光線に光学的な歪を与えず(非旋光性)、
シかもレーザー光線を十分に透過する透明性を有してい
ること0 ■ 光ディスクは読み取り誤差が生じない様子面性の維
持(反りが生じないこと)が不可欠であり、反りを生じ
る最大の原因は吸湿性にあると考えられる@光ディスク
の片面側に形成される情報ビツシ側にはル−ザー光線反
射用の金属被覆層が形成されているので、透明樹脂にも
金属なみの耐mii性を与える必要があるO ■ 光ディスクの製造作業性や使用時のハンドリング等
を考えるとある程度の機械的強度が必要である0 の レーザー光線により情報を読み取るタイプの情報デ
ィスク用の材料としては1情報記録密度□が高いのでこ
れらを情報ビットとして刻む為のスタンパ−の微細な凹
凸を忠実に再現し得る成形性を有すること。
用性を高めていく為にはその要求特性に応じた最適の樹
脂を見出す必要があると考え、その線に沿って研究を進
めてきた0そして以下に示す如き要求特性を全て満足し
得る様な光ディスクの開発を期して鋭意研究を行なった
O ■ レーザー光線に光学的な歪を与えず(非旋光性)、
シかもレーザー光線を十分に透過する透明性を有してい
ること0 ■ 光ディスクは読み取り誤差が生じない様子面性の維
持(反りが生じないこと)が不可欠であり、反りを生じ
る最大の原因は吸湿性にあると考えられる@光ディスク
の片面側に形成される情報ビツシ側にはル−ザー光線反
射用の金属被覆層が形成されているので、透明樹脂にも
金属なみの耐mii性を与える必要があるO ■ 光ディスクの製造作業性や使用時のハンドリング等
を考えるとある程度の機械的強度が必要である0 の レーザー光線により情報を読み取るタイプの情報デ
ィスク用の材料としては1情報記録密度□が高いのでこ
れらを情報ビットとして刻む為のスタンパ−の微細な凹
凸を忠実に再現し得る成形性を有すること。
本発明は、かかる研究の結果完成されたものであってそ
の構成は1主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレー
トであり1かつ0.4以上の固有粘度を有するエチレン
テレフタレート系共重合ぎりエステル系樹脂からなる光
学的に透明なプレートの片面に1光エネルギーによって
変化可能な記一層を形成すると共に、該記録層の表面に
又射面を構成する金属被覆層を形成してなり1該金属被
覆層の反射側からレーザー光線を照射することにより情
報を再生可能にしたところに要旨が存在°する・本発明
で使用する主たる繰り返し単位がエチレンテレ7タレー
シである共重合ポリエステルとはテレフタル酸およびエ
チレングリコールな主成分とし1第3成分(共重合成分
)としてイソフタル酸1アジピン酸1セバシン酸1す7
タレンジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸
1ヘキサヒドロテレフタル酸岬の酸成分、トリメチレン
グリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチル
グリフール、ヘキサメチレングリコール、シフ田ヘキサ
ンジメタツール1ジエチレングリコール、怠、1−ビス
(4−ヒトジキシフェニル)プロパン、怠、2−ビス(
4−ヒドソキシエトキシフェニル)プロパン、ポリエチ
レングリコール1ボリプ菅ピレングリコール、ポリテト
ラメチレングリコール等のグリコール成分、P−オキシ
安息香酸、!−ヒト田エトキシ安息香酸等のヒドロキシ
酸等を共重合したポリエステルを意味するO第3成分は
2種以上併用しても差支えない。特に好ましい第3成分
はイソフタル酸および/またはネオペンチルダリコール
であるO特に好ましい共重合ポリエステルはエチレンテ
レ7タレートイソフタレート共重会体である0 また共重合ぎりエステルに占めるエチレンテレ7タレー
シの量はフO〜97モル噂、好ましくは80〜9!Iモ
ル襲、更に好ましくは86〜95モル憾である0エチレ
ンテレフタレート繰り返し単位カフ0モル襲以下になる
と光ディスクの機械的性質1耐熱性更に耐薬品性が低下
する〇一方9’Fモル−を越えると透明性が不充分とな
ること、あるいは光学的歪みが太き(なること(レター
デージ璽ン値が大きくなること)等ポリエチレンテレ7
タレーF樹脂と同様の欠点を生じる◎本発明に好ましい
エチレンテレ7タレー)系共重合ポリエステルの固有粘
