JP2005109291A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、
   前記第２導電型半導体層に接続された第２電極と、
   前記第２導電型半導体層の上面であって、前記第２電極との接続領域以外の領域に形成された埋め込み膜と、
   前記積層半導体層の側面を被覆し、前記埋め込み膜よりも実質的に厚膜の保護膜と、を備える半導体レーザ素子であって、
   前記保護膜が、埋め込み膜と同一材質の膜を含んで形成され、かつ前記積層半導体層の側面から第２導電型半導体層上に配置する埋め込み膜の端部を被覆するように形成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
2. 埋め込み膜及び保護膜が、酸化ジルコニウムを含んでなる請求項１に記載の半導体レーザ素子。
3. 保護膜が、埋め込み膜の２倍以上の膜厚を有する請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子。
4. フェイスダウン実装用である請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
5. 第２電極が、埋め込み膜及び／又は保護膜上に、密着膜を介して配置されてなる請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
6. 密着膜が、白金族系金属からなる請求項５に記載の半導体レーザ素子。
7. 第２導電型半導体層にストライプ状のリッジが形成されており、該リッジの上面が第２電極と接続され、前記リッジの側面が埋め込み膜で被覆されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
8. 第２電極が形成された領域において、リッジ上面よりも保護膜の上面が高い位置に配置される請求項７に記載の半導体レーザ素子。
9. 第２電極が形成された領域において、保護膜が多層構造で形成されてなる請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
10. 第２電極が、第２導電型半導体層の上方であって、埋め込み膜及び／又は保護膜上全面に形成されてなる請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。