JP2003243327A - 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置 - Google Patents
電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトリソグラフィー技術およびエッチング
技術を用いることなく、開口部を金属層で選択的に埋め
込む。 【解決手段】 インクジェット法を用いて、コンタクト
ホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１に金属の
液滴７ａ〜７ｃを吐出することにより、埋め込み配線８
ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成する。
技術を用いることなく、開口部を金属層で選択的に埋め
込む。 【解決手段】 インクジェット法を用いて、コンタクト
ホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１に金属の
液滴７ａ〜７ｃを吐出することにより、埋め込み配線８
ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス、配
線形成方法および配線形成装置に関し、特に、ビアホー
ルを形成する場合に適用して好適なものである。
線形成方法および配線形成装置に関し、特に、ビアホー
ルを形成する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置では、配線層を形成す
るために、ＣＶＤやスパッタなどにより、絶縁層全面に
Ａｌなどの金属膜を形成し、フォトレジストをマスクと
して金属膜のエッチングを行なうことにより、配線パタ
ーンを形成する方法が一般的に行われている。
るために、ＣＶＤやスパッタなどにより、絶縁層全面に
Ａｌなどの金属膜を形成し、フォトレジストをマスクと
して金属膜のエッチングを行なうことにより、配線パタ
ーンを形成する方法が一般的に行われている。
【０００３】図６は、従来の配線形成方法を示す断面図
である。図６（ａ）において、半導体基板４０１には、
例えば、ＬＯＣＯＳ法により、素子分離を行なうための
フィールド酸化膜４０２が形成される。そして、ゲート
酸化膜４０３を介してゲート電極４０４が形成され、こ
のゲート電極４０４をマスクとして半導体基板４０１に
イオン注入を行なうことにより、ソース不純物層４０５
ａおよびドレイン不純物層４０５ｂが形成される。
である。図６（ａ）において、半導体基板４０１には、
例えば、ＬＯＣＯＳ法により、素子分離を行なうための
フィールド酸化膜４０２が形成される。そして、ゲート
酸化膜４０３を介してゲート電極４０４が形成され、こ
のゲート電極４０４をマスクとして半導体基板４０１に
イオン注入を行なうことにより、ソース不純物層４０５
ａおよびドレイン不純物層４０５ｂが形成される。
【０００４】次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜４０６が形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、コンタクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２が
層間絶縁膜４０６に選択的に形成される。次に、図６
（ｃ）に示すように、ＣＶＤまたはスパッタなどによ
り、コンタクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２が埋め込まれ
るようにして、Ａｌ膜が絶縁層４０６全面に形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂが形成され
る。
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜４０６が形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、コンタクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２が
層間絶縁膜４０６に選択的に形成される。次に、図６
（ｃ）に示すように、ＣＶＤまたはスパッタなどによ
り、コンタクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２が埋め込まれ
るようにして、Ａｌ膜が絶縁層４０６全面に形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂが形成され
る。
【０００５】次に、図６（ｄ）に示すように、例えば、
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜４０８が形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、ビアホールＢＨ４が層間絶縁膜４０８に
選択的に形成される。次に、図６（ｅ）に示すように、
ＣＶＤやスパッタなどにより、ビアホールＢＨ４が埋め
込まれるようにして、Ａｌ膜が絶縁層４０８全面に形成
され、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術
を用いることにより、Ａｌ配線４０９が形成される。
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜４０８が形成され、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることにより、ビアホールＢＨ４が層間絶縁膜４０８に
選択的に形成される。次に、図６（ｅ）に示すように、
ＣＶＤやスパッタなどにより、ビアホールＢＨ４が埋め
込まれるようにして、Ａｌ膜が絶縁層４０８全面に形成
され、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術
を用いることにより、Ａｌ配線４０９が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
配線形成方法では、絶縁層４０６、４０８に形成された
Ａｌ膜のパターニングを行なうために、塩素系ガスを用
いたエッチングが行われる一方で、Ａｌ配線４０７ａ、
４０７ｂ、４０９のエレクトロマイグレーションを抑制
するために、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９にＣ
ｕが混入させる場合がある。
配線形成方法では、絶縁層４０６、４０８に形成された
Ａｌ膜のパターニングを行なうために、塩素系ガスを用
いたエッチングが行われる一方で、Ａｌ配線４０７ａ、
４０７ｂ、４０９のエレクトロマイグレーションを抑制