度はSフェノールト?トラクpロエタンの3対2混金溶
媒を使用し〜SO℃で測定した値が0,4〜o、as好
ましくは0.48〜0.〒5特に好ましくはo、s 〜
O,’F Oであるoll有粘度が0.4以下の場合は
、機械的強度が不充分である0他方固有語度が0,86
以上の場合は、樹脂製造コストが高くつく以外にディス
ク成型時に光学的歪みを生じやすくなる◎ 次に本発明に係る光ディスクの製造法を簡単に説明する
@第1図(概略工程図)及び第8図(各工程における成
形体の説明図)に示す如く1ガテス基鍾1の7オトレジ
ストWB1′に蒸着又は無電解メッキ法で導電性膜を形
成した後ニラナル電鋳を行ない、マスター盤1&、!ザ
ー盤1m1%次いで大量複製の為の雌1[(スタンパ−
)2を作製する。
の構成は1主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレー
トであり1かつ0.4以上の固有粘度を有するエチレン
テレフタレート系共重合ぎりエステル系樹脂からなる光
学的に透明なプレートの片面に1光エネルギーによって
変化可能な記一層を形成すると共に、該記録層の表面に
又射面を構成する金属被覆層を形成してなり1該金属被
覆層の反射側からレーザー光線を照射することにより情
報を再生可能にしたところに要旨が存在°する・本発明
で使用する主たる繰り返し単位がエチレンテレ7タレー
シである共重合ポリエステルとはテレフタル酸およびエ
チレングリコールな主成分とし1第3成分(共重合成分
)としてイソフタル酸1アジピン酸1セバシン酸1す7
タレンジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸
1ヘキサヒドロテレフタル酸岬の酸成分、トリメチレン
グリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチル
グリフール、ヘキサメチレングリコール、シフ田ヘキサ
ンジメタツール1ジエチレングリコール、怠、1−ビス
(4−ヒトジキシフェニル)プロパン、怠、2−ビス(
4−ヒドソキシエトキシフェニル)プロパン、ポリエチ
レングリコール1ボリプ菅ピレングリコール、ポリテト
ラメチレングリコール等のグリコール成分、P−オキシ
安息香酸、!−ヒト田エトキシ安息香酸等のヒドロキシ
酸等を共重合したポリエステルを意味するO第3成分は
2種以上併用しても差支えない。特に好ましい第3成分
はイソフタル酸および/またはネオペンチルダリコール
であるO特に好ましい共重合ポリエステルはエチレンテ
レ7タレートイソフタレート共重会体である0 また共重合ぎりエステルに占めるエチレンテレ7タレー
シの量はフO〜97モル噂、好ましくは80〜9!Iモ
ル襲、更に好ましくは86〜95モル憾である0エチレ
ンテレフタレート繰り返し単位カフ0モル襲以下になる
と光ディスクの機械的性質1耐熱性更に耐薬品性が低下
する〇一方9’Fモル−を越えると透明性が不充分とな
ること、あるいは光学的歪みが太き(なること(レター
デージ璽ン値が大きくなること)等ポリエチレンテレ7
タレーF樹脂と同様の欠点を生じる◎本発明に好ましい
エチレンテレ7タレー)系共重合ポリエステルの固有粘
度はSフェノールト?トラクpロエタンの3対2混金溶
媒を使用し〜SO℃で測定した値が0,4〜o、as好
ましくは0.48〜0.〒5特に好ましくはo、s 〜
O,’F Oであるoll有粘度が0.4以下の場合は
、機械的強度が不充分である0他方固有語度が0,86
以上の場合は、樹脂製造コストが高くつく以外にディス
ク成型時に光学的歪みを生じやすくなる◎ 次に本発明に係る光ディスクの製造法を簡単に説明する
@第1図(概略工程図)及び第8図(各工程における成
形体の説明図)に示す如く1ガテス基鍾1の7オトレジ
ストWB1′に蒸着又は無電解メッキ法で導電性膜を形
成した後ニラナル電鋳を行ない、マスター盤1&、!ザ
ー盤1m1%次いで大量複製の為の雌1[(スタンパ−
)2を作製する。
次いで該スタンパ−を母蓋にして前記共重合ポリエステ
ルを用いて押出し1圧縮成影1射出成形等でディスク基
盤3の成形と同時に情報ピッ)4を刻設し1この情報ビ
ット4形成面、に金属被覆層5を3Il虞する。
ルを用いて押出し1圧縮成影1射出成形等でディスク基
盤3の成形と同時に情報ピッ)4を刻設し1この情報ビ
