JP2017200175A5 - 電子部品と電子装置 - Google Patents

電子部品と電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017200175A5
JP2017200175A5 JP2017064289A JP2017064289A JP2017200175A5 JP 2017200175 A5 JP2017200175 A5 JP 2017200175A5 JP 2017064289 A JP2017064289 A JP 2017064289A JP 2017064289 A JP2017064289 A JP 2017064289A JP 2017200175 A5 JP2017200175 A5 JP 2017200175A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resin layer
main surface
electronic component
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017064289A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017200175A (ja
JP6718837B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2017200175A publication Critical patent/JP2017200175A/ja
Publication of JP2017200175A5 publication Critical patent/JP2017200175A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6718837B2 publication Critical patent/JP6718837B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (13)

  1. 電子部品であって、
    主表面を含む基板と、
    前記基板の主表面上に形成された機能部と、
    前記基板の主表面上に形成された樹脂層と
    を含み、
    前記樹脂層は、前記基板の主表面に面する第1面と、前記第1面に対向する第2面とを含み、
    前記樹脂層は、前記第1面上に前記機能部を囲む空洞を画定し、
    前記第1面の一部分が前記基板の主表面に平行な前記空洞の壁を画定し、
    前記樹脂層は前記第2面に凹部を含み、
    前記凹部には半田層が配置され、
    前記半田層は前記第2面を厚さ方向に超えることがない、電子部品。
  2. 前記機能部は、機械的可動部分を有する弾性表面波(SAW)素子又は圧電薄膜共振子(FBAR)の一方を含む、請求項1の電子部品。
  3. 前記基板は誘電体材料から形成される、請求項1の電子部品。
  4. 前記樹脂層には、前記凹部から前記樹脂層を貫通して前記主表面まで延びる貫通孔が設けられ、
    前記半田層とは別個の金属層が前記貫通孔に配置されて前記半田層を前記主表面に電気的に接続する、請求項1の電子部品。
  5. 前記半田層の一部分が、前記凹部における前記樹脂層の第2表面上に配置される、請求項1の電子部品。
  6. 前記半田層の周縁と、前記凹部を画定する前記樹脂層の周縁面との間に間隙が設けられる、請求項1の電子部品。
  7. 電子装置であって、
    主表面上に機能部が形成された第1基板と前記主表面上に形成された第1樹脂層とを含む電子部品と、
    主表面に電極パッドが形成された第2基板と、
    前記電子部品及び前記第2基板を封止する第2樹脂層と
    を含み、
    前記第1樹脂層は、前記第1基板の主表面に面する第1面と前記第1面に対向する第2面とを有し、
    前記第1樹脂層は、前記第1面上に前記機能部を囲む空洞を画定し、
    前記第1面の一部分が前記第1基板の主表面に平行な前記空洞の壁を画定し、
    前記第1樹脂層は前記第2面上の凹部を含み、
    貫通孔が前記凹部から延びて前記第1樹脂層を前記第1基板の主表面まで貫通し、
    金属層が前記貫通孔に配置され、
    前記凹部に配置された半田層が前記電極パッドに接触し、
    前記半田層、前記金属層及び前記電極パッドが、前記第1基板の主表面と前記第2基板の主表面との間の距離に対応する組み合わせ厚さを有する、電子装置。
  8. 前記機能部は、機械的可動部分を有する弾性表面波(SAW)素子又は圧電薄膜共振子(FBAR)の一方を含む、請求項7の電子装置。
  9. 前記第1基板は誘電体材料から形成される、請求項7の電子装置。
  10. 前記第1面は前記第1基板の主表面と接触する、請求項7の電子装置。
  11. 前記第2面は前記第2基板の主表面に接触する、請求項7の電子装置。
  12. 前記第2樹脂層は、前記第1基板、前記第1樹脂層及び前記第2基板に接触する、請求項7の電子装置。
  13. 前記空洞と前記第2基板との間に前記第1樹脂層の一部分が配置され、
    前記第1樹脂層の前記一部分の前記第2面が前記第2基板の主表面に直接接触する、請求項7の電子装置。
JP2017064289A 2016-04-01 2017-03-29 電子部品とその製造方法、及び電子装置とその製造方法 Active JP6718837B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662317234P 2016-04-01 2016-04-01
US62/317,234 2016-04-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017200175A JP2017200175A (ja) 2017-11-02
JP2017200175A5 true JP2017200175A5 (ja) 2020-03-05
JP6718837B2 JP6718837B2 (ja) 2020-07-08

