JP2008147266A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マザーボードへの実装時の信頼性を低下させること無く、より薄型で良好な放熱性を持った半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板1上のダイパッド2と、ダイパッド2に接着剤3にて固着された半導体素子4と、半導体素子4と電気的に接続された複数の電極端子6と、ダイパッド2と、半導体素子4と、電極端子6とを封止する樹脂封止体7と、電極端子5と各々電気的に接続された外部端子7とを備えた半導体装置であって、ダイパッド2の周縁部または周辺部にソルダーレジスト9a、9bを有し、ソルダーレジスト9aの開口サイズを半導体素子4より大きくした。
【選択図】図1
【解決手段】樹脂基板1上のダイパッド2と、ダイパッド2に接着剤3にて固着された半導体素子4と、半導体素子4と電気的に接続された複数の電極端子6と、ダイパッド2と、半導体素子4と、電極端子6とを封止する樹脂封止体7と、電極端子5と各々電気的に接続された外部端子7とを備えた半導体装置であって、ダイパッド2の周縁部または周辺部にソルダーレジスト9a、9bを有し、ソルダーレジスト9aの開口サイズを半導体素子4より大きくした。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、面実装用の樹脂封止型半導体装置の技術に係るものである。
近年、電子機器の小型化、高密度化に対応するために、半導体装置の小型化が進んでいる。小型の樹脂封止型半導体装置の一つとして、実質的に片面封止されたBGA(Ball Grid Array)と称される半導体装置が開発されている。さらに、この半導体装置における問題点、つまりマザーボードへの実装時の熱ストレスによって半導体装置内部で剥離が生じることを防止するために、半導体素子をソルダーレジスト上に接着剤によって固着した半導体装置が提案されている。
以下に従来の半導体装置について図10を参照して説明する。図10は、従来のBGA構造をなす半導体装置の概略的な構成を示す断面図である。半導体装置は樹脂基板1にダイパッド2と電極端子6とを形成した回路基板17を有しており、回路基板17のダイパッド2に半導体素子4を搭載し、前記半導体素子4の各電極を電極端子6に接続し、半導体素子4を樹脂封止体7によって封止している。
ダイパッド2は外形が半導体素子4よりも大きく形成してあり、ダイパッド2の上にソルダーレジスト9aをダイパッド2よりも小さい外形に形成し、ソルダーレジスト9aの上に半導体素子4を接着剤3にて固着しており、ソルダーレジスト9aから露出するダイパッド2の外周部分および電極端子6とが金属細線5を介して半導体素子4と電気的に接続してある。
この構成によって、半導体装置を構成する樹脂基板1、封止樹脂体7、ダイパッド2のそれぞれの線膨張係数の違いに起因する熱歪みが半導体素子4のコーナー部へ集中しても、半導体素子4のコーナー部では接着力が高いソルダーレジスト9aと接着剤3との接着構造なので、半導体素子4のコーナー部が剥離することを抑制でき、半導体装置の信頼性を著しく向上する。先行技術文献としては特許文献1がある。
WO96/005163
しかしながら、上述した従来の半導体装置の構造では、ソルダーレジスト上に接着剤にて半導体素子を固着するので、ソルダーレジストの厚み分だけ樹脂封止体を厚くする必要がある。ソルダーレジストは熱伝導性が悪いために、半導体素子で発熱した熱がダイパッドへ伝達することを阻害し、ひいては半導体装置の放熱性を劣化させる。特に、半導体素子の全体の大きさの中でソルダーレジスト上に固着される半導体素子が占める割合いは、小ピンなど半導体素子の形状が小さいほどに増えて大幅に放熱性が劣化する。
本発明は上記問題点を解決するものであり、マザーボードへの実装時の信頼性を低下させること無く、より薄型で良好な放熱性を持った半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、樹脂基板上に形成したダイパッドおよび複数の電極端子と、前記ダイパッドに接着剤で固着して前記電極端子と電気的に接続した半導体素子と、前記樹脂基板上の前記ダイパッドと前記半導体素子と前記電極端子とを封止する樹脂封止体と、前記電極端子と各々電気的に接続された外部端子とを備えた半導体装置であって、前記ダイパッドの外形が前記半導体素子より大きく、前記ダイパッドの周縁部にソルダーレジストを有し、かつ前記ソルダーレジストの開口サイズが前記半導体素子より大きいことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、樹脂基板上に形成したダイパッドおよび複数の電極端子と、前記ダイパッドに接着剤で固着して前記電極端子と電気的に接続した半導体素子と、前記樹脂基板上の前記ダイパッドと前記半導体素子と前記電極端子とを封止する樹脂封止体と、前記電極端子と各々電気的に接続された外部端子とを備えた半導体装置であって、前記ダイパッドの外形が前記半導体素子より大きく、前記ダイパッドの周辺部にソルダーレジストを有し、前記ソルダーレジストの開口サイズが前記ダイパッドより大きいことを特徴とする。
