JPH09181562A - 二層配置弾性表面波素子 - Google Patents
二層配置弾性表面波素子Info
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- JPH09181562A JPH09181562A JP33447295A JP33447295A JPH09181562A JP H09181562 A JPH09181562 A JP H09181562A JP 33447295 A JP33447295 A JP 33447295A JP 33447295 A JP33447295 A JP 33447295A JP H09181562 A JPH09181562 A JP H09181562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性が高く且つ小型化が可能な弾性表面波
素子を提供する。 【解決手段】 底板５５ａには、第一取り出し電極１４
が設けられている。底板５５ａの上方には、入出力電極
６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４とを接続するバンプ
７ａ，７ｂを介することによって、弾性表面波素子の弾
性表面波が伝わる面１５ａと載置面３ａとの間で空間１
９を形成するように、二層配置ＳＡＷチップ１０が載置
されている。二層配置ＳＡＷチップ１０は、第一ＳＡＷ
チップ１５および第二ＳＡＷチップ２５を有している。
第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とは、弾
性表面波が伝わる面と対向する対向面同志が当接するよ
うに接着剤３０で接着されている。
素子を提供する。 【解決手段】 底板５５ａには、第一取り出し電極１４
が設けられている。底板５５ａの上方には、入出力電極
６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４とを接続するバンプ
７ａ，７ｂを介することによって、弾性表面波素子の弾
性表面波が伝わる面１５ａと載置面３ａとの間で空間１
９を形成するように、二層配置ＳＡＷチップ１０が載置
されている。二層配置ＳＡＷチップ１０は、第一ＳＡＷ
チップ１５および第二ＳＡＷチップ２５を有している。
第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とは、弾
性表面波が伝わる面と対向する対向面同志が当接するよ
うに接着剤３０で接着されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は弾性表面波素子を
有する半導体装置に関するものであり、特に、その小型
化に関する。
有する半導体装置に関するものであり、特に、その小型
化に関する。
【０００２】
【従来技術】今日、弾性表面波を用いたＳＡＷ（surfac
e acoustic wave)デバイスが知られている。このＳＡＷ
デバイスに属するトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの
機能について、図６を用いて説明する。
e acoustic wave)デバイスが知られている。このＳＡＷ
デバイスに属するトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの
機能について、図６を用いて説明する。
【０００３】圧電基板２表面に入力側電極６ａおよび出
力側電極６ｂが形成されている。入力側電極６ａに電気
信号が与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表
面波３が発生する。この弾性表面波３は出力側電極６ｂ
に伝達される。すなわち、入力側電極６ａに与えられた
電気信号を、出力側電極６ｂにて取り出すことができ
る。
力側電極６ｂが形成されている。入力側電極６ａに電気
信号が与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表
面波３が発生する。この弾性表面波３は出力側電極６ｂ
に伝達される。すなわち、入力側電極６ａに与えられた
電気信号を、出力側電極６ｂにて取り出すことができ
る。
【０００４】この圧電基板２を伝わる波（弾性表面波）
の振幅と位相は、入力側電極６ａおよび出力側電極６ｂ
の交差長およびピッチによって決定される。入力側電極
６ａおよび出力側電極６ｂの形状をすだれ状とし、この
すだれ状電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の
１本１本の交差長およびピッチを変更することによっ
て、バンドパスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つ
フィルタを作ることができる。弾性表面波素子は、小型
化、軽量化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等の
