JPWO2016060072A1 - 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016060072A1
JPWO2016060072A1 JP2016554064A JP2016554064A JPWO2016060072A1 JP WO2016060072 A1 JPWO2016060072 A1 JP WO2016060072A1 JP 2016554064 A JP2016554064 A JP 2016554064A JP 2016554064 A JP2016554064 A JP 2016554064A JP WO2016060072 A1 JPWO2016060072 A1 JP WO2016060072A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
substrate
functional
back surface
functional substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016554064A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6327355B2 (ja
Inventor
岩本　敬
敬 岩本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2016060072A1 publication Critical patent/JPWO2016060072A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6327355B2 publication Critical patent/JP6327355B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02047—Treatment of substrates
    • H03H9/02055—Treatment of substrates of the surface including the back surface
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
    • H10N30/706—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
    • H10N30/708—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

圧電デバイス（１０）は、圧電基板（１１０）、圧電基板（１２０）、および接着層（２０）を備える。圧電基板（１１０）の表面（１１０ＳＭ）には、導体パターン（１１１）が形成されている。これらによって、第１圧電素子（１１）が構成される。圧電基板（１２０）の表面（１２０ＳＭ）には、導体パターン（１２１）が形成されている。これらによって、第２圧電素子（１２）が構成される。接着層（２０）は、圧電基板（１１０）の裏面（１１０ＳＪ）と圧電基板（１２０）の裏面（１２０ＳＪ）とを接着する。この際、接着層（２０）は、接合状態において圧電基板（１１０）および圧電基板（１２０）に圧縮応力を印加するように、これらの基板を接着する。

Description

本発明は、圧電体を用いた共振器を含む圧電デバイス、および圧電デバイスの製造方法に関する。
従来、圧電体に導体パターンを形成してなる弾性波デバイスを備える電子部品が各種考案されている。例えば、特許文献１の弾性波デバイスは、励振電極が形成された圧電体を複数備える。複数の圧電体は、間隔を空けて積層されている。
例えば、第１の態様として、第１の圧電体と第２の圧電体は、励振電極が形成された面が対向し、これらの面が離間するように積層されている。この際、各圧電体は、それぞれ支持基板に支持されている。また、第２の態様として、第１の圧電体は、支持基板の表面に配置され、第２の圧電体は、当該支持基板の裏面に配置されている。
特開２００７−６０４６５号公報
電子機器の小型化、低背化に伴い、電子デバイスには更なる低背化、小型化が要求されている。この場合、弾性波デバイスに用いられている圧電体の厚みを薄くしていく必要がある。しかしながら、圧電体はさらに薄くなると、破損しやすいものが多い。特に、弾性波デバイスによく用いられる、電気機械結合係数の高いタンタル酸リチウム（ＬＴ）およびニオブ酸リチウム（ＬＮ）の単結晶は、へき開性を有しており、破損しやすい。なお、へき開性とは、ある結晶面に沿って結晶体の割れが進行する現象をいう。
したがって、本発明の目的は、破損し難く低背の圧電デバイスを提供することにある。
この発明の圧電デバイスは、圧電性を有する結晶性材料からなり表面に第１の機能用導体パターンが形成された第１の機能基板と、表面に第２の機能用導体パターンが形成された第２の機能基板と、第１の機能基板の裏面と第２の機能基板の裏面を貼り合わせ、貼り合わせた状態において第１の機能基板に対して圧縮応力を印加する接着層とを備える。
この構成では、第１の機能基板に対して圧縮応力が加えられるので、圧電性を有する結晶性材料からなる第１の機能基板のへき開性による破損を抑制できる。これにより、第１の機能基板をより薄化でき、より低背な圧電デバイスを実現できる。
また、この発明の圧電デバイスは、圧電性を有する結晶性材料からなり表面に第１の機能用導体パターンが形成された第１の機能基板と、表面に第２の機能用導体パターンが形成された第２の機能基板と、第１の機能基板の裏面と第２の機能基板の裏面とを貼り合わせた接着層とを備える。第１の機能基板の裏面と第２の機能基板の裏面の結晶格子間隔は、第１の機能基板の表面と第２の機能基板の表面の結晶格子間隔より小さい。
この構成では、第1の機能基板に圧縮応力が加わるので、圧電性を有する結晶性材料からなる第１の機能基板のへき開性による破損を抑制できる。これにより、第１の機能基板をより薄化でき、より低背な圧電デバイスを実現できる。
