JPH0644606A - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
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- JPH0644606A JPH0644606A JP5037695A JP3769593A JPH0644606A JP H0644606 A JPH0644606 A JP H0644606A JP 5037695 A JP5037695 A JP 5037695A JP 3769593 A JP3769593 A JP 3769593A JP H0644606 A JPH0644606 A JP H0644606A
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- JP
- Japan
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- recording
- film
- recording medium
- reflectance
- phase change
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録前および記録後の反射率がそれぞれ７０
％以上および２８％未満で、市販の再生専用型光ディス
ク再生装置による再生が可能な相変化光記録媒体を提供
する。 【構成】 記録膜としてＩｎＳｅ系材料を用い、記録媒
体の記録前の屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の
屈折率をｎ、消衰係数をｋとした時、 ０．８＜（ｎ／ｎｏ）＜１のとき３．０＜（ｋｏ／ｋ） ０．２＜（ｎ／ｎｏ）＜０．８のとき（ｋｏ／ｋ）＜
３．０ となるように、記録膜の組成および記録膜と透明誘電体
膜の膜厚を制御する。
％以上および２８％未満で、市販の再生専用型光ディス
ク再生装置による再生が可能な相変化光記録媒体を提供
する。 【構成】 記録膜としてＩｎＳｅ系材料を用い、記録媒
体の記録前の屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の
屈折率をｎ、消衰係数をｋとした時、 ０．８＜（ｎ／ｎｏ）＜１のとき３．０＜（ｋｏ／ｋ） ０．２＜（ｎ／ｎｏ）＜０．８のとき（ｋｏ／ｋ）＜
３．０ となるように、記録膜の組成および記録膜と透明誘電体
膜の膜厚を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ビームを用いて情報が
記録再生される光情報記録媒体に関し、特に相変化光記
録媒体に関する。
記録再生される光情報記録媒体に関し、特に相変化光記
録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、その記録再生状態により
再生専用型と書き換え可能型とに大別する事が出来る。
このうち、再生専用型は、ＣＤ，ＬＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，
ＣＶＩとしてすでに実用化されている。この種の光ディ
スクは、スタンパーに記録された凸凹の記録ピットをポ
リカーボネイト等のプラスチック基板に転写し、その上
にアルミニウム等の金属反射膜を成膜後、紫外線硬化樹
脂等の保護膜を皮膜し実用として用いられる。記録ビッ
ト以外の反射膜は７０％以上であり、また記録ビットの
反射率は２８％未満となる。又再生専用型は小量種大量
生産に適している。
再生専用型と書き換え可能型とに大別する事が出来る。
このうち、再生専用型は、ＣＤ，ＬＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，
ＣＶＩとしてすでに実用化されている。この種の光ディ
スクは、スタンパーに記録された凸凹の記録ピットをポ
リカーボネイト等のプラスチック基板に転写し、その上
にアルミニウム等の金属反射膜を成膜後、紫外線硬化樹
脂等の保護膜を皮膜し実用として用いられる。記録ビッ
ト以外の反射膜は７０％以上であり、また記録ビットの
反射率は２８％未満となる。又再生専用型は小量種大量
生産に適している。
【０００３】一方、書換型の代表的なものには、光磁気
型と相変化型とがある。前者の光磁気型は記録層の磁化
向きにより、記録消去を行い、又磁気光学効果によって
再生を行うのに対し、相変化は、相変化前後の反射率の
差により記録、再生、消去を行う。光ディスクには、こ
のような種類があるが、従来書換可能型の媒体を用いれ
ば、ユーザー自ら多品種小量生産が可能である。
