JPH0578462A - ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 - Google Patents
ポリエステルデイスク基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0578462A JPH0578462A JP3268718A JP26871891A JPH0578462A JP H0578462 A JPH0578462 A JP H0578462A JP 3268718 A JP3268718 A JP 3268718A JP 26871891 A JP26871891 A JP 26871891A JP H0578462 A JPH0578462 A JP H0578462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- bis
- aromatic ring
- main chain
- dihydroxy compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 テレフタル酸および／又はイソフタル酸より
なるジカルボン酸又はそのエステル形成誘導体と、一般
式（１） （１） （Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン基、Ｒ2 は
水素又は炭素数が１から７までのアルキル基、Ｒ3 は水
素、メチル、ジメチル基、Ｒ4 は水素、メチル、ジメチ
ル基を表わす。）で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有
するジヒドロキシ化合物と一般式（２） （２） （Ｒ5 は炭素数２から４までのアルキレン基、Ｒ6 は水
素、メチル基、ジメチル基、Ｙは−Ｓ−，−ＳＯ−，又
は−ＳＯ2 −を表わす。）で示される主鎖に芳香環とイ
オウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコール
とからなる実質的に線状の芳香族ポリエステルからなる
ポリエステルディスク基板。 【効果】 透明性がよく、複屈折が小さくて、成形性お
よび耐熱性のよい、経済的に有利なポリエステルディス
ク基板を供給できる。
なるジカルボン酸又はそのエステル形成誘導体と、一般
式（１） （１） （Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン基、Ｒ2 は
水素又は炭素数が１から７までのアルキル基、Ｒ3 は水
素、メチル、ジメチル基、Ｒ4 は水素、メチル、ジメチ
ル基を表わす。）で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有
するジヒドロキシ化合物と一般式（２） （２） （Ｒ5 は炭素数２から４までのアルキレン基、Ｒ6 は水
素、メチル基、ジメチル基、Ｙは−Ｓ−，−ＳＯ−，又
は−ＳＯ2 −を表わす。）で示される主鎖に芳香環とイ
オウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコール
とからなる実質的に線状の芳香族ポリエステルからなる
ポリエステルディスク基板。 【効果】 透明性がよく、複屈折が小さくて、成形性お
よび耐熱性のよい、経済的に有利なポリエステルディス
ク基板を供給できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
を記録・再生する光ディスクの基板に係り、更に詳細に
は複屈折が小さく、透明性で寸法・形態安定性に優れ、
情報信号を盤上に記録し、再生するに好適な経済的な透
明性ポリエステルディスク基板に関する。
を記録・再生する光ディスクの基板に係り、更に詳細に
は複屈折が小さく、透明性で寸法・形態安定性に優れ、
情報信号を盤上に記録し、再生するに好適な経済的な透
明性ポリエステルディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光を用いて、ディスク基板上の
微細な信号を検出し、音声、画像、情報を記録・再生す
る光ディスクは、近年急速に用途が拡大している。この
光ディスク基板上の記録はサブミクロンの精度及びその
寸法安定性、更に保存安定性がよいこと等が必要であ
る。また、光学特性として、基板の透明性がよいこと及
び複屈折が小さいことが必要である。このためこれらの
製品はかなり高額なものとなっているのが現状である。
従来、このような光ディスク基板としては、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、非晶性ポリオレフィン（ＡＰＯ）などの透明性プ
ラスチック材料が使用されている。また、特殊な芳香族
ポリエステル共重合樹脂（特開昭５７−２０８６４５号
公報、特開平２−９８８４５号公報、同２−３８４２８
号公報）が提案されている。
微細な信号を検出し、音声、画像、情報を記録・再生す
る光ディスクは、近年急速に用途が拡大している。この
光ディスク基板上の記録はサブミクロンの精度及びその
寸法安定性、更に保存安定性がよいこと等が必要であ
る。また、光学特性として、基板の透明性がよいこと及
び複屈折が小さいことが必要である。このためこれらの
製品はかなり高額なものとなっているのが現状である。
従来、このような光ディスク基板としては、ポリメチル
メタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、非晶性ポリオレフィン（ＡＰＯ）などの透明性プ
ラスチック材料が使用されている。また、特殊な芳香族
ポリエステル共重合樹脂（特開昭５７−２０８６４５号
公報、特開平２−９８８４５号公報、同２−３８４２８
号公報）が提案されている。
【０００３】しかし、ＰＭＭＡは光学特性の点では良い
特性を示すが、吸湿性が大きくディスクが空気中の水分
を吸収してソリがでやすく、寸法安定性がよくない。ま
た、ＰＣは吸湿性は低くソリは出ないが、流動性が悪
く、成形性が困難という問題があり、複屈折が小さくな
い。さらに、ＡＰＯはすぐれた光学特性であるが、極め
て高価である。一方、芳香族ポリエステル共重合樹脂を
提案した特開昭５７−２０８６４５号公報、特開平２−
９８８４５号公報、同２−３８４２８号公報によるもの
は、光学特性が不十分であったり、耐熱性が不足した
り、高価な原料を用いたりして、必ずしも満足できるの
ではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が小さく
て、成形性のよい、経済的に有利な光ディスク基板の開
発が望まれている。
特性を示すが、吸湿性が大きくディスクが空気中の水分
を吸収してソリがでやすく、寸法安定性がよくない。ま
た、ＰＣは吸湿性は低くソリは出ないが、流動性が悪