また、前記ソルダーレジストは、樹脂封止体の層中に位置する表面側を樹脂基板に当接する裏面側と比較して広く形成され、断面において樹脂封止体との接合面が傾斜面をなすことを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂基板にダイパッドおよび複数の電極端子を形成して回路基板を作製する工程と、前記ダイパッドの周縁部に前記半導体素子のサイズより開口サイズの大きいソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの開口部内で露出する前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記電極端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子と前記ソルダーレジストを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止された半導体装置を個々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂基板にダイパッドおよび複数の電極端子を形成して回路基板を作製する工程と、前記ダイパッドの周辺部に前記ダイパッドのサイズより開口サイズの大きいソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの開口部内で露出する前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記電極端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子と前記ソルダーレジストを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止された半導体装置を個々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする。
本発明の半導体装置によれば、ソルダーレジストの開口サイズが半導体素子より大きいので、半導体素子で発熱した熱は熱伝導性の悪いソルダーレジストを介することなく接着剤を介してダイパッドへ良好に熱伝達される。また、半導体素子はソルダーレジスト上には搭載されないので、ソルダーレジストの厚み分だけ樹脂封止体の厚みを厚く設計する必要が無い。
ダイパッドの周縁部がソルダーレジストによって覆われているので、密着性の弱いダイパッドの面積をダイパッドの側面分だけ実質的に減らすことができる。さらに、ダイパッドの周縁部に形成されたソルダーレジストとの段差によるアンカー効果で、ダイパッドと樹脂封止体との線膨張差により発生するせん断応力を抑制してダイパッドと樹脂封止体との剥離を抑制することができる。その結果、マザーボードへの実装時の信頼性を損なうことなく、薄型で放熱性の良好な半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体装置及びその製造方法の実施形態について、以下に図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
図1〜図3を参照して第1の実施形態における半導体装置について説明する。図1は半導体装置の概略的な構成を示す断面図、図2は樹脂封止を行なっていない状態の半導体装置の概略的な構成を示す平面図、図3は半導体装置の概略的な構成を示す背面図である。
(第1の実施形態)
図1〜図3を参照して第1の実施形態における半導体装置について説明する。図1は半導体装置の概略的な構成を示す断面図、図2は樹脂封止を行なっていない状態の半導体装置の概略的な構成を示す平面図、図3は半導体装置の概略的な構成を示す背面図である。
半導体装置は樹脂基板1にダイパッド2と電極端子6とを形成した回路基板17を有しており、ダイパッド2は外形が半導体素子4よりも大きく形成してあり、その周縁部はソルダーレジスト9aで覆われている。