型と相変化型とがある。前者の光磁気型は記録層の磁化
向きにより、記録消去を行い、又磁気光学効果によって
再生を行うのに対し、相変化は、相変化前後の反射率の
差により記録、再生、消去を行う。光ディスクには、こ
のような種類があるが、従来書換可能型の媒体を用いれ
ば、ユーザー自ら多品種小量生産が可能である。
【０００４】しかしながら、従来の光記録媒体はこの点
に関し、次のような問題点を有している。即ち、光磁気
型は記録、消去に磁化の反転、再生に磁気光学効果を用
いるために、反射率の差を利用した従来の再生専用型と
は原理が異なっている。一方、相変化型は光の反射率の
差を利用する点では再生専用型と共通であはあるが、該
相変化型では、一般的にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系における非
晶質一結晶転移を利用するため、反射率も５０％以下で
ある。このため反射率７０％以上を要求されるＣＤ、Ｌ
Ｄ等一般の再生専用型光ディスクの規格を満足すること
ができず、市販のＬＤ、ＣＤプレーヤ等の再生専用型光
ディスク再生装置では再生する事が出来ない。
に関し、次のような問題点を有している。即ち、光磁気
型は記録、消去に磁化の反転、再生に磁気光学効果を用
いるために、反射率の差を利用した従来の再生専用型と
は原理が異なっている。一方、相変化型は光の反射率の
差を利用する点では再生専用型と共通であはあるが、該
相変化型では、一般的にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系における非
晶質一結晶転移を利用するため、反射率も５０％以下で
ある。このため反射率７０％以上を要求されるＣＤ、Ｌ
Ｄ等一般の再生専用型光ディスクの規格を満足すること
ができず、市販のＬＤ、ＣＤプレーヤ等の再生専用型光
ディスク再生装置では再生する事が出来ない。
【０００５】また、上記の問題を解決するものとして記
録ビーム吸収性有機色素記録膜を用いた特開昭６２−１
１９７５５号公報に開示された技術がある。しかしこれ
は、１回書き込み多数回読みだし方式であり、データの
書き直しができないという問題点が残る。
録ビーム吸収性有機色素記録膜を用いた特開昭６２−１
１９７５５号公報に開示された技術がある。しかしこれ
は、１回書き込み多数回読みだし方式であり、データの
書き直しができないという問題点が残る。
【０００６】本発明では上記欠点を解決し、光ビームに
より情報を記録した後、市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで再
生可能で、しかも情報の書換が可能な反射膜および保護
膜を少なくとも備えた相変化光記録媒体を提供すること
を目的とする。
より情報を記録した後、市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで再
生可能で、しかも情報の書換が可能な反射膜および保護
膜を少なくとも備えた相変化光記録媒体を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
記録膜、透明誘電体膜、反射膜および保護膜を少なくと
も備えた相変化光記録媒体であって、前記記録膜がカル
コゲナイド系材料で形成され、かつ記録媒体の記録前の
屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の屈折率をｎ、
消衰係数をｋとしたとき、 ０．８＜（ｎ／ｎｏ）≦１ のとき３．０＜（ｋｏ／
ｋ） ０．２≦（ｎ／ｎｏ）≦０．８のとき（ｋｏ／ｋ）≦
３．０ となるように、記録膜の屈折率および消衰係数が制御さ
れている事を特徴とする相変化光記録媒体である。
記録膜、透明誘電体膜、反射膜および保護膜を少なくと
も備えた相変化光記録媒体であって、前記記録膜がカル
コゲナイド系材料で形成され、かつ記録媒体の記録前の
屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の屈折率をｎ、
消衰係数をｋとしたとき、 ０．８＜（ｎ／ｎｏ）≦１ のとき３．０＜（ｋｏ／
ｋ） ０．２≦（ｎ／ｎｏ）≦０．８のとき（ｋｏ／ｋ）≦
３．０ となるように、記録膜の屈折率および消衰係数が制御さ
れている事を特徴とする相変化光記録媒体である。
【０００８】本発明においては、未記録状態の反射率が
７０％以上、記録状態の反射率が２８％以下となるよう
に記録膜の組成及び記録膜と透明誘電体膜の膜厚が制御
されている。
７０％以上、記録状態の反射率が２８％以下となるよう
に記録膜の組成及び記録膜と透明誘電体膜の膜厚が制御
されている。
【０００９】また、記録膜としては、Ｉｎ（１−ｘ）Ｓ