く、成形性が困難という問題があり、複屈折が小さくな
い。さらに、ＡＰＯはすぐれた光学特性であるが、極め
て高価である。一方、芳香族ポリエステル共重合樹脂を
提案した特開昭５７−２０８６４５号公報、特開平２−
９８８４５号公報、同２−３８４２８号公報によるもの
は、光学特性が不十分であったり、耐熱性が不足した
り、高価な原料を用いたりして、必ずしも満足できるの
ではない。すなわち、透明性がよく、複屈折が小さく
て、成形性のよい、経済的に有利な光ディスク基板の開
発が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上述の
諸問題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を
有するポリエステルポリマーを成型すると優れたディス
ク基板が得られることを見出し、本発明を完成したもの
であって、その目的とするところは、複屈折が小さく、
透明性、寸法・形態安定性に優れ、耐熱性のよいポリエ
ステルディスク基板を提供するにある。本発明の他の目
的並びに効果は以下の説明から明らかにされよう。
諸問題点に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を
有するポリエステルポリマーを成型すると優れたディス
ク基板が得られることを見出し、本発明を完成したもの
であって、その目的とするところは、複屈折が小さく、
透明性、寸法・形態安定性に優れ、耐熱性のよいポリエ
ステルディスク基板を提供するにある。本発明の他の目
的並びに効果は以下の説明から明らかにされよう。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上述の目的は、テレフ
タル酸および／又はイソフタル酸よりなるジカルボン酸
又はそのエステル形成誘導体と、一般式（１）
タル酸および／又はイソフタル酸よりなるジカルボン酸
又はそのエステル形成誘導体と、一般式（１）
【化３】 （１） （Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン基、Ｒ2 は
水素又は炭素数が１から７までのアルキル基、Ｒ3 は水
素、メチル、ジメチル、Ｒ4 は水素、メチル、ジメチル
基を表わす。）で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有す
るジヒドロキシ化合物と一般式（２）
水素又は炭素数が１から７までのアルキル基、Ｒ3 は水
素、メチル、ジメチル、Ｒ4 は水素、メチル、ジメチル
基を表わす。）で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有す
るジヒドロキシ化合物と一般式（２）
【化４】 （２） （Ｒ5 は炭素数２から４までのアルキレン基、Ｒ6 は水
素、メチル基、ジメチル基、Ｙは−Ｓ−，−ＳＯ−，又
は−ＳＯ2 −を表わす。）で示される主鎖に芳香環とイ
オウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコール
からなる実質的に線状の芳香族ポリエステルからなるポ
リエステルディスク基板。
素、メチル基、ジメチル基、Ｙは−Ｓ−，−ＳＯ−，又
は−ＳＯ2 −を表わす。）で示される主鎖に芳香環とイ
オウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコール
からなる実質的に線状の芳香族ポリエステルからなるポ
リエステルディスク基板。
【０００６】並びに、テレフタル酸およびイソフタル酸
よりなるジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体
と、一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に芳香環を
有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）で表わされ
る主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ化合物
と、脂肪族グリコールとを混合し、加熱攪拌し、エステ
ル化反応またはエステル交換反応させて、低縮合物の溶
融混合物を得、次いで更に温度を上げて高真空、加熱条
件の下で重合反応させたポリマーを用い、射出成形する
製造方法により達成される。
よりなるジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体
と、一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に芳香環を
有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）で表わされ
る主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ化合物
と、脂肪族グリコールとを混合し、加熱攪拌し、エステ
ル化反応またはエステル交換反応させて、低縮合物の溶
融混合物を得、次いで更に温度を上げて高真空、加熱条
件の下で重合反応させたポリマーを用い、射出成形する
製造方法により達成される。
【０００７】本発明において、テレフタル酸および又は
イソフタル酸よりなるジカルボン酸またはそのエステル
形成性誘導体を用いるが、テレフタル酸成分に対してイ
ソフタル酸成分の比率は、０．５以下の範囲の場合に良
好な射出成形ができるが、より好ましくは０．１以上
０．５以下の範囲である。この比率が０．５よりも大き
い場合には、ガラス転移温度が低下し、成形時にバリが
出やすく、歩留まりが低下する。
イソフタル酸よりなるジカルボン酸またはそのエステル
形成性誘導体を用いるが、テレフタル酸成分に対してイ
ソフタル酸成分の比率は、０．５以下の範囲の場合に良
好な射出成形ができるが、より好ましくは０．１以上
０．５以下の範囲である。この比率が０．５よりも大き
い場合には、ガラス転移温度が低下し、成形時にバリが
出やすく、歩留まりが低下する。
【０００８】本発明において、一般式（１）で表わされ
る主鎖及び側鎖にベンゼン環を有するジヒドロキシ化合
物としては、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
フェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエト
キシフェニル）１−フェニル−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−フェニル−２−メチル−プロパン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニ
ル−ｎ−ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シフェニル）１−フェニル−ｎ−ペンタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−
ｎ−ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ
フェニル）１−フェニル−ｎ−ヘプタン等の如き１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−フェニル
−アルカン類、
る主鎖及び側鎖にベンゼン環を有するジヒドロキシ化合
物としては、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
フェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエト
キシフェニル）１−フェニル−エタン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−ｎ
−プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−フェニル−２−メチル−プロパン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニ
ル−ｎ−ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シフェニル）１−フェニル−ｎ−ペンタン、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル−
ｎ−ヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ
フェニル）１−フェニル−ｎ−ヘプタン等の如き１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−フェニル
−アルカン類、
【０００９】１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−（４−メチル−フェニル）−エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（３
−メチル−フェニル）−エタン等の如き、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−モノメチルフェ
ニル−アルカン類、
ェニル）１−（４−メチル−フェニル）−エタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（３
−メチル−フェニル）−エタン等の如き、１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−モノメチルフェ
ニル−アルカン類、
【００１０】１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフ
ェニル）１−（２，３−ジメチル−フェニル）−エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
１−（２，４−ジメチル−フェニル）−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（３，
５−ジメチル−フェニル）−エタン等の１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−ジメチルフェニ
ル−アルカン類、
ェニル）１−（２，３−ジメチル−フェニル）−エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
１−（２，４−ジメチル−フェニル）−エタン、１，１
−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−（３，
５−ジメチル−フェニル）−エタン等の１，１−ビス
（４−ヒドロキシエトキシフェニル）−ジメチルフェニ
ル−アルカン類、
【００１１】ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）
−ジフェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
エトキシ−３−メチル−フェニル）１−フェニル−エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−２−メチ
ル−フェニル）１−フェニル−エタン等の、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニル）１
−フェニル−エタン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
エトキシ−３，５−ジメチル−フェニル）１−フェニル
−エタン等の如き１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−ジメチル−フェニル）−フェニル−アルカン類、
１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）１
−フェニル−エタン等の１，１−ビス（４−ヒドロキシ
プロポキシフェニル）−フェニル−アルカン類、
−ジフェニル−メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
エトキシ−３−メチル−フェニル）１−フェニル−エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシ−２−メチ
ル−フェニル）１−フェニル−エタン等の、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニル）１
−フェニル−エタン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
エトキシ−３，５−ジメチル−フェニル）１−フェニル
−エタン等の如き１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキ
シ−ジメチル−フェニル）−フェニル−アルカン類、
１，１−ビス（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）１
−フェニル−エタン等の１，１−ビス（４−ヒドロキシ
プロポキシフェニル）−フェニル−アルカン類、
【００１２】１，１−ビス（４−ヒドロキシブトキシフ
ェニル）１−フェニル−エタンの如き１，１−ビス（４
−ヒドロキシブトキシフェニル）−フェニル−アルカン
類等の１，１−ビス（４−ヒドロキシアルキルオキシフ
ェニル）−フェニル−アルカンを挙げられるが、これら
