JPH06145320A - ポリエステル共重合体及びその製造方法 - Google Patents
ポリエステル共重合体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06145320A JPH06145320A JP4326112A JP32611292A JPH06145320A JP H06145320 A JPH06145320 A JP H06145320A JP 4326112 A JP4326112 A JP 4326112A JP 32611292 A JP32611292 A JP 32611292A JP H06145320 A JPH06145320 A JP H06145320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- phenyl
- reaction
- polyester copolymer
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ナフタレンジカルボン酸を主成分とするジカ
ルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、一般式
（１） 【化１】 （ただし式中Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン
基、Ｒ2 は水素又は炭素原子数が１から７のアルキル
基，アリル基，アラルキル基、Ｒ3 及びＲ4 は水素又
は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表しこれらは同じ
であっても異なっていてもよい。Ｒ5 は水素，炭素原子
数１〜３のアルキル基、ｌ，ｍ，ｎは１又は２の整数を
表す。）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒ
ドロキシ化合物と、炭素原子数が２から４の脂肪族グリ
コールからなる実質的に線状の芳香族ポリエステル共重
合体。 【効果】以上述べた如く、本発明の芳香族ポリエステル
共重合体からなる光ディスク基板は、透明性，耐熱性，
寸法安定性に優れ、且つ複屈折が小さい産業的に有用な
ものである。
ルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、一般式
（１） 【化１】 （ただし式中Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン
基、Ｒ2 は水素又は炭素原子数が１から７のアルキル
基，アリル基，アラルキル基、Ｒ3 及びＲ4 は水素又
は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表しこれらは同じ
であっても異なっていてもよい。Ｒ5 は水素，炭素原子
数１〜３のアルキル基、ｌ，ｍ，ｎは１又は２の整数を
表す。）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒ
ドロキシ化合物と、炭素原子数が２から４の脂肪族グリ
コールからなる実質的に線状の芳香族ポリエステル共重
合体。 【効果】以上述べた如く、本発明の芳香族ポリエステル
共重合体からなる光ディスク基板は、透明性，耐熱性，
寸法安定性に優れ、且つ複屈折が小さい産業的に有用な
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリエステル共重合体及
びその製造法に係り、就中複屈折が小さく、透明性で寸
法・形態安定性がよく、情報信号を盤上に記録し、再生
するに優れると共に経済的な透明性ポリエステル光ディ
スク基板に好適なポリエステル共重合体及びその製造方
法に関する。
びその製造法に係り、就中複屈折が小さく、透明性で寸
法・形態安定性がよく、情報信号を盤上に記録し、再生
するに優れると共に経済的な透明性ポリエステル光ディ
スク基板に好適なポリエステル共重合体及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光を用いて、ディスク基板上の
微細な信号を検出し、音声，画像，情報を記録・再生す
る光ディスクは、近年急速に用途が拡大している。この
光ディスク基板上の記録はサブミクロンの精度及びその
寸法安定性、更に保存安定性がよいこと等が必要であ
る。また、光学特性として、基板の透明性がよいこと及
び複屈折が小さいことが必要である。このためこれらの
製品はかなり高額なものとなっているのが現状である。
従来、このような光ディスク基板としては、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ），非晶性ポリオレフィン（ＡＰＯ）などの透明性プ
ラスチック材料が使用されている。また、特殊な芳香族
ポリエステル共重合樹脂（特開昭５７−２０８６４５号
公報，特開平２−９８８４５号公報，同２−３８４２８
号公報）が提案されている。
微細な信号を検出し、音声，画像，情報を記録・再生す
る光ディスクは、近年急速に用途が拡大している。この
光ディスク基板上の記録はサブミクロンの精度及びその
寸法安定性、更に保存安定性がよいこと等が必要であ
る。また、光学特性として、基板の透明性がよいこと及
び複屈折が小さいことが必要である。このためこれらの
製品はかなり高額なものとなっているのが現状である。
従来、このような光ディスク基板としては、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ），非晶性ポリオレフィン（ＡＰＯ）などの透明性プ
ラスチック材料が使用されている。また、特殊な芳香族
ポリエステル共重合樹脂（特開昭５７−２０８６４５号
公報，特開平２−９８８４５号公報，同２−３８４２８
号公報）が提案されている。
【０００３】しかし、ＰＭＭＡは光学特性の点では良い
特性を示すが、吸湿性が大きくディスク基板が空気中の
水分を吸収してソリがでやすく、寸法安定性がよくない
上、耐熱性が乏しい欠点を有する。また、ＰＣは吸湿性
は低くソリは少ないが、流動性が悪く、成形性が困難と
いう問題があり、かつ複屈折も不十分という欠点を有す
る。さらに、ＡＰＯはすぐれた光学特性を有している
が、極めて高価である。一方、芳香族ポリエステル共重
合樹脂を提案した特開昭５７−２０８６４５号公報，特
開平２−９８８４５号公報，同２−３８４２８号公報に
よるものは、光学特性が不十分であったり、耐熱性が不
足したり、高価な原料を用いたりして、必ずしも満足で
きるものではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が
小さくて、成形性のよい、且つ耐熱性に優れ経済的に有
利な光ディスク基板の開発が望まれている。
特性を示すが、吸湿性が大きくディスク基板が空気中の
水分を吸収してソリがでやすく、寸法安定性がよくない
上、耐熱性が乏しい欠点を有する。また、ＰＣは吸湿性
は低くソリは少ないが、流動性が悪く、成形性が困難と
いう問題があり、かつ複屈折も不十分という欠点を有す
る。さらに、ＡＰＯはすぐれた光学特性を有している
が、極めて高価である。一方、芳香族ポリエステル共重
合樹脂を提案した特開昭５７−２０８６４５号公報，特
開平２−９８８４５号公報，同２−３８４２８号公報に
よるものは、光学特性が不十分であったり、耐熱性が不
足したり、高価な原料を用いたりして、必ずしも満足で
きるものではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が
小さくて、成形性のよい、且つ耐熱性に優れ経済的に有
利な光ディスク基板の開発が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上述の
諸問題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を
有するポリエステルポリマーを成型すると優れた光ディ
スク用基板が得られることを見出し、本発明を完成した
ものであって、その目的とするところは、複屈折が小さ
く、透明性，寸法・形態安定性に優れ、耐熱性のよいポ
リエステル光ディスク基板を提供するにある。本発明の
他の目的並びに効果は以下の説明から明らかにされよ
う。
諸問題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を
有するポリエステルポリマーを成型すると優れた光ディ
スク用基板が得られることを見出し、本発明を完成した
ものであって、その目的とするところは、複屈折が小さ
く、透明性，寸法・形態安定性に優れ、耐熱性のよいポ
リエステル光ディスク基板を提供するにある。本発明の
他の目的並びに効果は以下の説明から明らかにされよ
う。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ナフタ
レンジカルボン酸を主成分とするジカルボン酸又はその
エステル形成性誘導体と、一般式（１）
レンジカルボン酸を主成分とするジカルボン酸又はその
エステル形成性誘導体と、一般式（１）
【化３】 （ただし式中Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン
基、Ｒ2 は水素，炭素原子数が１から７までのアルキル
基，アリル基，アラルキル基、Ｒ3 及びＲ4 は水素又は
炭素原子数１〜４のアルキル基を表しこれらは同じであ
っても異なってもよい。Ｒ5 は水素，炭素原子数１〜３
のアルキル基、ｌ，ｍ，ｎは１又は２の整数を表す。）
で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ
化合物と、脂肪族グリコールからなる実質的に線状の芳
香族ポリエステル共重合体並びに、
基、Ｒ2 は水素，炭素原子数が１から７までのアルキル
基，アリル基，アラルキル基、Ｒ3 及びＲ4 は水素又は
炭素原子数１〜４のアルキル基を表しこれらは同じであ
っても異なってもよい。Ｒ5 は水素，炭素原子数１〜３
のアルキル基、ｌ，ｍ，ｎは１又は２の整数を表す。）
で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ
化合物と、脂肪族グリコールからなる実質的に線状の芳
香族ポリエステル共重合体並びに、
【０００６】ナフタレンジカルボン酸を主成分とするジ
カルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、脂肪族グ
リコールとを触媒の存在下で加熱して、エステル化反応
又はエステル交換反応を行う工程に於て、反応前，反応
中或は反応完了後の任意の段階で一般式（１）で表され
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物を
添加混合し、次いで更に温度を上げて徐々に減圧し、高
真空，加熱条件の下で重合縮合せしめて芳香族ポリエス
テル共重合体を得、このポリエステルポリマーを用い、
円盤状に射出成形するポリエステル共重合体の製造方法
により達成される。
カルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、脂肪族グ
リコールとを触媒の存在下で加熱して、エステル化反応
又はエステル交換反応を行う工程に於て、反応前，反応
中或は反応完了後の任意の段階で一般式（１）で表され
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物を
添加混合し、次いで更に温度を上げて徐々に減圧し、高
真空，加熱条件の下で重合縮合せしめて芳香族ポリエス
テル共重合体を得、このポリエステルポリマーを用い、
円盤状に射出成形するポリエステル共重合体の製造方法
により達成される。
【０００７】本発明の芳香族ポリエステル共重合体に供
するナフタレンジカルボン酸としては、２，６−ナフタ
レンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、
２，７−ナフタレンジカルボン酸またはそのエステル形
成性誘導体およびそれらの混合物が挙げられるが、なか
でも耐熱性，成形性の点で２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸が好適である。勿論、上記ナフタレンジカルボン酸
成分以外のカルボン酸成分を物性や特性を著しく損なわ
ない範囲で添加してもよい。ナフタレンジカルボン酸以
外のジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸，イ
ソフタル酸，４，４′−ジフェニルジカルボン酸，２，
２′−ジフェニルジカルボン酸，１，４−ナフタレンジ
カルボン酸，ビス−（４−カルボキシフェニル）エーテ
ル，ビス−（４−カルボキシフェニル）スルホン，２，
２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパン，ｐ−フ
ェニレンジ酢酸，５−ナトリウムスルホイソフタル酸，
ｔｒａｎｓ−ヘキサヒドロテレフタル酸，５−スルホプ
ロポキシイソフタル酸，ベンゾフェノン−４，４′−ジ
カルボン酸，３，３′−ジフェニルジカルボン酸，フェ
ニルテレフタル酸等の芳香族ジカルボン又はそれらのエ
ステル形成性誘導体、マレイン酸，アジピン酸，セバシ
ン酸，デカメチレンジカルボン酸等の脂肪族ジカルボン
酸又はそれらのエステル形成性誘導体等が挙げられ、ま
た安息香酸，トリメリット酸，ヒドロキシ安息香酸等ジ
カルボン酸以外のカルボン酸及びそのエステル形成性誘
導体等が挙げられ、必要に応じてこれらの１種以上を用
いることができる。これらの中でも耐熱性の観点から脂
肪族ジカルボン酸よりも芳香族ジカルボン酸の方が好ま
しい。
するナフタレンジカルボン酸としては、２，６−ナフタ
レンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、
２，７−ナフタレンジカルボン酸またはそのエステル形
成性誘導体およびそれらの混合物が挙げられるが、なか
でも耐熱性，成形性の点で２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸が好適である。勿論、上記ナフタレンジカルボン酸
成分以外のカルボン酸成分を物性や特性を著しく損なわ
ない範囲で添加してもよい。ナフタレンジカルボン酸以
外のジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸，イ
ソフタル酸，４，４′−ジフェニルジカルボン酸，２，
２′−ジフェニルジカルボン酸，１，４−ナフタレンジ
カルボン酸，ビス−（４−カルボキシフェニル）エーテ
ル，ビス−（４−カルボキシフェニル）スルホン，２，
２−ビス（４−カルボキシフェニル）プロパン，ｐ−フ
ェニレンジ酢酸，５−ナトリウムスルホイソフタル酸，
ｔｒａｎｓ−ヘキサヒドロテレフタル酸，５−スルホプ
ロポキシイソフタル酸，ベンゾフェノン−４，４′−ジ
カルボン酸，３，３′−ジフェニルジカルボン酸，フェ
ニルテレフタル酸等の芳香族ジカルボン又はそれらのエ
ステル形成性誘導体、マレイン酸，アジピン酸，セバシ
ン酸，デカメチレンジカルボン酸等の脂肪族ジカルボン
酸又はそれらのエステル形成性誘導体等が挙げられ、ま
た安息香酸，トリメリット酸，ヒドロキシ安息香酸等ジ
カルボン酸以外のカルボン酸及びそのエステル形成性誘
導体等が挙げられ、必要に応じてこれらの１種以上を用
いることができる。これらの中でも耐熱性の観点から脂
肪族ジカルボン酸よりも芳香族ジカルボン酸の方が好ま
しい。
【０００８】本発明において、一般式（１）で表される
主鎖及び側鎖にベンゼン環を有するジヒドロキシ化合物
としては、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロキシエト
キシフェニル）１−フェニル−メタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−エ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−ｎ−プロパン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−２−メチ
ル−プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ
フェニル）１−フェニル−ｎ−ブタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−フェニル−ｎ−ヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−
３−メチルフェニル）−１−フェニル−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−１−フェニル−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３，５−ジメチル−フェニ
ル）−１−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシエトキシ−３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニ
ル）１−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシエトキシフェニル）１−（４−メチル−フェニル）
−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェ
ニル）１−（３−チメル−フェニル）−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ３−メチルフェニル）
−１−（３−メチルフェニル）−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）−１−（３−メチル−フェニル）−エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−
（２，３−ジメチル−フェニル）−エタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（２，４−
ジメチル−フェニル）−エタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシエトキシフェニル）１−（３，５−ジメチル−
フェニル）−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニ
ル）１−（３，５−ジメチル−フェニル）−エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）１
−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシブ
トキシフェニル）１−フェニル−プロパンなどの１，１
−ビス（４−ヒドロキシアルコキシフェニル）１，−モ
ノフェニル−アルカン類、
主鎖及び側鎖にベンゼン環を有するジヒドロキシ化合物
としては、例えば、１，１−ビス（４−ヒドロキシエト
キシフェニル）１−フェニル−メタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−エ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−ｎ−プロパン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−２−メチ
ル−プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ
フェニル）１−フェニル−ｎ−ブタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−ペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−フェニル−ｎ−ヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−
３−メチルフェニル）−１−フェニル−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−１−フェニル−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３，５−ジメチル−フェニ
ル）−１−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシエトキシ−３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニ
ル）１−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシエトキシフェニル）１−（４−メチル−フェニル）