キーデバイスとして更なる多機能化、高性能化が期待さ
れている。
の振幅と位相は、入力側電極６ａおよび出力側電極６ｂ
の交差長およびピッチによって決定される。入力側電極
６ａおよび出力側電極６ｂの形状をすだれ状とし、この
すだれ状電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の
１本１本の交差長およびピッチを変更することによっ
て、バンドパスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つ
フィルタを作ることができる。弾性表面波素子は、小型
化、軽量化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等の
キーデバイスとして更なる多機能化、高性能化が期待さ
れている。
【０００５】上記弾性表面波素子（チップ）５３は、図
７に示すように、多層セラミック構造のパッケージ５５
（５５ａ〜５５ｃ）に収納される。パッケージ５５と弾
性表面波素子５３は、アルミワイヤ５８で接続される。
パッケージ５５の開口部は、コバール等の合金リッド５
５ｄによって、蓋５７を電気溶接して封止される。この
ようにして、弾性表面波素子５３を含むトランスバーサ
ル型ＳＡＷフィルタ５１が完成する。
７に示すように、多層セラミック構造のパッケージ５５
（５５ａ〜５５ｃ）に収納される。パッケージ５５と弾
性表面波素子５３は、アルミワイヤ５８で接続される。
パッケージ５５の開口部は、コバール等の合金リッド５
５ｄによって、蓋５７を電気溶接して封止される。この
ようにして、弾性表面波素子５３を含むトランスバーサ
ル型ＳＡＷフィルタ５１が完成する。
【０００６】このような厳重な密封構造とするのは、弾
性表面波素子においては、弾性表面波によって電気信号
を伝達するので、圧電基板表面に、通常の半導体素子の
様なパッシベーション膜を形成することができないから
である。
性表面波素子においては、弾性表面波によって電気信号
を伝達するので、圧電基板表面に、通常の半導体素子の
様なパッシベーション膜を形成することができないから
である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ＡＷフィルタ５１には以下の様な問題があった。ＳＡＷ
フィルタを複数用いる電気機器、例えば、携帯電話等に
ついては、送信用と受信用の搬送周波数が異なる為、そ
のアンテナフィルタにそれぞれ、１つづつのＳＡＷフィ
ルタが用いられている。したがって、前記パッケージが
２つ必要となり、全体として小型化が困難となる。
ＡＷフィルタ５１には以下の様な問題があった。ＳＡＷ
フィルタを複数用いる電気機器、例えば、携帯電話等に
ついては、送信用と受信用の搬送周波数が異なる為、そ
のアンテナフィルタにそれぞれ、１つづつのＳＡＷフィ
ルタが用いられている。したがって、前記パッケージが
２つ必要となり、全体として小型化が困難となる。
【０００８】かかる問題を解決する為に、１の圧電基板
上に送信用フィルタと受信用フィルタの電極を形成する
ことも考えられる。しかし、送信用フィルタと受信用フ
ィルタとは、求められる特性が異なる（例えば、送信用
は耐電性、受信用は低損失性が要求される）為、製造工
程が異なる。このため、一方を形成中には、他方をマス
クしておく等、製造工程が複雑となる。また、送信用フ
ィルタと受信用フィルタとを、別々の基板上に製造した
場合と比べて、歩留りが悪くなるおそれがある。
上に送信用フィルタと受信用フィルタの電極を形成する
ことも考えられる。しかし、送信用フィルタと受信用フ
ィルタとは、求められる特性が異なる（例えば、送信用
は耐電性、受信用は低損失性が要求される）為、製造工
程が異なる。このため、一方を形成中には、他方をマス
クしておく等、製造工程が複雑となる。また、送信用フ
ィルタと受信用フィルタとを、別々の基板上に製造した
場合と比べて、歩留りが悪くなるおそれがある。
【０００９】この発明は、上記のような問題点を解決
し、製造工程を複雑化することなく、小型化が可能な弾
性表面波素子を提供することを目的とする。
し、製造工程を複雑化することなく、小型化が可能な弾
性表面波素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の二層配置弾性
表面波素子においては、弾性表面波が伝わる面とこの面
に対向する対向面を有する第一の弾性表面波素子、弾性
表面波が伝わる面とこの面に対向する対向面を有する第
二の弾性表面波素子、を備え、前記第一の弾性表面波素
子と前記第二の弾性表面波素子は、前記対向面同志が当
接するように配置されていること、を特徴とする。
表面波素子においては、弾性表面波が伝わる面とこの面
に対向する対向面を有する第一の弾性表面波素子、弾性
表面波が伝わる面とこの面に対向する対向面を有する第
二の弾性表面波素子、を備え、前記第一の弾性表面波素
子と前記第二の弾性表面波素子は、前記対向面同志が当
接するように配置されていること、を特徴とする。
