JPH03240589A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH03240589A JPH03240589A JP2036281A JP3628190A JPH03240589A JP H03240589 A JPH03240589 A JP H03240589A JP 2036281 A JP2036281 A JP 2036281A JP 3628190 A JP3628190 A JP 3628190A JP H03240589 A JPH03240589 A JP H03240589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording
- sb2s3
- trapping
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229940007424 antimony trisulfide Drugs 0.000 claims abstract description 3
- NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Sb+3].[Sb+3] NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームを用いて情報を記録再生するコンパ
クトディスク（以下ＣＤとする）タイプの光情報記録媒
体のディスクに関するものである。
クトディスク（以下ＣＤとする）タイプの光情報記録媒
体のディスクに関するものである。
ＣＤと互換性のある追記型光ディスク（以下ＣＩ）−Ｗ
Ｏディスクと呼ぶ）の開発が盛んに行われている。ＣＤ
と互換性を持たせるために鏡面の反射率が７０％以上で
あることが要求される。
Ｏディスクと呼ぶ）の開発が盛んに行われている。ＣＤ
と互換性を持たせるために鏡面の反射率が７０％以上で
あることが要求される。
例えばＧ ｅ−Ｔ ｅ系材料では多層構造にしても７０
％以上の反射率を達成するのは難しく、反射率を達成で
きたとしても記録特性、耐候性を満足するのは難しい。
％以上の反射率を達成するのは難しく、反射率を達成で
きたとしても記録特性、耐候性を満足するのは難しい。
このようにＧｅ−Ｔｅ系材料では、反射率、記録特性、
耐候性すべてを同時に満足させることはできない。
耐候性すべてを同時に満足させることはできない。
本発明の目的は、簡単な構造で反射率７０％以上を達成
でき、記録特性、耐候性を満足させるＣＤ−ＷＯディス
クを提供することにある。
でき、記録特性、耐候性を満足させるＣＤ−ＷＯディス
クを提供することにある。
そのため本発明では、記録膜に窒素（以下Ｎ２と呼ぶ〉
を内部トラップした三硫化アンチモン（以下Ｓｂ２Ｓ３
と呼ぶ）を使用し、その上に金（以下Ａｕと呼ぶ）反射
膜を積層したＣＤ−ＷＯディスクを提供するものである
。
を内部トラップした三硫化アンチモン（以下Ｓｂ２Ｓ３
と呼ぶ）を使用し、その上に金（以下Ａｕと呼ぶ）反射
膜を積層したＣＤ−ＷＯディスクを提供するものである
。
上述のようなディスク構造では、Ｓｂ２Ｓ３膜中へＮ２
をトラップすることにより、屈折率、消衰係数の値を小
さくすることができる。また、記録メカニズムは、アモ
ルファス−結晶の相変化のメカニズムから、Ｎｚ）ラン
プにより熱的に安定な非晶質（アモルファス）状態にな
り基板変形のみの記録メカニズムだけとなって記録特性
が改善できる。さらに、Ｎ２ トラップにより不活性、
不動状態となり物理的、化学的安定性が高まり耐候性を
向上することができる。
をトラップすることにより、屈折率、消衰係数の値を小
さくすることができる。また、記録メカニズムは、アモ
ルファス−結晶の相変化のメカニズムから、Ｎｚ）ラン
プにより熱的に安定な非晶質（アモルファス）状態にな
り基板変形のみの記録メカニズムだけとなって記録特性
が改善できる。さらに、Ｎ２ トラップにより不活性、
不動状態となり物理的、化学的安定性が高まり耐候性を
向上することができる。
第１図に本発明による光情報記録媒体の一実施例を示す
。
。
図において、連続グループポリカーボネート基板１の上
にＮ２をトラップしたｓｂ、ｓ３膜２を、さらにＡｕ反
射膜３．紫外線硬化（ＵＶ）樹脂膜４を積層した。Ｓｂ
２Ｓ３膜２及びＡｕ反射膜３はスパッタリング法により
作製する。ＵＶ樹脂は、スピンナによりスピンコードす
る。
にＮ２をトラップしたｓｂ、ｓ３膜２を、さらにＡｕ反
射膜３．紫外線硬化（ＵＶ）樹脂膜４を積層した。Ｓｂ
２Ｓ３膜２及びＡｕ反射膜３はスパッタリング法により
作製する。ＵＶ樹脂は、スピンナによりスピンコードす
る。
まず、同−真空槽内で基板１に５ｂ２ｓ３記録膜２．Ａ
ｕ反射膜３を連続でスパッタリングする。
ｕ反射膜３を連続でスパッタリングする。
Ｓｂ２Ｓ３記録膜スパンタリングは、アルゴンガス（Ａ
ｒ＞とＮ２ガスの奪回気中で行い、Ｎ２を膜内に含んだ
Ｓｂ２Ｓ３記録膜２を作製する。この時Ｎ２はＡ、 ｒ
に幻して、５％以下である。その後、ＵＶ樹脂膜４をス
ピンコードする。
ｒ＞とＮ２ガスの奪回気中で行い、Ｎ２を膜内に含んだ
Ｓｂ２Ｓ３記録膜２を作製する。この時Ｎ２はＡ、 ｒ