するために、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９にＣ
ｕが混入させる場合がある。
【０００７】この場合、このＡｌ配線４０７ａ、４０７
ｂ、４０９に対して塩素系ガスを用いたエッチングを行
なうと、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９に混入さ
せたＣｕにより、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９
が腐食するという問題があった。また、従来の配線形成
方法では、絶縁層４０６、４０８に形成されたＡｌ膜の
パターニングを行なうために、フォトリソグラフィーが
行われる。
ｂ、４０９に対して塩素系ガスを用いたエッチングを行
なうと、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９に混入さ
せたＣｕにより、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９
が腐食するという問題があった。また、従来の配線形成
方法では、絶縁層４０６、４０８に形成されたＡｌ膜の
パターニングを行なうために、フォトリソグラフィーが
行われる。
【０００８】この場合、半導体装置の高集積化に伴っ
て、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９が微細化され
ると、フォトレジストにハレーションが発生し、Ａｌ配
線４０７ａ、４０７ｂ、４０９に細りが生じて、歩留ま
りが低下したり、断線が発生したりするという問題があ
った。さらに、従来の配線形成方法では、コンタクトホ
ールＣＨ４１、ＣＨ４２またはビアホールＢＨ４が形成
された絶縁層４０６、４０８上にＡｌ膜を形成するため
に、ＣＶＤまたはスパッタなどが用いられるため、コン
タクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２またはビアホールＢＨ
４の深さががあまり深くなると、絶縁層４０６、４０８
のカバレッジが確保できなくなる。
て、Ａｌ配線４０７ａ、４０７ｂ、４０９が微細化され
ると、フォトレジストにハレーションが発生し、Ａｌ配
線４０７ａ、４０７ｂ、４０９に細りが生じて、歩留ま
りが低下したり、断線が発生したりするという問題があ
った。さらに、従来の配線形成方法では、コンタクトホ
ールＣＨ４１、ＣＨ４２またはビアホールＢＨ４が形成
された絶縁層４０６、４０８上にＡｌ膜を形成するため
に、ＣＶＤまたはスパッタなどが用いられるため、コン
タクトホールＣＨ４１、ＣＨ４２またはビアホールＢＨ
４の深さががあまり深くなると、絶縁層４０６、４０８
のカバレッジが確保できなくなる。
【０００９】このため、絶縁層４０６、４０８の厚みを
一定値以下に制限する必要があり、層間容量が大きくな
って、配線遅延が増大し、電子デバイスの高速化の妨げ
になるという問題もあった。そこで、本発明の目的は、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることなく、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが
可能な電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置
を提供することである。
一定値以下に制限する必要があり、層間容量が大きくな
って、配線遅延が増大し、電子デバイスの高速化の妨げ
になるという問題もあった。そこで、本発明の目的は、
フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用い
ることなく、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが
可能な電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１記載の電子デバイスによれば、絶縁層
に形成された開口部と、前記開口部に金属の液滴を吐出
することにより形成された埋め込み配線とを備えること
を特徴とする。これにより、開口部に金属の液滴を吐出
するだけで、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが
可能となり、液滴を微小化することで、金属を開口部内
に効率よく注入することが可能となる。
ために、請求項１記載の電子デバイスによれば、絶縁層
に形成された開口部と、前記開口部に金属の液滴を吐出
することにより形成された埋め込み配線とを備えること
を特徴とする。これにより、開口部に金属の液滴を吐出
するだけで、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが
可能となり、液滴を微小化することで、金属を開口部内
に効率よく注入することが可能となる。
【００１１】このため、開口部の深さが深い場合におい
ても、液滴を吐出するだけで、金属層を開口部の奥まで
効率よく到達させることが可能となり、絶縁層の厚みが
厚い場合においても、金属層を開口部に精度良く埋め込
むことが可能となる。また、液滴の大きさにより、配線
幅を規定することが可能となり、配線層のパターニング
を行なうために、フォトリソグラフィー技術およびエッ
チング技術を用いる必要がなくなる。
ても、液滴を吐出するだけで、金属層を開口部の奥まで
効率よく到達させることが可能となり、絶縁層の厚みが
厚い場合においても、金属層を開口部に精度良く埋め込
むことが可能となる。また、液滴の大きさにより、配線
幅を規定することが可能となり、配線層のパターニング
を行なうために、フォトリソグラフィー技術およびエッ
チング技術を用いる必要がなくなる。
【００１２】このため、配線層のエッチング時における
腐食をなくすことが可能となるとともに、フォトレジス
トにハレーションに起因する配線パターンの細りもなく
すことができ、配線層の信頼性を向上させることが可能
となる。また、請求項２記載の配線形成方法によれば、
絶縁層に開口部を形成する工程と、前記開口部に金属の
液滴を吐出する工程とを備えることを特徴とする。
腐食をなくすことが可能となるとともに、フォトレジス
トにハレーションに起因する配線パターンの細りもなく
すことができ、配線層の信頼性を向上させることが可能
となる。また、請求項２記載の配線形成方法によれば、
絶縁層に開口部を形成する工程と、前記開口部に金属の
液滴を吐出する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】これにより、開口部に金属の液滴を吐出す
るだけで、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが可
