JP2018160653A5 - - Google Patents

Description

本開示のひとつである半導体装置は、電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、
金属基材（１８６）を含み、電極との対向面に、半導体チップの実装部（１８２）と、実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、
電極と実装部との間に介在し、電極と導電部材とを接続するはんだ（１６）と、
半導体チップ、金属部材の少なくとも対向面、及びはんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備え、
導電部材が、周囲部として、実装部を取り囲むように設けられ、封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、実装部と密着部との間に設けられ、はんだが接続されず、密着部よりも封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有し、
密着部は、表面が連続して凹凸をなす粗化部であり、
導電部材が、金属基材の表面に形成された皮膜（１８７）を含み、
皮膜が、密着部の全域と、非密着部の少なくとも密着部側の部分と、に設けられ、
皮膜における凸部の高さは、密着部のほうが非密着部よりも高くされている。

Claims (14)

1. 電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、
   金属基材（１８６）を含み、前記電極との対向面に、前記半導体チップの実装部（１８２）と、前記実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、
   前記電極と前記実装部との間に介在し、前記電極と前記導電部材とを接続するはんだ（１６）と、
   前記半導体チップ、前記導電部材の少なくとも対向面、及び前記はんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備え、
   前記導電部材が、前記周囲部として、前記実装部を取り囲むように設けられ、前記封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、前記実装部と前記密着部との間に設けられ、前記はんだが接続されず、前記密着部よりも前記封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有し、
   前記密着部は、表面が連続して凹凸をなす粗化部であり、
   前記導電部材が、前記金属基材の表面に形成された皮膜（１８７）を含み、
   前記皮膜が、前記密着部の全域と、前記非密着部の少なくとも前記密着部側の部分と、に設けられ、
   前記皮膜における凸部の高さは、前記密着部のほうが前記非密着部よりも高くされている半導体装置。
2. 電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、
   金属基材（１８６）を含み、前記電極との対向面に、前記半導体チップの実装部（１８２）と、前記実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、
   前記電極と前記実装部との間に介在し、前記電極と前記導電部材とを接続するはんだ（１６）と、
   前記半導体チップ、前記導電部材の少なくとも対向面、及び前記はんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備え、
   前記導電部材が、前記周囲部として、前記実装部を取り囲むように設けられ、前記封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、前記実装部と前記密着部との間に設けられ、前記はんだが接続されず、前記密着部よりも前記封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有し、
   前記密着部は、表面が連続して凹凸をなす粗化部であり、
   前記導電部材が、前記金属基材の表面に形成された皮膜（１８７）を含み、
   前記皮膜が、前記金属基材の表面に形成された金属薄膜（１８８）と、前記金属薄膜の主成分の金属と同じ金属の酸化物であり、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜（１８９）と、を有し、
   前記凹凸酸化膜が、前記密着部の全域と、前記非密着部の少なくとも前記密着部側の部分と、に設けられている半導体装置。
3. 前記凹凸酸化膜における凸部の高さは、前記密着部のほうが前記非密着部よりも高くされている請求項２に記載の半導体装置。
4. 電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、
   金属基材（１８６）を含み、前記電極との対向面に、前記半導体チップの実装部（１８２）と、前記実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、
   前記電極と前記実装部との間に介在し、前記電極と前記導電部材とを接続するはんだ（１６）と、
   前記半導体チップ、前記導電部材の少なくとも対向面、及び前記はんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備え、
   前記導電部材が、前記周囲部として、前記実装部を取り囲むように設けられ、前記封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、前記実装部と前記密着部との間に設けられ、前記はんだが接続されず、前記密着部よりも前記封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有し、
   前記周囲部のうち、前記密着部のみに、前記封止樹脂体との密着性を高める樹脂層（１９１）が形成されている半導体装置。
5. 前記半導体チップが、厚み方向の一面側に前記電極である第１電極を有するとともに、前記一面と反対の面側に第２電極（１２２）を有し、
   前記厚み方向において、前記導電部材である第１導電部材との間に前記半導体チップを挟むように設けられ、前記第２電極と電気的に接続された第２導電部材（３０）をさらに備え、
   前記封止樹脂体が、前記第２導電部材における前記第１導電部材との対向面も一体的に封止しており、
   前記第１導電部材が、前記周囲部として、前記密着部である第１密着部及び前記非密着部を有し、
   前記第２導電部材が、前記第１導電部材との対向面に、前記封止樹脂体が密着する部分であり、前記厚み方向の平面視において前記非密着部の少なくとも一部と重なるように設けられた第２密着部（３０４）を有する請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
6. 電極（１２１）を有する半導体チップ（１２）と、
   金属基材（１８６）を含み、前記電極との対向面に、前記半導体チップの実装部（１８２）と、前記実装部を取り囲む周囲部（１８３）と、を有する導電部材（１８）と、
   前記電極と前記実装部との間に介在し、前記電極と前記導電部材とを接続するはんだ（１６）と、
   前記半導体チップ、前記導電部材の少なくとも対向面、及び前記はんだを一体的に封止する封止樹脂体（１４）と、を備え、
   前記導電部材が、前記周囲部として、前記実装部を取り囲むように設けられ、前記封止樹脂体が密着する密着部（１８４）と、前記実装部と前記密着部との間に設けられ、前記はんだが接続されず、前記密着部よりも前記封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部（１８５）と、を有し、
   前記半導体チップが、厚み方向の一面側に前記電極である第１電極を有するとともに、前記一面と反対の面側に第２電極（１２２）を有し、
   前記厚み方向において、前記導電部材である第１導電部材との間に前記半導体チップを挟むように設けられ、前記第２電極と電気的に接続された第２導電部材（３０）をさらに備え、
   前記封止樹脂体が、前記第２導電部材における前記第１導電部材との対向面も一体的に封止しており、
   前記第１導電部材が、前記周囲部として、前記密着部である第１密着部及び前記非密着部を有し、
   前記第２導電部材が、前記第１導電部材との対向面に、前記封止樹脂体が密着する部分であり、前記厚み方向の平面視において前記非密着部の少なくとも一部と重なるように設けられた第２密着部（３０４）を有する半導体装置。
7. 前記第１密着部は、表面が連続して凹凸をなす粗化部である請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記導電部材が、前記金属基材の表面に形成された皮膜（１８７）を含み、
   前記皮膜が、前記金属基材の表面に形成された金属薄膜（１８８）と、前記金属薄膜の主成分の金属と同じ金属の酸化物であり、表面が連続して凹凸をなす凹凸酸化膜（１８９）と、を有し、
   前記凹凸酸化膜が、前記第１密着部の全域と、前記非密着部の少なくとも前記密着部側の部分と、に設けられ、
   前記凹凸酸化膜における凸部の高さは、前記第１密着部のほうが前記非密着部よりも高くされている請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記周囲部のうち、前記第１密着部のみに、前記封止樹脂体との密着性を高める樹脂層（１９１）が形成されている請求項６に記載の半導体装置。
10. 前記第２密着部は、前記非密着部の全域と重なるように設けられている請求項５〜９いずれか１項に記載の半導体装置。
11. 前記第２密着部は、前記実装部を取り囲む前記非密着部のうち、周方向の一部のみと重なるように設けられている請求項５〜９いずれか１項に記載の半導体装置。
12. 前記第２密着部は、表面が連続して凹凸をなす粗化部である請求項５〜１１いずれか１項に記載の半導体装置。
13. 前記非密着部の幅が、０．２ｍｍ以上とされている請求項１〜１２いずれか１項に記載の半導体装置。
14. 前記非密着部の幅が、０．５ｍｍ以下とされている請求項１〜１３いずれか１項に記載の半導体装置。