JP3329175B2 - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイス及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器等に用い
られる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関するも
のである。
られる弾性表面波デバイス及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波デバイスは、図７に示
すように圧電基板３１上に弾性表面波デバイスパターン
３２を形成したチップを積層セラミックパッケージ３３
に入れてリッド３４により気密封止していた。
すように圧電基板３１上に弾性表面波デバイスパターン
３２を形成したチップを積層セラミックパッケージ３３
に入れてリッド３４により気密封止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年機器の小型化にと
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。しかしながら従来の積層セラミックパッケージ
３３は価格が高く、また封止もシーム溶接を用いて行わ
れているため工数がかかり、またリッド３４から金属粉
が落ちてショートを引き起こす等信頼性にも課題があっ
た。
もない弾性表面波デバイスの面実装化への要望が高まっ
ている。しかしながら従来の積層セラミックパッケージ
３３は価格が高く、また封止もシーム溶接を用いて行わ
れているため工数がかかり、またリッド３４から金属粉
が落ちてショートを引き起こす等信頼性にも課題があっ
た。
【０００４】そこで本発明は、安価で信頼性の高い弾性
表面波デバイスを提供することを目的とする。
表面波デバイスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、少なくとも櫛形電極
を設けた圧電基板上に、この櫛形電極と弾性表面波が伝
播する部分を囲む包囲壁と、この包囲壁及び弾性表面波
が伝播する部分の上方空間を覆う蓋体とを有するもので
ある。
に本発明の弾性表面波デバイスは、少なくとも櫛形電極
を設けた圧電基板上に、この櫛形電極と弾性表面波が伝
播する部分を囲む包囲壁と、この包囲壁及び弾性表面波
が伝播する部分の上方空間を覆う蓋体とを有するもので
ある。
【０００６】これにより安価で信頼性の高い弾性表面波
デバイスを得ることができる。
デバイスを得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパ
ターンを表面に形成した圧電基板と、この圧電基板表面
の少なくとも前記弾性表面波デバイスパターンと弾性表
面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲壁と、前
記包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた
蓋体とを備えた弾性表面波デバイスをリードフレームに
接着しリードフレームと弾性表面波デバイスを電気的に
接続し絶縁樹脂でモールドしたものであり、従来の弾性
表面波デバイスのように、弾性表面波デバイスパターン
上に空間を形成する必要がなく、ＩＣと同じような工程
で組立てることができ、安価で信頼性の高い弾性表面波
デバイスが得られる。
は、少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパ
ターンを表面に形成した圧電基板と、この圧電基板表面
の少なくとも前記弾性表面波デバイスパターンと弾性表
面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲壁と、前
記包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた
蓋体とを備えた弾性表面波デバイスをリードフレームに
接着しリードフレームと弾性表面波デバイスを電気的に
接続し絶縁樹脂でモールドしたものであり、従来の弾性
表面波デバイスのように、弾性表面波デバイスパターン
上に空間を形成する必要がなく、ＩＣと同じような工程
で組立てることができ、安価で信頼性の高い弾性表面波
デバイスが得られる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、絶縁樹脂として
エポキシ樹脂を主体とする物質を用いるものであり、Ｉ
Ｃと同じプロセスで組立てることができる。
エポキシ樹脂を主体とする物質を用いるものであり、Ｉ
Ｃと同じプロセスで組立てることができる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、リードフレーム
を弾性表面波デバイスを接着した側に折り曲げたもので
あり、この折り曲げた部分を用いて基板にハンダ付けす
ることにより、シールド効果が高まる。
を弾性表面波デバイスを接着した側に折り曲げたもので
あり、この折り曲げた部分を用いて基板にハンダ付けす
ることにより、シールド効果が高まる。
【００１０】請求項４に記載の発明は、表面に電極を有
するセラミック基板と、このセラミック基板上に被せた
金属キャップと、この金属キャップ内に収納した請求項
１に記載の弾性表面波デバイスとを備え、前記セラミッ
ク基板と前記弾性表面波デバイスとを前記電極を通じて
電気的に接続したものであり、従来の積層セラミックパ
ッケージを用いるものと比較して安価になる。