【００１１】請求項２の二層配置弾性表面波素子におい
ては、前記第二の弾性表面波素子は、吸振性を有する接
着剤で前記第一の弾性表面波素子の上に、接着されてい
ることを特徴とする。
ては、前記第二の弾性表面波素子は、吸振性を有する接
着剤で前記第一の弾性表面波素子の上に、接着されてい
ることを特徴とする。
【００１２】請求項３の二層配置弾性表面波素子を有す
る装置においては、請求項１の二層配置弾性表面波素
子、前記二層配置弾性表面波素子を載置する載置面およ
び第一取り出し電極を有し、前記二層配置弾性表面波素
子を収納する箱体、を備え、前記第一の弾性表面波素子
は、その入出力電極と前記第一取り出し電極とを接続す
る接続部材を介して、前記載置面の上方に、弾性表面波
が伝わる面と前記載置面との間で空間を形成するように
載置されていること、を特徴とする二層配置弾性表面波
素子を有する装置。
る装置においては、請求項１の二層配置弾性表面波素
子、前記二層配置弾性表面波素子を載置する載置面およ
び第一取り出し電極を有し、前記二層配置弾性表面波素
子を収納する箱体、を備え、前記第一の弾性表面波素子
は、その入出力電極と前記第一取り出し電極とを接続す
る接続部材を介して、前記載置面の上方に、弾性表面波
が伝わる面と前記載置面との間で空間を形成するように
載置されていること、を特徴とする二層配置弾性表面波
素子を有する装置。
【００１３】請求項４の二層配置弾性表面波素子を有す
る装置の製造方法においては、第一の弾性表面波素子の
入出力電極表面にバンプを形成し、前記第一の弾性表面
波素子を載置部材の上に、前記バンプがその載置部材の
第一取り出し電極と当接するように載置し、前記第一の
弾性表面波素子の上に、弾性表面波が伝わる面が前記第
一の弾性表面波素子と対向するように、第二の弾性表面
波素子を載置したこと、を特徴とする。
る装置の製造方法においては、第一の弾性表面波素子の
入出力電極表面にバンプを形成し、前記第一の弾性表面
波素子を載置部材の上に、前記バンプがその載置部材の
第一取り出し電極と当接するように載置し、前記第一の
弾性表面波素子の上に、弾性表面波が伝わる面が前記第
一の弾性表面波素子と対向するように、第二の弾性表面
波素子を載置したこと、を特徴とする。
【００１４】
【発明の効果】請求項１の二層配置弾性表面波素子にお
いては、前記第一の弾性表面波素子と前記第二の弾性表
面波素子は、前記対向面同志が当接するように配置され
ている。したがって、全体として小型化が可能となる。
いては、前記第一の弾性表面波素子と前記第二の弾性表
面波素子は、前記対向面同志が当接するように配置され
ている。したがって、全体として小型化が可能となる。
【００１５】請求項２の二層配置弾性表面波素子におい
ては、前記第二の弾性表面波素子は、吸振性を有する接
着剤で前記第一の弾性表面波素子の上に、接着されてい
る。したがって、一方の弾性表面波素子のバルク波が他
方の弾性表面波素子に影響を与えることを防止できる。
ては、前記第二の弾性表面波素子は、吸振性を有する接
着剤で前記第一の弾性表面波素子の上に、接着されてい
る。したがって、一方の弾性表面波素子のバルク波が他
方の弾性表面波素子に影響を与えることを防止できる。
【００１６】請求項３の二層配置弾性表面波素子を有す
る装置においては、前記第一の弾性表面波素子は、その
入出力電極と前記第一取り出し電極とを接続する接続部
材を介して、前記載置面の上方に、弾性表面波が伝わる
面と前記載置面との間で空間を形成するように載置され
ている。したがって、第一の弾性表面波素子について、
ワイヤボンディングが不要となる。これにより、第一の
弾性表面波素子については、ワイヤの寄生インダクタン
ス／キャパシタンスが生せず、また作業性を向上させる
ことができる。
る装置においては、前記第一の弾性表面波素子は、その
入出力電極と前記第一取り出し電極とを接続する接続部
材を介して、前記載置面の上方に、弾性表面波が伝わる
面と前記載置面との間で空間を形成するように載置され
ている。したがって、第一の弾性表面波素子について、
ワイヤボンディングが不要となる。これにより、第一の
弾性表面波素子については、ワイヤの寄生インダクタン
ス／キャパシタンスが生せず、また作業性を向上させる
ことができる。
【００１７】請求項４の二層配置弾性表面波素子を有す
る装置の製造方法においては、第一の弾性表面波素子の
入出力電極表面にバンプを形成し、前記第一の弾性表面
波素子を載置部材の上に、前記バンプがその載置部材の
第一取り出し電極と当接するように載置し、前記第一の
弾性表面波素子の上に、弾性表面波が伝わる面が前記第
一の弾性表面波素子と対向するように、第二の弾性表面
波素子を載置する。これにより、省スペースでかつワイ
ヤの寄生インダクタンス／キャパシタンスが少なく、ま
た作業性を向上させた弾性表面波素子を得ることができ
る。
る装置の製造方法においては、第一の弾性表面波素子の
入出力電極表面にバンプを形成し、前記第一の弾性表面
波素子を載置部材の上に、前記バンプがその載置部材の