に幻して、５％以下である。その後、ＵＶ樹脂膜４をス
ピンコードする。
本実施例によるディスク状光情報記録媒体に８１で波長
７８０ｎｍの半導体レーザを１．２ ｍ／ｓｅｃ。
７８０ｎｍの半導体レーザを１．２ ｍ／ｓｅｃ。
の線速度で照射した。記録された信号は２００ＫＨｚデ
ユーテイ比５０１５０のパルスであり、記録された信号
を０．５ｍＷで同様のＩ／−ザで再η：したところＣ／
Ｎ比は４５ｄＢであった。また、この時の５ｂｚＳａ膜
の膜厚は１５０ｎｍ、Ａｕ膜は８０ｎｍで、基板側の反
射率は７５％であった。第２図に記録された時のディス
ク断面図を示す。第３図には、ＥＦＭ信号を記録したデ
ィスクをＪＩＳＣ５０２４Ｍ−］の温湿度サイクル試験
を行った時のブロック誤り率の変化を示す。なお、本試
験での１サイクルは通常環境下では１年に相当する。
ユーテイ比５０１５０のパルスであり、記録された信号
を０．５ｍＷで同様のＩ／−ザで再η：したところＣ／
Ｎ比は４５ｄＢであった。また、この時の５ｂｚＳａ膜
の膜厚は１５０ｎｍ、Ａｕ膜は８０ｎｍで、基板側の反
射率は７５％であった。第２図に記録された時のディス
ク断面図を示す。第３図には、ＥＦＭ信号を記録したデ
ィスクをＪＩＳＣ５０２４Ｍ−］の温湿度サイクル試験
を行った時のブロック誤り率の変化を示す。なお、本試
験での１サイクルは通常環境下では１年に相当する。
第３図から明らかなように、本実施例によるＮ２を内部
トラップしたＳｂ２Ｓ３記録膜２にＡｕ反射率３を積層
したディスク構造での光情報記録媒体は、従来の相変化
による記録と異なりディスク基板の変形によりピットが
記録されるため、操作条件範囲内の温湿度変化にも充分
対応できブロック誤り率の変化も少ない。
トラップしたＳｂ２Ｓ３記録膜２にＡｕ反射率３を積層
したディスク構造での光情報記録媒体は、従来の相変化
による記録と異なりディスク基板の変形によりピットが
記録されるため、操作条件範囲内の温湿度変化にも充分
対応できブロック誤り率の変化も少ない。
以上本発明によれば、５ｂｚＳ：＋膜中へＮ２をトラッ
プすることにより、屈折率、消衰係数の値を小さくする
ことができる。また、記録メカニズムは、アモルファス
−結晶の相変化のメカニズムから、Ｎｚ トラップに
より熱的に安定な比品質（アモルファス）状態になり基
板変形のみの記録メカニズムだけとなって記録特性が改
善できる。
プすることにより、屈折率、消衰係数の値を小さくする
ことができる。また、記録メカニズムは、アモルファス
−結晶の相変化のメカニズムから、Ｎｚ トラップに
より熱的に安定な比品質（アモルファス）状態になり基
板変形のみの記録メカニズムだけとなって記録特性が改
善できる。
さらに、Ｎｚ ｌ−ラップにより不活性、不動状態と
なり物理的、化学的安定性が高まり耐候性を向上するこ
とができる。
なり物理的、化学的安定性が高まり耐候性を向上するこ
とができる。
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図、第２図
は記録時の本発明による光情報記録媒体の断面図、第３
図は本発明によるディスク構造の光情報記録媒体のブロ
ック誤り率の変化を示す線図である。 １・・・基板 ２・・・Ｓｂ２Ｓ３記録膜 ３・・・Ａｕ反射膜 ４・・・ＵＶ樹脂膜 ５・・・ビット ６・・・記録レーザ光
は記録時の本発明による光情報記録媒体の断面図、第３
図は本発明によるディスク構造の光情報記録媒体のブロ
ック誤り率の変化を示す線図である。 １・・・基板 ２・・・Ｓｂ２Ｓ３記録膜 ３・・・Ａｕ反射膜 ４・・・ＵＶ樹脂膜 ５・・・ビット ６・・・記録レーザ光
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された記録薄膜へ光ビームを照射
し、情報を記録する光情報記録媒体において、前記記録
薄膜に窒素（Ｎ＿２）を内部へ取り込んだ三硫化アンチ
モン（Ｓｂ＿２Ｓ＿３）で構成したことを特徴とする光
情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036281A JPH03240589A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036281A JPH03240589A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03240589A true JPH03240589A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12465403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2036281A Pending JPH03240589A (ja) | 1990-02-19 | 1990-02-19 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03240589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990042064A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 윤종용 | 귀금속 반사층을 구비한 상변화 광디스크 |
| WO2008096680A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Panasonic Corporation | 情報記録媒体およびその製造方法、スパッタリングターゲットならびに成膜装置 |
-
1990
- 1990-02-19 JP JP2036281A patent/JPH03240589A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990042064A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 윤종용 | 귀금속 반사층을 구비한 상변화 광디스크 |
| WO2008096680A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Panasonic Corporation | 情報記録媒体およびその製造方法、スパッタリングターゲットならびに成膜装置 |
| US8273438B2 (en) | 2007-02-09 | 2012-09-25 | Panasonic Corporation | Information recording medium, process for producing the information recording medium, sputtering target and film forming apparatus |
| JP5226537B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2013-07-03 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体およびその製造方法、スパッタリングターゲットならびに成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5252370A (en) | Optical recording medium and method for making | |
| JPH06243507A (ja) | 光情報キャリア | |
| JPH0644608A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0218728A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6145437A (ja) | 光学記録部材 | |
| JPH03240589A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US6839318B2 (en) | Optical information recording medium having ultraviolet-curing resin and adhesive layers and method of manufacturing same | |
| JPH02235789A (ja) | 光学情報記録部材及びその記録再生方法 | |
| TW200416726A (en) | Optical information-recording media and optical information-recording /reproduction apparatus | |
| JPH02289933A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH052769A (ja) | 情報光記録媒体 | |
| JP3068420B2 (ja) | 光学的情報記録媒体の再生方法 | |
| JPH02113453A (ja) | 光ディスク | |
| JPH0644606A (ja) | 相変化光記録媒体 | |
| JPH02201748A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0917028A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその情報再生方法 | |
| JPH07201075A (ja) | 光情報媒体 | |
| JPH0793808A (ja) | 光ディスク | |
| JPH07105576A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH08258416A (ja) | 低吸収材料を用いる記録可能型光学素子 | |
| JPH1196590A (ja) | 光記録用媒体 | |
| JPH02247839A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH04263134A (ja) | 光学記録媒体およびその記録再生方法 | |
| JP2003303445A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH02310833A (ja) | 光情報記録媒体 |