ソルダーレジスト9aは半導体素子4の外形より大きい開口部を有しており、この開口部から露出しているダイパッド2の上に半導体素子4を接着剤3で固着し、半導体素子4の各電極を電極端子6に金属細線5を介して接続し、半導体素子4を樹脂封止体7によって封止している。
ソルダーレジスト9aの開口部は方形に開口しており、そのサイズは半導体素子4を搭載する際の位置ズレとダイパッド2に対するソルダーレジスト9aの位置ズレを考慮した必要最小限の寸法であり、一辺の片側において半導体素子4より0.005〜0.25mm程度大きくすることで密着性の弱いダイパッド2の露出面積を極力減らしている。
ダイパッド2には内層のNiめっき10及び外層のAuめっき11が施されており、実質的にはAuめっき11の上に半導体素子4が接着剤3を介して固着されている。
この構成により、ダイパッド2の周縁部がソルダーレジスト9aによって覆われることで、樹脂封止体7に対して密着性の弱いダイパッド2(Auめっき11)の面積を実質的にダイパッドの側面分だけ減らすことができる。さらに、ダイパッド2の周縁部に形成されたソルダーレジスト9aとの段差によってアンカー効果を生じることで、ダイパッド2と樹脂封止体7との(マザーボード実装時の熱によって発生する)線膨張差によって発生するせん断応力を抑制することができるので、ダイパッド2と樹脂封止体7との剥離を抑制することができる。
この構成により、ダイパッド2の周縁部がソルダーレジスト9aによって覆われることで、樹脂封止体7に対して密着性の弱いダイパッド2(Auめっき11)の面積を実質的にダイパッドの側面分だけ減らすことができる。さらに、ダイパッド2の周縁部に形成されたソルダーレジスト9aとの段差によってアンカー効果を生じることで、ダイパッド2と樹脂封止体7との(マザーボード実装時の熱によって発生する)線膨張差によって発生するせん断応力を抑制することができるので、ダイパッド2と樹脂封止体7との剥離を抑制することができる。
ダイパッド2の周辺に設置された複数の電極端子6は半導体装置の裏面に設置した各外部端子8と電気的に接続されており、各電極端子6は金属細線5との接続部にNiめっき10及び最外層にAuめっき11が施されている。電極端子6は金属細線5との接続部以外がソルダーレジスト9bで覆われており、樹脂封止体7との密着性を向上させている。樹脂封止体7は、ダイパッド2、接着剤3、半導体素子4、金属細線5、電極端子6、ソルダーレジスト9a、9bを封止している。
ここで、電極端子6、外部端子8はCu箔上12にCuめっき15を施したものであり、Cu箔12とCuめっき15の総厚は0.01〜0.05mm程度である。また、Niめっき10の厚みは0.005〜0.015mm程度、Auめっき11の厚みは0.0001〜0.001mm程度である。
被膜をなすソルダーレジスト9a、9bは、一例としてアルカリ現像型のレジストインキ(他にエポキシ系の熱硬化型でもよい)であり、樹脂基板1上で0.01〜0.05mm程度の厚さに形成され、電極端子6やダイパッド2の上で0.005〜0.03mm程度の厚さに形成されている。
金属細線5は、φ0.020〜φ0.030mm程度のAu線である。接着剤3は70〜90%のAgフィラーを含有したエポキシ樹脂(ベース樹脂はアクリル系の樹脂であっても良いし、フィラーはアルミナなどでも良い)である。樹脂封止体7はフィラー含有率80〜90%程度のエポキシ樹脂である。
樹脂基板1は一例としてガラスエポキシ樹脂等から成る3層構造(層数は任意である)であり、ガラスエポキシ樹脂の厚みは1層が0.05〜0.10mmである。樹脂基板1は内部にCu箔12を設置し、貫通孔16の壁面にCuめっきを施して貫通孔16に穴埋め樹脂14を埋め込んでおり、貫通孔16の壁面のCuめっきがCu箔12をダイパッド2およびグランド端子13に接続している。この構成により、半導体素子4の内部から外部への放熱性を向上させており、ダイパッド2の外形が半導体素子4より大きいので良好な放熱性を得ることができる。
なお、図面においては、図形が複雑になるのでCuめっき15はCu箔12と区分せずに図示している。樹脂基板1に形成する貫通孔16は穴埋め樹脂14によって埋めることで、半導体装置をマザーボード基板へ実装する際の応力集中や、貫通穴内部の吸湿気化膨張によるCuめっき等の断線を防止しており、信頼性の向上を図っている。
(第2の実施形態)
以下に、図4〜6を参照して第2の実施形態における半導体装置について説明する。図4は半導体装置の概略的な構成を示す断面図、図5は樹脂封止を行なっていない状態の半導体装置の概略的な構成を示す平面図、図6は半導体装置の概略的な構成を示す背面図である。
(第2の実施形態)
以下に、図4〜6を参照して第2の実施形態における半導体装置について説明する。図4は半導体装置の概略的な構成を示す断面図、図5は樹脂封止を行なっていない状態の半導体装置の概略的な構成を示す平面図、図6は半導体装置の概略的な構成を示す背面図である。
この半導体装置は、第1の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第1の実施形態との相違点について説明する。
第1の実施形態では、ダイパッド2は外形が半導体素子4より大きく、その周縁部はソルダーレジスト9aで覆われている。ソルダーレジスト9aは半導体素子4の外形より大きい開口部を有しており、この開口部から露出しているダイパッド2の上に半導体素子4が接着剤3で固着される。
第1の実施形態では、ダイパッド2は外形が半導体素子4より大きく、その周縁部はソルダーレジスト9aで覆われている。ソルダーレジスト9aは半導体素子4の外形より大きい開口部を有しており、この開口部から露出しているダイパッド2の上に半導体素子4が接着剤3で固着される。
これに対して第2の実施形態は、ソルダーレジスト9aがダイパッド2の周囲に設置されている。ダイパッド2は外形が半導体素子4より大きいが、第1の実施形態におけるものとの比較においては小さい形状をなし、その外形サイズは半導体素子4を搭載する際の位置ズレを考慮した必要最小限の寸法であり、一辺の片側において半導体素子4より0.005〜0.15mm程度大きくすることで密着性の弱いダイパッド2の露出面積を極力減らしている。
この構造により、第1の実施形態と比較して、ソルダーレジスト9aのサイズを小さくできるので、半導体装置のサイズも小さくすることができる。但し、ダイパッド2のサイズは第1の実施形態と比較して小さくなるため、ダイパッド2のサイズによっては(半導体装置裏面のグランド端子13と繋がる)貫通ビアの設定可能本数が減って放熱性が多少劣化する場合があるので、第1の実施形態との使い分けが必要である。
(第3の実施形態)
図7を参照して第3の実施形態における半導体装置について説明する。図7は半導体装置の概略的な構成を示す断面図である。この半導体装置は、第1の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第1の実施形態との相違点について説明する。
(第3の実施形態)
図7を参照して第3の実施形態における半導体装置について説明する。図7は半導体装置の概略的な構成を示す断面図である。この半導体装置は、第1の実施形態の装置と同様の基本構成を有するので、主に第1の実施形態との相違点について説明する。
第1の実施形態ではソルダーレジスト9aの表裏面の広さを指定していない。これに対して第3の実施形態は、ソルダーレジスト9aが樹脂封止体7の層中に位置する表面側を樹脂基板1に当接する裏面側と比較して広く形成することで、図示する断面においてソルダーレジスト9aは樹脂封止体7との接合面が傾斜面をなすアンカー形状をなす。この傾斜面で樹脂封止体7を樹脂基板1の表裏方向において係止する作用によって樹脂封止体7に対するソルダーレジスト9aのアンカー効果が期待でき、樹脂封止体7との密着性向上が期待できる。さらに、ソルダーレジスト9aの表面側がダイパッド2のAuめっき11よりも突出することで、ソルダーレジスト9aで形成された段差部が接着剤3を止める効果を奏して接着剤3が過剰に広がる余地が無くなるので、生産において接着剤3の量をシビアにコントロールする必要が無く、安定した生産が可能となる。
次に、図8(a)〜(j)を参照して、本発明の半導体装置に用いる回路基板17を製造する工程を説明する。図8(a)〜(j)は、回路基板17を製造する工程を示す概略的な断面図を示し、(a)はCu箔が積層された樹脂基板を準備する工程断面図、(b)は表裏のCu箔を所定の形状へエッチング加工した状態を示す工程断面図、(c)は半硬化樹脂基板とCu箔を積層した状態を示す工程断面図、(d)は製品エリアに貫通孔を開ける工程断面図、(e)は電解Cuめっきにより表裏層と内層のメタル部を電気的に繋げた状態を示す工程断面図、(f)は貫通孔を穴埋め樹脂で埋めた状態を示す工程断面図、(g)はCuめっきにより穴埋め樹脂部に蓋をした状態を示す工程断面図、(h)は表裏のCu箔+Cuめっきを所定の形状へエッチング加工した状態を示す工程断面図、(i)はソルダーレジストを所定の箇所へ形成した状態を示す工程断面図、(j)はNiめっき及び、Auめっきを施した工程断面図である。
まず、図8(a)に示すように、両面にCu箔12が積層された単板状の半硬化の樹脂基板1aを準備する。後にCu箔12を所定の形状にエッチング加工する際の位置決め用の貫通孔を、製品エリア外にドリル等を用いて開ける(図示せず)。一例として、樹脂基板1aは厚さ0.1mm程度のガラスエポキシ樹脂である。また、Cu箔12は、厚さ0.01〜0.02mm程度である。
次に、図8(b)に示すように、表裏面のCu箔12を所定の形状にエッチング加工する。
次に、図8(c)に示すように、エッチング加工した樹脂基板1aの表裏に別途の半硬化の樹脂基板1aを配置し、その表面にCu箔12を配置し、加熱・加圧して一体に積層された樹脂基板1を作製する。一例として、単板状の樹脂基板1aは厚さ0.1mm程度のガラスエポキシ樹脂である。Cu箔12は、厚さ0.01〜0.02mm程度である。
次に、図8(c)に示すように、エッチング加工した樹脂基板1aの表裏に別途の半硬化の樹脂基板1aを配置し、その表面にCu箔12を配置し、加熱・加圧して一体に積層された樹脂基板1を作製する。一例として、単板状の樹脂基板1aは厚さ0.1mm程度のガラスエポキシ樹脂である。Cu箔12は、厚さ0.01〜0.02mm程度である。
次に、図8(d)に示すように、製品エリア内の所定箇所に貫通孔16をドリル等で開ける。同時に、後にCu箔12を所定の形状にエッチング加工する際の位置決め用の貫通孔を、製品エリア外にドリル等を用いて開ける(図示せず)。
次に、図8(e)に示すように、電解Cuめっきを施して樹脂基板1の表裏のCu箔12の表面および貫通孔16の内面にCuめっき15を形成し、内層のCu箔12と表裏層のCu箔12をCuめっき15で接続する。ここで、電解Cuめっき前に化学エッチング等によるデスミア処理を施してCuめっき15とCu箔12、Cuめっき15と樹脂基板1との密着性を向上させる。一例として、Cuめっき厚さは0.005〜0.025mm程度である。
次に、図8(f)に示すように、貫通孔16に穴埋め樹脂14を充填し、表面を平面に研磨する。一例として、貫通孔16はφ0.15mm程度である。
次に、図8(g)に示すように、電解Cuめっきを施して穴埋め樹脂14の上にCuめっき15を形成し、Cu箔12とCuめっき15とで最終的なCu厚を形成する。ここで、電解Cuめっき前に化学エッチング等によるデスミア処理を施してCuめっき15同士及び、Cuめっき15と穴埋め樹脂14との密着性を向上させる。一例としてCu箔12とCuめっき15との最終的な厚さは、0.02〜0.05mmである。
次に、図8(g)に示すように、電解Cuめっきを施して穴埋め樹脂14の上にCuめっき15を形成し、Cu箔12とCuめっき15とで最終的なCu厚を形成する。ここで、電解Cuめっき前に化学エッチング等によるデスミア処理を施してCuめっき15同士及び、Cuめっき15と穴埋め樹脂14との密着性を向上させる。一例としてCu箔12とCuめっき15との最終的な厚さは、0.02〜0.05mmである。
次に、図8(h)に示すように、樹脂基板1の裏面のCu箔12とCuめっき15を所定の形状にエッチングする。
次に、図8(i)に示すように、アルカリ現像型のレジストインキを印刷して乾燥させた後に、マスク等を用いて露光、現像して所定形状のソルダーレジストを形成し、その後に加熱して硬化させる。このように、現像型のレジストインキを使用することで、ソルダーレジストの底面側はオーバーエッチングされるため、ソルダーレジスト9a(ソルダーレジスト9bも同様)は最終的に樹脂封止体7の層中に位置する表面側を樹脂基板1に当接する裏面側と比較して広く形成され、図示する断面において側面(最終的に樹脂封止体7との接合面)が傾斜面をなすアンカー形状となる。
次に、図8(i)に示すように、アルカリ現像型のレジストインキを印刷して乾燥させた後に、マスク等を用いて露光、現像して所定形状のソルダーレジストを形成し、その後に加熱して硬化させる。このように、現像型のレジストインキを使用することで、ソルダーレジストの底面側はオーバーエッチングされるため、ソルダーレジスト9a(ソルダーレジスト9bも同様)は最終的に樹脂封止体7の層中に位置する表面側を樹脂基板1に当接する裏面側と比較して広く形成され、図示する断面において側面(最終的に樹脂封止体7との接合面)が傾斜面をなすアンカー形状となる。