するセラミック基板と、このセラミック基板上に被せた
金属キャップと、この金属キャップ内に収納した請求項
１に記載の弾性表面波デバイスとを備え、前記セラミッ
ク基板と前記弾性表面波デバイスとを前記電極を通じて
電気的に接続したものであり、従来の積層セラミックパ
ッケージを用いるものと比較して安価になる。
【００１１】請求項５に記載の発明は、セラミック基板
の電極を設けた部分に少なくとも１つの貫通孔を設けた
ものであり、従来の積層セラミックパッケージを用いる
ものと比較して安価になる。
の電極を設けた部分に少なくとも１つの貫通孔を設けた
ものであり、従来の積層セラミックパッケージを用いる
ものと比較して安価になる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、金属キャップと
セラミック基板との接続部分に金属層を設けたものであ
り、従来の積層セラミックパッケージを用いるものと比
較して安価になる。
セラミック基板との接続部分に金属層を設けたものであ
り、従来の積層セラミックパッケージを用いるものと比
較して安価になる。
【００１３】請求項７に記載の発明は、金属層とセラミ
ック基板との間にセラミック層を設けたものであり、従
来の積層セラミックパッケージを用いるものと比較して
安価になる。
ック基板との間にセラミック層を設けたものであり、従
来の積層セラミックパッケージを用いるものと比較して
安価になる。
【００１４】請求項８に記載の発明は、パッケージと、
このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、このパ
ッケージを気密封止した絶縁樹脂とを備え、前記弾性表
面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形成した少
なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパターン
と、少なくともこの弾性表面波デバイスパターンと、弾
性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲壁
と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方空間を
覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前記弾性
表面波デバイスパターンと電気的に接続するように設け
たボンディングパッドと、このボンディングパッド上に
設けたバンプを有し、前記パッケージと前記弾性表面波
素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤により接着さ
れている弾性表面波デバイスであり、小型で高周波特性
の良いものである。
このパッケージ内に収納した弾性表面波素子と、このパ
ッケージを気密封止した絶縁樹脂とを備え、前記弾性表
面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形成した少
なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパターン
と、少なくともこの弾性表面波デバイスパターンと、弾
性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲壁
と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方空間を
覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前記弾性
表面波デバイスパターンと電気的に接続するように設け
たボンディングパッドと、このボンディングパッド上に
設けたバンプを有し、前記パッケージと前記弾性表面波
素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤により接着さ
れている弾性表面波デバイスであり、小型で高周波特性
の良いものである。
【００１５】請求項９に記載の発明は、プリント基板
と、このプリント基板上に設けた弾性表面波素子と、こ
の弾性表面波素子を気密封止した絶縁樹脂とを備え、前
記弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形
成した少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイス
パターンと、少なくともこの弾性表面波デバイスパター
ンと、弾性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた
包囲壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方
空間を覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前
記弾性表面波デバイスパターンと電気的に接続するよう
に設けたボンディングパッドと、このボンディングパッ
ド上に設けたバンプを有し、前記プリント基板と前記弾
性表面波素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤によ
り接着されている弾性表面波デバイスであり、回路の小
型化が図れる。
と、このプリント基板上に設けた弾性表面波素子と、こ
の弾性表面波素子を気密封止した絶縁樹脂とを備え、前
記弾性表面波素子は、圧電基板と、この圧電基板上に形