ット4形成面、に金属被覆層5を3Il虞する。
崗ディスク基盤**重合体を架橋させる場合は)情報ピ
ッ)4を形成した後の任意の工程で行なえばよい。金属
被覆層器は、透明なディスク基盤30表面側から照射さ
れるレーザー光線を情報ピッ)4の函で反射させる為の
もので、金属の種類は特に制限されないが、最も一般的
なのはアルミニウム、り田ム1金−銀、銅1スズ等であ
り1被覆層s #)形成性は蒸着法、スパッタリング法
1イオンブレーテイング法等、従来から知られた全ての
方法を採用することができるOまだその厚さは1上記反
射能が有効に発揮される限り格別の制約はないが1該被
覆層の物性と経済性の両面を満足するうえで最も一般的
なのは500〜1500A程度好ましくはマ00〜80
0ム程度である。
ッ)4を形成した後の任意の工程で行なえばよい。金属
被覆層器は、透明なディスク基盤30表面側から照射さ
れるレーザー光線を情報ピッ)4の函で反射させる為の
もので、金属の種類は特に制限されないが、最も一般的
なのはアルミニウム、り田ム1金−銀、銅1スズ等であ
り1被覆層s #)形成性は蒸着法、スパッタリング法
1イオンブレーテイング法等、従来から知られた全ての
方法を採用することができるOまだその厚さは1上記反
射能が有効に発揮される限り格別の制約はないが1該被
覆層の物性と経済性の両面を満足するうえで最も一般的
なのは500〜1500A程度好ましくはマ00〜80
0ム程度である。
本発明の光ディスクは上記の構成でその目的を発揮する
が一実用化に当っては金属被覆層器の剥離や裂傷等を防
止する為保護層6(エポキシ樹脂−メタクリル樹脂、ウ
レタン樹脂或いはシリコン等の無機樹脂等)を形成する
のがよいOまたディスク基盤Sのレーザー光線入射側表
面にも、同様の趣旨で表面硬化保護層S′を形成するこ
とにより1その寿命を長くすることができるO 又上記の例では1枚のディスク基盤3を用いて片面側の
みから記録情報を再生し得る様にしたが1例えば第3図
に示す如く、金属被覆層5が対面する様に2枚を接着剤
フで合体させれば1表・哀願を記録再生面として利用す
ることができる・本発明は概略以上の様に構成されてお
り1その効果を要約すれば下記の通りであるO ■ 共重合ポリエステルは透明性及び非旋光性が極めて
良好であり1記録再生源たるレーザー光線の進行方向性
を阻害することがないOしかも耐吸湿性は金属と同程度
の低レベルであるから保存−に反りが生じる様な恐れが
なく・會た適度の耐熱性も具備しているから1長期間に
亘って記鋒情報の保管と高精度の再生能を維持するO■
共重合ポリエステルは優れた成形性を有しているから
1スタンパ−の微細で微密な凹凸な忠実に再興すること
ができ、情報の記録・再生精度が高い0 次に本発明の実施例を示すが、下記はもとより本発明を
限定する性質のものではないO尚下記爽篇例において最
大レターデージ冒ン値及び耐温性とは鴫下記の方法で測
定した値を言うO(最大レターデージ璽ン値(R値)〕 偏光顕微鏡を備えたセナルモンコンペンセーター(日本
地科学社製)を用い、ナトリウムランプを光源として濶
走したO (耐温性〕 得られた光ディスクを951GR1!%40℃の雰囲気
中に数置し、1時間毎に取り出して第4図に示す要領で
反り(荀を測定した0 以下余白 (&) プレ7タル酸ジメチルIS9部、イソフタル
酸ジメチル11部とエチレングリフール70部とを酢酸
マン120.028部と二酸化アルミニウム0.084
部を触媒として窒素雰囲気下140−1180℃に加熱
してエステル交換反応を行ない、生成したメタノールを
系外に留去した。反応開始後zwgsO分でエステル交
換反応が完了した。得られたエステル交換生成物に燐酸
トリメチル0.04ffi部を添加し、10分間攪拌後
反応系を徐々に減圧、昇温し、最終的にgaot)、O
,S■−の減圧下で約2時間重合を行なった0重合完了
後水中で3.4−X 8.4■×番、〇−の粒子状にカ
ッティングをした0得られた共重合ポリエステルの固有
粘度はo、g sであった。
が一実用化に当っては金属被覆層器の剥離や裂傷等を防
止する為保護層6(エポキシ樹脂−メタクリル樹脂、ウ
レタン樹脂或いはシリコン等の無機樹脂等)を形成する
のがよいOまたディスク基盤Sのレーザー光線入射側表
面にも、同様の趣旨で表面硬化保護層S′を形成するこ