第一取り出し電極と当接するように載置し、前記第一の
弾性表面波素子の上に、弾性表面波が伝わる面が前記第
一の弾性表面波素子と対向するように、第二の弾性表面
波素子を載置する。これにより、省スペースでかつワイ
ヤの寄生インダクタンス／キャパシタンスが少なく、ま
た作業性を向上させた弾性表面波素子を得ることができ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】図面を用いて本発明にかかる弾性
表面波素子について、説明する。図１は、本発明にかか
る二層配置弾性表面波素子を有する装置である二層配置
ＳＡＷチップ１０を有するＳＡＷフィルタ１１の要部断
面図である。
表面波素子について、説明する。図１は、本発明にかか
る二層配置弾性表面波素子を有する装置である二層配置
ＳＡＷチップ１０を有するＳＡＷフィルタ１１の要部断
面図である。
【００１９】ＳＡＷフィルタ１１は、接続部材であるバ
ンプ７ａ，７ｂ、第一の弾性表面波素子である第一ＳＡ
Ｗチップ１５、第二の弾性表面波素子である第二ＳＡＷ
チップ２５、蓋５７およびパッケージ５５を備えてい
る。
ンプ７ａ，７ｂ、第一の弾性表面波素子である第一ＳＡ
Ｗチップ１５、第二の弾性表面波素子である第二ＳＡＷ
チップ２５、蓋５７およびパッケージ５５を備えてい
る。
【００２０】パッケージ５５の底板５５ａには、第一取
り出し電極１４が設けられている。第一取り出し電極１
４は、一端が載置面３ａに位置し、他端がパッケージ５
５の外面に位置する。
り出し電極１４が設けられている。第一取り出し電極１
４は、一端が載置面３ａに位置し、他端がパッケージ５
５の外面に位置する。
【００２１】底板５５ａの上方には、入出力電極６ａ，
６ｂと第一取り出し電極１４とを接続するバンプ７ａ，
７ｂを介することによって、弾性表面波素子の弾性表面
波が伝わる面１５ａと載置面３ａとの間で空間１９を形
成するように、二層配置ＳＡＷチップ１０が載置されて
いる。
６ｂと第一取り出し電極１４とを接続するバンプ７ａ，
７ｂを介することによって、弾性表面波素子の弾性表面
波が伝わる面１５ａと載置面３ａとの間で空間１９を形
成するように、二層配置ＳＡＷチップ１０が載置されて
いる。
【００２２】二層配置ＳＡＷチップ１０は、第一ＳＡＷ
チップ１５および第二ＳＡＷチップ２５を有している。
第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とは、弾
性表面波が伝わる面と対向する対向面同志が当接するよ
うに接着剤３０で接着されている。接着剤３０は、吸振
性を有する接着剤であり、本実施形態においては、東芝
シリコン社製のシリコン樹脂ＴＳＥ３２２を用いた。
チップ１５および第二ＳＡＷチップ２５を有している。
第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とは、弾
性表面波が伝わる面と対向する対向面同志が当接するよ
うに接着剤３０で接着されている。接着剤３０は、吸振
性を有する接着剤であり、本実施形態においては、東芝
シリコン社製のシリコン樹脂ＴＳＥ３２２を用いた。
【００２３】第二ＳＡＷチップ２５の入出力電極は、ワ
イヤ４１、４２にて、第二取り出し電極２４と接続され
ている。
イヤ４１、４２にて、第二取り出し電極２４と接続され
ている。
【００２４】パッケージ５５は、多層セラミック構造を
なしている。パッケージ５５の開口部は、蓋５７を、コ
バール等の合金リッド５５ｄによって封止されている。
なしている。パッケージ５５の開口部は、蓋５７を、コ
バール等の合金リッド５５ｄによって封止されている。
【００２５】本実施形態においては、パッケージ５５お
よび蓋５７によって、箱体を構成している。
よび蓋５７によって、箱体を構成している。
【００２６】このように、第一ＳＡＷチップ１５と第二
ＳＡＷチップ２５とを二層重ねることにより、省スペー
スを実現できる。特に、弾性表面波素子は、機能上、通
常の半導体装置のように複数の素子を積層することが困
難である。したがって、かかる構成により、ＳＡＷチッ
プの機能を阻害することなく、省スペース化を図ること
ができる。
ＳＡＷチップ２５とを二層重ねることにより、省スペー
スを実現できる。特に、弾性表面波素子は、機能上、通
常の半導体装置のように複数の素子を積層することが困
難である。したがって、かかる構成により、ＳＡＷチッ
プの機能を阻害することなく、省スペース化を図ること
ができる。
【００２７】また、第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷ
チップ２５とを二層重ねて形成しているので、第一ＳＡ
Ｗチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とを別々に形成す
ることができる。これにより、求められるデバイス特性
に応じた圧電基板を用いることができるとともに、１の
基板上に２種類のＳＡＷデバイスを製造した場合の様