また、この発明の圧電デバイスでは、第１の機能基板の裏面は、第１の機能基板の表面よりも表面粗さが粗いことが好ましい。この構成では、第１の機能基板で生じる不要波が第１の機能用導体パターンに重畳することを抑制できる。これにより、第１の機能基板を備える圧電素子の電気特性を向上させることができる。さらに、第１の機能基板は、裏面が粗いことによって、裏面から内部にクラックが生じ易くなってしまうが、接着層によって圧縮応力が加えられることで、クラックの発生を抑制できる。これにより、第１の機能基板を備える圧電素子の信頼性を向上させることができる。
また、この発明の圧電デバイスにおける第２の機能基板は、圧電性を有する材料からなり、接着層は、接合状態において第２の機能基板に対して圧縮応力を印加する構成であることが好ましい。
この構成では、２つの圧電素子（第１の圧電素子および第２の圧電素子）を備える圧電デバイスを薄型に形成できる。
また、この発明の圧電デバイスにおける第２の機能基板の裏面は、第２の機能基板の表面よりも表面粗さが粗いことが好ましい。
この構成では、第１の圧電素子および第２の圧電素子の電気特性および信頼性を向上させることができる。
また、この発明の圧電デバイスにおける接着層は、接着性樹脂と、状態変化によって圧縮応力を発生する圧縮応力印加剤と、を備える構成であってもよい。
この構成では、圧電応力付加剤を用いて第１の機能基板や第２の機能基板に圧縮応力を印加するので、接着性樹脂の選択の自由度が高くなる。
また、この発明の圧電デバイスにおける接着層は、第１の機能基板よりも線膨張係数が大きいことが好ましい。
この構成では、接着層が１剤性となり、取り扱いが容易になる。
また、この発明の圧電デバイスでは、圧縮応力を印加する接着層の弾性波伝搬速度は、機能基板の弾性波伝搬速度よりも遅く、圧縮応力を印加する接着層の弾性率は、機能基板の弾性率よりも低いことが好ましい。
この構成では、バルク波が機能基板から接着層に漏れるため、反射波が低減され、且つ漏洩した波は接着層で減衰されるので、スプリアスとなるバルク波を抑制することができる。
また、この発明の圧電デバイスの製造方法は、次に示す各工程を有する。圧電デバイスの製造方法は、圧電性を有する材料からなる第１の機能基板の表面に、第１の機能用導体パターンを形成する工程と、第２の機能基板の表面に第２の機能用導体パターンを形成する工程と、を有する。圧電デバイスの製造方法は、第１の機能基板の裏面と第２の機能基板の裏面を接合して第１の機能基板に圧縮応力を印加する工程を有する。
この製造方法では、破損し難く低背の圧電デバイスを容易に製造することができる。
また、この発明の圧電デバイスの製造方法では、第２の機能基板は圧電性を有する材料からなり、圧縮応力を印加する工程は、第２の機能基板に対しても圧縮応力を印加することが好ましい。
この製造方法では、複数の圧電素子を備える構成において、破損し難く低背の圧電デバイスを容易に製造することができる。
この発明によれば、破損し難く低背の圧電デバイスを実現することができる。
本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイスの構成を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る圧電デバイスにおける各製造過程での構造を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る弾性波デバイスの構成を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る弾性波デバイスの製造工程を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る弾性波デバイスにおける各製造過程での構造を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る電子機器モジュールの構成を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る圧電デバイスの派生例の構成を示す側面図である。
本発明の実施形態に係る圧電デバイスについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイスの構成を示す側面図である。
図１に示すように、圧電デバイス１０は、第１圧電素子１１、第２圧電素子１２、および接着層２０を備える。
第１圧電素子１１は、圧電基板１１０を備える。圧電基板１１０は、本発明の第１の機能基板に相当する。圧電基板１１０は、圧電性を有する結晶性材料からなる。具体的には、圧電基板１１０は、タンタル酸リチウム基板（ＬＴ基板）、または、ニオブ酸リチウム基板（ＬＮ基板）からなる。圧電基板１１０の厚みは、例えば、１００μｍ以下である。なお、圧電基板１１０の厚みは、１００μｍ以上であってもよいが、特に１００μｍ以下である場合に、本願の構成が有効に作用する。
圧電基板１１０の表面１１０ＳＭには、所望の回路素子を構成する導体パターン１１１，１１２が形成されている。導体パターン１１１，１１２は、本発明の第１の機能用導体パターンに相当する。例えば、第１圧電素子１１で圧電共振器を形成する場合、導体パターン１１１は櫛歯状である。導体パターン１１２は、導体パターン１１１の引き出し用導体である。導体パターン１１１，１１２は、レジストパターニング、Ａｌ（アルミニウム）系電極膜のＥＢ蒸着成膜、リフトオフ法等によって形成される。
圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪは、表面１１０ＳＭよりも粗い。具体的には、表面１１０ＳＭのＲａが１ｎｍ以下であるのに対して、裏面１１０ＳＪのＲａは１０ｎｍ以上である。なお、裏面１１０ＳＪのＲａは５ｎｍ以上であってもよいが、１０ｎｍ以上であることが好ましい。このように、圧電基板１１０の表面１１０ＳＭを凹凸の少ない鏡面とし、裏面１１０ＳＪを、凹凸を有する面とすることで、次の効果が得られる。表面１１０ＳＭが鏡面であることによって、圧電基板１１０の表面を伝搬する弾性波の伝搬特性を良好にすることができる。そして、裏面１１０ＳＪが凹凸を有する面であることによって、圧電基板１１０を伝搬する弾性波に対して不要波となるバルク波を裏面１１０ＳＪで散乱させることができる。これにより、不要な振動を抑制し、弾性波の伝搬特性を向上させることができる。
