KR20060115531A - 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

필터, 듀플렉서 등에 사용되면서 특히, 활성화영역의 보호가 확실한 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법이 제공된다.

본 발명은, 연결배선을 포함하여 패키지 베이스로 구성된 배선기판과, 상기 배선기판상에 플립 본딩되고 활성화영역의 기밀유지를 위한 활성화영역 기밀수단을 구비하는 소자 칩 및, 상기 배선기판과 소자 칩상에 덮여져 밀봉되는 수지몰딩부를 포함하여 구성된 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지를 제공한다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 기존의 댐구조물을 이용하여 활성화영역으로의 수지 침투를 차단하는 대신에, 소자 칩에 활성화영역 기밀수단을 제공하고 이 소자 칩을 배선기판에 플립 본딩함으로서, 소자 칩의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역의 기밀유지가 안정적으로 확보 유지됨은 물론, 공정의 간소화가 이루어 지도록 하는 보다 개선된 효과를 얻을 수 있다.

표면탄성파 소자, 필터, 듀플렉서, SAW, 활성화영역

Description

기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법{Surface Acoustic Wave Device Package and Method for Manufacturing The Same}

도 1은 표면탄성파 소자 칩을 도시한 사시도.

도 2는 종래 활성화영역의 기밀을 위한 댐 구조물을 구비하는 표면탄성파 소자 패키지를 도시한 구조도.

도 3은 본 발명에 따른 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지를 도시한 구조도.

도 4는 본 발명인 표면탄성파 소자 패키지를 도시한 평면 구조도.

도 5는 본 발명인 표면탄성파 소자 패키지의 금속코팅막 도시한 것으로서,

(a)는 기밀수단인 포위용 범프들이 본딩되는 엠보싱부를 포함하는 배선기판상의 금속코팅막을 도시한 평면도.

(b)는 엠보싱부의 본딩 보강수단을 도시한 요부도.

도 6은 거칠부의 다른 본딩 보강수단을 도시한 요부도.

도 7은 본 발명에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작단계를 도시한 모식도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1.... 표면탄성파 소자 패키지 10.... 배선기판

12... 연결배선 14,54.... 금속코팅막

30.... 활성화영역 기밀수단 50.... 소자 칩

50a.... 전극(IDT 전극) 52.... 접속용 범프

70.... 수지몰딩부 90.... 본딩 보강수단

본 발명은 필터, 듀플렉서 등에 사용되는 표면탄성파 소자 패키지에 관한 것이며, 더욱 상세히는 기존의 댐구조물을 이용하여 활성화영역으로의 수지 침투를 차단하는 대신에, 소자 칩에 활성화영역 기밀수단을 제공하고 이 소자 칩을 배선기판에 플립 본딩함으로서, 소자 칩의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역의 기밀유지가 안정적으로 확보 유지됨은 물론, 공정의 간소화가 이루어 지도록 하는 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래 통신산업이 발달되면서, 무선통신 제품은 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되는 추세이고, 이러한 추세에 맞추어 무선통신 제품에 사용되는 부품, 예를 들어 필터, 듀플렉서 등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있는 실정이다.

그런데, 이와 같은 부품의 일 예로서, 표면탄성파(Surface Acoustic Wave)(SAW) 필터 등이 사용되고 있는데, 이와 같은 표면탄성파 부품은 도 1에서 그 작동원리를 도시하고 있다.

예를 들어, 도 1에서 도시한 바와 같이, 표면탄성파 필터 또는 표면탄성파 듀플렉서 등을 포함하는 표면탄성파 소자(device)는 압전체(110)상에 형성된 빗살형태로 이루어진 두 개의 마주보는 전극(120a)(120b)(Inter digital transducer)(이하, 'IDT 전극' 이라고 함)에 입력전극(130a)을 통해 전기적인 신호를 인가하면, 상기 IDT 전극(120a)(120b)간의 겹쳐지는 길이만큼 압전효과에 의한 압전왜곡이 발생되고, 상기 압전왜곡에 의하여 압전체(110)에 전달되는 표면 탄성파가 발생되고, 이를 출력전극(130b)을 통해 전기신호로 변환하여 출력하는 것이다.

