JP2006245230A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に接続された電極とを含んで構成される半導体素子であって、
前記電極は、前記窒化物半導体層に接触する銀又は銀合金を含む金属膜を含んでなり、
前記窒化物半導体層は、その表面において、前記電極が接続された領域から離れた領域の少なくとも一部に、前記電極接続領域における窒化物半導体層よりも層が厚い領域を有
することを特徴とする半導体発光素子。 - 窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に接続された電極とを含んで構成される半導体素子であって、
前記電極は、前記窒化物半導体層に接触する銀又は銀合金を含む金属膜を含んでなり、
前記窒化物半導体層は、その表面において、前記電極が接続された領域から離れる方向に向かって、前記電極接続領域における窒化物半導体層と層の厚さが異なる領域と、該厚さがほぼ同一の領域とをこの順に有することを特徴とする半導体発光素子。 - 層の厚さが異なる領域は、電極接続領域における窒化物半導体層より層の厚さが薄い請求項２に記載の素子。
- 前記窒化物半導体層は、厚さが異なる領域及び同一の領域に連続する側面と、該同一の領域の表面とが鋭角をなす請求項２または３に記載の素子。
- 前記電極は、銀又は銀合金からなる第１金属膜と、該第１金属膜とは異なる材料からなり、かつ該第１金属膜を被覆する第２金属膜とを有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の素子。
- 前記第２金属膜は、窒化物半導体層よりも層が厚い領域又は窒化物半導体層と層の厚さが異なる領域にまで連続した膜である請求項１〜５のいずれか１つに記載の素子。
- 第２金属膜は、窒化物半導体層にショットキー接続されてなる請求項６に記載の素子。
- 第１金属膜と窒化物半導体層との接続は、第２金属膜と窒化物半導体層との接続よりもオーミックに接触してなる請求項７に記載の素子。
- 前記電極の一部を被覆する絶縁膜を有する請求項１〜８のいずれか１つに記載の素子。
- 前記絶縁膜が窒化物半導体層よりも層が厚い領域又は窒化物半導体層と層の厚さが異なる領域の上方にまで連続した膜である請求項１〜９のいずれか１つに記載の素子。
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