能となり、配線層のパターニングを行なうために、フォ
トリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いる必
要がなくなることから、配線層の信頼性を容易に向上さ
せることが可能となるとともに、製造歩留まりも向上さ
せることが可能となる。
るだけで、開口部を金属層で選択的に埋め込むことが可
能となり、配線層のパターニングを行なうために、フォ
トリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いる必
要がなくなることから、配線層の信頼性を容易に向上さ
せることが可能となるとともに、製造歩留まりも向上さ
せることが可能となる。
【００１４】また、開口部の深さが深い場合において
も、液滴を吐出するだけで、金属層を開口部の奥まで効
率よく到達させることが可能となり、絶縁層の厚みを一
定値以下に制限する必要がなくなることから、層間容量
を低減させて、電子デバイスの高速化を図ることが可能
となる。また、請求項３記載の配線形成方法によれば、
絶縁層上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォ
トレジストをパターニングすることにより、前記フォト
レジストに第１開口部を形成する工程と、前記フォトレ
ジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングするこ
とにより、前記絶縁層に第２開口部を形成する工程と、
前記フォトレジストの第１開口部を介して、前記絶縁層
の第２開口部に金属の液滴を吐出する工程と、前記フォ
トレジストを除去する工程とを備えることを特徴とす
る。
も、液滴を吐出するだけで、金属層を開口部の奥まで効
率よく到達させることが可能となり、絶縁層の厚みを一
定値以下に制限する必要がなくなることから、層間容量
を低減させて、電子デバイスの高速化を図ることが可能
となる。また、請求項３記載の配線形成方法によれば、
絶縁層上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォ
トレジストをパターニングすることにより、前記フォト
レジストに第１開口部を形成する工程と、前記フォトレ
ジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングするこ
とにより、前記絶縁層に第２開口部を形成する工程と、
前記フォトレジストの第１開口部を介して、前記絶縁層
の第２開口部に金属の液滴を吐出する工程と、前記フォ
トレジストを除去する工程とを備えることを特徴とす
る。
【００１５】これにより、フォトレジストを除去する際
に、フォトレジスト上にはみ出した金属層をリフトオフ
することが可能となり、液滴の大きさが開口部より大き
い場合においても、開口部内にのみ金属層を精度良く埋
め込むことが可能となることから、開口部の微細化に容
易に対応することが可能となる。また、請求項４記載の
配線形成方法によれば、絶縁層に開口部を形成する工程
と、前記開口部を真空引きされている工程と、前記真空
引きされた開口部に金属の液滴を吐出する工程と、前記
金属の液滴が吐出された開口部を加圧する工程とを備え
ることを特徴とする。
に、フォトレジスト上にはみ出した金属層をリフトオフ
することが可能となり、液滴の大きさが開口部より大き
い場合においても、開口部内にのみ金属層を精度良く埋
め込むことが可能となることから、開口部の微細化に容
易に対応することが可能となる。また、請求項４記載の
配線形成方法によれば、絶縁層に開口部を形成する工程
と、前記開口部を真空引きされている工程と、前記真空
引きされた開口部に金属の液滴を吐出する工程と、前記
金属の液滴が吐出された開口部を加圧する工程とを備え
ることを特徴とする。
【００１６】これにより、液滴の開口部内への進入が、
開口部内に溜まっている空気層により妨げられることを
抑制することが可能となり、液滴を開口部に向けて吐出
するだけで、液滴を開口部の底までスムーズに押し込む
ことが可能となる。このため、開口部の深さが深い場合
においても、開口部に金属層を効率よく埋め込むことが
可能となり、コンタクト抵抗のバラツキを低減して、配
線層の信頼性を向上させることが可能となるとともに、
製造歩留まりも向上させることが可能となる。
開口部内に溜まっている空気層により妨げられることを
抑制することが可能となり、液滴を開口部に向けて吐出
するだけで、液滴を開口部の底までスムーズに押し込む
ことが可能となる。このため、開口部の深さが深い場合
においても、開口部に金属層を効率よく埋め込むことが
可能となり、コンタクト抵抗のバラツキを低減して、配
線層の信頼性を向上させることが可能となるとともに、
製造歩留まりも向上させることが可能となる。
【００１７】また、請求項５記載の配線形成方法によれ
ば、前記金属の液滴を吐出後、超音波振動を与える工程
をさらにを備えることを特徴とする。これにより、液滴
を開口部内で揺すって、開口部内の液滴を落下させるこ
とが可能となり、開口部に金属層を効率よく埋め込むこ
とが可能となる。また、請求項６記載の配線形成装置に
よれば、絶縁層に開口部が形成された処理対象を載置す
るチャンバと、前記チャンバ内を真空引きする真空装置
と、前記チャンバ内に設けられ、金属の液滴を前記開口
部に吐出する液滴吐出手段と、前記チャンバ内をパージ
するパージ手段とを備えることを特徴とする。
ば、前記金属の液滴を吐出後、超音波振動を与える工程
をさらにを備えることを特徴とする。これにより、液滴
を開口部内で揺すって、開口部内の液滴を落下させるこ
とが可能となり、開口部に金属層を効率よく埋め込むこ
とが可能となる。また、請求項６記載の配線形成装置に
よれば、絶縁層に開口部が形成された処理対象を載置す
るチャンバと、前記チャンバ内を真空引きする真空装置
と、前記チャンバ内に設けられ、金属の液滴を前記開口
部に吐出する液滴吐出手段と、前記チャンバ内をパージ
するパージ手段とを備えることを特徴とする。
【００１８】これにより、液滴が開口部の途中で留まっ
ている場合においても、液滴を開口部の底まで押し込む
ことが可能となり、開口部の深さが深い場合において
も、開口部に金属層を効率よく埋め込むことが可能とな
る。また、請求項７記載の配線形成装置によれば、前記
処理対象に超音波振動を与える超音波振動装置をさらに
を備えることを特徴とする。
ている場合においても、液滴を開口部の底まで押し込む
ことが可能となり、開口部の深さが深い場合において
も、開口部に金属層を効率よく埋め込むことが可能とな
る。また、請求項７記載の配線形成装置によれば、前記
処理対象に超音波振動を与える超音波振動装置をさらに
を備えることを特徴とする。
【００１９】これにより、液滴を開口部内で揺すって、
開口部内の液滴を落下させることが可能となり、開口部
に金属層を効率よく埋め込むことが可能となる。
開口部内の液滴を落下させることが可能となり、開口部
に金属層を効率よく埋め込むことが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る配
線形成方法について、図面を参照しながら説明する。図
１、２は、本発明の第１実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。図１（ａ）において、例えば、ＬＯ
ＣＯＳ法により、素子分離を行なうためのフィールド酸
化膜２を半導体基板１に形成する。
線形成方法について、図面を参照しながら説明する。図
１、２は、本発明の第１実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。図１（ａ）において、例えば、ＬＯ
ＣＯＳ法により、素子分離を行なうためのフィールド酸
化膜２を半導体基板１に形成する。
【００２１】そして、ゲート酸化膜３を介してゲート電
極４を形成し、このゲート電極４をマスクとして半導体
基板１にイオン注入を行なうことにより、ソース不純物
層５ａおよびドレイン不純物層５ｂを形成する。次に、
図１（ｂ）に示すように、例えば、プラズマＣＶＤによ
り、層間絶縁膜６を形成する。
極４を形成し、このゲート電極４をマスクとして半導体
基板１にイオン注入を行なうことにより、ソース不純物
層５ａおよびドレイン不純物層５ｂを形成する。次に、
図１（ｂ）に示すように、例えば、プラズマＣＶＤによ
り、層間絶縁膜６を形成する。
【００２２】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術およびエッチング技術を用いることに
より、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を層間絶縁膜６
に選択的に形成する。次に、図１（ｄ）に示すように、
コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２が層間絶縁膜６に形成
された半導体基板１を、配線形成装置に載置する。
ソグラフィー技術およびエッチング技術を用いることに
より、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２を層間絶縁膜６
に選択的に形成する。次に、図１（ｄ）に示すように、
コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２が層間絶縁膜６に形成
された半導体基板１を、配線形成装置に載置する。
【００２３】ここで、配線形成装置には、インクジェッ
ト法により、例えば、Ａｌの液滴７ａ、７ｂを半導体基
板１上に吐出するためのノズル１２１〜１２ｎが設けら
れている。そして、このノズル１２１〜１２ｎを介し、
Ａｌの液滴７ａ、７ｂをコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ
２に向けて吐出することより、コンタクトホールＣＨ
１、ＣＨ２が埋め込まれた埋め込み配線８ａ、８ｂを層
間絶縁膜６上に形成する。
ト法により、例えば、Ａｌの液滴７ａ、７ｂを半導体基
板１上に吐出するためのノズル１２１〜１２ｎが設けら
れている。そして、このノズル１２１〜１２ｎを介し、
Ａｌの液滴７ａ、７ｂをコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ
２に向けて吐出することより、コンタクトホールＣＨ
１、ＣＨ２が埋め込まれた埋め込み配線８ａ、８ｂを層
間絶縁膜６上に形成する。
【００２４】次に、図２（ａ）に示すように、例えば、
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜９を形成する。次
に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技
術およびエッチング技術を用いることにより、ビアホー
ルＢＨ１を層間絶縁膜９に選択的に形成する。
プラズマＣＶＤにより、層間絶縁膜９を形成する。次
に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技
術およびエッチング技術を用いることにより、ビアホー
ルＢＨ１を層間絶縁膜９に選択的に形成する。
【００２５】次に、図２（ｃ）に示すように、ビアホー
ルＢＨ１が層間絶縁膜９に形成された半導体基板１を、
配線形成装置に載置する。そして、ノズル１２１〜１２
ｎを介し、例えば、Ａｌの液滴７ｃをビアホールＢＨ１
に向けて吐出することより、ビアホールＢＨ１が埋め込
まれた埋め込み配線１０を層間絶縁膜９に形成する。
ルＢＨ１が層間絶縁膜９に形成された半導体基板１を、
配線形成装置に載置する。そして、ノズル１２１〜１２
ｎを介し、例えば、Ａｌの液滴７ｃをビアホールＢＨ１
に向けて吐出することより、ビアホールＢＨ１が埋め込
まれた埋め込み配線１０を層間絶縁膜９に形成する。
【００２６】ここで、インクジェット法を用いて、埋め
込み配線８ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成
することにより、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およ
びビアホールＢＨ１に金属の液滴７ａ〜７ｃを吐出する
だけで、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホ
ールＢＨ１を埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０で選択的に
埋め込むことが可能となり、埋め込み配線８ａ、８ｂ、
１０のパターニングを行なうために、フォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング技術を用いる必要がなくな
る。
込み配線８ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成
することにより、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およ
びビアホールＢＨ１に金属の液滴７ａ〜７ｃを吐出する
だけで、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホ
ールＢＨ１を埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０で選択的に
埋め込むことが可能となり、埋め込み配線８ａ、８ｂ、
