JPH04205736A - 透明性ポリエステルディスク基板 - Google Patents
透明性ポリエステルディスク基板Info
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- JPH04205736A JPH04205736A JP2333156A JP33315690A JPH04205736A JP H04205736 A JPH04205736 A JP H04205736A JP 2333156 A JP2333156 A JP 2333156A JP 33315690 A JP33315690 A JP 33315690A JP H04205736 A JPH04205736 A JP H04205736A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザー光により情報を再生する光ディスク
の基板に係り、更に詳細には複屈折が小さく、透明性で
寸法 形態安定性に優れ、音声、画像、文章の情報信号
を盤上の凹凸信号として記録する再生専用に好適な安価
な透明性ポリエステルディスク基板に関する。
の基板に係り、更に詳細には複屈折が小さく、透明性で
寸法 形態安定性に優れ、音声、画像、文章の情報信号
を盤上の凹凸信号として記録する再生専用に好適な安価
な透明性ポリエステルディスク基板に関する。
レーザー光を用いて、ディスク基板上の微細な凹凸信号
を検出し、音声、画像を再生する光デイスクレコードは
、近年急速に用途が拡大している。この光デイスク基板
上の凹凸はサブミクロンの精度及びその寸法安定性、更
に成形性がよいこと等が必要である。また、光学特性と
して、基板の透明性がよいこと及び複屈折として12m
mの厚みのディスクでのレターデーションが1100n
以下であることが必要である(「光ディスクの評価・測
定技術1日本工業技術センター、1988年発行)、こ
のためこれらの製品はかなり高額なものとなっているの
が現状である。従来、このような光デイスク基板として
は、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなど
の透明性プラスチック材料が使用されている。また、特
殊な芳香族ポリエステル共重合樹脂(特開昭57−20
8645号公報、特開平2−98845号公報、同2−
38428号公報)が提案されている。 しかし、ポリメチルメククリレーh (PMMA)は光
学特性の、屯では良い特性を示すが、吸湿性が大きくデ
ィスクが空気中の水分を吸収してソリかでやす(、これ
を防ぐため同じものを2枚重ねて張り合せているが製造
が複雑となり高価なものとなっている。また、ポリカー
ボネート(PC)は吸湿性は低くソリは出ないが、(穴
動性が嬰く、成型性の問題があるばかりでなく、複屈折
も小さくない。さらに高価な原料を使い、製造工程では
毒性の高いホスゲンを用いるという問題がある。一方、
芳香族ポリエステル共重合樹脂を提案した特開昭57−
208645号公報、特開平2−98845号公報、同
2−38428号公報によるものは、光学特性や耐〆兄
性等はよいが、1.4−シクロへキづンジメタノール、
2.2−ビス(4−ヒドロキシエトキシフェニル)プロ
パン、2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、ジフェニル−2,2−ジカルボン酸
など高価な原料を用いるため経済的には必ずしも満足で
きるのではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が小
さ(て、成型性のよい、経済的に有利な光デイスク基板
の開発が望まれている。
を検出し、音声、画像を再生する光デイスクレコードは
、近年急速に用途が拡大している。この光デイスク基板
上の凹凸はサブミクロンの精度及びその寸法安定性、更
に成形性がよいこと等が必要である。また、光学特性と
して、基板の透明性がよいこと及び複屈折として12m
mの厚みのディスクでのレターデーションが1100n
以下であることが必要である(「光ディスクの評価・測
定技術1日本工業技術センター、1988年発行)、こ
のためこれらの製品はかなり高額なものとなっているの
が現状である。従来、このような光デイスク基板として
は、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネートなど
の透明性プラスチック材料が使用されている。また、特
殊な芳香族ポリエステル共重合樹脂(特開昭57−20
8645号公報、特開平2−98845号公報、同2−
38428号公報)が提案されている。 しかし、ポリメチルメククリレーh (PMMA)は光