이때, 상기 IDT 전극(120a)(120b)의 간격, 전극폭 이나 길이 등과 같은 여러 인자들에 의해서 결정된 소정 주파수 대역의 전기신호만이 필터링되는 것이다.

따라서, 표면탄성파 소자에 있어서는, 압전체(110) 즉, 소자 칩상에 형성된 IDT 전극(120a)(120b)의 전극폭, 길이, 간격 등에 소자의 특성이 결정되기 때문에, 상기 IDT 전극(120a)(120b)에 손상이 있거나, 먼지나 티끌과 같은 미세한 이물질이 부착될 경우 표면탄성파 소자의 특성(작동특성)이 변하게 된다.

예를 들어, 표면탄성파 소자가 필터 소자인 경우 주파수 선택도를 제공하기 위한 RF 또는 IF 필터 소자로 응용되고, 앞에서 설명한 압전체 표면 근처나 표면을 따라 탄성파를 전파시키는 영역(이하, '활성화영역'이라 함)(도 2의 'A' 참조)은 그 상태에 따라 필터 소자에 매우 민감한 영향을 주므로, 외부의 물리적 영향을 차 단하기 위해 밀봉상태로 패키징되어야 하고, 이와 같은 표면탄성파 소자에서 '활성화 영역'은 진공상태의 공간형성이 가장 이상적이지만, 적어도 먼지 등이 없는 에어갭 영역으로 보호되어야 한다.

따라서, 표면탄성파 소자인 경우 IDT 전극(120a)(120b)을 외부 환경으로 부터 보호하기 위한 패키징기술이 요구되고 있는데, 이는 결국 활성화영역의 기밀유지를 위한 밀봉성과 관련되게 된다.

한편, 도 2에서는 활성화영역을 보호하기 위한 댐구조물을 구비하는 종래의 표면탄성파 소자 패키지형태(200)를 도시하고 있는데, 도 2에서 도시한 종래 표면탄성파 소자 패키지는 예를 들어 칩 사이즈 패키지 타입(Chip Size Package Type, CSP)으로 제작된 것이다.

이때, 도 2에서 도시한 바와 같이, 종래의 표면탄성파 소자 패키지(200)는, 연결배선(212)을 포함하고, 세라믹으로 제작되는 패키지 시트인 배선기판(210)에 IDT 전극(232)(도 1 참조)과 금속범프(234)를 설치한 표면탄성파 소자 칩(230)을 플립 본딩(Flip Bonding)하고, 그 외곽으로 외부 환경과 IDT 전극(232) 부분의 활성화영역(A)을 격리시키기 위한 기밀공간의 형성을 위해서 상기 표면탄성파 소자 칩(230)의 외곽으로 수지몰딩부(250)를 형성시킨다.

특히, 종래의 표면탄성파 소자 패키지(200)의 경우 상기 금속범프(234)의 외곽을 따라서 소자 칩(230)과 배선기판(210)사이에 환형형태로 제공되는 수지 또는 금속으로 된 댐구조물(270)을 설치하는 구조이다.

즉, 종래 표면탄성파 소자 패키지(200)에서는 활성화영역(A)의 외부 환경 차 단을 위하여 수지재료를 몰딩하여 수지몰딩부(270)를 제공하지만, 이와 같은 수지몰딩부(250)의 수지재료가 활성화영역(A)으로 침투되는 것을 차단하기 위하여 상기와 같은 댐구조물(270)을 설치한 것이다.

예를 들어, 상기 수지몰딩부(250)의 수지재료는 액상상태 또는 고온에서 유동성을 가지기 때문에, 수지 몰딩시 활성화영역(A)으로 침투될 우려가 있기 때문에, 이를 차단하기 위하여 댐구조물(270)을 설치한 것이다.