１０のパターニングを行なうために、フォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング技術を用いる必要がなくな
る。
【００２７】このため、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０
をパターニングする際に、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１
０が塩素系ガスに晒されることを防止することが可能と
なることから、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０を構成す
るＡｌにＣｕが混入されている場合においても、埋め込
み配線８ａ、８ｂ、１０が腐食することを防止すること
ができる。
をパターニングする際に、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１
０が塩素系ガスに晒されることを防止することが可能と
なることから、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０を構成す
るＡｌにＣｕが混入されている場合においても、埋め込
み配線８ａ、８ｂ、１０が腐食することを防止すること
ができる。
【００２８】また、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０をパ
ターニングする際に、フォトリソグラフィーを用いる必
要がなくなることから、フォトレジストのハレーション
に起因する埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０の細りを防止
することができ、断線の発生を防止して、製造歩留まり
を向上させることが可能となる。また、コンタクトホー
ルＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１の深さが深い
場合においても、液滴７ａ〜７ｃを吐出するだけで、コ
ンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１
の奥まで金属層を効率よく到達させることが可能とな
り、層間絶縁膜６、９の厚みを一定値以下に制限する必
要がなくなることから、層間容量を低減させて、半導体
装置の高速化を容易に図ることが可能となる。
ターニングする際に、フォトリソグラフィーを用いる必
要がなくなることから、フォトレジストのハレーション
に起因する埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０の細りを防止
することができ、断線の発生を防止して、製造歩留まり
を向上させることが可能となる。また、コンタクトホー
ルＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１の深さが深い
場合においても、液滴７ａ〜７ｃを吐出するだけで、コ
ンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１
の奥まで金属層を効率よく到達させることが可能とな
り、層間絶縁膜６、９の厚みを一定値以下に制限する必
要がなくなることから、層間容量を低減させて、半導体
装置の高速化を容易に図ることが可能となる。
【００２９】図３は、本発明の一実施形態に係る配線形
成装置の構成を示す斜視図である。図３において、配線
形成装置には、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎ、タンク３１〜３ｎ、駆動機構５１、制御回路６１、
固化装置７１が設けられている。ここで、駆動機構５１
は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎをＸ軸方向
およびＹ軸方向に駆動するもので、インクジェット式記
録ヘッド２１〜２ｎをＸ軸方向およびＹ軸方向に移動さ
せるためのモータ４１、４２が設けられている。また、
制御回路６１は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎ、駆動機構５１および固化装置７１を制御する。固化
装置７１は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎか
ら半導体基板１上に吐出された金属流体１１〜１ｎを固
化する。
成装置の構成を示す斜視図である。図３において、配線
形成装置には、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎ、タンク３１〜３ｎ、駆動機構５１、制御回路６１、
固化装置７１が設けられている。ここで、駆動機構５１
は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎをＸ軸方向
およびＹ軸方向に駆動するもので、インクジェット式記
録ヘッド２１〜２ｎをＸ軸方向およびＹ軸方向に移動さ
せるためのモータ４１、４２が設けられている。また、
制御回路６１は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎ、駆動機構５１および固化装置７１を制御する。固化
装置７１は、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎか
ら半導体基板１上に吐出された金属流体１１〜１ｎを固
化する。
【００３０】また、インクジェット式記録ヘッド２１〜
２ｎは、金属流体１１〜１ｎを半導体基板１上に吐出す
るもので、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎに
は、金属流体１１〜１ｎを半導体基板１上に吐出するた
めのノズル１２１〜１２ｎが設けられている。ここで、
ノズル１２１〜１２ｎは、圧電体素子による体積変化に
基づいて、金属流体１１〜１ｎを吐出するように構成し
てもよいし、発熱体による熱膨張に基づいて、金属流体
１１〜１ｎを吐出するように構成してもよい。
２ｎは、金属流体１１〜１ｎを半導体基板１上に吐出す
るもので、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎに
は、金属流体１１〜１ｎを半導体基板１上に吐出するた
めのノズル１２１〜１２ｎが設けられている。ここで、
ノズル１２１〜１２ｎは、圧電体素子による体積変化に
基づいて、金属流体１１〜１ｎを吐出するように構成し
てもよいし、発熱体による熱膨張に基づいて、金属流体
１１〜１ｎを吐出するように構成してもよい。
【００３１】タンク３１〜３ｎは、金属流体１１〜１ｎ
を貯留するもので、タンク３１〜３ｎは、インクジェッ
ト式記録ヘッド２１〜２ｎに接続されている。なお、タ
ンク３１〜３ｎに充填する金属流体１１〜１ｎとして