な、歩留り低下の問題を回避することができる。
チップ２５とを二層重ねて形成しているので、第一ＳＡ
Ｗチップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とを別々に形成す
ることができる。これにより、求められるデバイス特性
に応じた圧電基板を用いることができるとともに、１の
基板上に２種類のＳＡＷデバイスを製造した場合の様
な、歩留り低下の問題を回避することができる。
【００２８】また、第一ＳＡＷチップ１５と第二ＳＡＷ
チップ２５とを、吸振性を有する接着剤で接着させてい
る。これにより、圧電基板内を伝わるバルク波が他方の
ＳＡＷチップに伝わることを防止できる。
チップ２５とを、吸振性を有する接着剤で接着させてい
る。これにより、圧電基板内を伝わるバルク波が他方の
ＳＡＷチップに伝わることを防止できる。
【００２９】また、バンプを用いることにより、弾性表
面波素子５とパッケージ５５との間に空間を形成しつ
つ、入出力電極６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４を電
気的に接続することが可能となる。これにより、第一Ｓ
ＡＷチップについて、ボンディングワイヤが不要となる
ので、ワイヤの寄生インダクタンス／キャパシタンスが
発生しない。さらに、製造工程が簡略化される。
面波素子５とパッケージ５５との間に空間を形成しつ
つ、入出力電極６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４を電
気的に接続することが可能となる。これにより、第一Ｓ
ＡＷチップについて、ボンディングワイヤが不要となる
ので、ワイヤの寄生インダクタンス／キャパシタンスが
発生しない。さらに、製造工程が簡略化される。
【００３０】つぎに、二層配置ＳＡＷチップ１０を有す
るＳＡＷフィルタ１１の製造方法について説明する。
るＳＡＷフィルタ１１の製造方法について説明する。
【００３１】まず、図２Ａに示すように、第一ＳＡＷチ
ップ１５の入力電極６ａおよび出力電極６ｂの各フィル
タパッド部および、バンプ７ａ，７ｂを形成する。本実
施形態においてはスクリーン印刷を用いて、パンプを形
成した。
ップ１５の入力電極６ａおよび出力電極６ｂの各フィル
タパッド部および、バンプ７ａ，７ｂを形成する。本実
施形態においてはスクリーン印刷を用いて、パンプを形
成した。
【００３２】つぎに、この第一ＳＡＷチップ１５の裏面
と第二ＳＡＷチップ２５の裏面との間に、吸振性を有す
る接着剤３０を塗布する。これにより、図２Ｂに示す様
なバンプ７ａ，７ｂが付着した二層配置ＳＡＷチップ１
０が得られる。
と第二ＳＡＷチップ２５の裏面との間に、吸振性を有す
る接着剤３０を塗布する。これにより、図２Ｂに示す様
なバンプ７ａ，７ｂが付着した二層配置ＳＡＷチップ１
０が得られる。
【００３３】つぎに、二層配置ＳＡＷチップ１０のバン
プ７ａ，７ｂがパッケージ５５の底板５５ａの第一取り
出し電極１４と当接するように載置する。この状態で、
仮圧着し、その後リフローさせて、二層配置ＳＡＷチッ
プ１０とパッケージ５５を一体化させる。
プ７ａ，７ｂがパッケージ５５の底板５５ａの第一取り
出し電極１４と当接するように載置する。この状態で、
仮圧着し、その後リフローさせて、二層配置ＳＡＷチッ
プ１０とパッケージ５５を一体化させる。
【００３４】これにより、図２Ｂに示すように、弾性表
面波素子５の弾性表面波が伝わる部分については、弾性
表面波素子５とマウント基板３との間に空間を形成しつ
つ、入出力電極６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４が電
気的に接続される。
面波素子５の弾性表面波が伝わる部分については、弾性
表面波素子５とマウント基板３との間に空間を形成しつ
つ、入出力電極６ａ，６ｂと第一取り出し電極１４が電
気的に接続される。
【００３５】つぎに、第二ＳＡＷチップ２５の入出力電
極３６ａ，３６ｂと第二取り出し電極２４とをワイヤボ
ンディングする。
極３６ａ，３６ｂと第二取り出し電極２４とをワイヤボ
ンディングする。
【００３６】本実施形態においては、二層配置ＳＡＷチ
ップ１０をパッケージ５５に収納するようにしたが、図
３に示すように、パッケージを用いないように構成する
こともできる。図３に示すＳＡＷフィルタ５１は、ワイ
ヤボンディングを用いることなく、取り出し電極とＳＡ
Ｗチップの入出力電極を接続させた装置である。
ップ１０をパッケージ５５に収納するようにしたが、図
３に示すように、パッケージを用いないように構成する
こともできる。図３に示すＳＡＷフィルタ５１は、ワイ
ヤボンディングを用いることなく、取り出し電極とＳＡ
Ｗチップの入出力電極を接続させた装置である。
【００３７】ＳＡＷフィルタ５１は、二層配置ＳＡＷチ
ップ１０の一方のＳＡＷチップ１５だけをバンプ７ａ，
７ｂを介して、マウント基板３３に取付けただけでな
く、他のＳＡＷチップ２５も、バンプ１７ａ，１７ｂを