그러나, 이와 같은 댐구조물(270)을 구비하는 종래의 표면탄성파 소자 패키지(200)에 있어서는, 소자 칩(230)의 외곽을 따라 환형으로 일정두께 이상의 수지 또는 금속으로 된 댐구조물(270)을 소자 칩(230)의 배선기판(210) 플립 본딩시 그 사이에 설치하는 것이 쉽지 않고, 공정도 복잡하며 이를 위한 패키지 제작시 비용도 많이 드는 문제가 있었다.

즉, 종래 표면탄성파 소자 패키지(200)에서 제공되는 댐구조물(270)은 일정 이상의 두께를 유지해야 수지몰딩부(250)의 수지 재료가 활성화영역(A)으로 침투되는 것을 효과적으로 차단할 수 있고, 소자 칩의 외곽을 따라 환형 형태로 빈틈없이 제공되어야 하기 때문에, 댐구조물의 구현이 실제로는 쉽지 않고 공정도 복잡한 것이다.

또한, 도 2에서 도시한 바와 같이, 이와 같은 종래의 패키지에서 댐구조물은 소자 칩(230)의 금속 범프(234) 제공과 같은 소자 칩 제작을 완료하고 댐구조물이 설치되기 때문에, 댐구조물(270)이 금속범프(234)의 두께에 대응하여 일정한 높이로 설치되는 것이 어려운 것이다.

이에 따라서, 소자 칩에 제공되는 접속용 금속범프의 형성시 활성화영역의 기밀유지를 위한 기밀수단인 다른 포위용 범프들을 같이 제공하면, 활성화영역의 기밀 유지가 안정적으로 유지되는 것은 물론, 금속범프와 기밀용 범프들의 형성 높이를 일정하게 일치시킬 수 있는 한편, 소자 칩의 배선기판 플립 본딩시 기밀수단을 포함하는 패키징이 이루어 질 수 있어 보다 바람직할 것이다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표면탄성파 소자의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역의 기밀 확보를 가능하게 하면서, 특히 소자의 금속범프 형성시 같이 기밀수단인 포위용 범프들을 제공함으로서, 소자의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역의 기밀유지가 안정적으로 구현되도록 하여 전체적인 부품의 신뢰성을 향상시키는 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 제 1 목적이 있다.

또한, 활성화영역 기밀수단인 포위용 범프들과 전기적 접속을 위한 금속범프가 소자 칩상에 같이 제공된후 소자칩의 배선기판 플립 본딩이 이루어 지기 때문에, 범프 들의 형성 사이즈 일치가 용이하고, 전체적인 공정이 간소화되면서 특히, 기밀수단의 범프들이 본딩되는 금속코팅막상의 본딩 보강수단에 의하여 범프들의 본딩 구조도 견고하게 유지되도록 한 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공함에 제 2 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 일측면으로서 본 발명은, 연결배선을 포함하여 패키지 베이스로 구성된 배선기판;

상기 배선기판상에 플립 본딩되고 활성화영역의 기밀유지를 위한 활성화영역 기밀수단을 구비하는 소자 칩; 및,

상기 배선기판과 소자 칩상에 덮여져 밀봉되는 수지몰딩부;

를 포함하여 구성된 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지를 제공한다.

이때, 상기 소자 칩에는 배선기판의 연결배선에 본딩되고 소자 칩에 제공된 IDT 전극의 입,출력단자에 형성되는 다수의 접속용 범프들을 포함하여 구성되어 있다.

그리고, 상기 활성화영역 기밀수단은, 상기 소자 칩의 저면에 접속용 범프의 외곽을 따라 연속하여 제공되고 배선기판에 본딩되는 포위용 범프들로 구성되어 있다.

또한, 상기 포위용 범프들은 소자 칩에 제공된 환형 금속코팅막에 형성되고, 상기 소자 칩의 금속코팅막에 대응하여 제공된 상기 배선기판의 환형 금속코팅막에 서로 긴밀하게 밀착된 상태에서 초음파 또는 열융착 방식으로 전체적으로는 환형으로 본딩되는 것이 바람직하다.