は、Ａｌなどの金属を融点以上に熱して流動性を与えた
ものを用いることもできるし、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｌなどの金属微粒子が溶媒に分散された溶液を用
いることもできる。さらに、ＡｇペーストやＣｕペース
トなどの金属ペーストなどを用いるようにしてもよい
し、ＡｌやＣｕなどの金属微粒子を混合させて用いるよ
うにしてもよい。
を貯留するもので、タンク３１〜３ｎは、インクジェッ
ト式記録ヘッド２１〜２ｎに接続されている。なお、タ
ンク３１〜３ｎに充填する金属流体１１〜１ｎとして
は、Ａｌなどの金属を融点以上に熱して流動性を与えた
ものを用いることもできるし、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｌなどの金属微粒子が溶媒に分散された溶液を用
いることもできる。さらに、ＡｇペーストやＣｕペース
トなどの金属ペーストなどを用いるようにしてもよい
し、ＡｌやＣｕなどの金属微粒子を混合させて用いるよ
うにしてもよい。
【００３２】そして、例えば、Ａｌの埋め込み配線１０
を半導体基板１上に形成する場合、タンク３１〜３ｎに
Ａｌの金属流体１１〜１ｎを充填する。そして、ビアホ
ールＢＨ１が形成された半導体基板１をインクジェット
式記録ヘッド２１〜２ｎに向けて配置し、金属流体１１
〜１ｎの吐出指令を制御回路６１に与える。
を半導体基板１上に形成する場合、タンク３１〜３ｎに
Ａｌの金属流体１１〜１ｎを充填する。そして、ビアホ
ールＢＨ１が形成された半導体基板１をインクジェット
式記録ヘッド２１〜２ｎに向けて配置し、金属流体１１
〜１ｎの吐出指令を制御回路６１に与える。
【００３３】すると、制御回路６１は、駆動信号Ｓｘ、
Ｓｙをモータ４１、４２に送るとともに、吐出信号Ｓｈ
１〜Ｓｈｎをインクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎに
送ることにより、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎをＸ軸方向およびＹ軸方向に走査させつつ、インクジ
ェット式記録ヘッド２１〜２ｎから液滴７ｃを吐出させ
る。
Ｓｙをモータ４１、４２に送るとともに、吐出信号Ｓｈ
１〜Ｓｈｎをインクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎに
送ることにより、インクジェット式記録ヘッド２１〜２
ｎをＸ軸方向およびＹ軸方向に走査させつつ、インクジ
ェット式記録ヘッド２１〜２ｎから液滴７ｃを吐出させ
る。
【００３４】ここで、モータ４１、４２は、制御回路６
１から駆動信号Ｓｘ、Ｓｙを受け取ると、駆動機構５１
を介して、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎをＸ
軸方向およびＹ軸方向に走査する。また、インクジェッ
ト式記録ヘッド２１〜２ｎは、制御回路６１から吐出信
号Ｓｈ１〜Ｓｈｎを受け取ると、ノズル１２１〜１２ｎ
を介して液滴７ｃを吐出する。
１から駆動信号Ｓｘ、Ｓｙを受け取ると、駆動機構５１
を介して、インクジェット式記録ヘッド２１〜２ｎをＸ
軸方向およびＹ軸方向に走査する。また、インクジェッ
ト式記録ヘッド２１〜２ｎは、制御回路６１から吐出信
号Ｓｈ１〜Ｓｈｎを受け取ると、ノズル１２１〜１２ｎ
を介して液滴７ｃを吐出する。
【００３５】この結果、Ａｌの金属流体１１〜１ｎの液
滴７ｃが半導体基板１上に吐出され、ビアホールＢＨ１
がＡｌで埋め込まれた埋め込み配線１０を形成すること
ができる。また、制御回路６１は、必要に応じて制御信
号Ｓｐを固化装置７１に送る。すると、固化装置７１
は、半導体基板１上に着弾した液滴７ｃに対し、物理的
または化学的な処理を施す。
滴７ｃが半導体基板１上に吐出され、ビアホールＢＨ１
がＡｌで埋め込まれた埋め込み配線１０を形成すること
ができる。また、制御回路６１は、必要に応じて制御信
号Ｓｐを固化装置７１に送る。すると、固化装置７１
は、半導体基板１上に着弾した液滴７ｃに対し、物理的
または化学的な処理を施す。
【００３６】ここで、物理的または化学的な処理として
は、例えば、冷風の吹き付けによる乾燥処理、ランプ照
射による再加熱・アニール処理、化学物質の投与による
化学変化処理などを挙げることができる。図４は、本発
明の第２実施形態に係る配線形成方法を示す断面図であ
る。図４（ａ）において、例えば、プラズマＣＶＤによ
り、配線層２０１上に層間絶縁膜２０２を形成する。
は、例えば、冷風の吹き付けによる乾燥処理、ランプ照
射による再加熱・アニール処理、化学物質の投与による
化学変化処理などを挙げることができる。図４は、本発
明の第２実施形態に係る配線形成方法を示す断面図であ
る。図４（ａ）において、例えば、プラズマＣＶＤによ
り、配線層２０１上に層間絶縁膜２０２を形成する。
【００３７】そして、例えば、スピンコート法などによ
り、層間絶縁膜２０２全面にフォトレジスト膜２０３を
塗布し、露光装置を用いてマスクパターンを転写し、露
光されたフォトレジスト膜２０３の現像を行なうことに
より、フォトレジスト膜２０３に開口部ＲＨ１を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、開口部ＲＨ１が形
成されたフォトレジスト膜２０３をマスクとして、ＲＩ
Ｅなどの異方性エッチングを層間絶縁膜２０２に行なう
ことにより、ビアホールＢＨ２を層間絶縁膜２０２に形
成する。
り、層間絶縁膜２０２全面にフォトレジスト膜２０３を
塗布し、露光装置を用いてマスクパターンを転写し、露
光されたフォトレジスト膜２０３の現像を行なうことに
より、フォトレジスト膜２０３に開口部ＲＨ１を形成す
る。次に、図４（ｂ）に示すように、開口部ＲＨ１が形
成されたフォトレジスト膜２０３をマスクとして、ＲＩ
Ｅなどの異方性エッチングを層間絶縁膜２０２に行なう
ことにより、ビアホールＢＨ２を層間絶縁膜２０２に形
成する。
【００３８】次に、図４（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト膜２０３を残したまま、ビアホールＢＨ２が層間
絶縁膜２０２に形成された基板を、配線形成装置に載置
する。ここで、配線形成装置には、インクジェット法に
より、例えば、Ａｌの液滴２０５を吐出するためのノズ
ル２０４が設けられている。
ジスト膜２０３を残したまま、ビアホールＢＨ２が層間
絶縁膜２０２に形成された基板を、配線形成装置に載置
する。ここで、配線形成装置には、インクジェット法に
より、例えば、Ａｌの液滴２０５を吐出するためのノズ
ル２０４が設けられている。
【００３９】そして、このノズル２０４を介し、Ａｌの
液滴２０５をビアホールＢＨ２に向けて吐出することよ