の中、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−アルカン類がよく、特に、１，１−
ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル
−エタンが好ましい。またこれらは単独でもよく、また
２種以上を組み合わせて用いても良い。
ェニル）１−フェニル−エタンの如き１，１−ビス（４
−ヒドロキシブトキシフェニル）−フェニル−アルカン
類等の１，１−ビス（４−ヒドロキシアルキルオキシフ
ェニル）−フェニル−アルカンを挙げられるが、これら
の中、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−アルカン類がよく、特に、１，１−
ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル
−エタンが好ましい。またこれらは単独でもよく、また
２種以上を組み合わせて用いても良い。
【００１３】本発明において、一般式（２）で表わされ
る主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ化合物と
しては、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）スル
フォン、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）ジス
ルフォン、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）ジ
スルフォキシド、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）スルファイド等の如きビス（４−ヒドロキシエトキ
シフェニル）硫化物類、ビス（４−ヒドロキシプロポキ
シフェニル）スルフォン、ビス（４−ヒドロキシプロポ
キシフェニル）ジスルフォン、ビス（４−ヒドロキシプ
ロポキシフェニル）ジスルフォキシド、ビス（４−ヒド
ロキシプロポキシフェニル）スルファイド等の如きビス
（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）硫化物類、
る主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ化合物と
しては、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）スル
フォン、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）ジス
ルフォン、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）ジ
スルフォキシド、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）スルファイド等の如きビス（４−ヒドロキシエトキ
シフェニル）硫化物類、ビス（４−ヒドロキシプロポキ
シフェニル）スルフォン、ビス（４−ヒドロキシプロポ
キシフェニル）ジスルフォン、ビス（４−ヒドロキシプ
ロポキシフェニル）ジスルフォキシド、ビス（４−ヒド
ロキシプロポキシフェニル）スルファイド等の如きビス
（４−ヒドロキシプロポキシフェニル）硫化物類、
【００１４】ビス（４−ヒドロキシブトキシフェニル）
スルフォン、ビス（４−ヒドロキシブトキシフェニル）
ジスルフォン、ビス（４−ヒドロキシブトキシフェニ
ル）ジスルフォキシド、ビス（４−ヒドロキシブトキシ
フェニル）スルファイド等の如きビス（４−ヒドロキシ
ブトキシフェニル）硫化物類、ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−３−メチルフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシエトキシ−２−メチル−フェニル）スルホン等
のビス（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニ
ル）スルホン類、ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３−
メチルフェニル）ジスルホン、ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−２−メチル−フェニル）ジスルホン類のビス
（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニル）ジス
ルホン等などのビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニ
ル）硫化物が挙げられるが、特にビス（４−ヒドロキシ
エトキシフェニル）スルフォンが好ましい。またこれら
は単独でもよく、また２種以上を組み合わせて用いても
良い。
スルフォン、ビス（４−ヒドロキシブトキシフェニル）
ジスルフォン、ビス（４−ヒドロキシブトキシフェニ
ル）ジスルフォキシド、ビス（４−ヒドロキシブトキシ
フェニル）スルファイド等の如きビス（４−ヒドロキシ
ブトキシフェニル）硫化物類、ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−３−メチルフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシエトキシ−２−メチル−フェニル）スルホン等
のビス（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニ
ル）スルホン類、ビス（４−ヒドロキシエトキシ−３−
メチルフェニル）ジスルホン、ビス（４−ヒドロキシエ
トキシ−２−メチル−フェニル）ジスルホン類のビス
（４−ヒドロキシエトキシ−モノメチルフェニル）ジス
ルホン等などのビス（４−ヒドロキシエトキシ−フェニ
ル）硫化物が挙げられるが、特にビス（４−ヒドロキシ
エトキシフェニル）スルフォンが好ましい。またこれら
は単独でもよく、また２種以上を組み合わせて用いても
良い。
【００１５】本発明において、脂肪族グリコールとして
は、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、
１，２−プロパンジオール等のプロパンジオール類、
１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、
１，２−ブタンジオール等のブタンジオール類、１，５
−ペンタンジオール、１，４−ペンタンジオール、１，
３−ペンタンジオール、１，２−ペンタンジオール等の
ペンタンジオール類の如きアルキルグリコール、シクロ
ヘキサンジメタノール、シクロペンタンジメタノール等
の脂肪族単環ジメタノール類が挙げられるが、特にエチ
レングリコールが好ましい。またこれらは単独でもよ
く、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
は、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、
１，２−プロパンジオール等のプロパンジオール類、
１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、
１，２−ブタンジオール等のブタンジオール類、１，５
−ペンタンジオール、１，４−ペンタンジオール、１，
３−ペンタンジオール、１，２−ペンタンジオール等の
ペンタンジオール類の如きアルキルグリコール、シクロ
ヘキサンジメタノール、シクロペンタンジメタノール等
の脂肪族単環ジメタノール類が挙げられるが、特にエチ
レングリコールが好ましい。またこれらは単独でもよ
く、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１６】本発明において、一般式（１）で表わされ
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物
と、一般式（２）で表わされる主鎖に芳香環とイオウを
有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールの組成
比については、式（３）、（４） ０．０５≦ｘ＜０．５ （３） ０．１≦ｘ＋ｙ≦０．５ （４） （ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ一般式（１）、一般式
（２）、脂肪族グリコールのジヒドロ化合物の合計モノ
マー単位当たりのそれぞれの比率を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１である）で示される範囲であることが必要である。
一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に芳香環を有す
るジヒドロキシ化合物の組成（ｘ）が、０．０５未満で
は得られるポリエステルディスク基板の複屈折の値が大
きくなり、また、これが０．５以上になると、ポリマー
の製造時に重合反応が進まず、十分な重合度に到達でき
ない。また、一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に
芳香環を有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）で
表わされる主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ
化合物とを合わせた組成の値（ｘ＋ｙ）が、０．１未満
では、得られるポリエステルポリマーのガラス転移温度
が低いので、耐熱性が不十分となり、０．５よりも大き
いと、ポリマーの製造時に重合反応が進まず、十分な重
合度に到達できない。
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物
と、一般式（２）で表わされる主鎖に芳香環とイオウを
有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールの組成
比については、式（３）、（４） ０．０５≦ｘ＜０．５ （３） ０．１≦ｘ＋ｙ≦０．５ （４） （ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ一般式（１）、一般式
（２）、脂肪族グリコールのジヒドロ化合物の合計モノ
マー単位当たりのそれぞれの比率を表わし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１である）で示される範囲であることが必要である。
一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に芳香環を有す
るジヒドロキシ化合物の組成（ｘ）が、０．０５未満で
は得られるポリエステルディスク基板の複屈折の値が大
きくなり、また、これが０．５以上になると、ポリマー
の製造時に重合反応が進まず、十分な重合度に到達でき
ない。また、一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に
芳香環を有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）で
表わされる主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ
化合物とを合わせた組成の値（ｘ＋ｙ）が、０．１未満
では、得られるポリエステルポリマーのガラス転移温度
が低いので、耐熱性が不十分となり、０．５よりも大き
いと、ポリマーの製造時に重合反応が進まず、十分な重
合度に到達できない。
【００１７】本発明において、一般式（１）で表わされ
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物
と、一般式（２）で表わされる主鎖に芳香環とイオウを
有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールを用い
るが、これらのほかに必要に応じて第４成分、たとえ
ば、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ビフ
ェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、シクロヘ
キサンジカルボン酸、水素化−３，７−ジカルボン酸ジ
フェニレンオキサイド等の脂環族ジカルボン酸及び／ま
たはそのエステル誘導体、また、４，４’−ビフェノー
ル、ジヒドロキシナフタレン、ビスフェノールフルオレ
ン等の芳香族ジオール類及び／又はその誘導体、シクロ
ヘキサンジメタノール、水素化−３，７−ジヒドロキシ
ジフェニレンオキサイド等の脂環族ジオール類及び／又
はその誘導体などを添加、重合してもよい。本発明のテ
レフタル酸および／又はイソフタル酸よりなるジカルボ
ン酸またはそのエステル形成性誘導体と、主鎖及び側鎖
に芳香環を有するジヒドロキシ化合物と、主鎖に芳香環
とイオウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコ
ールとからなるポリエステル樹脂は、例えばエステル交
換法、直接重合法等の公知の方法から適宜の方法を選択
して製造すればよい。またその際の重合触媒など反応条
件についても従来通りでよく、公知の方法を用いること
が出来る。エステル交換触媒については、酢酸カルシウ
ム、酢酸亜鉛、酢酸マンガンなど、また重合触媒につい
ても、三酸化アンチモン、酸化ゲルマニウム、チタン酸
エステル等のよく知られた化合物が挙げられる。なお、
本発明品は光学的用途に用いられるので、塵埃などの異
物の混入を避けねばならない。すなわち、原料およびそ
の投入工程を始め、重合反応、そのポリマーを冷媒中に
押し出して、ペレット状またはシート状にする工程、そ
れを乾燥し成型する工程では、塵埃などが入り込まない
様にすることが必要である。このクリーン度はコンパク
トディスクの場合には１０００以下であり、さらに高度
な情報記録の場合には１００以下である。
る主鎖及び側鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物
と、一般式（２）で表わされる主鎖に芳香環とイオウを
有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコールを用い
るが、これらのほかに必要に応じて第４成分、たとえ
ば、２，６−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ビフ
ェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、シクロヘ
キサンジカルボン酸、水素化−３，７−ジカルボン酸ジ
フェニレンオキサイド等の脂環族ジカルボン酸及び／ま
たはそのエステル誘導体、また、４，４’−ビフェノー
ル、ジヒドロキシナフタレン、ビスフェノールフルオレ
ン等の芳香族ジオール類及び／又はその誘導体、シクロ
ヘキサンジメタノール、水素化−３，７−ジヒドロキシ
ジフェニレンオキサイド等の脂環族ジオール類及び／又
はその誘導体などを添加、重合してもよい。本発明のテ
レフタル酸および／又はイソフタル酸よりなるジカルボ
ン酸またはそのエステル形成性誘導体と、主鎖及び側鎖
に芳香環を有するジヒドロキシ化合物と、主鎖に芳香環
とイオウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコ
ールとからなるポリエステル樹脂は、例えばエステル交
換法、直接重合法等の公知の方法から適宜の方法を選択
して製造すればよい。またその際の重合触媒など反応条
件についても従来通りでよく、公知の方法を用いること
が出来る。エステル交換触媒については、酢酸カルシウ
ム、酢酸亜鉛、酢酸マンガンなど、また重合触媒につい
ても、三酸化アンチモン、酸化ゲルマニウム、チタン酸
エステル等のよく知られた化合物が挙げられる。なお、
本発明品は光学的用途に用いられるので、塵埃などの異
物の混入を避けねばならない。すなわち、原料およびそ
の投入工程を始め、重合反応、そのポリマーを冷媒中に
押し出して、ペレット状またはシート状にする工程、そ
れを乾燥し成型する工程では、塵埃などが入り込まない
様にすることが必要である。このクリーン度はコンパク
トディスクの場合には１０００以下であり、さらに高度
な情報記録の場合には１００以下である。
【００１８】本発明のディスク基板のポリマー重合度も
製品の品質にとって重要であるが、一般的樹脂の用途に
比べて低めが適している。極限粘度で見ると、０．４以
上０．８以下の範囲であるが、０．５以上０．７以下が
好ましい。この粘度が未満であると、成型品の強度が不
十分で脆くなる。また、０．８を越えると、射出成形が
困難となる。ディスクの成型は通常射出成形により行な
い、成形条件では、特に金型表面温度とポリマー温度と
が重要である。カルボン酸およびジオール成分の組成比
により一概に規定できないが、金型表面温度は４０℃以
上１００℃以下とし、また、この時のポリマーの温度は
２５０℃以上３３０℃以下でとなるようにする。
製品の品質にとって重要であるが、一般的樹脂の用途に
比べて低めが適している。極限粘度で見ると、０．４以
上０．８以下の範囲であるが、０．５以上０．７以下が
好ましい。この粘度が未満であると、成型品の強度が不
十分で脆くなる。また、０．８を越えると、射出成形が
困難となる。ディスクの成型は通常射出成形により行な
い、成形条件では、特に金型表面温度とポリマー温度と
が重要である。カルボン酸およびジオール成分の組成比
により一概に規定できないが、金型表面温度は４０℃以
上１００℃以下とし、また、この時のポリマーの温度は
２５０℃以上３３０℃以下でとなるようにする。
【００１９】
【発明の効果】以上の方法によって、透明性がよく、複
屈折が小さくて、成形性および耐熱性のよい、経済的に
有利なポリエステルディスク基板を供給できる。
屈折が小さくて、成形性および耐熱性のよい、経済的に
有利なポリエステルディスク基板を供給できる。
【００２０】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明す
る。実施例中「部」とあるは重量部を意味する。また実
施例におけるポリマーの極限粘度、ガラス転移温度、複
屈折及び光線透過率は次に示す測定法によって測定し
た。 （１）ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエタンとの混合溶媒（混合比
６０：４０）を用い、８０℃にて溶解後、２０℃恒温槽
中にて測定した。 （２）ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計（理学電気、ＤＳＣ−８２３０）に試料
約１０ｍｇを用いて、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱
して求めた。 （３）複屈折 射出成形機にて成形した厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍ
ｍのディスクの中心から半径方向の６０ｍｍの位置のレ
ターデーションを、カールツアイス社製偏光顕微鏡（ブ
レスケーラー型コンペンセーターを装着）にて５４６ｎ
ｍの単色光源で測定した。 （４）光線透過率 ディスク基板サンプルを波長４００〜９００ｎｍの範囲
でＵＶ分光光度計にて測定し８２０ｎｍでの結果を示し
た。
る。実施例中「部」とあるは重量部を意味する。また実
施例におけるポリマーの極限粘度、ガラス転移温度、複
屈折及び光線透過率は次に示す測定法によって測定し
た。 （１）ポリマーの極限粘度 フェノールとテトラクロルエタンとの混合溶媒（混合比
６０：４０）を用い、８０℃にて溶解後、２０℃恒温槽
中にて測定した。 （２）ポリマーのガラス転移温度 示差走査熱量計（理学電気、ＤＳＣ−８２３０）に試料
約１０ｍｇを用いて、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱
して求めた。 （３）複屈折 射出成形機にて成形した厚さ１．２ｍｍ、直径１２０ｍ
ｍのディスクの中心から半径方向の６０ｍｍの位置のレ
ターデーションを、カールツアイス社製偏光顕微鏡（ブ
レスケーラー型コンペンセーターを装着）にて５４６ｎ
ｍの単色光源で測定した。 （４）光線透過率 ディスク基板サンプルを波長４００〜９００ｎｍの範囲
でＵＶ分光光度計にて測定し８２０ｎｍでの結果を示し
た。
【００２１】実施例１ ジメチルテレフタル酸１００部、ジメチルイソフタル酸
５部、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−エタン３８部、ビス（４−ヒドロキ
シエトキシフェニル）スルフォン１８部、及びエチレン
グリコール６８部を原料とし、触媒として酢酸カルシウ
ム０．１部を用いて、これらを攪拌機付き反応槽に投入
し、混合しながら常法に従って１９０℃から２４０℃に
加熱してエステル交換反応を行なった。所定のメタノー
ルを系外へ抜き出したのち、重合触媒である酸化ゲルマ
ニウム０．０３部を投入し昇温と真空引きを徐々に行な
い、発生するエチレングリコールを抜きながら、加熱漕
温度を２８０℃、反応圧力を真空度１ｍｍＨｇ以下に到
達後引き続きこの条件を維持して粘度の上昇を待ち、攪
拌機の所定トルクに達した時点で反応を終了し、水中に
押しだしてペレットを得た。このポリマーの極限粘度は
０．５８、ガラス転移温度は９３℃であった。このペレ
ットを真空加熱乾燥し水分率を０．００５％とした後、
金型温度を６０℃、ポリマー温度を２９０℃となるよう
にヒーターを調節し、射出成形機（ダイナメルタ、Ｍ−
２５Ａ II−Ｄ−ＤＭ）にてディスクを成形した。この
ディスクのレターデーションは５ｎｍ、光線透過率は９
１％であった。結果を表１に示す。
５部、１，１−ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）１−フェニル−エタン３８部、ビス（４−ヒドロキ
シエトキシフェニル）スルフォン１８部、及びエチレン
グリコール６８部を原料とし、触媒として酢酸カルシウ
ム０．１部を用いて、これらを攪拌機付き反応槽に投入
し、混合しながら常法に従って１９０℃から２４０℃に
加熱してエステル交換反応を行なった。所定のメタノー
ルを系外へ抜き出したのち、重合触媒である酸化ゲルマ
ニウム０．０３部を投入し昇温と真空引きを徐々に行な
い、発生するエチレングリコールを抜きながら、加熱漕
温度を２８０℃、反応圧力を真空度１ｍｍＨｇ以下に到
達後引き続きこの条件を維持して粘度の上昇を待ち、攪
拌機の所定トルクに達した時点で反応を終了し、水中に
押しだしてペレットを得た。このポリマーの極限粘度は
０．５８、ガラス転移温度は９３℃であった。このペレ
ットを真空加熱乾燥し水分率を０．００５％とした後、
金型温度を６０℃、ポリマー温度を２９０℃となるよう
にヒーターを調節し、射出成形機（ダイナメルタ、Ｍ−
２５Ａ II−Ｄ−ＤＭ）にてディスクを成形した。この
ディスクのレターデーションは５ｎｍ、光線透過率は９
１％であった。結果を表１に示す。
【００２２】実施例２ 原料としてジメチルテレフタル酸１１０部と、１，１−
ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル
−エタン７２部、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）スルフォン８部、エチレングリコール６８部とした
他は、実施例１と同様にして、ペレットを得た。このポ
リマーの極限粘度は０．６３、ガラス転移温度は９６℃
であった。このディスクのレターデーションは７ｎｍ、
光線透過率は９２％であった。結果を表１に示す。
ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニル）１−フェニル
−エタン７２部、ビス（４−ヒドロキシエトキシフェニ
ル）スルフォン８部、エチレングリコール６８部とした
他は、実施例１と同様にして、ペレットを得た。このポ
リマーの極限粘度は０．６３、ガラス転移温度は９６℃
であった。このディスクのレターデーションは７ｎｍ、
光線透過率は９２％であった。結果を表１に示す。
【００２３】実施例３〜５、比較例１〜４ 原料の組成比を変えた他は実施例１と同様にしてディス
クを成形した結果を表１に示す。同表から比較例１では
複屈折を示すレターデーションが大きくなり、製品とし
た後の光ディスクシステムにおいて、シグナルノイズが
多く、エラーの原因となり、採用できなかった。また、
比較例２ではポリマーの製造において、重合反応が進行
せず、反応時間を３倍に伸ばしたが、粘度の上昇が見ら
れず、ポリマーが製造できなかった。また、比較例３で
は、光ディスクはできたものの、ポリマーのガラス転移
温度が低く、製品とした後の寸法安定性が悪くなるので
採用できなかった。また、比較例４でも、ディスクは成
形できたものの、レターデーションが大きくなり、比較
例１と同様、使用できない。以上の実施例と、比較例か
ら明らかなように、本発明のものは、透明性がよく、レ
ターデーションが小さくて、耐熱性のよい光ディスク基
板であることが分かる。
クを成形した結果を表１に示す。同表から比較例１では
複屈折を示すレターデーションが大きくなり、製品とし
た後の光ディスクシステムにおいて、シグナルノイズが
多く、エラーの原因となり、採用できなかった。また、
比較例２ではポリマーの製造において、重合反応が進行
せず、反応時間を３倍に伸ばしたが、粘度の上昇が見ら
れず、ポリマーが製造できなかった。また、比較例３で
は、光ディスクはできたものの、ポリマーのガラス転移
温度が低く、製品とした後の寸法安定性が悪くなるので
採用できなかった。また、比較例４でも、ディスクは成
形できたものの、レターデーションが大きくなり、比較
例１と同様、使用できない。以上の実施例と、比較例か
ら明らかなように、本発明のものは、透明性がよく、レ
ターデーションが小さくて、耐熱性のよい光ディスク基
板であることが分かる。
【表１】
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 67:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 4Ｆ
Claims (3)
- 【請求項１】 テレフタル酸および／又はイソフタル酸
よりなるジカルボン酸又はそのエステル形成誘導体と、
一般式（１） 【化１】 （１） （Ｒ1 は炭素数が２から４までのアルキレン基、Ｒ2 は
水素又は炭素数が１から７までのアルキル基、Ｒ3 は水
素、メチル、ジメチル基、Ｒ4 は水素、メチル、ジメチ
ル基を表わす。）で示される主鎖及び側鎖に芳香環を有
するジヒドロキシ化合物と一般式（２） 【化２】 （２） （Ｒ5 は炭素数２から４までのアルキレン基、Ｒ6 は水
素、メチル基、ジメチル基、Ｙは−Ｓ−，−ＳＯ−，又
は−ＳＯ2 −を表わす。）で示される主鎖に芳香環とイ
オウを有するジヒドロキシ化合物と、脂肪族グリコール
とからなる実質的に線状の芳香族ポリエステルからなる
ポリエステルディスク基板。 - 【請求項２】 一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖
に芳香環を有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）
で表わされる主鎖に芳香環を有するジヒドロキシ化合物
と、脂肪族グリコールの組成比が、式（３），（４） ０．０５≦ｘ＜０．５ （３） ０．１≦ｘ＋ｙ≦０．５ （４） （ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ一般式（１）、一般式
（２）、脂肪族グリコールのジヒドロ化合物の合計モノ
マー単位当たりのそれぞれの比率を表わす。ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）の範囲である請求項１記載のポリエステルディス
ク基板。 - 【請求項３】 テレフタル酸および／又はイソフタル酸
よりなるジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体
と、一般式（１）で表わされる主鎖及び側鎖に芳香環を
有するジヒドロキシ化合物と、一般式（２）で表わされ
る主鎖に芳香環とイオウを有するジヒドロキシ化合物
と、脂肪族グリコールとを混合し、加熱攪拌してエステ
ル化反応またはエステル交換反応させて低縮合物の溶融
混合物を得、次いで更に温度を上げて高真空、加熱条件
の下で重合反応させたポリエステルポリマーを用い、射
出成形することを特徴とするポリエステルディスク基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268718A JPH0578462A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3268718A JPH0578462A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578462A true JPH0578462A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17462390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3268718A Pending JPH0578462A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0578462A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683149A (en) * | 1995-04-05 | 1997-11-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Hydraulic pressure control apparatus having device for estimating amount of fluid in reservoir to which the fluid is discharged to reduce cylinder pressure |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP3268718A patent/JPH0578462A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683149A (en) * | 1995-04-05 | 1997-11-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Hydraulic pressure control apparatus having device for estimating amount of fluid in reservoir to which the fluid is discharged to reduce cylinder pressure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6066711A (en) | Polyester polymer and its moldings | |
| KR100529665B1 (ko) | 이소소르바이드 폴리에스테르를 포함하는 광학 제품 및그의 제조방법 | |
| JP5271142B2 (ja) | ポリエステル重合体およびその成形体 | |
| US5530086A (en) | Polyester containing 9,9-bis(4-(2-hydroxyalkoxy)phenyl fluorene | |
| JP2977714B2 (ja) | ポリエステル成形体 | |
| JPH07198901A (ja) | プラスチックレンズ用ポリエステル樹脂 | |
| JP2843215B2 (ja) | ポリエステル重合体およびその成形体並びに成形体の製造方法 | |
| JP2000319366A (ja) | ポリエステル重合体及びその製造方法 | |
| JP2840211B2 (ja) | ポリエステル重合体及びその成形体 | |
| JPH0578462A (ja) | ポリエステルデイスク基板及びその製造方法 | |
| JPH0841303A (ja) | 光学材料用樹脂組成物とその製造法 | |
| JP3101453B2 (ja) | ポリエステル共重合体 | |
| JPH06157734A (ja) | 光学用ポリエステル共重合体およびその製造方法 | |
| JPH05170879A (ja) | ポリエステルディスク基板及びその製造法 | |
| JP2865908B2 (ja) | 透明性ポリエステルディスク基板 | |
| JPH06145320A (ja) | ポリエステル共重合体及びその製造方法 | |
| JP2000119379A (ja) | 光学素子 | |
| JP2854796B2 (ja) | ポリエステル重合体及びその成形体 | |
| JPH09157367A (ja) | 液晶ディスプレイのフィルムシート用ポリエステル重合体 | |
| JPH05182239A (ja) | ポリエステル光ディスク基板及びその製造方法 | |
| JP3440168B2 (ja) | ポリエステル重合体 | |
| JPH04205736A (ja) | 透明性ポリエステルディスク基板 | |
| JPH06145319A (ja) | ポリエステル共重合体及びその製造方法 | |
| JPH06145321A (ja) | ポリエステル共重合体及びその製造方法 | |
| JPH09291138A (ja) | ポリエステル重合体および該重合体からなる光学用材料 |