とにより1その寿命を長くすることができるO 又上記の例では1枚のディスク基盤3を用いて片面側の
みから記録情報を再生し得る様にしたが1例えば第3図
に示す如く、金属被覆層5が対面する様に2枚を接着剤
フで合体させれば1表・哀願を記録再生面として利用す
ることができる・本発明は概略以上の様に構成されてお
り1その効果を要約すれば下記の通りであるO ■ 共重合ポリエステルは透明性及び非旋光性が極めて
良好であり1記録再生源たるレーザー光線の進行方向性
を阻害することがないOしかも耐吸湿性は金属と同程度
の低レベルであるから保存−に反りが生じる様な恐れが
なく・會た適度の耐熱性も具備しているから1長期間に
亘って記鋒情報の保管と高精度の再生能を維持するO■
共重合ポリエステルは優れた成形性を有しているから
1スタンパ−の微細で微密な凹凸な忠実に再興すること
ができ、情報の記録・再生精度が高い0 次に本発明の実施例を示すが、下記はもとより本発明を
限定する性質のものではないO尚下記爽篇例において最
大レターデージ冒ン値及び耐温性とは鴫下記の方法で測
定した値を言うO(最大レターデージ璽ン値(R値)〕 偏光顕微鏡を備えたセナルモンコンペンセーター(日本
地科学社製)を用い、ナトリウムランプを光源として濶
走したO (耐温性〕 得られた光ディスクを951GR1!%40℃の雰囲気
中に数置し、1時間毎に取り出して第4図に示す要領で
反り(荀を測定した0 以下余白 (&) プレ7タル酸ジメチルIS9部、イソフタル
酸ジメチル11部とエチレングリフール70部とを酢酸
マン120.028部と二酸化アルミニウム0.084
部を触媒として窒素雰囲気下140−1180℃に加熱
してエステル交換反応を行ない、生成したメタノールを
系外に留去した。反応開始後zwgsO分でエステル交
換反応が完了した。得られたエステル交換生成物に燐酸
トリメチル0.04ffi部を添加し、10分間攪拌後
反応系を徐々に減圧、昇温し、最終的にgaot)、O
,S■−の減圧下で約2時間重合を行なった0重合完了
後水中で3.4−X 8.4■×番、〇−の粒子状にカ
ッティングをした0得られた共重合ポリエステルの固有
粘度はo、g sであった。
(k、) 予め成製したオーディオディスク用スタン
バ−を射出成形様の金製に装着し、これに(&)で得た
エチレンテレフタレート系共重合ぎりZスfkを適用し
てシリンダ一温度:s00℃、射出圧カニ260#/d
、金型温度:怠δ℃で射出成形し、片面に情報ピッ)4
0形成された透明なディスク基盤3(直径λ怠O鶴、厚
さ1.2鵠)を得た0このディスタ基盤se情報ビット
4形成面偏に、真空蒸着法によって約1000ムのアル
ミニウム薄膜(金員被覆層5)を形成した後、その表面
にメチルアクリレー)(4Ot量部)、メチルアクリレ
−)(s重量部)、エチレングリコールジメタクリレー
ト(ZS重量部)、シリメチ四−ルプロパントリメタク
リレート(40重量部)及びベンゾインエチルエーテル
(0,1重量部)からなる樹脂を塗布し、紫外線テンプ
で紫外線を約20分間照射して条横させ、厚さ約16μ
−の裏面保饅層6を形成した。得られた光ディスクの断
面構造は、第5図に略記した通りである。
バ−を射出成形様の金製に装着し、これに(&)で得た
エチレンテレフタレート系共重合ぎりZスfkを適用し
てシリンダ一温度:s00℃、射出圧カニ260#/d
、金型温度:怠δ℃で射出成形し、片面に情報ピッ)4
0形成された透明なディスク基盤3(直径λ怠O鶴、厚
さ1.2鵠)を得た0このディスタ基盤se情報ビット
4形成面偏に、真空蒸着法によって約1000ムのアル
ミニウム薄膜(金員被覆層5)を形成した後、その表面
にメチルアクリレー)(4Ot量部)、メチルアクリレ
−)(s重量部)、エチレングリコールジメタクリレー
ト(ZS重量部)、シリメチ四−ルプロパントリメタク
リレート(40重量部)及びベンゾインエチルエーテル
(0,1重量部)からなる樹脂を塗布し、紫外線テンプ
で紫外線を約20分間照射して条横させ、厚さ約16μ
−の裏面保饅層6を形成した。得られた光ディスクの断
面構造は、第5図に略記した通りである。
実施例 龜
(&) テレフタル酸ジメチル100部とエチレンダ
リフール@011、ネオペンチルグリコール10部とを
酢酸マンガンo、ogswLと二酸化アルミニウム0,