り、ビアホールＢＨ２内に液滴２０５を打ち込み、埋め
込み配線２０６を形成する。次に、図４（ｄ）に示すよ
うに、層間絶縁膜２０２上に形成されたフォトレジスト
膜２０３を除去する。
液滴２０５をビアホールＢＨ２に向けて吐出することよ
り、ビアホールＢＨ２内に液滴２０５を打ち込み、埋め
込み配線２０６を形成する。次に、図４（ｄ）に示すよ
うに、層間絶縁膜２０２上に形成されたフォトレジスト
膜２０３を除去する。
【００４０】これにより、フォトレジスト膜２０３を除
去する際に、埋め込み配線２０６のビアホールＢＨ２か
らはみ出した部分をリフトオフすることができる。この
ため、液滴２０５の大きさがビアホールＢＨ２の径より
大きかったり、ノズル２０４の位置決め精度がばらつい
たりする場合においても、ビアホールＢＨ２を埋め込み
配線２０６で精度良く埋め込むことが可能となり、フォ
トレジスト膜２０３を除去する順序を変更するだけで、
ビアホールＢＨ２の微小化に容易に対応することができ
る。
去する際に、埋め込み配線２０６のビアホールＢＨ２か
らはみ出した部分をリフトオフすることができる。この
ため、液滴２０５の大きさがビアホールＢＨ２の径より
大きかったり、ノズル２０４の位置決め精度がばらつい
たりする場合においても、ビアホールＢＨ２を埋め込み
配線２０６で精度良く埋め込むことが可能となり、フォ
トレジスト膜２０３を除去する順序を変更するだけで、
ビアホールＢＨ２の微小化に容易に対応することができ
る。
【００４１】図５は、本発明の第３実施形態に係る配線
形成方法を示す断面図である。図５（ａ）において、例
えば、プラズマＣＶＤにより、配線層３０１上に層間絶
縁膜３０２を形成する。そして、フォトリソグラフィー
技術およびエッチング技術を用いることにより、ビアホ
ールＢＨ３を層間絶縁膜３０２に形成する。
形成方法を示す断面図である。図５（ａ）において、例
えば、プラズマＣＶＤにより、配線層３０１上に層間絶
縁膜３０２を形成する。そして、フォトリソグラフィー
技術およびエッチング技術を用いることにより、ビアホ
ールＢＨ３を層間絶縁膜３０２に形成する。
【００４２】次に、図５（ｂ）に示すように、ビアホー
ルＢＨ３が層間絶縁膜３０２に形成された基板を、配線
形成装置内に載置する。ここで、配線形成装置には、イ
ンクジェット法により、例えば、Ａｌの液滴３０４を吐
出するためのノズル３０３が設けられている。また、こ
の配線形成装置には、ビアホールＢＨ３が層間絶縁膜３
０２に形成された基板を外気から密閉するためのチャン
バが設けられるとともに、このチャンバ内を真空引きす
る真空ポンプおよびこのチャンバ内を大気開放する弁が
設けられ、Ａｌの液滴３０４を吐出するためのノズル３
０３は、このチャンバ内に配置される。
ルＢＨ３が層間絶縁膜３０２に形成された基板を、配線
形成装置内に載置する。ここで、配線形成装置には、イ
ンクジェット法により、例えば、Ａｌの液滴３０４を吐
出するためのノズル３０３が設けられている。また、こ
の配線形成装置には、ビアホールＢＨ３が層間絶縁膜３
０２に形成された基板を外気から密閉するためのチャン
バが設けられるとともに、このチャンバ内を真空引きす
る真空ポンプおよびこのチャンバ内を大気開放する弁が
設けられ、Ａｌの液滴３０４を吐出するためのノズル３
０３は、このチャンバ内に配置される。
【００４３】そして、ビアホールＢＨ３が層間絶縁膜３
０２に形成された基板を、配線形成装置のチャンバ内に
載置すると、チャンバ内を真空引きする。そして、チャ
ンバ内が所定の真空度に達すると、ノズル３０３を介
し、Ａｌの液滴３０４をビアホールＢＨ３に向けて吐出
させることより、ビアホールＢＨ３内に液滴３０４を打
ち込み、埋め込み配線３０５を形成する。
０２に形成された基板を、配線形成装置のチャンバ内に
載置すると、チャンバ内を真空引きする。そして、チャ
ンバ内が所定の真空度に達すると、ノズル３０３を介
し、Ａｌの液滴３０４をビアホールＢＨ３に向けて吐出
させることより、ビアホールＢＨ３内に液滴３０４を打
ち込み、埋め込み配線３０５を形成する。
【００４４】次に、図５（ｃ）に示すように、液滴３０
４の吐出が終了すると、チャンバ内を大気開放する。こ
れにより、液滴３０４をビアホールＢＨ３内に吐出した
際に、５（ｂ）に示すように、液滴３０４がビアホール
ＢＨ３の入口に付着し、埋め込み配線３０５とビアホー
ルＢＨ３との間に隙間３０６が発生した場合において
も、大気開放時に、埋め込み配線３０５をビアホールＢ
Ｈ３内に押し込むことが可能となる。
４の吐出が終了すると、チャンバ内を大気開放する。こ
れにより、液滴３０４をビアホールＢＨ３内に吐出した
際に、５（ｂ）に示すように、液滴３０４がビアホール
ＢＨ３の入口に付着し、埋め込み配線３０５とビアホー
ルＢＨ３との間に隙間３０６が発生した場合において
も、大気開放時に、埋め込み配線３０５をビアホールＢ
Ｈ３内に押し込むことが可能となる。
【００４５】このため、液滴３０４の大きさがビアホー
ルＢＨ３の径より大きかったり、ノズル３０３の位置決
め精度がばらついたりする場合においても、ビアホール
ＢＨ３を埋め込み配線３０５で精度良く埋め込むことが
可能となり、液滴３０４を吐出する際に真空引きを行な
うだけで、ビアホールＢＨ３の微小化に容易に対応する
ことができる。
ルＢＨ３の径より大きかったり、ノズル３０３の位置決
め精度がばらついたりする場合においても、ビアホール
ＢＨ３を埋め込み配線３０５で精度良く埋め込むことが
可能となり、液滴３０４を吐出する際に真空引きを行な
うだけで、ビアホールＢＨ３の微小化に容易に対応する
ことができる。
【００４６】ここで、配線形成装置に超音波振動装置を
設け、ビアホールＢＨ３が層間絶縁膜３０２に形成され
た基板に超音波振動を与えながら、液滴３０４をビアホ
ールＢＨ３に向けて吐出するようにしてもよい。これに
より、液滴３０４をビアホールＢＨ３内で揺らして、液
滴３０４をビアホールＢＨ３の底まで落とし込むことが
可能となり、ビアホールＢＨ３を埋め込み配線３０５で
精度良く埋め込むことが可能となる。
設け、ビアホールＢＨ３が層間絶縁膜３０２に形成され
た基板に超音波振動を与えながら、液滴３０４をビアホ
ールＢＨ３に向けて吐出するようにしてもよい。これに
より、液滴３０４をビアホールＢＨ３内で揺らして、液
滴３０４をビアホールＢＨ３の底まで落とし込むことが
可能となり、ビアホールＢＨ３を埋め込み配線３０５で
精度良く埋め込むことが可能となる。
【００４７】なお、上述した実施形態では、半導体装置
を例にとって説明したが、液晶表示装置や、プラズマデ
ィスプレイ装置、有機ＥＬ装置などの他、ビルドアップ
多層プリント配線板などに適用してもよい。
を例にとって説明したが、液晶表示装置や、プラズマデ
ィスプレイ装置、有機ＥＬ装置などの他、ビルドアップ