なお、弾性波フィルタでは、上記効果が顕著となる。なぜならば、弾性波フィルタでは、圧電基板の裏面で反射するバルク波によって、フィルタ特性が劣化するので、バルク波を抑制する必要がある。しかしながら、上述したように、本発明においては、裏面１１０ＳＪが凹凸を有する面であることによって、圧電基板１１０を伝搬する弾性波に対して不要波となるバルク波を裏面１１０ＳＪで散乱させることができるからである。したがって、これにより、伝搬する弾性波に対するリップルやスプリアスを低減でき、弾性波の伝搬特性を向上させることができる。
第２圧電素子１２は、圧電基板１２０を備える。圧電基板１２０は、本発明の第２の機能基板に相当する。圧電基板１２０は、圧電基板１１０と同様に、圧電性を有する材料からなる基板である。
圧電基板１２０の表面１２０ＳＭには、所望の回路素子を構成する導体パターン１２１，１２２が形成されている。導体パターン１２１，１２２は、本発明の第２の機能用導体パターンに相当する。例えば、第２圧電素子１２で圧電共振器を形成する場合、導体パターン１２１は櫛歯状である。導体パターン１２２は、導体パターン１２１の引き出し用導体である。導体パターン１２１，１２２は、レジストパターニング、Ａｌ（アルミニウム）系電極膜のＥＢ蒸着成膜、リフトオフ法等によって形成される。
圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪは、表面１２０ＳＭよりも粗い。具体的には、表面１２０ＳＭのＲａが１ｎｍ以下であるのに対して、裏面１２０ＳＪのＲａは１０ｎｍ以上である。なお、裏面１２０ＳＪのＲａは５ｎｍ以上であってもよいが、１０ｎｍ以上であることが好ましい。このように、圧電基板１２０の表面１２０ＳＭを凹凸の少ない鏡面とし、裏面１１０ＳＪを、凹凸を有する面とすることで、次の効果が得られる。表面１２０ＳＭが鏡面であることによって、圧電基板１２０の表面を伝搬する弾性波の伝搬特性を良好にすることができる。そして、裏面１２０ＳＪが凹凸を有する面であることによって、圧電基板１２０を伝搬する弾性波に対して不要波となるバルク波を裏面１２０ＳＪで散乱させることができる。これにより、不要な振動を抑制し、弾性波の伝搬特性を向上させることができる。
なお、弾性波フィルタでは、上記効果が顕著となる。なぜならば、弾性波フィルタでは、圧電基板の裏面で反射するバルク波によって、フィルタ特性が劣化するので、バルク波を抑制する必要がある。しかしながら、上述したように、本発明においては、裏面１２０ＳＪが凹凸を有する面であることによって、圧電基板１２０を伝搬する弾性波に対して不要波となるバルク波を裏面１２０ＳＪで散乱させることができるからである。したがって、これにより、伝搬する弾性波に対するリップルやスプリアスを低減でき、弾性波の伝搬特性を向上させることができる。
接着層２０は、圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪと圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪとを接着する。接着層２０は、次のいずれかの態様によって実現される。
（１）接着層２０は、接着性樹脂と、状態変化によって圧縮応力を発生する圧縮応力印加材とによって構成される。圧縮応力印加材は、例えば、アルミナの溶着膜である。圧縮応力印加材は、圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪと圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪに形成されている。このように、圧縮応力印加材が形成された圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪと圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪとが接着性樹脂によって接着される。このような構成とすることによって、アルミナの溶射粒子が冷却される瞬間に体積収縮が生じるため、溶着膜が形成された圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪと圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪに圧縮応力が加わる。この状態で圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪと圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪとを接着性樹脂を用いて接着する。これにより、図１の矢印に示す圧縮応力ＣＳが加わった状態で、圧電基板１１０と圧電基板１２０とが接着される。この際、接着性樹脂は弾性率が大きい方が好ましく、特に、３００ＭＰａ以上であることが好ましい。これにより、圧電基板１１０，１２０に圧縮応力が加わった状態を容易に維持することができる。また、一般的な接着性樹脂を用いることができるので、容易に接着層を形成することができる。
なお、圧縮応力とは、図１に示されるＣＳであり、接着層と隣接する圧電基板１１０，１２０が収縮する方向に働く力をいう。
（２）接着層２０は、接着性樹脂のみからなる。ここで、接着性樹脂として、熱硬化性樹脂を選択すると、加熱硬化する際に樹脂に含まれる溶剤が抜ける影響や樹脂の重合や架橋が進むことにより体積収縮する。このような材料特性を有する接着性樹脂を用いることによって、圧電基板１１０，１２０に対して圧縮応力が加わった状態を維持したまま、圧電基板１１０，１２０を接着することができる。この構成では、接着層２０が１剤性となり、圧電基板１１０，１２０が圧縮応力を加えられたままで接着されている構成を、容易に実現することができる。
また、圧電基板１１０、１２０に圧縮応力が印加されているとき、圧縮応力が掛かっている側の面（つまり、ＩＤＴ電極が形成されていない側の面１１０ＳＪ、１２０ＳＪ）の圧電基板の結晶格子間隔は、圧縮応力が印加されてない側の面（つまり、ＩＤＴ電極が形成されている側の面１１０ＳＭ、１２０ＳＭ）と比べて小さくなっている。