084 ℃でエステル交換反応を行い、生成したメタノールを系
外に留去した。反応開始後2時間40分でエステル交換
反応が完了した。得られたエステル交換生成物に燐酸ト
リメチル0.04部部を添加し10分間攪拌後反応系を
徐々に減圧昇温し、最終的にj!80℃0.2mHgの
減圧下で怠時間go分重合を行なった。重合完了後水中
で8,4 lll5 X !1.4 m x 4−の粒
子状にカッティングをした。
リフール@011、ネオペンチルグリコール10部とを
酢酸マンガンo、ogswLと二酸化アルミニウム0,
084 ℃でエステル交換反応を行い、生成したメタノールを系
外に留去した。反応開始後2時間40分でエステル交換
反応が完了した。得られたエステル交換生成物に燐酸ト
リメチル0.04部部を添加し10分間攪拌後反応系を
徐々に減圧昇温し、最終的にj!80℃0.2mHgの
減圧下で怠時間go分重合を行なった。重合完了後水中
で8,4 lll5 X !1.4 m x 4−の粒
子状にカッティングをした。
得られた共重合ポリエステルの[V粘度はo.!Saで
あった〇 (1)) (&)で得られた共重合ぎりエステルを用
いて実施例′lと同様に、情報ビット4の側設された直
径120mm、厚さ1.j!−の透明ディスク基盤Sを
射出成形した。(シリンダ一温度t 300℃、射出圧
力+gao%、金製温度=25℃)このディスて光ディ
スクを得た。
あった〇 (1)) (&)で得られた共重合ぎりエステルを用
いて実施例′lと同様に、情報ビット4の側設された直
径120mm、厚さ1.j!−の透明ディスク基盤Sを
射出成形した。(シリンダ一温度t 300℃、射出圧
力+gao%、金製温度=25℃)このディスて光ディ
スクを得た。
比較例 L
市販のポリエチレンテレフタレート樹脂(millF粘
度0.8)を使用した錦は実施例1と同様の方法で、情
報ピッ)4を有する透明ディスク基盤Sを射tH成形し
た(シリンダ一温度310℃、射出圧力i lIO智、
金IIs度!25℃)。このディスつて光ディスクを得
た。
度0.8)を使用した錦は実施例1と同様の方法で、情
報ピッ)4を有する透明ディスク基盤Sを射tH成形し
た(シリンダ一温度310℃、射出圧力i lIO智、
金IIs度!25℃)。このディスつて光ディスクを得
た。
比較例 2
(&) プレ7タル酸ジメチル89部、イソフタル酸
ジメチル71部とエチレングリ;−ルア0部とを用いた
他は、実施例1(&)と同様にして、固有粘度1.OX
のエチレンイン7タレート系共重合ぎりエステルを得た
。(最終重合条件1怠60℃O,S−減圧下、6時間) >) (&)で得たプリエチレンイソ7タレート系共
電合lリエステル樹脂な使用した他は実施例1と同様の
方法で清報ピッ)番を有する透明ディスク基盤3を射出
成形した。(シリンダ一温度:3oO℃、射出圧力!1
50%、金ml11度:86℃)を形成してネディスク
を得た0 比較例 & 市販のぎりメタクリレート樹脂を使用した他は実施例1
と同様の方法で、情報ビット番を有する透明ディスク基
盤3を射出成形した(シリンダ温度1J!@O℃、射出
圧カニ601、金製温度1マO面保護層6を形成して光
ディスクを得た◎上記実施例及び比較例で得た各党ディ
スクの特性、並びに中間体たる透明ディスク基盤の特性
を第1表に一括して示す。
ジメチル71部とエチレングリ;−ルア0部とを用いた
他は、実施例1(&)と同様にして、固有粘度1.OX
のエチレンイン7タレート系共重合ぎりエステルを得た
。(最終重合条件1怠60℃O,S−減圧下、6時間) >) (&)で得たプリエチレンイソ7タレート系共
電合lリエステル樹脂な使用した他は実施例1と同様の
方法で清報ピッ)番を有する透明ディスク基盤3を射出
成形した。(シリンダ一温度:3oO℃、射出圧力!1
50%、金ml11度:86℃)を形成してネディスク
を得た0 比較例 & 市販のぎりメタクリレート樹脂を使用した他は実施例1
と同様の方法で、情報ビット番を有する透明ディスク基
盤3を射出成形した(シリンダ温度1J!@O℃、射出
圧カニ601、金製温度1マO面保護層6を形成して光
ディスクを得た◎上記実施例及び比較例で得た各党ディ
スクの特性、並びに中間体たる透明ディスク基盤の特性
を第1表に一括して示す。
嬉1表からも明らかな様に、lリエチレンテレ7タレー