ｅｘ（ｘは、３／７＜ｘ＜３／５である。）が好まし
く、特に記録膜がＩｎ（１−ｘ）Ｓｅｘ（ｘ＝０．５で
ある。）で膜厚が２５ｎｍ以上であることを好適とす
る。
ｅｘ（ｘは、３／７＜ｘ＜３／５である。）が好まし
く、特に記録膜がＩｎ（１−ｘ）Ｓｅｘ（ｘ＝０．５で
ある。）で膜厚が２５ｎｍ以上であることを好適とす
る。
【００１０】反射膜としては、反射率が８０％以上であ
るものが好ましく、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌのいずれか
を用いることができる。
るものが好ましく、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌのいずれか
を用いることができる。
【００１１】
【作用】本発明者らの研究によると記録媒体の記録前の
屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の屈折率をｎ、
消衰係数をｋとしたとき、ｎ／ｎｏとｋ／ｋｏとの関係
が上式（１）を満足するように記録膜の組成及び記録膜
と透明誘電体膜の膜厚を制御すれば、記録媒体の反射率
が情報記録前には７０％以上で、情報記録後には２８％
以下となることが理論的に見いだされ、実験的にも確認
された。又、上記上記の式を（１）を満足するために
は、記録膜Ｉｎ（１−ｘ）Ｓｅｘの組成は３／７＜ｘ＜
３／５の範囲であるのがよい。
屈折率をｎｏ、消衰係数をｋｏ、記録後の屈折率をｎ、
消衰係数をｋとしたとき、ｎ／ｎｏとｋ／ｋｏとの関係
が上式（１）を満足するように記録膜の組成及び記録膜
と透明誘電体膜の膜厚を制御すれば、記録媒体の反射率
が情報記録前には７０％以上で、情報記録後には２８％
以下となることが理論的に見いだされ、実験的にも確認
された。又、上記上記の式を（１）を満足するために
は、記録膜Ｉｎ（１−ｘ）Ｓｅｘの組成は３／７＜ｘ＜
３／５の範囲であるのがよい。
【００１２】市販のＬＤ、ＣＤプレーヤに用いられてい
る８３０ｎｍの波長において、ＩｎとＳｅが１：１の組
成となるＩｎＳｅ薄膜の成膜後の無熱処理状態での複素
屈折率ｎｏはｎｏ＝３．８−０．３ｉとなる。この時、
膜厚をｄ＝１０ｎｍ以上とし、透明基板上に透明誘電
体、記録膜、透明誘電体膜、反射膜、保護膜を順次積層
すると透明基板側から入射した波長８３０ｎｍの光ビー
ムの反射率が７０％以上の相変化光記録媒体を得る事が
出来る。また、ＩｎとＳｅが１：１の組成となるＩｎＳ
ｅ薄膜は３００度以上の温度に加熱されると非晶質相か
ら結晶質相への相転移を生じ複素屈折率ｎｉはｎｉ＝
３．０−０．３ｉとなるため、上記反射率が７０％以上
の相変化光記録媒体の反射率は２８％以下とすることが
できる。
る８３０ｎｍの波長において、ＩｎとＳｅが１：１の組
成となるＩｎＳｅ薄膜の成膜後の無熱処理状態での複素
屈折率ｎｏはｎｏ＝３．８−０．３ｉとなる。この時、
膜厚をｄ＝１０ｎｍ以上とし、透明基板上に透明誘電
体、記録膜、透明誘電体膜、反射膜、保護膜を順次積層
すると透明基板側から入射した波長８３０ｎｍの光ビー
ムの反射率が７０％以上の相変化光記録媒体を得る事が
出来る。また、ＩｎとＳｅが１：１の組成となるＩｎＳ
ｅ薄膜は３００度以上の温度に加熱されると非晶質相か
ら結晶質相への相転移を生じ複素屈折率ｎｉはｎｉ＝
３．０−０．３ｉとなるため、上記反射率が７０％以上
の相変化光記録媒体の反射率は２８％以下とすることが
できる。
【００１３】即ち、本発明による相変化光記録媒体は、
光ビームを照射しＩｎＳｅ系記録膜を加熱昇温させる事
で相転移を生じ情報を記録する事が出来る。また、その
とき、該記録膜媒体の反射率を情報未記録部で７０％以
上、情報記録部で２８％以下とする事ができ、情報記録
後特別な操作を必要とせず市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで
再生が出来る。これにより、本発明による相変化光記録
媒体の反射率は再生専用型光ディスクとして充分満足で
きる性能を有する。
光ビームを照射しＩｎＳｅ系記録膜を加熱昇温させる事
で相転移を生じ情報を記録する事が出来る。また、その
とき、該記録膜媒体の反射率を情報未記録部で７０％以
上、情報記録部で２８％以下とする事ができ、情報記録
後特別な操作を必要とせず市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで
再生が出来る。これにより、本発明による相変化光記録
媒体の反射率は再生専用型光ディスクとして充分満足で
きる性能を有する。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００１５】図１は本発明の相変化光記録媒体の一実施
例を示す断面図である。光ビームが入射する下部から例
えばポリカーボネイト製の透明基板１、ＳｉＯ2 透明誘
電体膜２、ＩｎＳｅ記録膜３、ＳｉＯ2 透明誘電体膜
４、Ａｕ反射膜５、紫外線硬化型保護膜６の順に構成さ
れ、それぞれの厚みを１．２ｍｍ、１００ｎｍ、１１０
ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、５０μｍとした。
例を示す断面図である。光ビームが入射する下部から例
えばポリカーボネイト製の透明基板１、ＳｉＯ2 透明誘
電体膜２、ＩｎＳｅ記録膜３、ＳｉＯ2 透明誘電体膜
４、Ａｕ反射膜５、紫外線硬化型保護膜６の順に構成さ
れ、それぞれの厚みを１．２ｍｍ、１００ｎｍ、１１０
ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、５０μｍとした。
【００１６】このようにして製作した相変化光記録媒体
の反射率は、波長８３０ｎｍの光ビームに対して初期後
７８％であった。このディスクに波長８３０ｎｍの光ビ
ームを照射し情報を記録した後、情報記録部の反射率を
測定したところ１１％で有り、記録前後の反射率はいず
れも再生専用型光ディスクとしての性能を有している。
の反射率は、波長８３０ｎｍの光ビームに対して初期後
７８％であった。このディスクに波長８３０ｎｍの光ビ
ームを照射し情報を記録した後、情報記録部の反射率を
測定したところ１１％で有り、記録前後の反射率はいず
れも再生専用型光ディスクとしての性能を有している。
【００１７】図２は透明基板にガラス基板１ａを用いた
もので、この時熱干渉膜として透明誘電体膜を必要とし
ない。
もので、この時熱干渉膜として透明誘電体膜を必要とし
ない。
【００１８】図３は図１に示した相変化光記録媒体の媒
体構成において、透明誘電体膜２の膜厚が８０ｎｍにお
ける、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚と記録前後の反射率変化の
関係を示したもので、この時光ビームは基板入射で測定
した。図中、□は未記録部の反射率、○は記録部の反射
率の計算結果である。相変化光記録媒体の反射率が情報
未記録部で７０％以上、情報記録部で２８％以下となる
条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚範囲は１０２〜１１
２ｎｍとなることを示す。
体構成において、透明誘電体膜２の膜厚が８０ｎｍにお
ける、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚と記録前後の反射率変化の
関係を示したもので、この時光ビームは基板入射で測定
した。図中、□は未記録部の反射率、○は記録部の反射
率の計算結果である。相変化光記録媒体の反射率が情報
未記録部で７０％以上、情報記録部で２８％以下となる
条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚範囲は１０２〜１１
２ｎｍとなることを示す。
【００１９】これらの膜厚範囲は、いずれも前記の式
（１）を満足する範囲である。
（１）を満足する範囲である。
【００２０】又、図４は透明誘電体膜２の膜厚とＩｎＳ
ｅ記録膜の膜厚相関を示したもので、図中、斜線で示し
た範囲が反射率特性を満足する範囲である。図から分か
るように、上記条件を満たすＩｎＳｅの膜厚範囲は７０
ｎｍ以上である。また、この膜厚範囲は前記の式（１）
を満足する範囲である。
ｅ記録膜の膜厚相関を示したもので、図中、斜線で示し
た範囲が反射率特性を満足する範囲である。図から分か
るように、上記条件を満たすＩｎＳｅの膜厚範囲は７０
ｎｍ以上である。また、この膜厚範囲は前記の式（１）
を満足する範囲である。
【００２１】図４は図１に示した相変化光記録媒体の媒
体構成において、透明誘電体膜２の膜厚が２０ｎｍ、反
射膜５をＣｕにしたときの、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚に対
する記録前後の反射率変化と吸収率変化の関係を示した
もので、この時光ビームは基板入射で測定した。図中、
□は未記録部の反射率、■は未記録部の吸収率、○は記
録部反射率、●は記録部の吸収率の計算結果である。相
変化光記録媒体の反射率が情報未記録部で７０％以上、
情報記録部で２８％以下となる条件を満たすＩｎＳｅ記
録膜の膜厚範囲は２５〜３０ｎｍと１２０〜１６０ｎｍ
になることを示す。
体構成において、透明誘電体膜２の膜厚が２０ｎｍ、反
射膜５をＣｕにしたときの、ＩｎＳｅ記録膜の膜厚に対
する記録前後の反射率変化と吸収率変化の関係を示した
もので、この時光ビームは基板入射で測定した。図中、
□は未記録部の反射率、■は未記録部の吸収率、○は記
録部反射率、●は記録部の吸収率の計算結果である。相
変化光記録媒体の反射率が情報未記録部で７０％以上、
情報記録部で２８％以下となる条件を満たすＩｎＳｅ記
録膜の膜厚範囲は２５〜３０ｎｍと１２０〜１６０ｎｍ
になることを示す。
【００２２】これらの膜厚範囲は、いずれも前記の式
（１）を満足する範囲である。
（１）を満足する範囲である。
【００２３】又、図５は透明誘電体膜２の膜厚とＩｎＳ
ｅ記録膜の膜厚相関を示したもので、図中、斜線で示し
た範囲が反射率特性を満足する範囲である。図から分か
るように、上記条件を満たすＩｎＳｅの膜厚範囲は７０
ｎｍ以上である。また、この膜厚範囲は前記の式（１）
を満足する範囲である。
ｅ記録膜の膜厚相関を示したもので、図中、斜線で示し
た範囲が反射率特性を満足する範囲である。図から分か
るように、上記条件を満たすＩｎＳｅの膜厚範囲は７０
ｎｍ以上である。また、この膜厚範囲は前記の式（１）
を満足する範囲である。
【００２４】以上の実施例において記録膜はＩｎＳｅ膜
を用いたが、本発明ではＩｎＳｅ膜に限らずＩｎＳｅの
一部をＧａ、ＧｅまたはＴｅで置換したＩｎ−Ｇａ−Ｓ
ｅ膜、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ膜、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓ
ｅ膜等のＩｎＳｅ系膜を用いても同様な結果を得る事が
できる。
を用いたが、本発明ではＩｎＳｅ膜に限らずＩｎＳｅの
一部をＧａ、ＧｅまたはＴｅで置換したＩｎ−Ｇａ−Ｓ
ｅ膜、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｅ膜、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ膜、Ｉｎ−Ｐｂ−Ｓ
ｅ膜等のＩｎＳｅ系膜を用いても同様な結果を得る事が
できる。
【００２５】又実施例においては、反射膜をＡｕとした
が、これは波長８３０ｎｍにおける反射率が高いことに
よる。Ａｕの他にＡｇ，Ｃｕ，Ａｌを用いるか、あるい
は多層膜による光学干渉によって特定波長について反射
率を大きくする方法を用いても反射率が記録前で７０％
以上、記録後で２８％以下の相変化光記録媒体を得るこ
とができる。
が、これは波長８３０ｎｍにおける反射率が高いことに
よる。Ａｕの他にＡｇ，Ｃｕ，Ａｌを用いるか、あるい
は多層膜による光学干渉によって特定波長について反射
率を大きくする方法を用いても反射率が記録前で７０％
以上、記録後で２８％以下の相変化光記録媒体を得るこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
記録膜としてＩｎＳｅ系材料を用い、反射率が記録前で
７０％、記録後で２８％以下とすることができる。この
ため、情報記録後直ちに市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで情
報の再生ができる。
記録膜としてＩｎＳｅ系材料を用い、反射率が記録前で
７０％、記録後で２８％以下とすることができる。この
ため、情報記録後直ちに市販のＬＤ、ＣＤプレーヤで情
報の再生ができる。
【図１】本発明による光記録媒体の一実施例の断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明による光記録媒体の一実施例の断面図で
ある。
ある。
【図３】透明誘電体膜が８０ｎｍのときＩｎＳｅ記録膜
膜厚と記録前後の反射率との関係を示す図である。
膜厚と記録前後の反射率との関係を示す図である。
【図４】反射率が記録前で７０％以上、記録後で２８％
以下の再生条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚と透明誘
電体膜の膜厚との関係を示す図である。
以下の再生条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚と透明誘
電体膜の膜厚との関係を示す図である。
【図５】透明誘電体膜が２０ｎｍ、反射膜をＣｕとした
ときのＩｎＳｅ記録膜膜厚と記録前後の反射率との関係
を示す図である。
ときのＩｎＳｅ記録膜膜厚と記録前後の反射率との関係
を示す図である。
【図６】反射率が記録前で７０％以上、記録後で２８％
以下の再生条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚と透明誘
電体膜の膜厚との関係を示す図である。
以下の再生条件を満たすＩｎＳｅ記録膜の膜厚と透明誘
電体膜の膜厚との関係を示す図である。
１ 透明基板 １ａ ガラス基板 ２ 透明誘電体膜 ３ ＩｎＳｅ記録膜 ４ 透明誘電体膜 ５ 反射膜 ６ 保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に記録膜、透明誘電体膜、反
射膜および保護膜を少なくとも備えた相変化光記録媒体
であって、前記記録膜がカルコゲナイド系材料で形成さ
れ、かつ記録媒体の記録前の屈折率をｎｏ、消衰係数を
ｋｏ、記録後の屈折率をｎ、消衰係数をｋとしたとき、 ０．８＜（ｎ／ｎｏ）≦ のとき３．０＜（ｋｏ／
ｋ） ０．２≦（ｎ／ｎｏ）≦０．８のとき（ｋｏ／ｋ）≦
３．０ となるように、記録膜の屈折率および消衰係数が制御さ
れている事を特徴とする相変化光記録媒体。 - 【請求項２】 未記録状態の反射率が７０％以上、記録
状態の反射率が２８％以下となるように記録膜の組成及
び記録膜と透明誘電体膜の膜厚が制御されている事を特
徴とする請求項１記載の相変化光記録媒体。 - 【請求項３】 記録膜がＩｎ（１−ｘ）Ｓｅｘ（ｘは、
３／７＜ｘ＜３／５である。）で形成されている請求項
１記載の相変化光記録媒体。 - 【請求項４】 記録膜がＩｎ（１−ｘ）Ｓｅｘ（ｘ＝
０．５である。）で形成され、膜厚が２５ｎｍ以上であ
る請求項３記載の相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5037695A JPH0821176B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-26 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16193592 | 1992-05-29 | ||
| JP4-161935 | 1992-05-29 | ||
| JP5037695A JPH0821176B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-26 | 相変化光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0644606A true JPH0644606A (ja) | 1994-02-18 |
| JPH0821176B2 JPH0821176B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=26376832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5037695A Expired - Lifetime JPH0821176B2 (ja) | 1992-05-29 | 1993-02-26 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821176B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753413A (en) * | 1995-03-20 | 1998-05-19 | Hitachi, Ltd. | Rewritable medium for recording information in which the atomic arrangement is changed without the shape being changed and the optical constant is changed |
| US6064642A (en) * | 1998-01-16 | 2000-05-16 | Nec Corporation | Phase-change type optical disk |
| EP1739661A2 (en) | 1995-04-14 | 2007-01-03 | Ricoh Company, Ltd. | Data Recording/Regenerating Method, Data Recording/Regenerating Apparatus and Data Recording Medium |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5037695A patent/JPH0821176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821176B2 (ja) | 1996-03-04 |
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