−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェ
ニル）１−（３−チメル−フェニル）−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ３−メチルフェニル）
−１−（３−メチルフェニル）−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）−１−（３−メチル−フェニル）−エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−
（２，３−ジメチル−フェニル）−エタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（２，４−
ジメチル−フェニル）−エタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシエトキシフェニル）１−（３，５−ジメチル−
フェニル）−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニ
ル）１−（３，５−ジメチル−フェニル）−エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）１
−フェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシブ
トキシフェニル）１−フェニル−プロパンなどの１，１
−ビス（４−ヒドロキシアルコキシフェニル）１，−モ
ノフェニル−アルカン類、
【０００９】１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１，１−ジフェニル−メタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３−メチル−フェニル）
１，１−ジフェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシエトキシ−２−メチル−フェニル）１，１−ジフ
ェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−２，６−ジメチル−フェニル）１，１−ジフェニル
−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３
−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）１，１−ジフェニル−
メタン、１，１−ビス（ヒドロキシエトキシ−２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）１，１−ジ（３−メ
チル−フェニル）−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシエトキシ−フェニル）１，１−ジ（４−ｔｅｒｔ−
ブチル−フェニル）−メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシブトキシ−フェニル）１，１−ジフェニル−メタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシ−３−メ
チル−フェニル）１，１−ジフェニル−メタンなどの
１，１−ビス（４−ヒドロキシアルコキシ−フェニル）
１，１−ジフェニル−メタン類が挙げられ、これらは単
独または２種以上を組み合わせて使用しても良い。
ェニル）１，１−ジフェニル−メタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシ−３−メチル−フェニル）
１，１−ジフェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシエトキシ−２−メチル−フェニル）１，１−ジフ
ェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−２，６−ジメチル−フェニル）１，１−ジフェニル
−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３
−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）１，１−ジフェニル−
メタン、１，１−ビス（ヒドロキシエトキシ−２，６−
ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）１，１−ジ（３−メ
チル−フェニル）−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシエトキシ−フェニル）１，１−ジ（４−ｔｅｒｔ−
ブチル−フェニル）−メタン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシブトキシ−フェニル）１，１−ジフェニル−メタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシ−３−メ
チル−フェニル）１，１−ジフェニル−メタンなどの
１，１−ビス（４−ヒドロキシアルコキシ−フェニル）
１，１−ジフェニル−メタン類が挙げられ、これらは単
独または２種以上を組み合わせて使用しても良い。
【００１０】これらの内、１，１−ビス（４−ヒドロキ
シエトキシフェニル）１−フェニル−アルカン類、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）１，１
−ジフェニル−メタン類が好ましく、就中複屈折の低減
効果が顕著で且つ、ガラス転移温度を向上さす、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）−１−フ
ェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−フェニル）１，１−ジフェニル−メタンが好適であ
る。かかるジヒドロキシ化合物は、ビスフェノール系化
合物にエチレンオキシド，プロピレンオキシド，クロロ
ヒドリンなどの炭素原子数２〜４の化合物を触媒の存在
下で反応して容易に得られる。
シエトキシフェニル）１−フェニル−アルカン類、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）１，１
−ジフェニル−メタン類が好ましく、就中複屈折の低減
効果が顕著で且つ、ガラス転移温度を向上さす、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）−１−フ
ェニル−エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−フェニル）１，１−ジフェニル−メタンが好適であ
る。かかるジヒドロキシ化合物は、ビスフェノール系化
合物にエチレンオキシド，プロピレンオキシド，クロロ
ヒドリンなどの炭素原子数２〜４の化合物を触媒の存在