多層プリント配線板などに適用してもよい。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開口部に金属の液滴を吐出するだけで、開口部を金属層
で選択的に埋め込むことが可能となり、配線層のパター
ニングを行なうために、フォトリソグラフィー技術およ
びエッチング技術を用いる必要がなくなることから、配
線層の信頼性を容易に向上させることが可能となるとと
もに、製造歩留まりも向上させることが可能となる。
開口部に金属の液滴を吐出するだけで、開口部を金属層
で選択的に埋め込むことが可能となり、配線層のパター
ニングを行なうために、フォトリソグラフィー技術およ
びエッチング技術を用いる必要がなくなることから、配
線層の信頼性を容易に向上させることが可能となるとと
もに、製造歩留まりも向上させることが可能となる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 本発明の一実施形態に係る配線形成装置の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図４】 本発明の第２実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】 本発明の第３実施形態に係る配線形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】 従来の配線形成方法を示す断面図である。
１ 半導体基板
２ フィールド酸化膜
３ ゲート酸化膜
４ ゲート電極
５ａ ソース不純物層
５ｂ ドレイン不純物層
６ ９、２０２、３０２ 層間絶縁膜
７ａ、７ｂ、７ｃ、２０５、３０４ 液滴
８ａ、８ｂ、１０、２０６、３０５
ＣＨ１、ＣＨ２ コンタクトホール
ＢＨ１〜ＢＨ３ ビアホール
１２１〜１２ｎ、２０４、３０３ ノズル
１１〜１ｎ 流動体
２１〜２ｎ インクジェット式記録ヘッド
３１〜３ｎ タンク
４１、４２ モータ
Ｓｘ、Ｓｙ 駆動信号
Ｓｐ 制御信号
Ｓｈ１〜Ｓｈｎ 吐出信号
５１ 駆動機構
６１ 制御回路
７１ 固化装置
ＲＨ１ 開口部
２０１、３０１ 配線層
２０３ フォトレジスト膜
３０６ 隙間
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ａ
21/768 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０１Ｚ
Ｆターム(参考） 2C056 FA02 FA15 FB01
4K044 AA01 AB10 BA10 BB10 BC14
CA11 CA55
4M104 BB02 BB04 BB06 BB08 BB09
CC01 DD08 DD51 DD68 DD77
DD80 DD91 EE03 GG09 HH20
5F033 HH07 HH08 HH11 HH13 HH14
MM01 PP26 QQ00 QQ09 QQ13
QQ37 QQ44 QQ58 QQ73 QQ82
RR04 SS15 SS22 XX00 XX18
XX34
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁層に形成された開口部と、 前記開口部に金属の液滴を吐出することにより形成され
た埋め込み配線とを備えることを特徴とする電子デバイ
ス。 - 【請求項２】 絶縁層に開口部を形成する工程と、 前記開口部に金属の液滴を吐出する工程とを備えること
を特徴とする配線形成方法。 - 【請求項３】 絶縁層上にフォトレジストを形成する工
程と、 前記フォトレジストをパターニングすることにより、前
記フォトレジストに第１開口部を形成する工程と、 前記フォトレジストをマスクとして、前記絶縁層をエッ
チングすることにより、前記絶縁層に第２開口部を形成
する工程と、 前記フォトレジストの第１開口部を介して、前記絶縁層
の第２開口部に金属の液滴を吐出する工程と、 前記フォトレジストを除去する工程とを備えることを特
徴とする配線形成方法。 - 【請求項４】 絶縁層に開口部を形成する工程と、 前記開口部を真空引きする工程と、 前記真空引きされている開口部に金属の液滴を吐出する
工程と、 前記金属の液滴が吐出された開口部を加圧する工程とを
備えることを特徴とする配線形成方法。 - 【請求項５】 前記金属の液滴を吐出後、超音波振動を
与える工程をさらにを備えることを特徴とする請求項２
〜４のいずれか１項記載の配線形成方法。 - 【請求項６】 絶縁層に開口部が形成された処理対象を
載置するチャンバと、 前記チャンバ内を真空引きする真空装置と、 前記チャンバ内に設けられ、金属の液滴を前記開口部に
吐出する液滴吐出手段と、 前記チャンバ内をパージするパージ手段とを備えること
を特徴とする配線形成装置。 - 【請求項７】 前記処理対象に超音波振動を与える超音
波振動装置をさらにを備えることを特徴とする請求項６
記載の配線形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043968A JP2003243327A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043968A JP2003243327A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243327A true JP2003243327A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27783551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002043968A Withdrawn JP2003243327A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243327A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039261A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
| JP2005100979A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2005159324A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 配線基板、半導体装置、それらの作製方法 |
| JP2006054425A (ja) * | 2004-05-07 | 2006-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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