JPH09162691A - 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09162691A JPH09162691A JP32529195A JP32529195A JPH09162691A JP H09162691 A JPH09162691 A JP H09162691A JP 32529195 A JP32529195 A JP 32529195A JP 32529195 A JP32529195 A JP 32529195A JP H09162691 A JPH09162691 A JP H09162691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave element
- lsi
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性が高く且つ小型化が可能な弾性表面波
素子を提供する。 【解決手段】 ＬＳＩ９の上方には、バンプ７ａ，７ｂ
を介して、ＳＡＷチップ５が載置されている。入出力電
極６ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂとは、バンプ
７ａ，７ｂによって、電気的に接続される。一旦別々に
形成したＳＡＷチップとＬＳＩ１とを二段重ね構造とす
ることにより、圧電薄膜形成技術を用いることなく、小
型化が可能となる。また、バンプを用いることにより、
ＬＳＩ９とＳＡＷチップ５間のボンディングワイヤが不
要となる。
素子を提供する。 【解決手段】 ＬＳＩ９の上方には、バンプ７ａ，７ｂ
を介して、ＳＡＷチップ５が載置されている。入出力電
極６ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂとは、バンプ
７ａ，７ｂによって、電気的に接続される。一旦別々に
形成したＳＡＷチップとＬＳＩ１とを二段重ね構造とす
ることにより、圧電薄膜形成技術を用いることなく、小
型化が可能となる。また、バンプを用いることにより、
ＬＳＩ９とＳＡＷチップ５間のボンディングワイヤが不
要となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は弾性表面波素子を
有する半導体装置に関するものであり、特に、その小型
化に関する。
有する半導体装置に関するものであり、特に、その小型
化に関する。
【０００２】
【従来技術およびその課題】今日、弾性表面波を用いた
ＳＡＷ（surface acoustic wave)デバイスが知られてい
る。このＳＡＷデバイスに属するトランスバーサル型Ｓ
ＡＷフィルタについて、図４を用いて説明する。
ＳＡＷ（surface acoustic wave)デバイスが知られてい
る。このＳＡＷデバイスに属するトランスバーサル型Ｓ
ＡＷフィルタについて、図４を用いて説明する。
【０００３】圧電基板２表面に入力側電極６ａおよび出
力側電極６ｂが形成されている。入力側電極６ａに電気
信号が与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表
面波３が発生する。この弾性表面波３は出力側電極６ｂ
に伝達される。すなわち、入力側電極６ａに与えられた
電気信号を、出力側電極６ｂにて取り出すことができ
る。
力側電極６ｂが形成されている。入力側電極６ａに電気
信号が与えられると、圧電基板２の表面が歪み、弾性表
面波３が発生する。この弾性表面波３は出力側電極６ｂ
に伝達される。すなわち、入力側電極６ａに与えられた
電気信号を、出力側電極６ｂにて取り出すことができ
る。
【０００４】この圧電基板２を伝わる波（弾性表面波）
の振幅と位相は、入力側電極６ａおよび出力側電極６ｂ
の交差長およびピッチによって決定される。入力側電極
６ａおよび出力側電極６ｂの形状をすだれ状とし、この
すだれ状電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の
１本１本の交差長およびピッチを変更することによっ
て、バンドパスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つ
フィルタを作ることができる。弾性表面波素子は、小型
化、軽量化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等の
キーデバイスとして更なる多機能化、高性能化が期待さ
れている。
の振幅と位相は、入力側電極６ａおよび出力側電極６ｂ
の交差長およびピッチによって決定される。入力側電極
６ａおよび出力側電極６ｂの形状をすだれ状とし、この
すだれ状電極（Inter Digital Transducer：ＩＤＴ）の
１本１本の交差長およびピッチを変更することによっ
て、バンドパスフィルタなどの複雑な周波数特性を持つ
フィルタを作ることができる。弾性表面波素子は、小型
化、軽量化、薄膜化に向いており、移動体携帯端末等の
キーデバイスとして更なる多機能化、高性能化が期待さ
れている。
【０００５】上記弾性表面波素子（チップ）５は、多層
セラミック構造のパッケージに収納され、ＳＡＷフィル
タが完成する。ＳＡＷフィルタは、プリント基板上に載
置され、また、同じくプリント基板上に載置された制御
用のＬＳＩチップと電気的に接続される。
セラミック構造のパッケージに収納され、ＳＡＷフィル
タが完成する。ＳＡＷフィルタは、プリント基板上に載
置され、また、同じくプリント基板上に載置された制御
用のＬＳＩチップと電気的に接続される。
【０００６】しかしながら、このような構造では、全体
として大型化する。また、ワイヤの寄生インダクタンス
／キャパシタンスが生ずる。
として大型化する。また、ワイヤの寄生インダクタンス
／キャパシタンスが生ずる。
【０００７】この様な問題を解決する為に、圧電薄膜形
成技術を用いて、ＬＳＩのパッシベーション膜の上に圧
電膜を積層させて、ＬＳＩの上に一体でＳＡＷチップを
形成することも考えられる。しかし、この様な方法は、
信頼性が低く、工程が複雑化し、また歩留りも悪くな
る。
成技術を用いて、ＬＳＩのパッシベーション膜の上に圧
電膜を積層させて、ＬＳＩの上に一体でＳＡＷチップを
形成することも考えられる。しかし、この様な方法は、
信頼性が低く、工程が複雑化し、また歩留りも悪くな
る。
【０００８】この発明は、上記のような問題点を解決
し、信頼性が高く、かつ小型化が可能な弾性表面波素子
を有する半導体装置を提供することを目的とする。
し、信頼性が高く、かつ小型化が可能な弾性表面波素子
を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波素
子を有する半導体装置においては、外部接続用電極を有
する半導体装置、弾性表面波素子の入出力電極と前記外
部接続用電極とを接続する接続部材を介して、前記半導
体装置の上方に、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装
置との間で空間を形成するように載置された弾性表面波
素子、を備えたことを特徴とする。
子を有する半導体装置においては、外部接続用電極を有
する半導体装置、弾性表面波素子の入出力電極と前記外
部接続用電極とを接続する接続部材を介して、前記半導
体装置の上方に、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装
置との間で空間を形成するように載置された弾性表面波
素子、を備えたことを特徴とする。
【００１０】請求項２の弾性表面波素子を有する半導体
装置の製造方法においては、弾性表面波素子の入出力電
極表面にバンプを形成し、半導体装置の上方に、前記バ
ンプがその半導体装置の外部接続用電極と当接するとと
もに、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように前記弾性表面波素子を載置したこ
とを特徴とする。
装置の製造方法においては、弾性表面波素子の入出力電
極表面にバンプを形成し、半導体装置の上方に、前記バ
ンプがその半導体装置の外部接続用電極と当接するとと
もに、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように前記弾性表面波素子を載置したこ
とを特徴とする。
【００１１】
【発明の効果】請求項１の弾性表面波素子を有する半導
体装置においては、前記半導体装置と、前記弾性表面波
素子とは、前記接続部材を介して、前記半導体装置の上
方に、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように載置される。また、前記入出力電
極と前記外部接続用電極とは、前記接続部材を介して、
電気的に接続される。したがって、前記弾性表面波素子
と前記半導体装置間のワイヤボンディングが不要とな
る。また、全体として小型化が可能となる。これによ
り、信頼性が高く、かつ小型化が可能な弾性表面波素子
を有する半導体装置を提供することができる。
体装置においては、前記半導体装置と、前記弾性表面波
素子とは、前記接続部材を介して、前記半導体装置の上
方に、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように載置される。また、前記入出力電
極と前記外部接続用電極とは、前記接続部材を介して、
電気的に接続される。したがって、前記弾性表面波素子
と前記半導体装置間のワイヤボンディングが不要とな
る。また、全体として小型化が可能となる。これによ
り、信頼性が高く、かつ小型化が可能な弾性表面波素子
を有する半導体装置を提供することができる。
【００１２】請求項２の弾性表面波素子を有する半導体
装置の製造方法においては、弾性表面波素子の入出力電
極表面にバンプを形成し、半導体装置の上方に、前記バ
ンプがその半導体装置の外部接続用電極と当接するとと
もに、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように前記弾性表面波素子を載置する。
したがって、前記弾性表面波素子と前記半導体装置間の
ワイヤボンディングが不要となる。また、全体として小
型化が可能となる。これにより、信頼性が高く、かつ小
型化が可能な弾性表面波素子を有する半導体装置を提供
することができる。
装置の製造方法においては、弾性表面波素子の入出力電
極表面にバンプを形成し、半導体装置の上方に、前記バ
ンプがその半導体装置の外部接続用電極と当接するとと
もに、弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で
空間を形成するように前記弾性表面波素子を載置する。
したがって、前記弾性表面波素子と前記半導体装置間の
ワイヤボンディングが不要となる。また、全体として小
型化が可能となる。これにより、信頼性が高く、かつ小
型化が可能な弾性表面波素子を有する半導体装置を提供
することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図面を用いて本発明にかかる弾性
表面波素子について、説明する。図１は、本発明にかか
る弾性表面波素子を有する半導体装置であるＳＡＷチッ
プ付きＬＳＩ１の斜視図である。
表面波素子について、説明する。図１は、本発明にかか
る弾性表面波素子を有する半導体装置であるＳＡＷチッ
プ付きＬＳＩ１の斜視図である。
【００１４】ＳＡＷチップ付きＬＳＩ１は、接続部材で
あるバンプ７ａ，７ｂ、弾性表面波素子（ＳＡＷチッ
プ）５、およびＬＳＩ９を備えている。
あるバンプ７ａ，７ｂ、弾性表面波素子（ＳＡＷチッ
プ）５、およびＬＳＩ９を備えている。
【００１５】ＬＳＩ９は、携帯電話子器のＩＦ部回路で
ある。ＬＳＩ９の表面には、パッシベーション膜の一部
を開口して設けられた外部接続用電極が形成されてい
る。ＬＳＩ９の上方には、バンプ７ａ，７ｂを介して、
ＳＡＷチップ５が載置されている。これにより、弾性表
面波が伝わる面とＬＳＩ９との間で空間を形成するよう
に、ＳＡＷチップ５が保持される。なお、入出力電極６
ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂとは、バンプ７
ａ，７ｂによって、電気的に接続される。
ある。ＬＳＩ９の表面には、パッシベーション膜の一部
を開口して設けられた外部接続用電極が形成されてい
る。ＬＳＩ９の上方には、バンプ７ａ，７ｂを介して、
ＳＡＷチップ５が載置されている。これにより、弾性表
面波が伝わる面とＬＳＩ９との間で空間を形成するよう
に、ＳＡＷチップ５が保持される。なお、入出力電極６
ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂとは、バンプ７
ａ，７ｂによって、電気的に接続される。
【００１６】このように、一旦別々に形成したＳＡＷチ
ップとＬＳＩ１とを二段重ね構造とすることにより、圧
電薄膜形成技術を用いることなく、小型化が可能とな
る。
ップとＬＳＩ１とを二段重ね構造とすることにより、圧
電薄膜形成技術を用いることなく、小型化が可能とな
る。
【００１７】また、バンプを用いることにより、ＳＡＷ
チップ５とマウント基板３との間に空間を形成しつつ、
入出力電極６ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂを電
気的に接続することが可能となる。これにより、ＬＳＩ
９とＳＡＷチップ５間のボンディングワイヤが不要とな
るので、ワイヤの寄生インダクタンス／キャパシタンス
をなくすことができる。さらに、製造工程が簡略化され
る。
チップ５とマウント基板３との間に空間を形成しつつ、
入出力電極６ａ，６ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂを電
気的に接続することが可能となる。これにより、ＬＳＩ
９とＳＡＷチップ５間のボンディングワイヤが不要とな
るので、ワイヤの寄生インダクタンス／キャパシタンス
をなくすことができる。さらに、製造工程が簡略化され
る。
【００１８】つぎに、かかるＳＡＷチップ付きＬＳＩ１
の製造方法について説明する。
の製造方法について説明する。
【００１９】まず、図２Ａに示すように、ＳＡＷチップ
５の入力電極６ａおよび出力電極６ｂの各フィルタパッ
ド部および、バンプ７ａ，７ｂを形成する。本実施形態
においてはスクリーン印刷を用いて、パンプを形成し
た。
５の入力電極６ａおよび出力電極６ｂの各フィルタパッ
ド部および、バンプ７ａ，７ｂを形成する。本実施形態
においてはスクリーン印刷を用いて、パンプを形成し
た。
【００２０】つぎに、図２Ｂに示すようなＬＳＩ９を準
備する。ＬＳＩ９は、表面がパッシベーション膜で覆わ
れている（図示せず）。また、このパッシベーション膜
の一部を開口して外部接続用電極９ａ，９ｂ，９ｃが形
成されている。外部接続用電極９ａはＳＡＷチップ５の
入力電極６ａと接続される電極であり、外部接続用電極
９ｂはＳＡＷチップ５の出力電極６ｂと接続される電極
であり、外部接続用電極９ｃは後述するパッケージの電
極と接続される電極である。
備する。ＬＳＩ９は、表面がパッシベーション膜で覆わ
れている（図示せず）。また、このパッシベーション膜
の一部を開口して外部接続用電極９ａ，９ｂ，９ｃが形
成されている。外部接続用電極９ａはＳＡＷチップ５の
入力電極６ａと接続される電極であり、外部接続用電極
９ｂはＳＡＷチップ５の出力電極６ｂと接続される電極
であり、外部接続用電極９ｃは後述するパッケージの電
極と接続される電極である。
【００２１】つぎに、図２Ａに示すＳＡＷチップ５を、
弾性表面波が伝わる面５ａを下を向けて、バンプ７ａ，
７ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂが当接するように、図
２Ｂに示すＬＳＩ９の上に載置する。これにより、図３
Ａに示す様に、ＳＡＷチップ５が、バンプ７ａ，７ｂを
介して、ＬＳＩ９の上に載置される。この状態で、仮圧
着し、その後リフローさせて、ＳＡＷチップ５とＬＳＩ
９を一体化させる。
弾性表面波が伝わる面５ａを下を向けて、バンプ７ａ，
７ｂと外部接続用電極９ａ，９ｂが当接するように、図
２Ｂに示すＬＳＩ９の上に載置する。これにより、図３
Ａに示す様に、ＳＡＷチップ５が、バンプ７ａ，７ｂを
介して、ＬＳＩ９の上に載置される。この状態で、仮圧
着し、その後リフローさせて、ＳＡＷチップ５とＬＳＩ
９を一体化させる。
【００２２】これにより、圧電基板５の弾性表面波が伝
わる部分については、圧電基板５とマウント基板３との
間に空間１９を形成しつつ、入出力電極６ａ，６ｂと外
部接続用電極９ａ，９ｂが電気的に接続される。
わる部分については、圧電基板５とマウント基板３との
間に空間１９を形成しつつ、入出力電極６ａ，６ｂと外
部接続用電極９ａ，９ｂが電気的に接続される。
【００２３】このようにして、完成したＳＡＷチップ付
きＬＳＩ１は、図３Ｂに示す様に、多層セラミック構造
のパッケージ５５（５５ａ〜５５ｃ）に収納される。パ
ッケージ５５の電極５５ｅとＬＳＩ９の電極９ｃが、ア
ルミワイヤ５８で接続される。パッケージ５５の開口部
は、コバール等の合金リッド５５ｄを用いた電気溶接法
により、蓋５７により封止される。このようにして、Ｓ
ＡＷチップ付きＬＳＩのパッケージ処理が完成する。
きＬＳＩ１は、図３Ｂに示す様に、多層セラミック構造
のパッケージ５５（５５ａ〜５５ｃ）に収納される。パ
ッケージ５５の電極５５ｅとＬＳＩ９の電極９ｃが、ア
ルミワイヤ５８で接続される。パッケージ５５の開口部
は、コバール等の合金リッド５５ｄを用いた電気溶接法
により、蓋５７により封止される。このようにして、Ｓ
ＡＷチップ付きＬＳＩのパッケージ処理が完成する。
【００２４】なお、本実施形態においては、トランスバ
ーサル型ＳＡＷフィルタについて、説明したが、共振子
型ＳＡＷフィルタ等の他の弾性表面波素子にも適用する
ことができる。
ーサル型ＳＡＷフィルタについて、説明したが、共振子
型ＳＡＷフィルタ等の他の弾性表面波素子にも適用する
ことができる。
【図１】この発明の一実施形態によるＳＡＷチップ付き
ＬＳＩ１の斜視図である。
ＬＳＩ１の斜視図である。
【図２】ＳＡＷチップ付きＬＳＩ１の製造工程を示す図
である。
である。
【図３】ＳＡＷチップ付きＬＳＩ１の製造工程を示す図
である。
である。
【図４】従来の弾性表面波素子５を示す図である。
５・・・・・・弾性表面波素子（ＳＡＷチップ） ６ａ・・・・・入力側電極 ６ｂ・・・・・出力側電極 ７ａ・・・・・バンプ ７ｂ・・・・・バンプ ９・・・・・・ＬＳＩ
Claims (2)
- 【請求項１】外部接続用電極を有する半導体装置、 弾性表面波素子の入出力電極と前記外部接続用電極とを
接続する接続部材を介して、前記半導体装置の上方に、
弾性表面波が伝わる面と前記半導体装置との間で空間を
形成するように載置された弾性表面波素子、 を備えたことを特徴とする弾性表面波素子を有する半導
体装置。 - 【請求項２】弾性表面波素子の入出力電極表面にバンプ
を形成し、 半導体装置の上方に、前記バンプがその半導体装置の外
部接続用電極と当接するとともに、弾性表面波が伝わる
面と前記半導体装置との間で空間を形成するように前記
弾性表面波素子を載置したこと、 を特徴とする弾性表面波素子を有する半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32529195A JPH09162691A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32529195A JPH09162691A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162691A true JPH09162691A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18175181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32529195A Pending JPH09162691A (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162691A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445860A2 (en) * | 2003-01-15 | 2004-08-11 | Alfred E. Mann Foundation for Scientific Research | Piezoelectric devices mounted on integrated circuit chip |
| US6804103B1 (en) | 1999-09-28 | 2004-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US6972642B2 (en) | 2002-12-17 | 2005-12-06 | Seiko Epson Corporation | Method of controlling frequency of surface acoustic wave device and electronic apparatus |
| US7183619B2 (en) | 2003-08-06 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave apparatus |
| JP2007251391A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8384486B2 (en) | 2007-07-18 | 2013-02-26 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator and transmitter |
| JP2013059119A (ja) * | 2008-01-28 | 2013-03-28 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器 |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP32529195A patent/JPH09162691A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804103B1 (en) | 1999-09-28 | 2004-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US7345362B2 (en) | 1999-09-28 | 2008-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| CN100392835C (zh) * | 1999-09-28 | 2008-06-04 | 松下电器产业株式会社 | 电子部件及其制造方法 |
| US6972642B2 (en) | 2002-12-17 | 2005-12-06 | Seiko Epson Corporation | Method of controlling frequency of surface acoustic wave device and electronic apparatus |
| EP1445860A2 (en) * | 2003-01-15 | 2004-08-11 | Alfred E. Mann Foundation for Scientific Research | Piezoelectric devices mounted on integrated circuit chip |
| EP1445860A3 (en) * | 2003-01-15 | 2007-03-21 | Alfred E. Mann Foundation for Scientific Research | Piezoelectric devices mounted on integrated circuit chip |
| US7271525B2 (en) | 2003-01-15 | 2007-09-18 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Piezoelectric device mounted on integrated circuit chip |
| US7183619B2 (en) | 2003-08-06 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave apparatus |
| JP2007251391A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8384486B2 (en) | 2007-07-18 | 2013-02-26 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator and transmitter |
| US8860516B2 (en) | 2007-07-18 | 2014-10-14 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator and transmitter |
| JP2013059119A (ja) * | 2008-01-28 | 2013-03-28 | Seiko Epson Corp | 圧電発振器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100788110B1 (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| US20040245891A1 (en) | Surface acoustic wave device and method of producing the same | |
| JP3913700B2 (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
| JP4382945B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09162691A (ja) | 弾性表面波素子を有する半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000165192A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4012753B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4768520B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH09162690A (ja) | 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法 | |
| JPH05291864A (ja) | 弾性表面波素子実装回路とその製造方法 | |
| JP2001102905A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3497032B2 (ja) | 二層配置弾性表面波素子 | |
| JP3389530B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10163797A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10215142A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3418484B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2002076828A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH10163798A (ja) | 弾性表面波素子とこれを用いた電子部品 | |
| JP2022071324A (ja) | 電子部品 | |
| JPH08213873A (ja) | 弾性表面波素子デバイス | |
| KR100489825B1 (ko) | 플립칩형 표면탄성파 장치 | |
| JP3253333B2 (ja) | 表面弾性波フィルタの特性調整方法 | |
| JPH11312949A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US20050088060A1 (en) | Compact electronic component including piezo-electric resonator mounted by face-down bonding with improved reliability | |
| JPH0974329A (ja) | 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法 |