JP2004080050A5 - - Google Patents
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- 透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子であって、
前記保護膜は絶縁性被膜からなる第１層と、該第１層上の金属層と、該金属層上に絶縁性被膜からなる第２層の少なくとも３層構造を有することを特徴とするフリップチップ型光半導体素子。 - 前記第１層及び／又は第２層が酸化珪素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化珪素及びポリイミドから選択される少なくとも一種である請求項１に記載のフリップチップ型光半導体素子。
- 前記窒化物半導体が基板上に島状に形成されて、該窒化物半導体端面に前記保護膜が形成されている請求項１または２に記載のフリップチップ型光半導体素子。
- 前記基板上の窒化物半導体から露出された基板面に、前記保護膜が形成されている請求項１乃至３のいずれか１項記載のフリップチップ型光半導体素子。
- 前記第１層が無機絶縁膜で、前記第２層が有機絶縁膜である請求項１乃至４のいずれか１項記載のフリップチップ型光半導体素子。
- 前記金属層が複数に分割した形状である請求項１乃至５のいずれか１項記載のフリップチップ型光半導体素子。
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