한편, 상기 소자 칩 및 배선기판의 금속코팅막 중 적어도 하나 또는 이들 모두의 범프 본딩부분에는 범프의 본딩 접합력을 높이기 위한 본딩 보강수단이 추가로 제공되어 있다.

그리고, 상기 본딩 보강수단은 환형 금속코팅막에 일체로 형성되는 엠보싱부 또는 거칠부로 구성되는 것이 바람직하다.

또한, 기술적인 다른 측면으로서 본 발명은, IDT 전극 단자에 형성된 접속용 범프 및 환형 금속코팅막에 형성된 활성화공간 기밀수단의 포위용 범프들을 구비하는 소자 칩을 준비하는 단계;

연결배선과 상기 소자 칩의 금속코팅막에 대응하는 금속코팅막을 구비하는 배선기판상에 상기 소자 칩을 플립 본딩하여 접속용 범프와 기밀수단의 포위용 범프들이 연결배선과 환형 금속코팅막에 본딩되는 단계; 및,

상기 소자 칩이 플립 본딩된 배선기판상에 라미네이팅 또는 몰딩을 통하여 수지몰딩부을 형성시키고 다이싱하는 단계;

를 포함하여 구성된 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지의 제조방법을 제공한다.

이때, 상기 배선기판의 환형 금속코팅막에 기밀수단의 포위용 범프들의 본딩력을 높이기 위한 엠보싱부 또는 거칠부를 일체로 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것이 보다 바람직하다.

이하, 첨부된 도면에 따라 본 발명을 상세하게 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지를 도시한 구조도이고, 도 4는 본 발명인 표면탄성파 소자 패키지를 도시한 평면 구조도이며, 도 5는 본 발명인 표면탄성파 소자 패키지의 금속코팅막 도시한 도면이고, 도 6은 거칠부의 다른 본딩 보강수단을 도시한 요부도이며, 도 7은 본 발명에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작단계를 도시한 모식도이다.

먼저, 도 3에서는 본 발명에 따른 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지를 도시하고 있다.

즉, 도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지(1)는 연결배선(12)을 포함하여 패키지 베이스로 제공되는 배선기판(10)과, 상기 배선기판상에 플립 본딩되고 활성화영역(A)의 기밀유지를 위한 활성화영역 기밀수단(30)을 구비하는 소자 칩(50) 및, 상기 배선기판(10)과 소자 칩(50)상에 덮여져 밀봉되는 수지몰딩부(70)를 포함하여 구성되어 있다.

따라서, 기존 표면탄성파 소자 패키지에서 댐구조물(도 2의 270)을 이용하여 IDT전극 부근의 에어갭인 활성화영역(A)으로 수지몰딩부(70)의 수지재료가 침투하거나 기타 먼지등의 이물질이 침투하는 것을 차단하는 것에 비하여, 본 발명의 표면 탄성파 소자 패키지(1)에서는 상기 활성화영역 기밀수단(30) 즉, 다음에 상세하게 설명하는 환형의 포위용 범프들을 이용함으로서, 실제 패키지의 작동특성에 영향을 미치는 상기 활성화영역(A)의 기밀유지를 구현하는 차이가 있다.

결국, 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지(1)는 소자 칩(50)의 제작단계에서 소자 칩으로 제작되는 웨이퍼상에 미리 상기 활성화영역 기밀수단(30)의 포위용 범프들을 형성시키고, 소자 칩의 배선기판 플립 본딩시 배선기판에 이들 포위용 범프들을 본딩하여 활성화영역(A)을 포위하는 포위벽체 역할을 하도록 함으로서, 이를 통하여 이물질(먼지)나 수지몰딩부(70)의 수지재료가 침투하는 것을 차단시키는 것 이다.

이에 따라서, 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지(1)는, 소자 칩(50)의 저면에 환형으로 활성화영역(A)을 포위하여 연이어 연결되는 기밀수단(30)인 포위용 범프들을 통하여, 활성화영역(A)의 기밀공간 확보를 가능하게 하기 때문에, 수지몰딩부(70)의 수지재료가 활성화영역(A)으로 침투되지 않는 것은 물론, 소자 칩 제작단계에서 상기 기밀수단이 접속용 범프(52)들과 같이 제공되기 때문에, 기밀특성을 우수하게 하는 것은 물론, 공정도 용이하게 한다.

이때, 도 3에서 도시한 바와 같이, 상기 소자 칩(50)에는 배선기판의 연결배선(12)과 본딩되고 소자 칩(50)에 제공된 IDT 전극(50a)의 입,출력단자(미부호)에 형성되는 다수의 접속용 범프(52)들을 포함한다.

그리고, 상기 접속용 범프(52)는 소자 칩(50)의 배선기판 플립 본딩시 배선기판(10)의 연결 배선(12) 즉, 배선기판의 상부 연결배선에 본딩된다.

한편, 상기 수지몰딩부(70)는 도 3에서 도시한 바와 같이, 소자 칩(50)과 이 칩이 본딩된 배선기판(10)상에 덮여지기 때문에, 외부 환경의 변화로 패키지(1)의 작동특성이 떨어지게 하는 요인 예를 들어, 먼지, 수분 등의 활성화영역(A) 침투를 차단한다.

이때, 상기와 같은 수지몰딩부(70)의 수지재료는 예를 들어, 폴리이미드계 또는 에폭시계 필름 등의 열경화성필름을 사용할 수 있고, 또는 몰딩수지로 EMC(에폭시몰딩 컴파운드), ESM(에폭시 시트 몰딩), PPO(폴리페닐렌옥사이드), 실리콘필름 등을 사용할 수 있다.

한편, 도 4 및 도 5에서 도시한 바와 같이, 본 발명인 상기 활성화영역 기밀수단(30)을 구체적으로 살펴보면, 상기 활성화영역 기밀수단(30)은 상기 소자 칩(50)의 저면에 접속용 범프(52)의 외곽을 따라 연속하여 제공되고 배선기판에 본딩되는 포위용 범프들로 제공된다.

이때, 상기 기밀수단(30)인 포위용 범프들은 먼저 상기 소자 칩(50)의 에 형성된 환형의 금속코팅막(54)에 형성되고, 소자 칩의 배선기판 플립 본딩시 상기 배선기판(10)에 상기 금속코팅막(54)에 대응하여 환형으로 형성된 금속코팅막(14)에 초음파 또는 열융착 방식으로 본딩된다.

따라서, 도 5에서 도시한 바와 같이, 상기 기밀수단(30)의 포위용 범프들은 상기 소자 칩(50)의 금속코팅막(54)과 배선기판(10)의 상부 금속코팅막(14)사이에 환형형태로 접합되는 동시에, 인접 범프들과 범프들은 범프들의 본딩시 타원형이 되면서 틈새없이 서로 긴밀하게 밀착된 상태에서 최종적으로 상기 소자 칩(50)의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역(A)을 일체로 포위하여 기밀을 유지시키는 것이다.

다음, 도 5 및 도 6에서는 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지(1)에서 소자 칩 및 배선기판의 금속코팅막(54)(14)중 적어도 하나 또는 이들 모두의 범프 접합부분에는 범프의 본딩 접합력을 높이기 위한 본딩 보강수단(90)이 추가로 제공된 것을 도시하고 있다.

즉, 상기 본딩 보강수단(90)은 환형 금속코팅막에 일체로 형성되는 도 5a와 도 6과 같은 엠보싱부 또는 거칠부로 제공될 수 있다.

따라서, 상기 배선기판(10)의 금속코팅막(14)에 본딩되는 기밀수단(30)의 포위용 범프들은 보다 견고하게 본딩되고, 이는 패키지의 구조적인 안정성을 향상시킬 것이다.

한편, 본 실시예(도 5 및 도 6)에서는 상기 배선기판(10)의 금속코팅막(14)에만 엠보싱부 또는 거칠부의 본딩 보강수단(90)이 제공되는 것으로 도시하였지만, 기밀수단(30)의 포위용 범프들이 형성되는 상기 소자 칩(50)의 금속코팅막(54)에 이와 같은 본딩 보강수단을 형성시키는 것도 가능할 것이다.

또는, 소자 칩과 배선기판의 양측 금속코팅막(54)(14)에 모두 본딩 보강수단(90)을 제공하는 것도 가능할 것이다.

그러나, 공정상 바람직하게는 도 5 및 도 6에서 도시한 바와 같이, 상기 배선기판(10)의 금속코팅막(14)에 본딩 보강수단(90)인 엠보싱부 또는 거칠부를 제공하는 것이다.

한편, 상기 기밀수단(30)의 포위용 범프들은 본딩형태에 따라 다른 재질로 제공되는 것이 바람직한데, 예를 들어 초음파를 이용하는 본딩인 경우, Au의 범프를 제공하고, 열융착을 이용하는 본딩인 경우에는 AuSn의 범프를 제공하는 것이 바람직하다.

다음, 도 7에서는 본 발명인 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지(1)의 제조단계를 도시하고 있다.

즉, 도 7에서 도시한 바와 같이, 접속용 접속용 범프(52) 및 활성화영역 기밀수단(30)인 포위용 범프들을 구비한 소자 칩(50)을 웨이퍼상에 구현하고 최종적 으로 소자 칩(50)들을 준비된다.

물론, 상기 웨이퍼(W)상에는 IDT 전극(도 3의 50a)과 상기 기밀수단인 포위용 범프들이 형성되는 환형의 금속코팅막(54)이 제공되어 있다.

다음, 웨이퍼상에서 마련된 상기 소자 칩(50)을 플립 본딩하기 위한 배선기판(10)이 준비되는데, 이때 상기 배선기판(10)은 세라믹이 테이프 캐스팅(tape casting)공정을 통하여 제조되면서 이 과정에서 연결배선(12)들은 상부 연결배선과 하부 연결배선 및 세라믹 테이프사이의 내부 연결배선으로 구현되고, 이를 전기적으로 연결하는 비어홀의 연결배선도 포함될 수 있는데, 본 실시예에서는 이와 같은 연결 배선들을 12의 도면부호 일괄적으로 나타내었다.

그리고, 상기 배선기판(10)에는 상기 기밀수단(30)의 포위용 범프들이 본딩되는 금속코팅막(14)이 환형으로 제공되는데, 이때 특히 도 5 및 도 6에서 도시한 본딩 보강수단(90)인 엠보싱부 또는 거칠부가 제공되어 있다.

다음, 웨이퍼 상에 제공된 칩 사이즈의 소자칩(50)들의 접속용 범프(52)는 배선기판의 상부 연결배선(12)에 본딩되고, 기밀수단(30)의 포위용 범프들은 배선기판(10)의 금속코팅막(14)에 본딩되어 소자 칩(50)의 배선기판 플립 본딩이 수행된다.

다음, 상기 소자 칩(50)과 배선기판(10)상에 라미네이팅 또는 몰딩을 통하여 수지몰딩부(70)을 형성시키고, 최종적으로 다이싱을 통하여 탄성표면파 소자 패키지의 제조를 완료한다.

따라서, 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지(1)에서는 수지몰딩부(70)의 수지 재료가 액상의 상태로 투입될때, 상기 기밀수단(30)의 범프들이 에폭시 몰딩 컴파운드와 같은 수지재료가 소자의 작동특성에 영향을 미치는 IDT 전극(50a) 부근의 활성화영역(A)에 침투되는 것이 원천적으로 차단시킬 수 있게 한다.

특히, 소자 칩의 접속 범프 제공시 기밀수단의 포위용 범프들을 같이 제공하고, 소자 칩의 배선기판 플립 본딩시 기밀수단이 구현되기 때문에, 배선기판 플립 본딩시 구현되는 댐구조물의 기존에 비하여 공정상 간소화를 가능하게 하는 것이고, 접속 범프와 같은 형태의 범프들을 이용하기 때문에, 기밀수단의 사이즈가 접속 범프와 같이 제공될 수 있어 정밀한 구조를 가능하게 하는 것이다.

이에 따라서, 본 발명인 표면탄성파 소자 패키지에 의하면, 공정이 간소화되면서 기밀특성은 우수하고, 공정상으로는 간단한 고 신뢰성의 제품 생산을 가능하게 할 것이다.

이와 같이 본 발명인 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 표면탄성파 소자의 작동특성에 영향을 미치는 활성화영역의 기밀 확보를 가능하게 하면서, 소자 칩의 제작단계에서 활성화영역의 기밀을 위한 포위용 범프들의 기밀수단이 제공되어 공정상 이점을 제공하게 하면, 기밀수단의 범프들과 전기 접속을 위한 범프들의 사이즈 일치도 용이하게 하는 우수한 효과를 제공한다.

또한, 활성화영역 기밀수단의 범프들이 본딩되는 배선기판상의 금속코팅막에 제공되는 엠보싱부나 거칠부(널링부)의 본딩 보강수단에 의하여 기밀수단의 포위용 범프들의 본딩 구조를 보다 안정적으로 유지시키어 전체적인 부품 신뢰성을 향상시키는 다른 우수한 효과를 제공한다.

따라서, 전체적으로 본 발명의 표면탄성파 소자 패키지는 활성화영역의 보호가 안정적으로 유지되고 패키지 부품의 작동특성이 향상되면서 간소화된 공정으로 제작되는 것을 가능하게 한다.

상기에서 본 발명은 특정한 실시 예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것 임을 분명하게 밝혀두고자 한다.

Claims (8)

1. 연결배선을 포함하여 패키지 베이스로 구성된 배선기판;

   상기 배선기판상에 플립 본딩되고 활성화영역의 기밀유지를 위한 활성화영역 기밀수단을 구비하는 소자 칩; 및,

   상기 배선기판과 소자 칩상에 덮여져 밀봉되는 수지몰딩부;

   를 포함하여 구성된 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 소자 칩에는 배선기판의 연결배선에 본딩되고 소자 칩에 제공된 IDT 전극의 입,출력 단자에 형성되는 다수의 접속용 범프들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 활성화영역 기밀수단은, 상기 소자 칩의 저면에 접속용 범프의 외곽을 따라 연속하여 제공되고 배선기판에 본딩되는 포위용 범프들로 구성된 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 포위용 범프들은 소자 칩에 제공된 환형 금속코팅막에 형성되고, 상기 소자 칩의 금속코팅막에 대응하여 제공된 상기 배선기판의 환형 금속코팅막에 서로 긴밀하게 밀착된 상태에서 초음파 또는 열융착 방식으로 전체적으로는 환형으로 본딩되는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 소자 칩 및 배선기판의 금속코팅막 중 적어도 하나 또는 이들 모두의 범프 본딩부분에는 범프의 본딩 접합력을 높이기 위한 본딩 보강수단이 추가로 제공된 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 본딩 보강수단은 환형 금속코팅막에 일체로 형성되는 엠보싱부 또는 거칠부로 구성된 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지.
7. IDT 전극 단자에 형성된 접속용 범프 및 환형 금속코팅막에 형성된 활성화공간 기밀수단의 포위용 범프들을 구비하는 소자 칩을 준비하는 단계;

   연결배선과 상기 소자 칩의 금속코팅막에 대응하는 금속코팅막을 구비하는 배선기판상에 상기 소자 칩을 플립 본딩하여 접속용 범프와 기밀수단의 포위용 범프들이 연결배선과 환형 금속코팅막에 본딩되는 단계;

   상기 소자 칩이 플립 본딩된 배선기판상에 라미네이팅 또는 몰딩을 통하여 수지몰딩부을 형성시키고 다이싱하는 단계;

   를 포함하여 구성된 기밀특성이 우수한 표면탄성파 소자 패키지의 제조방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 배선기판의 환형 금속코팅막에 기밀수단의 포위용 범프들의 본딩력을 높이기 위한 엠보싱부 또는 거칠부의 본딩 보강수단을 일체로 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 소자 패키지의 제조방법.

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