成した少なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイス
パターンと、少なくともこの弾性表面波デバイスパター
ンと、弾性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた
包囲壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方
空間を覆うように設けた蓋体と、前記包囲壁の外側に前
記弾性表面波デバイスパターンと電気的に接続するよう
に設けたボンディングパッドと、このボンディングパッ
ド上に設けたバンプを有し、前記プリント基板と前記弾
性表面波素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤によ
り接着されている弾性表面波デバイスであり、回路の小
型化が図れる。
【００１６】請求項１０に記載の発明は、圧電基板上に
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記圧電基板を所定の大きさに分割した後、前記圧
電基板をリードフレームに接着し、ワイヤボンディング
により前記圧電基板と前記リードフレームとの電気的接
続を取り、次いで前記圧電基板及び前記ワイヤボンディ
ング部分を樹脂でモールドする弾性表面波デバイスの製
造方法であり、従来の弾性表面波デバイスのように、弾
性表面波デバイスパターン上に空間を形成する必要がな
く、ＩＣと同じような工程で組み立てることができ、安
価で信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記圧電基板を所定の大きさに分割した後、前記圧
電基板をリードフレームに接着し、ワイヤボンディング
により前記圧電基板と前記リードフレームとの電気的接
続を取り、次いで前記圧電基板及び前記ワイヤボンディ
ング部分を樹脂でモールドする弾性表面波デバイスの製
造方法であり、従来の弾性表面波デバイスのように、弾
性表面波デバイスパターン上に空間を形成する必要がな
く、ＩＣと同じような工程で組み立てることができ、安
価で信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。
【００１７】請求項１１に記載の発明は、圧電基板をリ
ードフレームに、シリコーン樹脂あるいはシリコーン樹
脂とエポキシ樹脂との混合物で接着するものであり、樹
脂による歪みを緩和することができる。
ードフレームに、シリコーン樹脂あるいはシリコーン樹
脂とエポキシ樹脂との混合物で接着するものであり、樹
脂による歪みを緩和することができる。
【００１８】請求項１２に記載の発明は、圧電基板上に
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記蓋体を形成した後、前記蓋体の上にスクリーン
印刷により緩衝層を形成する弾性表面波デバイスの製造
方法であり、容易に緩衝層を形成することができる。
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記蓋体を形成した後、前記蓋体の上にスクリーン
印刷により緩衝層を形成する弾性表面波デバイスの製造
方法であり、容易に緩衝層を形成することができる。
【００１９】請求項１３に記載の発明は、圧電基板上に
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記圧電基板を所定の大きさに分割した後、前記圧
電基板をセラミック基板に接着し、次にワイヤボンディ
ングにより前記圧電基板と前記セラミック基板との電気
的接続を取り、次いで前記圧電基板を覆うように金属キ
ャップを被せて気密封止するものであり、従来の積層セ
ラミックパッケージを用いるものと比較して安価にな
る。
複数の弾性表面波パターンを形成し、次に前記圧電基板
上に少なくとも１つの前記弾性表面波パターンを囲むよ
うに複数の包囲壁を形成し、その後前記包囲壁及びこの
包囲壁で囲んだ部分の上方空間を覆うように蓋体を形成
し、次いで前記圧電基板を所定の大きさに分割するもの
で、前記蓋体はフィルム状のフォトレジストにて形成
し、前記圧電基板を所定の大きさに分割した後、前記圧
電基板をセラミック基板に接着し、次にワイヤボンディ
ングにより前記圧電基板と前記セラミック基板との電気
的接続を取り、次いで前記圧電基板を覆うように金属キ
ャップを被せて気密封止するものであり、従来の積層セ
ラミックパッケージを用いるものと比較して安価にな
る。
【００２０】請求項１４に記載の発明は、気密封止は、
融点が２７０℃以上の高温ハンダを用いて行うものであ
り、従来のチップでは金属粒子が飛び散ることによりシ
ョートを引き起こすことがあったが、弾性表面波デバイ
スパターンが包囲壁及び蓋体で覆われているためショー
トが発生することがない。
融点が２７０℃以上の高温ハンダを用いて行うものであ
り、従来のチップでは金属粒子が飛び散ることによりシ
ョートを引き起こすことがあったが、弾性表面波デバイ
スパターンが包囲壁及び蓋体で覆われているためショー
トが発生することがない。
【００２１】請求項１５に記載の発明は、気密封止を金
錫合金を用いて行うものであり、従来のチップでは金属
粒子が飛び散ることによりショートを引き起こすことが
あったが、弾性表面波デバイスパターンが包囲壁及び蓋
体で覆われているためショートが発生することがない。
錫合金を用いて行うものであり、従来のチップでは金属
粒子が飛び散ることによりショートを引き起こすことが
あったが、弾性表面波デバイスパターンが包囲壁及び蓋