次に、図8(j)に示すように、Niめっき10、Auめっき11を施す。ここで、各メタル部が配線で繋がれている場合は電解めっきが可能であり、こちらの方が封止樹脂体7や接着剤3と強い密着強度を得ることができる。各メタル部を配線で繋ぐスペースが無い場合、あるいは内層のCu箔12との関係で、電極端子6と外部端子8を繋げることが出来ない場合などは、無電解めっきでもよい。
以上のようにして、本発明の半導体装置に用いる回路基板17が完成する。次に、図9(a)〜(e)を参照して、上述の回路基板17を用いた本発明の半導体装置を製造する工程を説明する。
図9(a)は回路基板を準備する工程断面図、(b)は半導体素子を接着剤にて固着した状態を示す工程断面図、(c)は半導体素子と電極端子とを金属細線にて接続した状態を示す工程断面図、(d)は樹脂封止した状態を示す工程断面図、(e)は半導体装置を個別に分割した状態を示す工程断面図である。
まず、図9(a)に示すように、上述の製造方法で製造した回路基板17を準備する。接着剤3中のボイド発生を抑制するため、ベーキングを実施することが望ましい。一例として、ベーキング条件は125℃、1時間程度である。
次に、図9(b)に示すように、ダイパッド2の上にディスペンサ(図示せず)等を用いて接着剤3を塗布した後、コレット(図示せず)等を用いて半導体素子4を搭載する。一例として、接着剤3は熱硬化性のエポキシ樹脂(アクリル系の樹脂でも良い)にAgフィラー(アルミナ等でもよい)を混合させたものである。
接着剤3はヒートステージ(図示せず)上で加熱することで硬化させる。一例として半導体素子4は0.1〜0.2mm程度のシリコン単結晶(GaAsでも良い)である。加熱条件は150〜250℃、30〜60秒で徐々に温度を上げていく方法をとると接着剤3中のボイドが発生しにくい。なお、接着剤3の硬化は硬化炉を用いても良い。この場合は、150〜170℃程度の低温で1〜2時間程度効果させる。
次に、図9(c)に示すように、半導体素子4のボンディングパッド(図示せず)と電極端子6とを金属細線5を用いて電気的に接続する。この際に、ワイヤーボンド装置は真空孔が開いたヒートステージ(図示せず)に回路基板17を吸引固定するとともに、回路基板17の製品エリア外を押さえ治具(図示せず)により固定した状態で、ワイヤーボンディングを実施する。一例として、金属細線としては、直径0.020〜0.025mmのAuワイヤーを用いる。
次に、図9(d)に示すように、トランスファー装置(図示省略)に搭載した封止金型を180℃程度に加熱してシリンダにより型締めすることにより、複数の半導体装置を一括して樹脂封止する。封止樹脂が硬化して樹脂封止体7が形成された後に、型開きしてトランスファー装置から一連の半導体装置を脱装させる。そして、オモリなどで加圧しながら硬化炉などで樹脂封止体7の本硬化を実施する。一例として、オモリの重量は5kg程度である。
次に、図9(e)に示すように、ダイシング装置(図示せず)により一連の半導体装置を個々の半導体装置に分割する。この際に、リングに貼り付けたUVシート(図示せず)上に一連の半導体装置を封止樹脂体7側で貼り付け固定し、ブレードにより樹脂基板1を切断する。ブレードとしては、例えば電鋳製で0.15〜0.3mm程度の厚みのものを用いる。
本発明にかかる半導体装置は、マザーボードへの実装時の信頼性を低下させること無く、より薄型で良好な放熱性を持っているので、情報通信機器や家電機器などに用いられる半導体装置として有用である。
1 樹脂基板
1a 樹脂基板(積層前)
2 ダイパッド
3 接着剤
4 半導体素子
5 金属細線
6 電極端子
7 樹脂封止体
8 外部端子
9a ソルダーレジスト(ダイパッド部)
9b ソルダーレジスト(電極端子部)
10 Niめっき
11 Auめっき
12 Cu箔
13 グランド端子
14 穴埋め樹脂
15 Cu箔+Cuめっき
16 貫通穴
17 回路基板
1a 樹脂基板(積層前)
2 ダイパッド
3 接着剤
4 半導体素子
5 金属細線
6 電極端子
7 樹脂封止体
8 外部端子
9a ソルダーレジスト(ダイパッド部)
9b ソルダーレジスト(電極端子部)
10 Niめっき
11 Auめっき
12 Cu箔
13 グランド端子
14 穴埋め樹脂
15 Cu箔+Cuめっき
16 貫通穴
17 回路基板
Claims (9)
- 樹脂基板上に形成したダイパッドおよび複数の電極端子と、前記ダイパッドに接着剤で固着して前記電極端子と電気的に接続した半導体素子と、前記樹脂基板上の前記ダイパッドと前記半導体素子と前記電極端子とを封止する樹脂封止体と、前記電極端子と各々電気的に接続された外部端子とを備えた半導体装置であって、前記ダイパッドの外形が前記半導体素子より大きく、前記ダイパッドの周縁部にソルダーレジストを有し、かつ前記ソルダーレジストの開口サイズが前記半導体素子より大きいことを特徴とした半導体装置。
