JP2003188367A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１導電型の半導体基板と、
   前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
   前記基板表面の上に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上に設けられ、凸部を有し、該凸部が前記第１半導体領域の上方に設けられた導電体と、
   前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第１半導体領域の上方且つ前記導電体の下方に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
   前記基板に設けられ、前記第１半導体領域とは前記導電体下方に位置する前記基板領域を介して反対側に位置する前記第２導電型の第４半導体領域とを有することを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記凸部を含む前記導電体の下方に設けられ、前記第３半導体領域と前記第４半導体領域との間に設けられる前記第２導電型の第２半導体領域をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第１半導体領域は光電変換により得られた信号電荷を蓄積する信号蓄積部であり、
   前記導電体は前記信号蓄積部から前記信号電荷を排出する電界効果トランジスタのゲート電極であり、
   前記ゲート電極は、前記導電体の前記凸部でゲート長が最大であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
4. 前記ゲート電極において、ゲート幅を規定する区間の中央に前記導電体の前記凸部が設けられることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 前記導電体の凸部の下方には前記第３半導体領域が存在しないことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
6. 前記第１半導体領域から前記凸部の下方の領域を除いた領域の中心を通る前記基板表面に対する垂線と光軸が一致する、前記第３半導体領域の上方に設けられたレンズをさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 第１導電型の半導体基板と、
   前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
   前記基板の表面を含む前記基板に設けられ、前記第１の半導体領域の上方に設けられた前記第２導電型の第２半導体領域と、
   前記第２半導体領域の上に設けられた絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上に設けられた導電体と、
   前記基板の前記表面を含む前記基板に設けられ、前記第１半導体領域の上方に設けられた前記第１導電型の第３半導体領域と、
   前記基板に設けられ、前記第１半導体領域とは前記第２半導体領域を介して反対側に配置される前記第２導電型の第４半導体領域とを有することを特徴とする個体撮像装置。
8. 前記第２半導体領域は、前記導電体の下方から前記第３半導体領域側へ伸長していることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
9. 第１導電型の半導体基板と、
   前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
   前記基板の上で前記第１半導体領域の上方に設けられたシリコン酸化膜と、
   前記シリコン酸化膜の上に設けられたシリコン窒化膜とを有し、
   前記第１半導体領域の上方における前記シリコン酸化膜の膜厚と前記シリコン窒化膜の膜厚の合計が６０ｎｍより厚いことを特徴とする固体撮像装置。
10. 第１導電型の半導体基板と、
    前記基板の内部に設けられた第２導電型の第１半導体領域と、
    前記基板より上方に設けられ、前記第１半導体領域の上方部分に凹面を有する酸化シリコン領域と、
    前記酸化シリコン領域の上方に設けられ、前記酸化シリコン領域の前記凹面に一致する凸面を有する窒化シリコン領域と、
    前記第１半導体領域の上方部分に設けられた前記酸化シリコン領域の側方に設けられる導電体とを有することを特徴とする固体撮像装置。