ト樹脂よりなるディスク基盤を用いたもの(比較例1)
は、耐湿性、耐衝撃性は良好なものの、光線透過率が著
しく悪く、また最大レターデージ璽ン値が悪い。また、
固有粘度1.01のエチレンイソ7タレート系共重合ポ
リエステル樹脂よりなるディスク基盤を用いたもの(比
較例怠)は、光線透過率の面で良好なものの、吸水率、
最大レターデージ璽ン値、耐熱性の面で劣ってしする。
ト樹脂よりなるディスク基盤を用いたもの(比較例1)
は、耐湿性、耐衝撃性は良好なものの、光線透過率が著
しく悪く、また最大レターデージ璽ン値が悪い。また、
固有粘度1.01のエチレンイソ7タレート系共重合ポ
リエステル樹脂よりなるディスク基盤を用いたもの(比
較例怠)は、光線透過率の面で良好なものの、吸水率、
最大レターデージ璽ン値、耐熱性の面で劣ってしする。
更に、プリメタタリレー)樹脂よりなるディスク基盤を
用いたもの(比較例3)は、光線透過率、最大レターデ
ージ冒ン値は良好なものの耐衝撃性が悪く、シかも耐吸
濠性が悪いため保存時に反りが生じて記録情報の再生精
度が低下する。これらに対して本発明の要件を全て満足
する実施例1〜2は、あらゆる要求特性において優れた
結果が得られている0 以下余白 !I彫成面側を合わせて厚さHopのポリブタジェン層
(it!着剤層マ)を介して貼合し、両面再生型の光デ
ィスクを得た・この光ディスクの断面構造はlls図に
略記した通りである。
用いたもの(比較例3)は、光線透過率、最大レターデ
ージ冒ン値は良好なものの耐衝撃性が悪く、シかも耐吸
濠性が悪いため保存時に反りが生じて記録情報の再生精
度が低下する。これらに対して本発明の要件を全て満足
する実施例1〜2は、あらゆる要求特性において優れた
結果が得られている0 以下余白 !I彫成面側を合わせて厚さHopのポリブタジェン層
(it!着剤層マ)を介して貼合し、両面再生型の光デ
ィスクを得た・この光ディスクの断面構造はlls図に
略記した通りである。
第1Wiは光ディスクの製造法を例示する概略工程図、
第1図は第1wの各工程における成形体の説明図、第s
IIは本発明に係る光ディスクを例示する断面略図、第
4Wiは耐吸濃性の灘定法を示す説明図、第6.6図は
実施例で得た光ディスクを示す断面略図である。 1・―・ガラス基盤 2・・・スタンバ−特許出願人
東洋紡績株式会社 第1図 ↓ [=二] 第2図 吟返賢X扉ン2 ム
第1図は第1wの各工程における成形体の説明図、第s
IIは本発明に係る光ディスクを例示する断面略図、第
4Wiは耐吸濃性の灘定法を示す説明図、第6.6図は
実施例で得た光ディスクを示す断面略図である。 1・―・ガラス基盤 2・・・スタンバ−特許出願人
東洋紡績株式会社 第1図 ↓ [=二] 第2図 吟返賢X扉ン2 ム
Claims (1)
- (1)主たる纏り返し単位がエチレンテレ7タレー)で
あり1かっSo、4以上の固有粘度を有する共重合ポリ
エステル樹脂からなる光学的に透明なプレートの片面に
1光エネルギーによって変化可能な記録層を構威すると
共に、蒙記鈴層の露出側に金属被覆層を形成してなるこ
とを特徴とする光ディスク。 (1) 特許請求の範W第1項において1同項記載の
金属被覆層廖威鈑を1該金属被覆層形成面側が対内する
皺に接着剤を介して貼合し1両面を記録・再生可能に構
成してなる光ディスク。 ($) 特許請求の範囲第1〜J!項のいずれかにお
いて1金属被覆層の露出側に裏面保護層を形成したもの
である光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57034738A JPS58153241A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57034738A JPS58153241A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58153241A true JPS58153241A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12422654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57034738A Pending JPS58153241A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58153241A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60191446A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-28 | Daikin Ind Ltd | 光デイスク材料 |
EP0368442A2 (en) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Pioneer Electronic Corporation | Optical information record carrier and the method of producing the same |
JPH04205736A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | Kanebo Ltd | 透明性ポリエステルディスク基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54100703A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Production of record disc |
JPS5690438A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Optical recording medium |
JPS57208645A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Teijin Ltd | Transparent plastic board for information recording medium |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP57034738A patent/JPS58153241A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54100703A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Production of record disc |
JPS5690438A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-22 | Fujitsu Ltd | Optical recording medium |
JPS57208645A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Teijin Ltd | Transparent plastic board for information recording medium |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60191446A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-28 | Daikin Ind Ltd | 光デイスク材料 |
JPH0434214B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1992-06-05 | Daikin Ind Ltd | |
EP0368442A2 (en) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Pioneer Electronic Corporation | Optical information record carrier and the method of producing the same |
JPH04205736A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-27 | Kanebo Ltd | 透明性ポリエステルディスク基板 |
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