- 樹脂基板上に形成したダイパッドおよび複数の電極端子と、前記ダイパッドに接着剤で固着して前記電極端子と電気的に接続した半導体素子と、前記樹脂基板上の前記ダイパッドと前記半導体素子と前記電極端子とを封止する樹脂封止体と、前記電極端子と各々電気的に接続された外部端子とを備えた半導体装置であって、前記ダイパッドの外形が前記半導体素子より大きく、前記ダイパッドの周辺部にソルダーレジストを有し、前記ソルダーレジストの開口サイズが前記ダイパッドより大きいことを特徴とした半導体装置。
- 前記ソルダーレジストの開口サイズが、前記半導体素子のサイズより一辺の片側において0.005〜0.25mm大きいことを特徴とした請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ソルダーレジストの開口サイズが、前記ダイパッドのサイズより一辺の片側において0.005〜0.15mm大きいことを特徴とした請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ダイパッドのサイズが、前記半導体素子のサイズより一辺の片側において0.005〜0.15mm大きいことを特徴とした請求項1及び2に記載の半導体装置。
- 前記ダイパッドの最外層にAuめっきが施されていることを特徴とする請求項1及び2に記載の半導体装置。
- 前記ソルダーレジストは、樹脂封止体の層中に位置する表面側を樹脂基板に当接する裏面側と比較して広く形成され、断面において樹脂封止体との接合面が傾斜面をなすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 樹脂基板にダイパッドおよび複数の電極端子を形成して回路基板を作製する工程と、前記ダイパッドの周縁部に前記半導体素子のサイズより開口サイズの大きいソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの開口部内で露出する前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記電極端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子と前記ソルダーレジストを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止された半導体装置を個々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 樹脂基板にダイパッドおよび複数の電極端子を形成して回路基板を作製する工程と、前記ダイパッドの周辺部に前記ダイパッドのサイズより開口サイズの大きいソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの開口部内で露出する前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記電極端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記ダイパッドと前記電極端子と前記ソルダーレジストを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止された半導体装置を個々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2006330056A JP2008147266A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2010001504A1 (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | オムロン株式会社 | 電子部品 |
JP2014017453A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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-
2006
- 2006-12-07 JP JP2006330056A patent/JP2008147266A/ja not_active Withdrawn
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