学特性の、屯では良い特性を示すが、吸湿性が大きくデ
ィスクが空気中の水分を吸収してソリかでやす(、これ
を防ぐため同じものを2枚重ねて張り合せているが製造
が複雑となり高価なものとなっている。また、ポリカー
ボネート(PC)は吸湿性は低くソリは出ないが、(穴
動性が嬰く、成型性の問題があるばかりでなく、複屈折
も小さくない。さらに高価な原料を使い、製造工程では
毒性の高いホスゲンを用いるという問題がある。一方、
芳香族ポリエステル共重合樹脂を提案した特開昭57−
208645号公報、特開平2−98845号公報、同
2−38428号公報によるものは、光学特性や耐〆兄
性等はよいが、1.4−シクロへキづンジメタノール、
2.2−ビス(4−ヒドロキシエトキシフェニル)プロ
パン、2.2−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパン、ジフェニル−2,2−ジカルボン酸
など高価な原料を用いるため経済的には必ずしも満足で
きるのではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が小
さ(て、成型性のよい、経済的に有利な光デイスク基板
の開発が望まれている。
【発明が解決しようとする課題]
本発明者らは、既存のディスク基板の有する上述の諸問
題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成と特定
の粘度とを有するポリエステルポリマーを成型すると優
れたディスク基板が得られることを見出し、本発明を完
成したものであって、その目的とするところは、複屈折
が小さく、透明性1寸法・形態安定性に優れた安価なポ
リエステルディスク基板を提供するにある。本発明の他
の目的並びに効果は以下の説明がら明らかにされよう。 【問題点を解決するための手段】 上述の目的は、テレフタル酸およびイソフタル酸よりな
るジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と、エ
チレングリコールとからなるポリエステルであって、テ
レフタル酸成分に対してイソフタル酸成分の比率が、0
.01以上05以下であり、極限粘度が04以上08以
下の成型体ポリマーを成型してなる透明性ポリエステル
ディスク基板により達成される。 成型体ポリマーの極限粘度は 04以上08以下、好ま
しくは、0.5以上07以下である。この極限粘度が0
.4未満であると、成型品にパリがでたり、強度が不十
分で脆くなる。08を越えると射出成型時の応力歪が残
って、複屈折が大きくなり、更にディスク表面の微細な
凹凸の転写性が低下したり、離型性も悪くなる。 本発明において、酸成分としてテレフタル酸およびイソ
フタル酸よりなるジカルボン酸またはそのエステル形成
性誘導体を用いるが、テレフタル酸成分に対してイソフ
タル酸成分の比率が、001以上05以下の範囲の場合
に良好な成型体ができ、好ましくは002以上01以下
の範囲である。すなわち、この比率が001よりも小さ
い場合には、成型体が白ずんで光の透過性が悪い。 またこの比率が0.5よりも大きい場合には、ポリマー
のガラス転移温度が70°C以下となり、熱変形し易く
寸法不安定で、また成型時にパリが出やすくなる。テレ
フタル酸成分に対するイソフタル酸成分比率と成型体の
複屈折の指標であるレターデーションとの[ν1係を第
1図に示す。同図から明らかなようにテレフタル酸成分
に対してイソフタル酸成分の比率が0.02以上01以
下の範囲では、ポリエチレンテレフタレート単体のレタ
ーデーションより低下して、01を越えると反転して大
きくなるという現象が初めて見出された。これらテレフ
タル酸とイソフタル酸の2成分を酸成分とするポリエチ
レンテレツクレート共重合体に関し、この現象はこれま
で全く知られなかったことである。 ジオール成分としてはエチレングリコールを用いるが、
これらのほかに必要に応じて第三成分、たとえば、芳香
族ジカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂環族ジカルボ
ン酸等のジカルボン酸、また芳香族ジ2−ル、脂肪族ジ
オール、脂環族ジオール等のジオールなどを添加、重合
してもよい。 本発明のテレフタル酸およびイソフタル酸よりなるジカ
ルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と、エチレン
グリコールとからなるポリエステル樹脂は、例えばエス
テル交換法、直接重合法等の公知の方法から適宜の方法
を選択して製造すればよい。またその際の重合触媒など
反応条件についても従来通りでよく、公知の方法を用い
ることが出来る。ただし、原料およびその投入工程を始
め、重合反応、そのポリマーを冷媒中に押し出して、ペ
レット状またはシート状にする工程、それを乾燥し成型
する工程では、塵埃などが入り込まない様にクリーンル
ーム内で行なうことが必要である。このクリーン度はコ
ンパクトディスクの場合には1000以下であり、さら
に高度な情報記録の場合には100以下である。 ディスクの成型は通常射出圧縮成型により行ない、射出
圧縮成型条件では、特に金型表面温度とポリマー温度と
が重要である。カルボン酸成分のイソフタル酸濃度にも
より一概に規定できないが、金型表面温度は20℃以上
70℃以下が好ましく、またこの時のポリマーの温度は
250℃以上310℃以下となるようにするのがよい。 金型表面温度が20℃以下およびポリマーの温度が22
0℃以下の場合は、ポリマーの流動性、転写性共に悪く
、射出成型時の応力歪が残って、複屈折が大きくなる傾
向があり、成型サイクル時間が伸びて経済的ではない。 金型表面温度が70℃以上では転写性はよいが離型時に
変形し易い、またポリマーの温度が310”C以上の場
合には樹脂の分解が起こり易く、強度低下及び着色など
の物性低下が起こり好ましくない。好ましい金型表面温
度は30’C以上60℃以下であり、また好ましいポリ
マーの温度は240 ’C以上295℃以下である。 以上の方法によって、透明性がよく、複屈折が小さくて
、成型性のよい、経済的に有利な再生専用のポリエステ
ルディスク基板を供給できる。 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。実施例
中「部」とあるは重量部を、「%」は重量%を意味する
。 また実施例におけるポリマーの極限粘度、ガラス転移温
度、複屈折及び光線透過率は次に示す測定法によって測
定した。 (1)ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエクンとの混合溶媒(混合比
60:40)を用い、80℃にて溶解後、20’C恒温
槽中にて測定した。 (2)ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計(理学電気、DSC4230)に試料的
10mgを用いて、10℃/min、の昇温速度で加熱
して求めた。 (3)複屈折 射出圧縮成型機にて成型した厚さ1.2mm、直径12
0闘のディスクの中心から半径方向の60mmの位置の
レターデーションを、コーガク製偏光顕微鏡(セナルモ
ン型コンペンセークーを装着)にて546%mの単色光
源で測定した。 (4)光線透過率 ディスク基板サンプルを波長400〜900nmの範囲
でU■分光光度計にて測定し820%mでの結果を示し
た。 実施例1 ジメチルテレンタル酸190部とジメチルイソフタル酸
10部のジカルボン酸、エチレングリコール64部およ
びに触媒である酢酸カルシウム0.5部を撹拌機付き反
応槽に投入し、混合しながら常法に従って220℃から
240℃に加熱してエステル交換反応を行なった。所定
のメタノールを系外へ抜き出したのち、重合触媒である
三酸化アンチモン約015部を投入し昇温と真空引きを
徐々に行ない、発生するエチレングリコールな抜きなが
ら、温度280°C1真空度1 mmHg以下に到達後
引き続きこの条件を維持して粘度の上昇を待ち、撹拌機
の所定トルクに達した時点で反応を終了し、水中に押し
だしてペレットを得た。このペレットを真空加熱乾燥し
水分率を0.005%とした後、金型温度を40℃、ポ
リマー温度を290°Cとなるようにヒーターを調節し
、ρ1出圧縮成型機(グイナメルク、M−25A II
−D−Dll )にてディスクを成型した。このディス
クの極限粘度は0.62、ガラス転移温度は74°C、
レターデーションは15部m、光線透過率は92%であ
った。 実施例2〜6、比較例1〜2 ジメチルイソフタル酸およびジメチルイソフタル酸を第
−表に示す様に変化した他は実施例1と同様にしてディ
スクを成型した。 これらの結果を実施例1の結果と併せて第1表に示した
。同表からジメチルイソフタル酸の比率が0.02以上
の場合には透過率が良くなり、その比率が05以下の場
合は、耐熱性の目安であるガラス転移温度が70℃以上
となり、また成型性もよいことが分かる。 比較例1では光線透過率がやや低くなり、読み取り誤差
が大きくなる。また比較例2ではパリのない成型体がで
きなかった。 実施例7〜8、比較例3〜4 ポリエステルの極限粘度を第2表に示す通り変えた他は
実施例1と同様にしてディスクを成型した結果を表2に
示した。同表から極限粘度が0.4以上であると、離型
性も良くなり、成型機条件が合い、良好な成型体が得ら
れることがわかる。なお、粘度が08以下では樹脂内部