体で覆われているためショートが発生することがない。
【００２２】請求項１６に記載の発明は、気密封止を炉
内で加熱することにより行うものであり、大量生産する
ことができる。
内で加熱することにより行うものであり、大量生産する
ことができる。
【００２３】請求項１７に記載の発明は、気密封止を高
周波加熱により行うものであり、短時間で封止すること
ができる。
周波加熱により行うものであり、短時間で封止すること
ができる。
【００２４】請求項１８に記載の発明は、気密封止する
際、フラックスを用いて行うものであり、弾性表面波デ
バイスパターンにフラックスが付着することがないので
従来と異なりフラックスを用いることができるので安定
して封止することができる。
際、フラックスを用いて行うものであり、弾性表面波デ
バイスパターンにフラックスが付着することがないので
従来と異なりフラックスを用いることができるので安定
して封止することができる。
【００２５】請求項１９に記載の発明は、気密封止前に
少なくともワイヤボンディング部分に樹脂を塗布するも
のであり、フラックスによる腐食を防止することができ
る。
少なくともワイヤボンディング部分に樹脂を塗布するも
のであり、フラックスによる腐食を防止することができ
る。
【００２６】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図６を用いて説明する。
から図６を用いて説明する。
【００２７】（実施の形態１） 図１は本発明の一実施の形態による弾性表面波デバイス
の断面図を示す。まずニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶等の圧電基板１の上に、アルミニウムある
いはアルミニウム合金で櫛形電極、反射電極等よりなる
弾性表面波デバイスパターン２を形成した後、この弾性
表面波デバイスパターン２と弾性表面波が伝播する部分
を囲み、かつこの弾性表面波デバイスパターン２の電気
信号を取り出すボンディングパッド１６の部分を取り除
いた包囲壁３と、包囲壁３及び弾性表面波が伝播する部
分の上方空間を覆う蓋体４をフィルム状レジストで形成
する。このフィルム状レジストは密着性と蓋体４を形成
したときに圧電基板１に接触しないようなある程度の硬
度が必要である。またアルカリ性の現像液で現像される
タイプのレジストであれば、現像時に電極パターンが腐
食される危険性があるので、有機溶剤あるいは水と有機
溶剤の混合物で現像されるタイプのレジストであること
が望ましい。
の断面図を示す。まずニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウム、水晶等の圧電基板１の上に、アルミニウムある
いはアルミニウム合金で櫛形電極、反射電極等よりなる
弾性表面波デバイスパターン２を形成した後、この弾性
表面波デバイスパターン２と弾性表面波が伝播する部分
を囲み、かつこの弾性表面波デバイスパターン２の電気
信号を取り出すボンディングパッド１６の部分を取り除
いた包囲壁３と、包囲壁３及び弾性表面波が伝播する部
分の上方空間を覆う蓋体４をフィルム状レジストで形成
する。このフィルム状レジストは密着性と蓋体４を形成
したときに圧電基板１に接触しないようなある程度の硬
度が必要である。またアルカリ性の現像液で現像される
タイプのレジストであれば、現像時に電極パターンが腐
食される危険性があるので、有機溶剤あるいは水と有機
溶剤の混合物で現像されるタイプのレジストであること
が望ましい。
【００２８】蓋体４が圧電基板１に接触しないために
は、フィルム状レジストの硬度とともにその厚さと包囲
壁３の内壁間隔の比が重要となってくる。通常フィルム
状レジストの硬度はその材質によってほぼ決まってしま
うため、実際のデバイス設計で選択できるのは厚さと内
壁間隔である。内壁間隔の最小寸法を２ｍｍとすると、
蓋体４が圧電基板１に接触しないためには包囲壁３の高
さは２０ミクロンは必要であり、全体をモールドする場
合は４０ミクロン以上ある方が無難である。
は、フィルム状レジストの硬度とともにその厚さと包囲
壁３の内壁間隔の比が重要となってくる。通常フィルム
状レジストの硬度はその材質によってほぼ決まってしま
うため、実際のデバイス設計で選択できるのは厚さと内
壁間隔である。内壁間隔の最小寸法を２ｍｍとすると、
蓋体４が圧電基板１に接触しないためには包囲壁３の高
さは２０ミクロンは必要であり、全体をモールドする場
合は４０ミクロン以上ある方が無難である。
【００２９】つまり包囲壁３の高さは、包囲壁３の内壁
間隔の最小寸法の１／１００以上の高さを必要とし、さ
らに１／５０以上の高さを有することが好ましい。
間隔の最小寸法の１／１００以上の高さを必要とし、さ
らに１／５０以上の高さを有することが好ましい。
【００３０】このような条件を満たすものとして、プリ
ント基板に用いられているエポキシ系のソルダーレジス
ト等があげられる。
ント基板に用いられているエポキシ系のソルダーレジス
ト等があげられる。
【００３１】モールド時の成型圧に耐える密着性を得る
ためにも、またプロセスの簡素化の面からも、包囲壁３
と蓋体４は同じ材料のフィルム状レジストを使う方が良
い。
ためにも、またプロセスの簡素化の面からも、包囲壁３
と蓋体４は同じ材料のフィルム状レジストを使う方が良
い。
【００３２】以上のようにして包囲壁３と蓋体４を形成
した後、蓋体４の上に蓋体４よりも柔らかいシリコーン
等をスクリーン印刷することにより形成した緩衝層５を
設けた素子を得る。また緩衝層５は蓋体４よりも厚くす
ることが望ましい。これは全体をモールドする場合、モ
ールド樹脂の成型歪みにより圧電基板１にストレスが加
わり、周波数がシフトする危険性があるからである。こ
の問題は特に１Ｆフィルタ等の高い周波数精度が要求さ
れる製品については重大になってくる。このような製品
に対して緩衝層５を設けることにより、モールド樹脂に
よるストレスを緩和することができる。
した後、蓋体４の上に蓋体４よりも柔らかいシリコーン
等をスクリーン印刷することにより形成した緩衝層５を
設けた素子を得る。また緩衝層５は蓋体４よりも厚くす
ることが望ましい。これは全体をモールドする場合、モ
ールド樹脂の成型歪みにより圧電基板１にストレスが加
わり、周波数がシフトする危険性があるからである。こ
の問題は特に１Ｆフィルタ等の高い周波数精度が要求さ
れる製品については重大になってくる。このような製品
に対して緩衝層５を設けることにより、モールド樹脂に
よるストレスを緩和することができる。
【００３３】以上のようにしてできた素子をリードフレ
ーム６に装着し、ワイヤボンディングにより電気的接続
を取った後、素子及びワイヤボンディング部分の周囲を
エポキシ樹脂を主体とする絶縁樹脂７でモールドする。
従来の弾性表面波デバイスでは圧電基板１の上方に空間
を設ける必要があったが、本発明のような構成をとれば
圧電基板１の上方は蓋体４で覆われているためＩＣと同
じように絶縁樹脂７による封止を行うことができ、安価
な弾性表面波デバイスを得ることができる。
ーム６に装着し、ワイヤボンディングにより電気的接続
を取った後、素子及びワイヤボンディング部分の周囲を
エポキシ樹脂を主体とする絶縁樹脂７でモールドする。
従来の弾性表面波デバイスでは圧電基板１の上方に空間
を設ける必要があったが、本発明のような構成をとれば
圧電基板１の上方は蓋体４で覆われているためＩＣと同
じように絶縁樹脂７による封止を行うことができ、安価
な弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００３４】さらに圧電基板１の上の弾性表面波デバイ
スパターン２がハンダ付けする基板側にくるように、リ
ードフレーム６を折り曲げることにより面実装化でき、
ハンダ付けしたときにリードフレーム６で圧電基板１を
覆う形になるので、リードフレーム６につながっている
端子をアースに落とすことによりシールド効果を高める
ことができる。
スパターン２がハンダ付けする基板側にくるように、リ
ードフレーム６を折り曲げることにより面実装化でき、
ハンダ付けしたときにリードフレーム６で圧電基板１を
覆う形になるので、リードフレーム６につながっている
端子をアースに落とすことによりシールド効果を高める
ことができる。
【００３５】（実施の形態２） 図２は本実施の形態による弾性表面波デバイスの上面図
を示す。図２で弾性表面波が伝播する方向にある包囲壁
３ａの厚さを、弾性表面波伝播方向と平行な包囲壁３ｂ
の厚さより厚くしたものである。通常包囲壁３ｂの厚さ
は１００ミクロンくらいあれば十分であるが、包囲壁３
ａの厚さは厚い方が良く、このようにすることにより櫛
形電極あるいは反射電極等からなる弾性表面波デバイス
パターン２を通り抜けた弾性表面波を減衰させることが
でき、従来必要であった不要波吸収剤も要らなくなる。
また弾性表面波が伝播する方向にある包囲壁３ａの内側
を弾性表面波伝播方向と斜交するようにすることによ
り、包囲壁３ａの内側での不要波の反射による特性の劣
化を防ぐことができる。
を示す。図２で弾性表面波が伝播する方向にある包囲壁
３ａの厚さを、弾性表面波伝播方向と平行な包囲壁３ｂ
の厚さより厚くしたものである。通常包囲壁３ｂの厚さ
は１００ミクロンくらいあれば十分であるが、包囲壁３
ａの厚さは厚い方が良く、このようにすることにより櫛
形電極あるいは反射電極等からなる弾性表面波デバイス
パターン２を通り抜けた弾性表面波を減衰させることが
でき、従来必要であった不要波吸収剤も要らなくなる。
また弾性表面波が伝播する方向にある包囲壁３ａの内側
を弾性表面波伝播方向と斜交するようにすることによ
り、包囲壁３ａの内側での不要波の反射による特性の劣
化を防ぐことができる。
【００３６】（実施の形態３） 図３は本実施の形態による弾性表面波デバイスの上面図
を示す。図３で圧電基板１の上に共振子型フィルタの弾
性表面波デバイスパターン２を２ヶ設け直列に接続した
もので、それぞれの共振子型フィルタの弾性表面波デバ
イスパターン２を別々に囲むように、包囲壁３を形成し
たもので、このようにすることによりお互いの弾性表面
波の漏れによる特性の劣化を防ぐことができる。そのた
め複数の弾性表面波デバイスパターン２がある場合、そ
れぞれに包囲壁３を形成することが望ましい。
を示す。図３で圧電基板１の上に共振子型フィルタの弾
性表面波デバイスパターン２を２ヶ設け直列に接続した
もので、それぞれの共振子型フィルタの弾性表面波デバ
イスパターン２を別々に囲むように、包囲壁３を形成し
たもので、このようにすることによりお互いの弾性表面
波の漏れによる特性の劣化を防ぐことができる。そのた
め複数の弾性表面波デバイスパターン２がある場合、そ
れぞれに包囲壁３を形成することが望ましい。
【００３７】（実施の形態４） 図４は本実施の形態による弾性表面波デバイスの上面図
を示す。図４では、図１で示したものと同様に圧電基板
１の上に弾性表面波デバイスパターン２と包囲壁３と蓋
体４を形成したものを電極１５を有するセラミック基板
８の上に接着し、ワイヤボンディング等の手段でボンデ
ィングパッド１６と電極１５との電気的接続を取った
後、金属キャップ９を被せて気密封止したものである。
気密封止の方法としてはセラミック基板８上の金属キャ
ップ９と接する部分に金属層１２を形成しておき、高温
半田あるいは金錫合金等により、炉内で加熱あるいは高
周波加熱等の手段で行う。この高温半田あるいは金錫合
金の融点は面実装部品の半田リフローに耐えられるよう
に２７０℃以上であることが望ましい。また電極１５の
端子はセラミック基板８の中に設けられたビアホール１
０を介して外部に取り出される。
を示す。図４では、図１で示したものと同様に圧電基板
１の上に弾性表面波デバイスパターン２と包囲壁３と蓋
体４を形成したものを電極１５を有するセラミック基板
８の上に接着し、ワイヤボンディング等の手段でボンデ
ィングパッド１６と電極１５との電気的接続を取った
後、金属キャップ９を被せて気密封止したものである。
気密封止の方法としてはセラミック基板８上の金属キャ
ップ９と接する部分に金属層１２を形成しておき、高温
半田あるいは金錫合金等により、炉内で加熱あるいは高
周波加熱等の手段で行う。この高温半田あるいは金錫合
金の融点は面実装部品の半田リフローに耐えられるよう
に２７０℃以上であることが望ましい。また電極１５の
端子はセラミック基板８の中に設けられたビアホール１
０を介して外部に取り出される。
【００３８】従来このような封止を行った場合、封止金
属が圧電基板１の上に飛び散ることによりショートを引
き起こしたり、封止する際にフラックスを用いることが
できなかったため封止が不安定になったりしていたが、
このようにすることにより確実に封止でき、金属粉によ
るショートもなくなる。また封止のときにフラックスを
用いる場合にはワイヤボンディングした周辺部分にシリ
コーン等の樹脂を塗布するのが望ましい。
属が圧電基板１の上に飛び散ることによりショートを引
き起こしたり、封止する際にフラックスを用いることが
できなかったため封止が不安定になったりしていたが、
このようにすることにより確実に封止でき、金属粉によ
るショートもなくなる。また封止のときにフラックスを
用いる場合にはワイヤボンディングした周辺部分にシリ
コーン等の樹脂を塗布するのが望ましい。
【００３９】（実施の形態５） 図５は本実施の形態による弾性表面波デバイスの断面図
を示す。図５では、図４で示したものと同様にセラミッ
ク基板８に圧電基板１を接着し金属キャップ９を被せて
気密封止したものであるが、このセラミック基板８は図
４のようにビアホール１０を設けずに、セラミックの単
板の上に電極１５を設け、金属キャップ９と接触する部
分には、セラミック層１１、さらにその上に金属層１２
を形成したものである。セラミック層１１、金属層１２
はセラミックの単板の焼成と同時に焼成できるので、安
価に作成することができる。
を示す。図５では、図４で示したものと同様にセラミッ
ク基板８に圧電基板１を接着し金属キャップ９を被せて
気密封止したものであるが、このセラミック基板８は図
４のようにビアホール１０を設けずに、セラミックの単
板の上に電極１５を設け、金属キャップ９と接触する部
分には、セラミック層１１、さらにその上に金属層１２
を形成したものである。セラミック層１１、金属層１２
はセラミックの単板の焼成と同時に焼成できるので、安
価に作成することができる。
【００４０】（実施の形態６） 図６は本実施の形態による弾性表面波デバイスの断面図
を示す。図６では、図１で示したものと同様に圧電基板
１の上に弾性表面波デバイスパターン２と包囲壁３と蓋
体４を形成した素子のボンディングパッド１６に金等の
バンプ１３を形成し、バンプ１３に導電性接着剤１４を
つけて所定のプリント基板１７に取り付け、絶縁樹脂７
でポッティングしたものである。導電性接着剤１４には
通常エポキシ樹脂に銀等の粉を混ぜたもの、絶縁樹脂７
にはエポキシ樹脂等が用いられる。
を示す。図６では、図１で示したものと同様に圧電基板
１の上に弾性表面波デバイスパターン２と包囲壁３と蓋
体４を形成した素子のボンディングパッド１６に金等の
バンプ１３を形成し、バンプ１３に導電性接着剤１４を
つけて所定のプリント基板１７に取り付け、絶縁樹脂７
でポッティングしたものである。導電性接着剤１４には
通常エポキシ樹脂に銀等の粉を混ぜたもの、絶縁樹脂７
にはエポキシ樹脂等が用いられる。
【００４１】なお図６では図１のような緩衝層５を設け
ていないが、緩衝層５を設けてもよいことは言うまでも
ない。
ていないが、緩衝層５を設けてもよいことは言うまでも
ない。
【００４２】またプリント基板１７の代わりに所定のパ
ッケージを使用し、絶縁樹脂７でパッケージを気密封止
してもよい。
ッケージを使用し、絶縁樹脂７でパッケージを気密封止
してもよい。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の弾
性表面波デバイスに比べて小型で、安価な、また信頼性
の高いものが得られるという効果が得られる。
性表面波デバイスに比べて小型で、安価な、また信頼性
の高いものが得られるという効果が得られる。
【図１】本発明の一実施の形態による弾性表面波デバイ
スの断面図
スの断面図
【図２】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの上面図
イスの上面図
【図３】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの上面図
イスの上面図
【図４】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図５】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図６】本発明の別の実施の形態による弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図７】従来の積層セラミックパッケージによる弾性表
面波デバイスの断面図
面波デバイスの断面図
１ 圧電基板 ２ 弾性表面波デバイスパターン ３ 包囲壁 ４ 蓋体 ５ 緩衝層 ６ リードフレーム ７ 絶縁樹脂 ８ セラミック基板 ９ 金属キャップ １０ ビアホール １１ セラミック層 １２ 金属層 １３ バンプ １４ 導電性接着剤 １５ 電極 １６ ボンディングパッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08
Claims (19)
- 【請求項１】 リードフレームと、このリードフレーム
に接着した弾性表面波デバイスと、この弾性表面波デバ
イスと前記リードフレームとをモールドした絶縁樹脂と
を備え、前記リードフレームと弾性表面波デバイスとは
電気的に接続してなり、前記弾性表面波デバイスは、少
なくとも櫛形電極を有する弾性表面波デバイスパターン
を少なくとも１つ表面に形成した圧電基板と、この圧電
基板表面の少なくとも前記弾性表面波デバイスパターン
と弾性表面波が伝播する部分とを囲むように設けた包囲
壁と、少なくともこの包囲壁で囲まれた部分の上方空間
を覆うように設けた蓋体とからなる弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項２】 絶縁樹脂は、エポキシ樹脂主体とする物
質よりなる請求項１に記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 リードフレームは、弾性表面波デバイス
を接着した側に折り曲げられている請求項１に記載の弾
性表面波デバイス。 - 【請求項４】 表面に電極を有するセラミック基板と、
このセラミック基板上に被せた金属キャップと、この金
属キャップ内に収納した弾性表面波デバイスとを備え、
前記セラミック基板と前記弾性表面波デバイスとは前記
電極を通じて電気的に接続した請求項１に記載の弾性表
面波デバイス。 - 【請求項５】 セラミック基板の電極を設けた部分に
は、少なくとも１つの貫通孔を設けた請求項４に記載の
弾性表面波デバイス。 - 【請求項６】 金属キャップとセラミック基板との接続
部分に、金属層を設けた請求項４に記載の弾性表面波デ
バイス。 - 【請求項７】 金属層とセラミック基板との間に、セラ
ミック層を設けた請求項６に記載の弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項８】 パッケージと、このパッケージ内に収納
した弾性表面波素子と、このパッケージを気密封止した
絶縁樹脂とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電基板
と、この圧電基板上に形成した少なくとも櫛形電極を有
する弾性表面波デバイスパターンと、弾性表面波が伝播
する部分とを囲むように設けた包囲壁と、少なくともこ
の包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた
蓋体と、前記包囲壁の外側に前記弾性表面波デバイスパ
ターンと電気的に接続するように設けたボンディングパ
ターンと電気的に接続するように設けたボンディングパ
ッド上に設けたバンプを有し、前記パッケージと前記弾
性表面波素子とは、前記バンプを介し導電性接着剤によ
り接着されている弾性表面波デバイス。 - 【請求項９】 プリント基板と、このプリント基板上に
設けた弾性表面波素子と、この弾性表面波素子を気密封
止した絶縁樹脂とを備え、前記弾性表面波素子は、圧電
基板と、この圧電基板上に形成した少なくとも櫛形電極
を有する弾性表面波デバイスパターンと、少なくともこ
の弾性表面波デバイスパターンと、弾性表面波が伝播す
る部分とを囲むように設けた包囲壁と、少なくともこの
包囲壁で囲まれた部分の上方空間を覆うように設けた蓋
体と、前記包囲壁の外側に前記弾性表面波デバイスパタ
ーンと電気的に接続するように設けたボンディングパッ
ドと、このボンディングパッド上に設けたバンプを有
し、前記プリント基板と前記弾性表面波素子とは、前記
バンプを介し導電性接着剤により接着されている弾性表
面波デバイス。 - 【請求項１０】 圧電基板上に複数の弾性表面波パター
ンを形成し、次に前記圧電基板上に少なくとも１つの前
記弾性表面波パターンを囲むように複数の包囲壁を形成
し、その後前記包囲壁及びこの包囲壁で囲んだ部分の上
方空間を覆うように蓋体を形成し、次いで前記圧電基板
を所定の大きさに分割するもので、前記蓋体はフィルム
状のフォトレジストにて形成し、前記圧電基板を所定の
大きさに分割した後、前記圧電基板をリードフレームに
接着し、ワイヤボンディングにより前記圧電基板と前記
リードフレームとの電気的接続を取り、次いで前記圧電
基板及び前記ワイヤボンディング部分を樹脂でモールド
する弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１１】 圧電基板をリードフレームに、シリコ
ーン樹脂あるいはシリコーン樹脂とエポキシ樹脂との混
合物で接着する請求項１０に記載の弾性表面波デバイス
の製造方法。 - 【請求項１２】 圧電基板上に複数の弾性表面波パター
ンを形成し、次に前記圧電基板上に少なくとも１つの前
記弾性表面波パターンを囲むように複数の包囲 壁を形成
し、その後前記包囲壁及びこの包囲壁で囲んだ部分の上
方空間を覆うように蓋体を形成し、次いで前記圧電基板
を所定の大きさに分割するもので、前記蓋体はフィルム
状のフォトレジストにて形成し、前記 蓋体を形成した
後、前記蓋体の上にスクリーン印刷により緩衝層を形成
する弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 圧電基板上に複数の弾性表面波パター
ンを形成し、次に前記圧電基板上に少なくとも１つの前
記弾性表面波パターンを囲むように複数の包囲壁を形成
し、その後前記包囲壁及びこの包囲壁で囲んだ部分の上
方空間を覆うように蓋体を形成し、次いで前記圧電基板
を所定の大きさに分割するもので、前記蓋体はフィルム
状のフォトレジストにて形成し、前記 圧電基板を所定の
大きさに分割した後、前記圧電基板をセラミック基板に
接着し、次にワイヤボンディングにより前記圧電基板と
前記セラミック基板との電気的接続を取り、次いで前記
圧電基板を覆うように金属キャップを被せて気密封止す
る弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１４】 気密封止は、融点が２７０℃以上の高
温ハンダを用いて行う請求項１３に記載の弾性表面波デ
バイスの製造方法。 - 【請求項１５】 気密封止は、金錫合金を用いて行う請
求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１６】 気密封止は、炉内で加熱することによ
り行う請求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項１７】 気密封止は、高周波加熱により行う請
求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項１８】 気密封止する際は、フラックスを用い
て行う請求項１３に記載の弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項１９】 気密封止前に少なくともワイヤボンデ
ィング部分に樹脂を塗布する請求項１８に記載の弾性表
面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05278996A JP3329175B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05278996A JP3329175B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246905A JPH09246905A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3329175B2 true JP3329175B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=12924610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05278996A Expired - Fee Related JP3329175B2 (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329175B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3514361B2 (ja) | 1998-02-27 | 2004-03-31 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
| JP2002118487A (ja) | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波複合スイッチモジュール |
| JP2004129224A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2004129223A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| CN101573868B (zh) | 2006-12-28 | 2012-05-30 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波装置及其制造方法 |
| US8299678B2 (en) | 2007-06-28 | 2012-10-30 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and method for production of same |
| US8436514B2 (en) | 2007-10-30 | 2013-05-07 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device comprising an inter-digital transducer electrode |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP05278996A patent/JP3329175B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246905A (ja) | 1997-09-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |