JP2006222452A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10の主面に、フォトダイオード20aおよび20bを形成する。フォトダイオード20aは、P+型表面層22aと電荷蓄積部21aとを備え、フォ
トダイオード20bは、P+型表面層22bと電荷蓄積部21bとを備える。フォトダイ
オード20aおよび20は、STI構造の素子分離部33aにより素子分離される。フォトダイオード20aおよび20bを構成する、電荷蓄積部21aおよび21bの底部は、素子分離部33aの底部よりも半導体基板10の主面から深い位置にある。
【選択図】図2
Description
図1は、STI法により素子分離が行われた固体撮像装置の平面図を模式的に示した図である。図1に示す固体撮像装置は、フォトダイオード20aおよび20b、ならびに高耐圧トランジスタ70を備え、これらは素子分離部33aおよび33bで素子分離されている。高耐圧トランジスタ70は、ゲート電極60および61、ソース拡散層40a、ドレイン拡散層40b、並びに上部の配線層へのコンタクト部101などで構成される。素子分離部33aは、フォトダイオード20aとフォトダイオード20bとを素子分離し、素子分離部33bは、フォトダイオード20aと高耐圧トランジスタ70とを素子分離する。
、曲線A2は、N型の電荷蓄積部21aおよび21bの濃度分布を示す。破線Bは、素子分離部33aおよび33bの底部の位置を示す。ここで、曲線A2で示されるN型の電荷蓄積部21aおよび21bの濃度分布のピークP1が、破線Bで示される素子分離部33aおよび33bの底部よりも基板の深部にあるように構成することで、リーク電流の増加を解消できる。これは、素子分離領域33aおよび33bの周辺にある電荷蓄積部21aおよび21bの濃度を薄くすることで、PN結合による空乏化が生じやすくなり、フォトダイオード20aおよび20b並びに素子分離領域33aおよび33bの下層においてもリーク電流の発生を抑制できるためである。
本実施形態では、基板深部で発生した信号電荷による混色までも防止できる構成を有する固体撮像装置について説明する。なお、本実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置とほぼ同じ構成を有するので、以下では両者の違いについてのみ説明する。
11a,11c P型半導体層
11b P+型半導体層
11d N型半導体層
12a,12b 信号電荷
20a,20b フォトダイオード
21a,21b,23a,23b 電荷蓄積部
22a,22b 表面層
30a,30b 溝
31a,31b 内面膜
32a,32b 絶縁膜
33a,33b 素子分離部
40a ソース拡散層
40b ドレイン拡散層
50 ゲート絶縁膜
60,61 ゲート電極
70 高耐圧トランジスタ
80 電荷の分水嶺
90a,90b,90c 入射光(hν)
101 コンタクト部
Claims (8)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成され、入射光の強度に応じた信号電荷を発生させて蓄積する複数のフォトダイオードと、
隣接する前記フォトダイオード間を素子分離するために、前記半導体基板の主面に形成された溝に対して絶縁膜を埋め込んで形成される素子分離部とを備え、
前記半導体基板は、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の主面に形成され、当該第1の半導体層よりも不純物濃度の濃い第1導電型の半導体層からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の下層に形成された第2導電型の第3の半導体層とを含み、さらに、前記第1の半導体層の内部に前記第2の半導体層および前記第3の半導体層を構成し、
前記フォトダイオードは、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、および前記第3の半導体層を含む埋め込み型フォトダイオードであり、
前記フォトダイオードの底部は、前記素子分離部の底部よりも前記半導体基板の主面から深い位置にあることを特徴とする、固体撮像装置。 - 前記第1の半導体層の下層に形成された第4の半導体層を備えたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記第4の半導体層は、前記第1の半導体層よりも不純物濃度の濃い第1導電型の高濃度半導体層であることを特徴とする、請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記半導体基板は、前記高濃度半導体層の下層にさらに第2導電型の半導体層を含むことを特徴とする、請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記第4の半導体層は、第2導電型の半導体層であることを特徴とする、請求項2乃至4いずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記フォトダイオードは、前記半導体基板の深さ方向に対する濃度分布のピークが前記素子分離部の底部よりも前記半導体基板の主面から深い位置にあることを特徴とする、請求項1乃至5いずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記フォトダイオードの側面は、前記素子分離部の側面と接触していることを特徴とする、請求項6に記載の固体撮像装置。
- 前記フォトダイオードは、前記素子分離部の底面と接触していることを特徴とする、請求項6に記載の固体撮像装置。
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