介して、マウント基板３５に取付けたものである。そし
て、二層配置ＳＡＷチップ１０を封止する為、二層配置
ＳＡＷチップ１０およびバンプ７ａ，７ｂ、１７ａ，１
７ｂの側面が封止樹脂９で覆われている。
ップ１０の一方のＳＡＷチップ１５だけをバンプ７ａ，
７ｂを介して、マウント基板３３に取付けただけでな
く、他のＳＡＷチップ２５も、バンプ１７ａ，１７ｂを
介して、マウント基板３５に取付けたものである。そし
て、二層配置ＳＡＷチップ１０を封止する為、二層配置
ＳＡＷチップ１０およびバンプ７ａ，７ｂ、１７ａ，１
７ｂの側面が封止樹脂９で覆われている。
【００３８】本実施形態においては、液状の樹脂を硬化
させることにより、封止樹脂９を構成させた。本実施形
態においては、液体の封止樹脂として、ＣＲＰシリーズ
（住友ベークライト社製）を採用した。組成としては、
従来のモールド樹脂に揮発性溶剤を加えたものである。
させることにより、封止樹脂９を構成させた。本実施形
態においては、液体の封止樹脂として、ＣＲＰシリーズ
（住友ベークライト社製）を採用した。組成としては、
従来のモールド樹脂に揮発性溶剤を加えたものである。
【００３９】このように構成することにより、厳重なパ
ッケージで保護する必要がなくなるので、小型化可能な
ＳＡＷフィルタを提供することができる。
ッケージで保護する必要がなくなるので、小型化可能な
ＳＡＷフィルタを提供することができる。
【００４０】なお、図４に示すように、液状の封止樹脂
１９の蓄積槽３１の中をくぐらすようにして、封止樹脂
で覆うようにしてもよい。このような製法を用いても、
図４に示す間隔αについては、５０μｍ程度であるの
で、粘度の高い樹脂を用いれば、表面張力を用いて、弾
性表面波が伝わる部分に空間部１９を保持しつつ、バン
プ７ａ，７ｂの周辺のみ封止樹脂９で覆うことができ
る。
１９の蓄積槽３１の中をくぐらすようにして、封止樹脂
で覆うようにしてもよい。このような製法を用いても、
図４に示す間隔αについては、５０μｍ程度であるの
で、粘度の高い樹脂を用いれば、表面張力を用いて、弾
性表面波が伝わる部分に空間部１９を保持しつつ、バン
プ７ａ，７ｂの周辺のみ封止樹脂９で覆うことができ
る。
【００４１】なお、より確実に空間部１９を形成する為
に、図５に示すように、バンプの回りに、弾性表面波が
伝わる部分に樹脂が流れ込まないように、防護壁８を形
成するようにしてもよい。かかる防護壁８の高さについ
ては、入出力電極６ａ，６ｂを取り出し電極１４に接続
した場合に、障害とならない程度とすればよい。
に、図５に示すように、バンプの回りに、弾性表面波が
伝わる部分に樹脂が流れ込まないように、防護壁８を形
成するようにしてもよい。かかる防護壁８の高さについ
ては、入出力電極６ａ，６ｂを取り出し電極１４に接続
した場合に、障害とならない程度とすればよい。
【００４２】本実施形態においては、マウント基板３
３、３５を単層のセラミックとした。これにより、信頼
性の高いＳＡＷデバイスを提供できる。しかし、マウン
ト基板３３、３５の材質については、これに限定されな
い。例えば、マウント基板３３、３５をポリイミドフィ
ルムで構成することにより、加工性に優れたＳＡＷデバ
イスを提供することができる。
３、３５を単層のセラミックとした。これにより、信頼
性の高いＳＡＷデバイスを提供できる。しかし、マウン
ト基板３３、３５の材質については、これに限定されな
い。例えば、マウント基板３３、３５をポリイミドフィ
ルムで構成することにより、加工性に優れたＳＡＷデバ
イスを提供することができる。
【００４３】なお、本実施形態においては、第一ＳＡＷ
チップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とを、吸振性を有す
る接着剤で接着させている。しかし、かかる吸振性が問
題とならない場合には、吸振性を有しない接着剤を用い
てもよい。
チップ１５と第二ＳＡＷチップ２５とを、吸振性を有す
る接着剤で接着させている。しかし、かかる吸振性が問
題とならない場合には、吸振性を有しない接着剤を用い
てもよい。
【００４４】また、吸振性を有する接着剤ではなく、電
磁波に対してシールド性を有する接着剤を用いてもよ
い。電磁波シールド性を有する接着剤としては、導電性
材料（例えば、銀）含有のエポキシ樹脂を用いればよ
い。これにより、２つのフィルタ間の電磁干渉のおそれ
を少なくすることができる。
磁波に対してシールド性を有する接着剤を用いてもよ
い。電磁波シールド性を有する接着剤としては、導電性
材料（例えば、銀）含有のエポキシ樹脂を用いればよ
い。これにより、２つのフィルタ間の電磁干渉のおそれ
を少なくすることができる。
【００４５】さらに、吸振性および耐シールド性を有す
る接着剤を用いてもよい。吸振性および耐シールド性を
有する接着剤としては、例えば、東レダウコーニングシ
リコン（株）社製の導電性ダイボンド用接着剤ＤＡ６５
２４等の、導電性材料含有の耐熱性シリコンを用いれば
よい。
る接着剤を用いてもよい。吸振性および耐シールド性を