Family

ID=59960491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017064289A Active JP6718837B2 (ja) 2016-04-01 2017-03-29 電子部品とその製造方法、及び電子装置とその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10321572B2 (ja)
JP (1) JP6718837B2 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI661494B (zh) 2014-07-31 2019-06-01 美商西凱渥資訊處理科技公司 多層暫態液相接合
US20180159502A1 (en) * 2016-12-02 2018-06-07 Skyworks Solutions, Inc. Methods of manufacturing electronic devices to prevent water ingress during manufacture
US20220116015A1 (en) 2018-06-15 2022-04-14 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US10790802B2 (en) 2018-06-15 2020-09-29 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US11870423B2 (en) 2018-06-15 2024-01-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US10819309B1 (en) * 2019-04-05 2020-10-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US12021496B2 (en) 2020-08-31 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11374549B2 (en) 2018-06-15 2022-06-28 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11996825B2 (en) 2020-06-17 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators
US10797675B2 (en) 2018-06-15 2020-10-06 Resonant Inc. Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate
CN109285815B (zh) * 2018-09-25 2020-07-17 宜确半导体(苏州)有限公司 半导体器件、射频芯片和制造方法
CN113615083A (zh) 2019-03-14 2021-11-05 谐振公司 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US12003226B2 (en) 2020-11-11 2024-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
CN117546406A (zh) * 2021-09-30 2024-02-09 株式会社大真空 压电振动器件

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189324B2 (ja) 1991-09-28 2001-07-16 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の実装方法
GB9715289D0 (en) * 1997-07-22 1997-09-24 King S College London Wavelength measuring system
JP3123477B2 (ja) * 1997-08-08 2001-01-09 日本電気株式会社 表面弾性波素子の実装構造および実装方法
JP3514361B2 (ja) * 1998-02-27 2004-03-31 Tdk株式会社 チップ素子及びチップ素子の製造方法
JP2000114918A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp 表面弾性波装置及びその製造方法
TW588444B (en) * 2003-04-17 2004-05-21 Ftech Corp Method of forming package structure with cavity
JP4587732B2 (ja) * 2004-07-28 2010-11-24 京セラ株式会社 弾性表面波装置
JP2006217226A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JP2007027211A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP5121043B2 (ja) * 2007-03-09 2013-01-16 日東電工株式会社 剥離ライナー付き感圧接着シート
CN104540317B (zh) * 2007-07-17 2018-11-02 株式会社村田制作所 印制布线基板
JP2009032843A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Nec Electronics Corp 半導体装置とその製造方法
JP4567775B2 (ja) * 2008-08-26 2010-10-20 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
EP2463809A1 (fr) * 2010-12-07 2012-06-13 NagraID S.A. Carte électronique à contact électrique comprenant une unité électronique et/ou une antenne
JP2012191062A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体装置
WO2013035714A1 (ja) * 2011-09-07 2013-03-14 株式会社村田製作所 モジュールの製造方法および端子集合体
DE102015205354A1 (de) * 2015-03-24 2016-09-29 Osram Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017200175A5 (ja) 電子部品と電子装置
JP6671441B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板、電子装置および電子モジュール
JP6496865B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP2018113679A5 (ja)
US20170273183A1 (en) Electronic component and manufacturing method therefor
JP2016036182A5 (ja)
TW200909336A (en) Microelectromechanical-system package and method for manufacturing the same
JP5538974B2 (ja) 電子デバイスパッケージの製造方法及び電子デバイスパッケージ
JP2010016030A (ja) 電子部品
JP2006246112A (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2014176089A5 (ja) 弾性波デバイス
JPWO2016060072A1 (ja) 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JP2018160653A5 (ja)
JP6090687B1 (ja) 水晶片及び水晶振動子
JP5065974B2 (ja) マイクロホンユニット及びその製造方法
JP6218004B2 (ja) 水晶片及び水晶振動子
JP6233620B2 (ja) 水晶片及び水晶振動子
JP6652367B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP6813682B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP6869698B2 (ja) 電子デバイス
JP2007214307A5 (ja)
JP6580921B2 (ja) 圧電振動片および圧電振動子
WO2021210214A1 (ja) 圧電振動子及びその製造方法
JP5513047B2 (ja) 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
JP2022112576A5 (ja)