接着層２０の弾性波伝搬速度は、圧電基板１１０，１２０の弾性波伝搬速度よりも遅いことが好ましい。さらに、接着層２０の弾性率は、圧電基板１１０，１２０の弾性率よりも低いことが好ましい。このような構成を用いることによって、バルク波が接着層２０に漏れるため、反射波が低減され、且つ漏洩した波は接着層２０で減衰されるので、スプリアスとなるバルク波を抑制することができる。
以上のように、本実施形態の構成を用いることによって、次の作用効果が得られる。
（Ａ）圧電基板１１０と圧電基板１２０とを積層して、圧縮応力を印加する接着層２０で接着する構成であるので、圧電基板を薄化することができ、その結果、圧電デバイス１０を低背化することができる。
（Ｂ）へき開性を有する圧電基板１１０，１２０は、引っ張り応力の加わった状態ではクラックの発生とその進行が起こりやすいのに対し、圧縮応力が加わった状態では、クラックの発生とその進行が抑制され、ひいては圧電基板の破損が起こりにくい。特に、本実施形態に示すように、裏面１１０ＳＪ，１２０ＳＪが凹凸を有していると、局所的に応力集中するため、クラックがより発生しやすいが、圧電基板１１０，１２０に圧縮応力が加わっていることによって、へき開性によるクラックの進行は生じ難い。これにより、破損し難く信頼性の高い圧電デバイス１０を実現できる。また、圧縮応力が印加されることにより、圧縮応力が掛かっている側の面の圧電基板の結晶格子間隔は、圧縮応力が印加されていない側の面と比べて小さくなっている。
（Ｃ）圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪ、および圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪが凹凸を有することによって、第１圧電素子１１の伝搬特性および第２圧電素子１２の伝搬特性を向上させることができる。これにより、電気特性に優れた二つの圧電素子を備える圧電デバイス１０を実現することができる。
次に、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。図２は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図３は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスにおける各製造過程での構造を示す側面図である。
図２のステップＳ１０１に示すように、第１の圧電体１１０ＭＴを用意し、表面１１０ＳＭを鏡面加工する。鏡面加工された圧電体１１０ＭＴの表面１１０ＳＭに導体パターン１１１，１１２を形成する（図３（Ａ）参照）。
次に、図２のステップＳ１０２に示すように、第１の圧電体１１０ＭＴを裏面側から研削して薄化し、圧電基板１１０を形成する（図３（Ｂ）参照）。
図２のステップＳ１０３に示すように、第２の圧電体１２０ＭＴを用意し、表面１２０ＳＭを鏡面加工する。鏡面加工された圧電体１２０ＭＴの表面１２０ＳＭに導体パターン１２１，１２２を形成する。図２のステップＳ１０４に示すように、第２の圧電体１２０ＭＴを裏面側から研削して薄化し、圧電基板１２０を形成する。
図２のステップＳ１０５に示すように、圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪに、接着層２０を形成する（図３（Ｃ）参照）。接着層２０の形成方法および材料は上述の通りである。
図２のステップＳ１０６に示すように、圧電基板１１０の裏面１１０ＳＪを、接着層２０に接着する。
図２のステップＳ１０７に示すように、接着層２０を介して圧電基板１１０と圧電基板１２０が接着されている状態において、接着層２０を硬化させる。これにより、図３（Ｄ）の矢印に示す圧縮応力ＣＳが、圧電基板１１０，１２０に加わる。
これにより、電気特性に優れ、信頼性の高い圧電デバイス１０を製造することができる。
このような製造された圧電デバイス１０は、図３（Ｅ）に示すように、バンプ１２３が形成される。より具体的には、第２圧電素子１２すなわち圧電基板１２０の表面１２０ＳＭの導体パターン１２２にバンプ１２３を形成する。
このような圧電デバイス１０は、複数の圧電デバイス１０を一括で形成できるように、複数の圧電デバイス１０を複数個配列可能な大きさの圧電体（圧電基板）によって形成される。そして、バンプ１２３の形成後に、個々の圧電デバイス１０に分割される。
このような構成および製造方法からなる圧電デバイスは、例えば、次に示す弾性波デバイスに用いられる。図４は、本発明の実施形態に係る弾性波デバイスの構成を示す側面図である。
図４に示すように、弾性波デバイス１は、圧電デバイス１０、および引き回し用基板３１を備える。
引き回し基板３１の一面には、引き回し用導体パターン３２が形成されている。
圧電デバイス１０は、引き回し用基板３１に実装されている。この際、第２圧電素子１２は第１圧電素子１１よりも引き回し用基板３１側に配置されている。第２圧電素子１２の導体パターン１２２は、バンプ１２３を介して、引き回し用導体パターン３２に接続されている。
引き回し用基板３１における圧電デバイス１０が実装された側の面は、絶縁性樹脂４１によってモールドされている。絶縁性樹脂４１は、圧電デバイス１０が埋まる厚みで形成されている。この際、圧電デバイス１０と引き回し用基板３１との間で、導体パターン１２１が形成されている領域に空隙９０が形成されている。
引き回し用基板３１を平面視して、絶縁性樹脂４１における圧電デバイス１０と重ならない位置には、導電性ビア４２が形成されている。導電性ビア４２は、特定の引き回し用導体パターン３２に接続し、絶縁性樹脂４１を厚み方向に貫通している。
圧電デバイス１０の導体パターン１１２におけるバンプ形成箇所には、外部接続用のバンプ１１３が形成されている。また、導電性ビア４２が絶縁性樹脂４１から露出する箇所には、外部接続用のバンプ１１３が形成されている。
弾性波デバイス１には、上述の圧電デバイス１０が用いられているので、複数の圧電素子を備える弾性波デバイス１を低背化することができる。また、信頼性の高い弾性波デバイス１を実現することができる。
次に、本発明の実施形態に係る弾性波デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。図５は、本発明の実施形態に係る弾性波デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図６は、本発明の実施形態に係る弾性波デバイスにおける各製造過程での構造を示す側面図である。
図５のステップＳ２０１に示すように、圧電デバイス１０を引き回し用基板３１に実装する（図６（Ａ）参照）。具体的には、圧電デバイス１０における第２圧電素子１２の導体パターン１２２を、バンプ１２３を介して、引き回し用基板３１の引き回し用導体パターン３２に接続する。
図５のステップＳ２０２に示すように、引き回し用基板３１における圧電デバイス１０の実装面側を絶縁性樹脂４１でモールドする（図６（Ｂ）参照）。
図５のステップＳ２０３に示すように、絶縁性樹脂４１に導電性ビア４２を形成する（（図６（Ｃ）参照）。具体的には、絶縁性樹脂４１に貫通孔を形成する。絶縁性樹脂４１が非感光性樹脂であれば、レーザ光によって貫通孔を形成する。絶縁性樹脂４１が感光性樹脂であれば、フォトリソグラフィーを用いて貫通孔を形成する。電解メッキを用いて、貫通孔に銅（Ｃｕ）を充填する。貫通孔に充填された銅（Ｃｕ）の先端にＵＭＢ層としてニッケル（Ｎｉ）層を形成する。
図５のステップＳ２０４に示すように、第１圧電素子１１の導体パターン１１２および導電性ビア４２に対して、外部接続用のバンプ１１３を形成する（図６（Ｄ）参照）。
このような構成からなる弾性波デバイス１は、次に示す電子機器モジュールに用いられる。図７は、本発明の実施形態に係る電子機器モジュールの構成を示す側面図である。
図７に示すように、電子機器モジュール９０は、弾性波デバイス１、実装型回路素子２、半導体素子３、ベース回路基板４を備える。実装型回路素子２は、抵抗、コンデンサ、インダクタ等である。半導体素子３は、ダイオード、トランジスタ、スイッチ等である。
弾性波デバイス１、実装型回路素子２、半導体素子３は、ベース回路基板４に形成された導体パターンＰｔＤに実装されている。導体パターンＰｔＤは、電子機器モジュール９０が実現する電子回路を構成するパターンで形成されている。
ベース回路基板４における各素子が実装された側の面は、絶縁性樹脂５によってモールドされている。絶縁性樹脂５は、各素子が埋まる厚みで形成されている。
電子機器モジュール９０には、上述の弾性波デバイス１が用いられているので、複数の圧電素子を備える電子機器モジュール９０を低背化することができる。また、信頼性の高い電子機器モジュール９０を実現することができる。
なお、上述の各実施形態では、二つの圧電基板を接着層で貼り合わせる構成を示したが、圧電基板と半導体基板を接着層で貼り合わせる構成であってもよい。図８は、本発明の実施形態に係る圧電デバイスの派生例の構成を示す側面図である。
図８に示すように、圧電デバイス１０Ａは、圧電デバイス１０に対して、第２圧電素子１２が半導体素子１２Ａに置き換わったものである。他の構成は、図１に示す圧電デバイス１０と同じである。
半導体素子１２Ａは、半導体基板１２０Ａを備える。半導体基板１２０Ａの表面１２０ＳＭには導体パターン１２１Ａが形成されている。半導体基板１２０Ａは所望のドーピング処理等が施されている。半導体基板１２０Ａの裏面１２０ＳＪは、接着層２０を介して、第１圧電素子１１に接着している。
このような構成であっても、第１圧電素子１１を構成する圧電基板１１０に圧縮応力が加わっているので、上述の作用効果を奏することができる。
なお、上述の説明では、圧電基板に、ＬＴ基板、ＬＮ基板を用いる例を示したが、結晶性圧電材料を用いていれば、本発明の作用効果を奏することができる。また、上述の説明では、単に弾性波を示したが、特に、板波デバイスでは、圧電基板を薄くする必要がありので、本実施形態の構成がより有効に作用する。
なお、圧電デバイスとは、弾性波共振子、弾性波フィルタ、弾性波デュプレクサ、弾性波マルチプレクサ等をいう。
１：弾性波デバイス
２：実装型回路素子
３：半導体素子
４：ベース回路基板
１０，１０Ａ：圧電デバイス
１１：第１圧電素子
１２：第２圧電素子
１２Ａ：半導体素子
２０：接着層
３１：引き回し用基板
３２：引き回し用導体パターン
４１：絶縁性樹脂
４２：導電性ビア
１１３，１２３：バンプ
９０：電子機器モジュール
１１０，１２０：圧電基板
１１０ＭＴ，１２０ＭＴ：圧電体
１１０ＳＪ，１２０ＳＪ：裏面
１１０ＳＭ，１２０ＳＭ：表面
１１１，１２１，１２１Ａ：導体パターン
１２０Ａ：半導体基板
１２２：レジスト膜
ＣＳ，ＣＳ’：圧縮応力
ＰｔＤ：導体パターン
この構成では、圧縮応力付加剤を用いて第１の機能基板や第２の機能基板に圧縮応力を印加するので、接着性樹脂の選択の自由度が高くなる。
圧電基板１２０の裏面１２０ＳＪは、表面１２０ＳＭよりも粗い。具体的には、表面１２０ＳＭのＲａが１ｎｍ以下であるのに対して、裏面１２０ＳＪのＲａは１０ｎｍ以上である。なお、裏面１２０ＳＪのＲａは５ｎｍ以上であってもよいが、１０ｎｍ以上であることが好ましい。このように、圧電基板１２０の表面１２０ＳＭを凹凸の少ない鏡面とし、裏面１２０ＳＪを、凹凸を有する面とすることで、次の効果が得られる。表面１２０ＳＭが鏡面であることによって、圧電基板１２０の表面を伝搬する弾性波の伝搬特性を良好にすることができる。そして、裏面１２０ＳＪが凹凸を有する面であることによって、圧電基板１２０を伝搬する弾性波に対して不要波となるバルク波を裏面１２０ＳＪで散乱させることができる。これにより、不要な振動を抑制し、弾性波の伝搬特性を向上させることができる。
１：弾性波デバイス
２：実装型回路素子
３：半導体素子
４：ベース回路基板
１０，１０Ａ：圧電デバイス
１１：第１圧電素子
１２：第２圧電素子
１２Ａ：半導体素子
２０：接着層
３１：引き回し用基板
３２：引き回し用導体パターン
４１：絶縁性樹脂
４２：導電性ビア
１１３，１２３：バンプ
９０：電子機器モジュール
１１０，１２０：圧電基板
１１０ＭＴ，１２０ＭＴ：圧電体
１１０ＳＪ，１２０ＳＪ：裏面
１１０ＳＭ，１２０ＳＭ：表面
１１１，１２１，１２１Ａ，１２２：導体パターン
１２０Ａ：半導体基板
ＣＳ，ＣＳ’：圧縮応力
ＰｔＤ：導体パターン

Claims (10)

  1. 圧電性を有する結晶性材料からなり、表面に第１の機能用導体パターンが形成された第１の機能基板と、
    表面に第２の機能用導体パターンが形成された第２の機能基板と、
    前記第１の機能基板の裏面と、前記第２の機能基板の裏面とを貼り合わせ、貼り合わせた状態において前記第１の機能基板に対して圧縮応力を印加する接着層と、
    を備える、圧電デバイス。
  2. 圧電性を有する結晶性材料からなり、表面に第１の機能用導体パターンが形成された第１の機能基板と、
    表面に第２の機能用導体パターンが形成された第２の機能基板と、
    前記第１の機能基板の裏面と、前記第２の機能基板の裏面とを貼り合わせた接着層と、
    を備え、
    前記第１の機能基板の裏面と前記第２の機能基板の裏面の結晶格子間隔は、前記第１の機能基板の表面と前記第２の機能基板の表面の結晶格子間隔より小さい、圧電デバイス。
  3. 前記第１の機能基板の裏面は、前記第１の機能基板の表面よりも表面粗さが粗い、
    請求項２に記載の圧電デバイス。
  4. 前記第２の機能基板は、圧電性を有する材料からなり、
    前記接着層は、接合状態において前記第２の機能基板に対して圧縮応力を印加する、
    請求項２または請求項３に記載の圧電デバイス。
  5. 前記第２の機能基板の裏面は、前記第２の機能基板の表面よりも表面粗さが粗い、
    請求項４に記載の圧電デバイス。
  6. 前記接着層は、
    接着性樹脂と、
    状態変化によって圧縮応力を発生する圧縮応力印加剤と、
    を備える、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧電デバイス。
  7. 前記接着層は、
    前記第１の機能基板よりも線膨張係数が大きい、
    請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の圧電デバイス。
  8. 前記圧縮応力を印加する接着層の弾性波伝搬速度は、前記機能基板の弾性波伝搬速度よりも遅く、
    前記圧縮応力を印加する接着層の弾性率は、前記機能基板の弾性率よりも低い、
    請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の圧電デバイス。
  9. 圧電性を有する材料からなる第１の機能基板の表面に、第１の機能用導体パターンを形成する工程と、
    第２の機能基板の表面に第２の機能用導体パターンを形成する工程と、
    前記第１の機能基板の裏面と、前記第２の機能基板の裏面を接合して前記第１の機能基板に圧縮応力を印加する工程と、
    を有する、圧電デバイスの製造方法。
  10. 前記第２の機能基板は圧電性を有する材料からなり、
    前記圧縮応力を印加する工程は、
    前記第２の機能基板に対しても圧縮応力を印加する、
    請求項９に記載の圧電デバイスの製造方法。
JP2016554064A 2014-10-17 2015-10-09 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 Active JP6327355B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014212169 2014-10-17
JP2014212169 2014-10-17
PCT/JP2015/078715 WO2016060072A1 (ja) 2014-10-17 2015-10-09 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016060072A1 true JPWO2016060072A1 (ja) 2017-05-18
JP6327355B2 JP6327355B2 (ja) 2018-05-23

Family

ID=55746618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016554064A Active JP6327355B2 (ja) 2014-10-17 2015-10-09 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10594297B2 (ja)
JP (1) JP6327355B2 (ja)
CN (1) CN107078714B (ja)
WO (1) WO2016060072A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102280381B1 (ko) * 2016-12-20 2021-07-22 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP2020161508A (ja) 2017-06-23 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
WO2018235876A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置
JP7329954B2 (ja) * 2019-02-07 2023-08-21 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
CN115066750A (zh) 2020-03-26 2022-09-16 株式会社村田制作所 高频模块及通信装置
CN112312282B (zh) * 2020-10-28 2022-04-22 业泓科技(成都)有限公司 薄膜喇叭组件、电子设备及薄膜喇叭组件的制备方法
FR3122039B1 (fr) * 2021-04-14 2023-12-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif à transduction piézoélectrique

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181562A (ja) * 1995-12-22 1997-07-11 Rohm Co Ltd 二層配置弾性表面波素子
JP2000049563A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
JP2000224000A (ja) * 1999-02-03 2000-08-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイスの構造
JP2001053579A (ja) * 1999-06-02 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子と移動体通信機器
JP2006114847A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sony Corp 半導体装置、及び貼り合わせ基板の製造方法
JP2006319679A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 複合圧電基板
JP2007110202A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合フィルタチップ
WO2009019308A2 (de) * 2007-08-08 2009-02-12 Epcos Ag Bauelement mit reduziertem temperaturgang und verfahren zur herstellung
WO2010103713A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社 村田製作所 弾性表面波素子
JP2012085286A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Ngk Insulators Ltd 複合基板の製造方法及び複合基板
JP2013081099A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波素子

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3308759B2 (ja) * 1995-04-10 2002-07-29 日本電気株式会社 弾性表面波装置
JPH11340777A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電振動素子
US6156145A (en) * 1998-08-21 2000-12-05 Face International Corp. Method of manufacturing multi-layered flextensional piezoelectric transducer
JP2000307373A (ja) * 1999-02-18 2000-11-02 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置及びその製造方法
JP2003289230A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Seiko Epson Corp ニオブ酸カリウム薄膜の製造方法、並びに表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器
EP1427031B1 (en) * 2002-12-03 2013-05-08 Panasonic Corporation Manufacturing method of a thin film piezoelectric element
WO2005083881A1 (ja) * 2004-03-02 2005-09-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
US7822215B2 (en) * 2005-07-07 2010-10-26 Face International Corp Bone-conduction hearing-aid transducer having improved frequency response
JP4760222B2 (ja) 2005-08-26 2011-08-31 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波デバイス
US9021669B2 (en) * 2006-08-07 2015-05-05 Kyocera Corporation Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus
CN101280412A (zh) * 2007-12-29 2008-10-08 电子科技大学 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法
JP4484934B2 (ja) * 2008-02-26 2010-06-16 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品及びその製造方法
JP5370371B2 (ja) * 2008-12-24 2013-12-18 株式会社大真空 圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法
DE112010000861B4 (de) * 2009-01-15 2016-12-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischenBauelements
AT12768U1 (de) * 2010-03-29 2012-11-15 Ctr Carinthian Tech Res Ag Hochtemperaturbeständige, elektrisch leitfähige dünnschichten
JP5676216B2 (ja) * 2010-11-11 2015-02-25 日本碍子株式会社 圧電素子の製造方法
WO2013146374A1 (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
DE102013200242A1 (de) * 2013-01-10 2014-07-10 Robert Bosch Gmbh Piezoelektrisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauteils
US9502635B2 (en) * 2014-03-07 2016-11-22 Microgen Systems, Inc. Symmetric dual piezoelectric stack microelectromechanical piezoelectric devices

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181562A (ja) * 1995-12-22 1997-07-11 Rohm Co Ltd 二層配置弾性表面波素子
JP2000049563A (ja) * 1998-07-31 2000-02-18 Kinseki Ltd 弾性表面波装置
JP2000224000A (ja) * 1999-02-03 2000-08-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイスの構造
JP2001053579A (ja) * 1999-06-02 2001-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子と移動体通信機器
JP2006114847A (ja) * 2004-10-18 2006-04-27 Sony Corp 半導体装置、及び貼り合わせ基板の製造方法
JP2006319679A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 複合圧電基板
JP2007110202A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合フィルタチップ
WO2009019308A2 (de) * 2007-08-08 2009-02-12 Epcos Ag Bauelement mit reduziertem temperaturgang und verfahren zur herstellung
WO2010103713A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社 村田製作所 弾性表面波素子
JP2012085286A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Ngk Insulators Ltd 複合基板の製造方法及び複合基板
JP2013081099A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN107078714A (zh) 2017-08-18
US10594297B2 (en) 2020-03-17
WO2016060072A1 (ja) 2016-04-21
JP6327355B2 (ja) 2018-05-23
CN107078714B (zh) 2021-04-20
US20170194937A1 (en) 2017-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6327355B2 (ja) 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
US20100225202A1 (en) Acoustic Wave Device
JP6451744B2 (ja) 圧電モジュール
US20190305748A1 (en) Elastic wave device
JP6521059B2 (ja) 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法
JP6683255B2 (ja) 弾性波装置及び電子部品
US10812042B2 (en) Electronic component
US11509289B2 (en) Composite component and mounting structure therefor
JPWO2015162958A1 (ja) 水晶振動装置及びその製造方法
WO2013121866A1 (ja) 電子部品素子およびそれを備えた複合モジュール
KR100343522B1 (ko) 압전부품 및 그 제조방법
JP6310360B2 (ja) 弾性波デバイス
JP2009284457A (ja) 圧電発振子
JP2012065000A (ja) 圧電振動片、圧電振動子
JP2012186761A (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2021027383A (ja) 弾性波装置
WO2014148107A1 (ja) 水晶振動装置
JP6580921B2 (ja) 圧電振動片および圧電振動子
WO2018079485A1 (ja) 弾性波装置
WO2018079046A1 (ja) 電子部品装置
WO2023017825A1 (ja) 弾性波装置及びその製造方法
JP6560035B2 (ja) 厚みすべり水晶素子
JP2016005162A (ja) 電子部品装置
JP2014033467A (ja) 弾性表面波素子
WO2016072270A1 (ja) 圧電デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170130

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180320

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6327355

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150