下で反応して容易に得られる。
【００１１】本発明のポリエステルは、ナフタレンジカ
ルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、一般式
（１）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒド
ロキシ化合物の少なくとも１種以上とを、全カルボン酸
成分の５〜９５モル％、好ましくは１０〜８０モル％、
更に好ましくは１５〜５０モル％、及び脂肪族グリコー
ルから構成される。一般式（１）で表される主鎖及び側
鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物の組成が、５モ
ル％未満では得られるポリエステルディスク基板の複屈
折の値が大きくなり好ましくない。一方、９５モル％以
上になると、ポリマーの製造時に重合反応が進まなかっ
たり、十分な重合度に到達しない、或は透明性が不十分
なものしか得られないと言う問題が生じ好ましくない。
ルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、一般式
（１）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒド
ロキシ化合物の少なくとも１種以上とを、全カルボン酸
成分の５〜９５モル％、好ましくは１０〜８０モル％、
更に好ましくは１５〜５０モル％、及び脂肪族グリコー
ルから構成される。一般式（１）で表される主鎖及び側
鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物の組成が、５モ
ル％未満では得られるポリエステルディスク基板の複屈
折の値が大きくなり好ましくない。一方、９５モル％以
上になると、ポリマーの製造時に重合反応が進まなかっ
たり、十分な重合度に到達しない、或は透明性が不十分
なものしか得られないと言う問題が生じ好ましくない。
【００１２】本発明において、脂肪族グリコールとして
は、エチレングリコール，１，３−プロパンジオール，
１，２−プロパンジオール，１，４−ブタンジオール，
１，３−ブタンジオール，１，２−ブタンジオール，
１，５−ペンタンジオール，１，４−ペンタンジオー
ル，１，３−ペンタンジオールなどのジオール類、シク
ロヘキサンジメタノール，シクロペンタンジメタノール
等の脂環族ジメタノール類が挙げられるが、中でもエチ
レングリコール，１，４−ブタンジオールが好ましく、
特にエチレングリコールが最も好ましい。また、これら
は単独でもよく、また２種以上を組み合わせて用いても
よい。また、上記組成を満足するならば、一般式（１）
で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ
化合物以外に、他のジヒドロキシ化合物、例えば１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−プロパ
ン，１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
−スルホン，１，４−シクロヘキサンジオール，或は
４，４′−ビフェノール，ジヒドロキシナフタレン，
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
などのエステル形成性誘導体等、少なくとも１種以上を
少量併用することが出来る。
は、エチレングリコール，１，３−プロパンジオール，
１，２−プロパンジオール，１，４−ブタンジオール，
１，３−ブタンジオール，１，２−ブタンジオール，
１，５−ペンタンジオール，１，４−ペンタンジオー
ル，１，３−ペンタンジオールなどのジオール類、シク
ロヘキサンジメタノール，シクロペンタンジメタノール
等の脂環族ジメタノール類が挙げられるが、中でもエチ
レングリコール，１，４−ブタンジオールが好ましく、
特にエチレングリコールが最も好ましい。また、これら
は単独でもよく、また２種以上を組み合わせて用いても
よい。また、上記組成を満足するならば、一般式（１）
で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ
化合物以外に、他のジヒドロキシ化合物、例えば１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−プロパ
ン，１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
−スルホン，１，４−シクロヘキサンジオール，或は
４，４′−ビフェノール，ジヒドロキシナフタレン，
９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
などのエステル形成性誘導体等、少なくとも１種以上を
少量併用することが出来る。
【００１３】本発明のナフタレンジカルボン酸を主成分
とするジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体
と、一般式（１）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有
するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールとからな
るポリエステル樹脂は、例えばエステル交換法，直接重
合法，或は界面重合法，溶液重合法等の公知の方法から
適宜選択して製造できる。またその際の重合触媒につい
ても、例えば、三酸化アンチモン，酸化ゲルマニウム，
チタン酸エステル等のよく知られた化合物が使用するこ
とができる。なお、本発明品は光学的用途に用いられる
ので、塵埃などの異物の混入を避けねばならない。例え
ば、原料およびその投入工程を始め、重合反応、そのポ
リマーを冷媒中に押し出して、ペレット状またはシート
状にする工程、それを乾燥し成型する工程では、塵埃な
どが入り込まない様にしたり、フイルターで濾過する等
の配慮が必要である。このクリーン度は、通常コンパク
トディスクの場合には１０００以下であり、さらに高度
な情報記録の場合には１００以下とすることが望まし
い。
とするジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体
と、一般式（１）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有
するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールとからな
るポリエステル樹脂は、例えばエステル交換法，直接重
合法，或は界面重合法，溶液重合法等の公知の方法から
適宜選択して製造できる。またその際の重合触媒につい
ても、例えば、三酸化アンチモン，酸化ゲルマニウム，
チタン酸エステル等のよく知られた化合物が使用するこ
とができる。なお、本発明品は光学的用途に用いられる
ので、塵埃などの異物の混入を避けねばならない。例え
ば、原料およびその投入工程を始め、重合反応、そのポ
リマーを冷媒中に押し出して、ペレット状またはシート
状にする工程、それを乾燥し成型する工程では、塵埃な
どが入り込まない様にしたり、フイルターで濾過する等
の配慮が必要である。このクリーン度は、通常コンパク
トディスクの場合には１０００以下であり、さらに高度
な情報記録の場合には１００以下とすることが望まし
い。
【００１４】本発明のディスク基板を製造する際、ポリ
マー重合度も製品の品質にとって重要な要件の一つであ
るが、一般的樹脂の用途に比べて低めが適しており、極
限粘度で０．４以上０．８以下がよく適合し、更に０．
４５以上０．７以下が好適な場合が多い。この粘度が
０．４未満であると、成形品の強度が不十分で脆くな
る。また、０．８を越えると、分子配向しやすくなり、
射出成形が困難であったり、成形品の複屈折が大きくな
る等問題に成ることが多い。一般的に光ディスク基板材
料の耐熱性は９０℃以上、好ましくは１００℃以上が要
望されているが、本発明の芳香族ポリエステル共重合体
は、組成によって異なるが少なくとも１１０℃以上のガ
ラス転移温度を有しており、目的用途によっては、１２
０℃以上のポリマーを得ることが容易であり、優れた耐
熱性を有するため極めて光ディスク基板に適合した材料
であると言える。ディスクの成形は一般に用いられてい
る成形機が使用できるが中でも射出圧縮成形機が好適で
あり、射出圧縮成形条件は特に金型温度とポリマー溶融
温度が重要である。ポリマー組成及び成形条件により一
概に規定できないが、金型表面温度は２０℃以上１００
℃以下が好ましく、またこの時のポリマーの温度は２５
０℃以上３１０℃以下となるようにするのがよい。金型
表面温度が２０℃以下およびポリマーの温度が２５０℃
以下の場合は、ポリマーの流動性，転写性共に悪く、射
出成型時の応力歪が残って、複屈折が大きくなる傾向が
あり、成型サイクル時間が伸びて経済的ではない。また
金型表面温度が１００℃以上では転写性はよいが離型時
に変形し易い。またポリマーの温度が３１０℃以上の場
合には樹脂の分解が起こり易く、強度低下及び着色など
の物性低下が起こり好ましくない場合が多い。
マー重合度も製品の品質にとって重要な要件の一つであ
るが、一般的樹脂の用途に比べて低めが適しており、極
限粘度で０．４以上０．８以下がよく適合し、更に０．
４５以上０．７以下が好適な場合が多い。この粘度が
０．４未満であると、成形品の強度が不十分で脆くな
る。また、０．８を越えると、分子配向しやすくなり、
射出成形が困難であったり、成形品の複屈折が大きくな
る等問題に成ることが多い。一般的に光ディスク基板材
料の耐熱性は９０℃以上、好ましくは１００℃以上が要
望されているが、本発明の芳香族ポリエステル共重合体
は、組成によって異なるが少なくとも１１０℃以上のガ
ラス転移温度を有しており、目的用途によっては、１２
０℃以上のポリマーを得ることが容易であり、優れた耐
熱性を有するため極めて光ディスク基板に適合した材料
であると言える。ディスクの成形は一般に用いられてい
る成形機が使用できるが中でも射出圧縮成形機が好適で
あり、射出圧縮成形条件は特に金型温度とポリマー溶融
温度が重要である。ポリマー組成及び成形条件により一
概に規定できないが、金型表面温度は２０℃以上１００
℃以下が好ましく、またこの時のポリマーの温度は２５
０℃以上３１０℃以下となるようにするのがよい。金型
表面温度が２０℃以下およびポリマーの温度が２５０℃
以下の場合は、ポリマーの流動性，転写性共に悪く、射
出成型時の応力歪が残って、複屈折が大きくなる傾向が
あり、成型サイクル時間が伸びて経済的ではない。また
金型表面温度が１００℃以上では転写性はよいが離型時
に変形し易い。またポリマーの温度が３１０℃以上の場
合には樹脂の分解が起こり易く、強度低下及び着色など
の物性低下が起こり好ましくない場合が多い。
【００１５】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明の芳香族ポリエ
ステル共重合体からなる光ディスク基板は、透明性，耐
熱性，寸法安定性に優れ、且つ複屈折が小さい産業的に
有用なものである。
ステル共重合体からなる光ディスク基板は、透明性，耐
熱性，寸法安定性に優れ、且つ複屈折が小さい産業的に
有用なものである。
【００１６】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。実施例中「部」とあるは重量部を、「％」は重量％
を意味する。また実施例におけるポリマーの極限粘度，
ガラス転移温度，複屈折及び光線透過率は次に示す測定
法によって測定した。 （１）ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエタンとの混合溶媒（混合比
６０：４０）を用い、８０℃にて溶解後、２０℃恒温槽
中にて測定した。 （２）ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計（理学電気、ＤＳＣ−８２３０）に試料
約１０ｍｇを用いて、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱
して求めた。 （３）複屈折 射出圧縮成形機にて成型した厚さ１．２ｍｍ，直径１２
０ｍｍのディスクの中心から半径方向の５０ｍｍの位置
のレターデーションを、カールツアイス社製偏光顕微鏡
にて５４６ｎｍの単色光源で測定した。 （４）光線透過率 ディスク基板サンプルを波長４００〜９００ｎｍの範囲
でＵＶ分光光度計にて測定し８２０ｎｍでの結果を示し
た。
る。実施例中「部」とあるは重量部を、「％」は重量％
を意味する。また実施例におけるポリマーの極限粘度，
ガラス転移温度，複屈折及び光線透過率は次に示す測定
法によって測定した。 （１）ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエタンとの混合溶媒（混合比
６０：４０）を用い、８０℃にて溶解後、２０℃恒温槽
中にて測定した。 （２）ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計（理学電気、ＤＳＣ−８２３０）に試料
約１０ｍｇを用いて、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱
して求めた。 （３）複屈折 射出圧縮成形機にて成型した厚さ１．２ｍｍ，直径１２
０ｍｍのディスクの中心から半径方向の５０ｍｍの位置
のレターデーションを、カールツアイス社製偏光顕微鏡
にて５４６ｎｍの単色光源で測定した。 （４）光線透過率 ディスク基板サンプルを波長４００〜９００ｎｍの範囲
でＵＶ分光光度計にて測定し８２０ｎｍでの結果を示し
た。
【００１７】実施例１ ２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル１００部と、
エチレングリコール６４部および触媒である酢酸カルシ
ウム０．１部を攪拌機付き反応槽に投入し、混合しなが
ら常法に従って２２０℃から２４０℃に加熱してエステ
ル交換反応を行った。所定のメタノールを系外へ抜き出
したのち、重合触媒である酸化ゲルマニウム０．０３部
と、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニ
ル）−フェニル−エタン３９部を反応槽に投入し、昇温
と真空引きを徐々に行いながら、発生するエチレングリ
コールを系外へ流出せしめ、更に温度２８０℃で、真空
度１ｍｍＨｇ以下に到達後引き続きこの条件を維持して
粘度の上昇を待ち、攪拌機の所定トルクに達した時点で
反応を終了し、水中に押しだしてペレットを得た。この
ペレットを真空加熱乾燥し水分率を０．００５％とした
後、金型温度を４０℃、ポリマー温度を２９０℃となる
ようにヒーターを調節し、射出圧縮成形機（ダイナメル
タ、Ｍ−２５Ａ II−Ｄ−ＤＭ）にてディスクを成型し
た。このディスクの極限粘度は０．６０、ガラス転移温
度は１２２℃、レターデーションは１６ｎｍ、光線透過
率は９１％と優れた光学特性を有していた。
エチレングリコール６４部および触媒である酢酸カルシ
ウム０．１部を攪拌機付き反応槽に投入し、混合しなが
ら常法に従って２２０℃から２４０℃に加熱してエステ
ル交換反応を行った。所定のメタノールを系外へ抜き出
したのち、重合触媒である酸化ゲルマニウム０．０３部
と、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニ
ル）−フェニル−エタン３９部を反応槽に投入し、昇温
と真空引きを徐々に行いながら、発生するエチレングリ
コールを系外へ流出せしめ、更に温度２８０℃で、真空
度１ｍｍＨｇ以下に到達後引き続きこの条件を維持して
粘度の上昇を待ち、攪拌機の所定トルクに達した時点で
反応を終了し、水中に押しだしてペレットを得た。この
ペレットを真空加熱乾燥し水分率を０．００５％とした
後、金型温度を４０℃、ポリマー温度を２９０℃となる
ようにヒーターを調節し、射出圧縮成形機（ダイナメル
タ、Ｍ−２５Ａ II−Ｄ−ＤＭ）にてディスクを成型し
た。このディスクの極限粘度は０．６０、ガラス転移温
度は１２２℃、レターデーションは１６ｎｍ、光線透過
率は９１％と優れた光学特性を有していた。
【００１８】実施例２ ２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル１１０部、
１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）−
１，１−ジフェニル−メタン５０部、エチレングリコー
ル６５部、酢酸亜鉛０．０８部，酸化ゲルマニウム０．
０４部を反応釜に投入し、実施例１と同様にエステル交
換反応をし、次いで重合反応を行いポリエステル共重合
体ペレットを得た。次いで乾燥後、実施例１と同様にし
て円形のディスク基板を成型した。このディスクの極限
粘度は０．５９、ガラス転移温度は１２５℃、レターデ
ーションは１３ｎｍ、光線透過率は９１％と優れた光学
特性を有していた。
１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニル）−
１，１−ジフェニル−メタン５０部、エチレングリコー
ル６５部、酢酸亜鉛０．０８部，酸化ゲルマニウム０．
０４部を反応釜に投入し、実施例１と同様にエステル交
換反応をし、次いで重合反応を行いポリエステル共重合
体ペレットを得た。次いで乾燥後、実施例１と同様にし
て円形のディスク基板を成型した。このディスクの極限
粘度は０．５９、ガラス転移温度は１２５℃、レターデ
ーションは１３ｎｍ、光線透過率は９１％と優れた光学
特性を有していた。
【００１９】比較例１ ２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル１１０部、エ
チレングリコール６５部，酢酸カルシウム０．０８部，
酸化ゲルマニウム０．０４部を実施例１と同様に重合反
応し、得られたポリエチレンナフタレートを用いディス
ク基板を成形した。このディスクの極限粘度は０．５
８、ガラス転移温度は１２０℃、光透過率は８８％であ
ったが、レターデーションが８０と大きく光学特性が著
しく劣っていた。
チレングリコール６５部，酢酸カルシウム０．０８部，
酸化ゲルマニウム０．０４部を実施例１と同様に重合反
応し、得られたポリエチレンナフタレートを用いディス
ク基板を成形した。このディスクの極限粘度は０．５
８、ガラス転移温度は１２０℃、光透過率は８８％であ
ったが、レターデーションが８０と大きく光学特性が著
しく劣っていた。
【００２０】実施例３ 原料の組成比を変えた以外は実施例１及び２と同様にし
て、重縮合し次いでディスク基板を成型し諸物性を測定
した結果を表１に示す。同表で明らかなように、本発明
外品（Ｎｏ．１）は複屈折を示すレターデーションが大
きく、製品とした後の光ディスクシステムにおいて、シ
グナルノイズが多く、エラーの原因となり採用できなか
った。しかし、本発明のものは何れも透明性が良く、レ
ターデーション値が小さく、耐熱性に優れた光ディスク
基板であることが解る。
て、重縮合し次いでディスク基板を成型し諸物性を測定
した結果を表１に示す。同表で明らかなように、本発明
外品（Ｎｏ．１）は複屈折を示すレターデーションが大
きく、製品とした後の光ディスクシステムにおいて、シ
グナルノイズが多く、エラーの原因となり採用できなか
った。しかし、本発明のものは何れも透明性が良く、レ
ターデーション値が小さく、耐熱性に優れた光ディスク
基板であることが解る。
【００２１】
【表１】
Claims (4)
- 【請求項１】 ナフタレンジカルボン酸を主成分とする
ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、一般式
（１） 【化１】 （ただし式中Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン
基、Ｒ2 は水素又は炭素原子数が１から７のアルキル
基，アリル基，アラルキル基、Ｒ3 及びＲ4 は水素又
は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表しこれらは同じ
であっても異なっていてもよい。Ｒ5 は水素，炭素原子
数１〜３のアルキル基、ｌ，ｍ，ｎは１又は２の整数を
表す。）で表される主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒ
ドロキシ化合物と、炭素原子数が２から４の脂肪族グリ
コールからなる実質的に線状の芳香族ポリエステル共重
合体。 - 【請求項２】 一般式（１）で表される主鎖及び側鎖に
芳香環を有するジヒドロキシ化合物が１，１−ビス（４
−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
−１，１−ジフェニル−メタンである請求項１記載のポ
リエステル共重合体。 - 【請求項３】 ナフタレンジカルボン酸が、２，６−ナ
フタレンジカルボン酸またはそのエステル形成性誘導体
である請求項１記載のポリエステル共重合体。 - 【請求項４】 ナフタレンジカルボン酸を主成分とする
ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体と、脂肪族
グリコールを主成分とするジオキシ化合物とを触媒の存
在下で加熱して、エステル化反応又はエステル交換反応
を行う工程に於て、反応前，反応中或は反応完了後の任
意の段階で、下記一般式（１）で表される主鎖及び側鎖
に芳香環を有するジヒドロキシ化合物を添加混合し、次
いで更に温度を上げながら徐々に減圧し、高真空，加熱
条件の下で重合縮合せしめて芳香族ポリエステル共重合
体を得、このポリエステルポリマーを用い、円盤状に射
出成形することを特徴とするポリエステル共重合体の製
造方法。 【化２】 （ただし式中Ｒ1 〜Ｒ5 及び l，ｍ，ｎは前記と同じ）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326112A JPH06145320A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ポリエステル共重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4326112A JPH06145320A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ポリエステル共重合体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145320A true JPH06145320A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=18184225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4326112A Pending JPH06145320A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | ポリエステル共重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145320A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016002607A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 本州化学工業株式会社 | 新規なビス（ヒドロキシアルコキシフェニル）ジフェニルメタン類 |
| JP2019077672A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 田岡化学工業株式会社 | ナフタレン骨格を有するビスアリールアルコール類及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-10 JP JP4326112A patent/JPH06145320A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016002607A1 (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 本州化学工業株式会社 | 新規なビス（ヒドロキシアルコキシフェニル）ジフェニルメタン類 |
| KR20170026341A (ko) | 2014-06-30 | 2017-03-08 | 혼슈우 카가쿠고교 가부시키가이샤 | 신규한 비스(히드록시알콕시페닐)디페닐메탄류 |
| JP2019077672A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 田岡化学工業株式会社 | ナフタレン骨格を有するビスアリールアルコール類及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6066711A (en) | Polyester polymer and its moldings | |
| JP5271142B2 (ja) | ポリエステル重合体およびその成形体 | |
| EP0653451B1 (en) | Polyester | |
| JP2003501532A (ja) | 高ガラス転移温度、低溶融粘度の非晶質コポリエステル | |
| TW200411000A (en) | Ester-modified dicarboxylate polymers | |
| JP2843215B2 (ja) | ポリエステル重合体およびその成形体並びに成形体の製造方法 | |
| JPH07149881A (ja) | ポリエステル重合体 | |
| JPH07198901A (ja) | プラスチックレンズ用ポリエステル樹脂 | |
| TWI503347B (zh) | Polyester resin and optical lens | |
| JP2000319366A (ja) | ポリエステル重合体及びその製造方法 | |
| JP2840211B2 (ja) | ポリエステル重合体及びその成形体 | |
| JPH06145320A (ja) | ポリエステル共重合体及びその製造方法 | |
| JP4662633B2 (ja) | ポリ（１，３−プロピレン２，６−ナフタレート）のブレンド物 | |
| JPH0841303A (ja) | 光学材料用樹脂組成物とその製造法 | |
| JPH06157734A (ja) | 光学用ポリエステル共重合体およびその製造方法 | |
| JPH05182239A (ja) | ポリエステル光ディスク基板及びその製造方法 | |
| JPH09157367A (ja) | 液晶ディスプレイのフィルムシート用ポリエステル重合体 | |
| JP2865908B2 (ja) | 透明性ポリエステルディスク基板 | |
| JPH0578462A (ja) | ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 | |
| JPH05170879A (ja) | ポリエステルディスク基板及びその製造法 | |
| JP2000119379A (ja) | 光学素子 | |
| CA1236948A (en) | COPOLYESTER OF POLYETHYLENE TEREPHTHALATE AND BIS (4- .beta. HYDROXY ETHOXY PHENYL) SULFONE | |
| JPH04205736A (ja) | 透明性ポリエステルディスク基板 | |
| JP3101453B2 (ja) | ポリエステル共重合体 | |
| JPS61136549A (ja) | コポリエステルとポリカーボネートとから成る組成物 |