に射出成型時の応力歪が残こらず、レターデーションが
100以下と小さくなり、更にディスク表面の微細な凹
凸の転写性も良く、記録再生ができた。比較例3ではレ
ターデーションが太き(、比較例4では離型性が悪く、
成型機条件が見出せず、成型体が得られなかった。 実施例9〜16、比較例5〜8 射出圧縮成型での金型表面温度、ポリマー温度を第3表
に示す様に変えた他は実施例1と同様にしてディスクを
成型した結果を表3に示す。同表から比較例5ではレタ
ーデーションが大きくなり、比較例6では樹脂の分解物
の混入で着色が見られ、光線透過率が低下することが分
かる。比較例7では、レターデーションが急激に大きく
なり、 比較例8では、ディスク基板が白っぽくなり光
線透過率が低下した。 以上の実施例から明らかなように、本発明のものは、透
明性がよく、レターデーションが小さくて、成型性のよ
い光デイスク基板であることが分かる。
題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成と特定
の粘度とを有するポリエステルポリマーを成型すると優
れたディスク基板が得られることを見出し、本発明を完
成したものであって、その目的とするところは、複屈折
が小さく、透明性1寸法・形態安定性に優れた安価なポ
リエステルディスク基板を提供するにある。本発明の他
の目的並びに効果は以下の説明がら明らかにされよう。 【問題点を解決するための手段】 上述の目的は、テレフタル酸およびイソフタル酸よりな
るジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と、エ
チレングリコールとからなるポリエステルであって、テ
レフタル酸成分に対してイソフタル酸成分の比率が、0
.01以上05以下であり、極限粘度が04以上08以
下の成型体ポリマーを成型してなる透明性ポリエステル
ディスク基板により達成される。 成型体ポリマーの極限粘度は 04以上08以下、好ま
しくは、0.5以上07以下である。この極限粘度が0
.4未満であると、成型品にパリがでたり、強度が不十
分で脆くなる。08を越えると射出成型時の応力歪が残
って、複屈折が大きくなり、更にディスク表面の微細な
凹凸の転写性が低下したり、離型性も悪くなる。 本発明において、酸成分としてテレフタル酸およびイソ
フタル酸よりなるジカルボン酸またはそのエステル形成
性誘導体を用いるが、テレフタル酸成分に対してイソフ
タル酸成分の比率が、001以上05以下の範囲の場合
に良好な成型体ができ、好ましくは002以上01以下
の範囲である。すなわち、この比率が001よりも小さ
い場合には、成型体が白ずんで光の透過性が悪い。 またこの比率が0.5よりも大きい場合には、ポリマー
のガラス転移温度が70°C以下となり、熱変形し易く
寸法不安定で、また成型時にパリが出やすくなる。テレ
フタル酸成分に対するイソフタル酸成分比率と成型体の
複屈折の指標であるレターデーションとの[ν1係を第
1図に示す。同図から明らかなようにテレフタル酸成分
に対してイソフタル酸成分の比率が0.02以上01以
下の範囲では、ポリエチレンテレフタレート単体のレタ
ーデーションより低下して、01を越えると反転して大
きくなるという現象が初めて見出された。これらテレフ
タル酸とイソフタル酸の2成分を酸成分とするポリエチ
レンテレツクレート共重合体に関し、この現象はこれま
で全く知られなかったことである。 ジオール成分としてはエチレングリコールを用いるが、
これらのほかに必要に応じて第三成分、たとえば、芳香
族ジカルボン酸、脂肪族ジカルボン酸、脂環族ジカルボ
ン酸等のジカルボン酸、また芳香族ジ2−ル、脂肪族ジ
オール、脂環族ジオール等のジオールなどを添加、重合
してもよい。 本発明のテレフタル酸およびイソフタル酸よりなるジカ
ルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と、エチレン
グリコールとからなるポリエステル樹脂は、例えばエス
テル交換法、直接重合法等の公知の方法から適宜の方法
を選択して製造すればよい。またその際の重合触媒など
反応条件についても従来通りでよく、公知の方法を用い
ることが出来る。ただし、原料およびその投入工程を始
め、重合反応、そのポリマーを冷媒中に押し出して、ペ
レット状またはシート状にする工程、それを乾燥し成型
する工程では、塵埃などが入り込まない様にクリーンル
ーム内で行なうことが必要である。このクリーン度はコ
ンパクトディスクの場合には1000以下であり、さら
に高度な情報記録の場合には100以下である。 ディスクの成型は通常射出圧縮成型により行ない、射出
圧縮成型条件では、特に金型表面温度とポリマー温度と
が重要である。カルボン酸成分のイソフタル酸濃度にも
より一概に規定できないが、金型表面温度は20℃以上
70℃以下が好ましく、またこの時のポリマーの温度は
250℃以上310℃以下となるようにするのがよい。 金型表面温度が20℃以下およびポリマーの温度が22
0℃以下の場合は、ポリマーの流動性、転写性共に悪く
、射出成型時の応力歪が残って、複屈折が大きくなる傾
向があり、成型サイクル時間が伸びて経済的ではない。 金型表面温度が70℃以上では転写性はよいが離型時に
変形し易い、またポリマーの温度が310”C以上の場
合には樹脂の分解が起こり易く、強度低下及び着色など
の物性低下が起こり好ましくない。好ましい金型表面温
度は30’C以上60℃以下であり、また好ましいポリ
マーの温度は240 ’C以上295℃以下である。 以上の方法によって、透明性がよく、複屈折が小さくて
、成型性のよい、経済的に有利な再生専用のポリエステ
ルディスク基板を供給できる。 以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。実施例
中「部」とあるは重量部を、「%」は重量%を意味する
。 また実施例におけるポリマーの極限粘度、ガラス転移温
度、複屈折及び光線透過率は次に示す測定法によって測
定した。 (1)ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエクンとの混合溶媒(混合比
60:40)を用い、80℃にて溶解後、20’C恒温
槽中にて測定した。 (2)ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計(理学電気、DSC4230)に試料的
10mgを用いて、10℃/min、の昇温速度で加熱
して求めた。 (3)複屈折 射出圧縮成型機にて成型した厚さ1.2mm、直径12
0闘のディスクの中心から半径方向の60mmの位置の
レターデーションを、コーガク製偏光顕微鏡(セナルモ
ン型コンペンセークーを装着)にて546%mの単色光
源で測定した。 (4)光線透過率 ディスク基板サンプルを波長400〜900nmの範囲
でU■分光光度計にて測定し820%mでの結果を示し
た。 実施例1 ジメチルテレンタル酸190部とジメチルイソフタル酸
10部のジカルボン酸、エチレングリコール64部およ
びに触媒である酢酸カルシウム0.5部を撹拌機付き反
応槽に投入し、混合しながら常法に従って220℃から
240℃に加熱してエステル交換反応を行なった。所定
のメタノールを系外へ抜き出したのち、重合触媒である
三酸化アンチモン約015部を投入し昇温と真空引きを
徐々に行ない、発生するエチレングリコールな抜きなが
ら、温度280°C1真空度1 mmHg以下に到達後
引き続きこの条件を維持して粘度の上昇を待ち、撹拌機
の所定トルクに達した時点で反応を終了し、水中に押し
だしてペレットを得た。このペレットを真空加熱乾燥し
水分率を0.005%とした後、金型温度を40℃、ポ
リマー温度を290°Cとなるようにヒーターを調節し
、ρ1出圧縮成型機(グイナメルク、M−25A II
−D−Dll )にてディスクを成型した。このディス
クの極限粘度は0.62、ガラス転移温度は74°C、
レターデーションは15部m、光線透過率は92%であ
った。 実施例2〜6、比較例1〜2 ジメチルイソフタル酸およびジメチルイソフタル酸を第
−表に示す様に変化した他は実施例1と同様にしてディ
スクを成型した。 これらの結果を実施例1の結果と併せて第1表に示した
。同表からジメチルイソフタル酸の比率が0.02以上
の場合には透過率が良くなり、その比率が05以下の場
合は、耐熱性の目安であるガラス転移温度が70℃以上
となり、また成型性もよいことが分かる。 比較例1では光線透過率がやや低くなり、読み取り誤差
が大きくなる。また比較例2ではパリのない成型体がで
きなかった。 実施例7〜8、比較例3〜4 ポリエステルの極限粘度を第2表に示す通り変えた他は
実施例1と同様にしてディスクを成型した結果を表2に
示した。同表から極限粘度が0.4以上であると、離型
性も良くなり、成型機条件が合い、良好な成型体が得ら
れることがわかる。なお、粘度が08以下では樹脂内部
に射出成型時の応力歪が残こらず、レターデーションが
100以下と小さくなり、更にディスク表面の微細な凹
凸の転写性も良く、記録再生ができた。比較例3ではレ
ターデーションが太き(、比較例4では離型性が悪く、
成型機条件が見出せず、成型体が得られなかった。 実施例9〜16、比較例5〜8 射出圧縮成型での金型表面温度、ポリマー温度を第3表
に示す様に変えた他は実施例1と同様にしてディスクを
成型した結果を表3に示す。同表から比較例5ではレタ
ーデーションが大きくなり、比較例6では樹脂の分解物
の混入で着色が見られ、光線透過率が低下することが分
かる。比較例7では、レターデーションが急激に大きく
なり、 比較例8では、ディスク基板が白っぽくなり光
線透過率が低下した。 以上の実施例から明らかなように、本発明のものは、透
明性がよく、レターデーションが小さくて、成型性のよ
い光デイスク基板であることが分かる。
第一図は、テレフタル酸成分に対するイソフタル酸成分
比率とレターデーションとの関係を示す線図であり、縦
軸はレターデーション(nm)、横軸はイソフタル酸比
率を表わす。
比率とレターデーションとの関係を示す線図であり、縦
軸はレターデーション(nm)、横軸はイソフタル酸比
率を表わす。
Claims (1)
- (1)テレフタル酸およびイソフタル酸よりなるジカル
ボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、エチレングリ
コールとからなるポリエステルであって、テレフタル酸
成分に対してイソフタル酸成分の比率が、0.01以上
0.5以下であり、極限粘度が0.4以上0.8以下の
成型体ポリマーを成型してなることを特徴とするポリエ
ステルディスク基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2333156A JPH04205736A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 透明性ポリエステルディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2333156A JPH04205736A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 透明性ポリエステルディスク基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04205736A true JPH04205736A (ja) | 1992-07-27 |
Family
ID=18262918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2333156A Pending JPH04205736A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 透明性ポリエステルディスク基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04205736A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04293920A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Teijin Ltd | 熱成形用材料および熱成形品 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58150147A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-06 | Toyobo Co Ltd | 光学デイスク |
JPS58153241A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-12 | Toyobo Co Ltd | 光デイスク |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2333156A patent/JPH04205736A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58150147A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-06 | Toyobo Co Ltd | 光学デイスク |
JPS58153241A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-12 | Toyobo Co Ltd | 光デイスク |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04293920A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Teijin Ltd | 熱成形用材料および熱成形品 |
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