有する接着剤としては、例えば、東レダウコーニングシ
リコン（株）社製の導電性ダイボンド用接着剤ＤＡ６５
２４等の、導電性材料含有の耐熱性シリコンを用いれば
よい。
【００４６】なお、本実施形態においては、トランスバ
ーサル型ＳＡＷフィルタについて、説明したが、これに
限定されず、共振子型ＳＡＷフィルタ等の他の弾性表面
波素子にも適用することができる。
ーサル型ＳＡＷフィルタについて、説明したが、これに
限定されず、共振子型ＳＡＷフィルタ等の他の弾性表面
波素子にも適用することができる。
【図１】この発明の一実施形態によるＳＡＷフィルタ１
１の要部断面図である。
１の要部断面図である。
【図２】二層配置ＳＡＷチップ１０の製造工程を示す図
である。
である。
【図３】他の実施態様を示す要部断面図である。
【図４】樹脂による封止処理を示す図である。
【図５】防護壁を形成した弾性表面波素子を示す斜視図
である。
である。
【図６】従来の弾性表面波素子５３を示す図である。
【図７】従来の弾性表面波素子５３のパッケージ方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
６ａ・・・・・入力側電極 ６ｂ・・・・・出力側電極 ７ａ・・・・・バンプ ７ｂ・・・・・バンプ １０・・・・・二層配置ＳＡＷチップ １４・・・・・第一取り出し電極 １５・・・・・第一ＳＡＷチップ １９・・・・・空間部 ２４・・・・・第二取り出し電極 ２５・・・・・第二ＳＡＷチップ ３０・・・・・接着剤 ５５ａ・・・・底板
Claims (4)
- 【請求項１】弾性表面波が伝わる面とこの面に対向する
対向面を有する第一の弾性表面波素子、 弾性表面波が伝わる面とこの面に対向する対向面を有す
る第二の弾性表面波素子、 を備え、 前記第一の弾性表面波素子と前記第二の弾性表面波素子
は、前記対向面同志が当接するように配置されているこ
と、 を特徴とする二層配置弾性表面波素子。 - 【請求項２】請求項１の二層配置弾性表面波素子におい
て、 前記第二の弾性表面波素子は、吸振性を有する接着剤で
前記第一の弾性表面波素子の上に、接着されているこ
と、 を特徴とする二層配置弾性表面波素子。 - 【請求項３】請求項１の二層配置弾性表面波素子、 前記二層配置弾性表面波素子を載置する載置面および第
一取り出し電極を有し、前記二層配置弾性表面波素子を
収納する箱体、 を備えた二層配置弾性表面波素子を有する装置であっ
て、 前記第一の弾性表面波素子は、その入出力電極と前記第
一取り出し電極とを接続する接続部材を介して、前記載
置面の上方に、弾性表面波が伝わる面と前記載置面との
間で空間を形成するように載置されていること、 を特徴とする二層配置弾性表面波素子を有する装置。 - 【請求項４】第一の弾性表面波素子の入出力電極表面に
バンプを形成し、 前記第一の弾性表面波素子を載置部材の上に、前記バン
プがその載置部材の第一取り出し電極と当接するように
載置し、 前記第一の弾性表面波素子の上に、弾性表面波が伝わる
面が前記第一の弾性表面波素子と対向するように、第二
の弾性表面波素子を載置したこと、 を特徴とする二層配置弾性表面波素子を有する装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33447295A JP3497032B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 二層配置弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33447295A JP3497032B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 二層配置弾性表面波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181562A true JPH09181562A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3497032B2 JP3497032B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=18277777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33447295A Expired - Fee Related JP3497032B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 二層配置弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3497032B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803698B2 (en) | 2000-10-12 | 2004-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Acceleration sensor |
| US7336017B2 (en) * | 2005-05-06 | 2008-02-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same |
| WO2012060936A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Raytheon Company | Surface acoustic wave resonator mounting with low acceleration sensitivity |
| JPWO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| JP2018142786A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器及び水晶発振器の製造方法 |
| CN114710135A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-05 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种双面滤波器、制备方法以及射频模组、电子设备 |
| CN114710135B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-05-14 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种双面滤波器、制备方法以及射频模组、电子设备 |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP33447295A patent/JP3497032B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803698B2 (en) | 2000-10-12 | 2004-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Acceleration sensor |
| US7336017B2 (en) * | 2005-05-06 | 2008-02-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same |
| US7820468B2 (en) | 2005-05-06 | 2010-10-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Stack type surface acoustic wave package, and method for manufacturing the same |
| WO2012060936A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Raytheon Company | Surface acoustic wave resonator mounting with low acceleration sensitivity |
| US8610517B2 (en) | 2010-11-02 | 2013-12-17 | Raytheon Company | Surface acoustic wave resonator mounting with low acceleration sensitivity |
| JPWO2016060072A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2017-05-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| JP2018142786A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器及び水晶発振器の製造方法 |
| CN114710135A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-07-05 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种双面滤波器、制备方法以及射频模组、电子设备 |
| CN114710135B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-05-14 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种双面滤波器、制备方法以及射频模组、电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3497032B2 (ja) | 2004-02-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |