JP2016005162A - 電子部品装置 - Google Patents

Abstract

【課題】耐湿性能に優れ、温度変化による中空の空間内に存在する気体容積の変化によって発生する力を小さくすることができる電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品装置１では、基板２上に機能素子部が設けられている。機能素子部を覆うように保護部材１０が設けられている。機能素子部の上方において、保護部材１０の上面には凹部１０ａ１が形成されている。凹部１０ａ１を封止するように、カバー部材１３が保護部材１０上に積層されている。それによって、封止された中空の空間Ｆが形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、中空の空間を必要とする機能素子部が基板上に設けられている電子部品装置に関する。

電子部品の小型化に伴って、いわゆるウエハレベルパッケージ構造の電子部品装置が種々提案されている。

下記の特許文献１には、この種の構造を有する弾性表面波装置が開示されている。この弾性表面波装置では、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されており、ＩＤＴ電極に配線導体が接続されている。ＩＤＴ電極及び配線導体を覆うように保護部材が設けられている。そして、ＩＤＴ電極が形成されている部分を囲むように枠体が設けられている。この枠体は、上記保護部材の一部の上にも至っている。上記枠体の開口を閉成するように蓋体が設けられている。

他方、下記の特許文献２には、同様の弾性表面波装置が開示されている。特許文献２では、圧電基板上にＩＤＴ電極が設けられている。ＩＤＴ電極を覆うように保護部材が形成されている。このＩＤＴ電極が形成されている領域を囲むように枠体が設けられている。この枠体は、保護部材の上にも至っており、かつ枠体は、合成樹脂により形成されている。枠体の開口を閉成するように蓋体が設けられている。

特開２０１１−９１６１６号公報 ＷＯ０８／０１８４５２

特許文献１に記載の弾性表面波装置では、枠体と上記保護部材とが異なる材料で構成されている。そして、枠体の一部が、保護部材上に至っている。ここでは、枠体の内側面よりも、保護部材のＩＤＴ電極側に対向している側面部分が内側に位置している。そのため、励振空間の体積が、枠体の内側面が外側に相対的に位置している分だけ大きくなり、温度変化による内圧変化が大きくなるという問題があった。その結果、圧電基板や電極等が破損するおそれがあった。

他方、特許文献２では、枠体は、エポキシ樹脂やポリイミドなどからなる。このような樹脂からなる枠体は、耐湿性能が低いという問題があった。また、フォトリソ等により形成する場合、樹脂が励振領域側にはみ出したりすることがあった。また、結露によって、樹脂が加水分解し、溶け出した樹脂が励振領域側に流れるおそれがあった。

本発明の目的は、耐湿性能に優れ、温度変化による中空の空間内に存在する気体容積の変化によって発生する力を小さくすることができる、電子部品装置を提供することにある。

本発明によれば、基板と、前記基板上に設けられている機能素子部と、上面と下面とを有し、前記機能素子部の上方において上面に凹部が設けられており、かつ前記機能素子部を覆うように前記基板上に設けられる保護部材と、前記保護部材の前記凹部が封止されてなる空間を有するように、前記保護部材上に積層されたカバー部材とを備える、電子部品装置が提供される。

本発明に係る電子部品装置のある特定の局面では、前記カバー部材が、上面と下面とを有し、前記保護部材側に位置する前記カバー部材の下面が平坦面とされている。

本発明に係る電子部品装置の他の特定の局面では、前記保護部材の前記上面のうち、前記カバー部材が積層されている部分が平坦面とされている。

本発明に係る電子部品装置のさらに他の特定の局面では、前記凹部の底面に設けられており、前記凹部の深さよりも厚みが薄い特性調整膜がさらに備えられている。

本発明に係る電子部品装置の別の特定の局面では、前記空間において、前記凹部の側壁と接合している突起部が前記カバー部材の前記下面に設けられている。

本発明に係る電子部品装置では、好ましくは、前記保護部材が絶縁性材料を含む。

本発明の電子部品装置の他の特定の局面では、前記絶縁性材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ゲルマニウム及びアルミナのうち少なくとも１種を主成分とする絶縁性材料からなる。

本発明に係る電子部品装置のさらに他の特定の局面では、前記カバー部材が、合成樹脂からなる。

本発明に係る電子部品装置の別の特定の局面では、前記カバー部材が、複数のカバー部材層を積層してなる積層体からなる。

好ましくは、前記カバー部材の複数のカバー部材層のうち、少なくとも１つのカバー部材層が金属層からなる。より好ましくは、前記金属層が、前記空間の上方を覆うように設けられている。

本発明に係る電子部品装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも１つのカバー部材層が、無機耐湿膜からなる。好ましくは、前記無機耐湿膜が、前記空間の上方を覆うように設けられている。

本発明に係る電子部品装置の別の特定の局面では、前記カバー部材が無機絶縁性材料からなる。このような無機絶縁性材料としては、好ましくは、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、サファイア及びシリコンからなる群から選択された１種の材料である。

本発明に係る電子部品装置では、好ましくは、前記カバー部材が、前記基板と同一材料からなる。

本発明に係る電子部品装置のさらに別の特定の局面では、前記基板が圧電薄膜からなり、前記機能素子部と前記基板により薄膜圧電素子が形成されている。

本発明に係る電子部品装置のさらに他の特定の局面では、前記基板が圧電基板であり、前記機能素子部が、少なくとも１つのＩＤＴ電極を有し、弾性波素子が構成されている。

本発明に係る電子部品装置によれば、耐湿性能を高めることができる。また、温度変化による中空の空間内に存在する気体の容積変化によって発生する力を小さくすることが可能となる。

本発明の第１の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る電子部品装置の電極構造を説明するための略図的平面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態の電子部品装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態の電子部品装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の電子部品装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。 カバー部材が突起部を有する変形例を説明するための部分拡大断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図であり、図２は、図１の電子部品装置の電極構造を説明するための略図的平面図である。図２では、後述のカバー部材、バンプ及び保護部材が除去された状態の平面図が示されている。

電子部品装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ_３またはＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶からなる。もっとも、圧電基板２は、圧電セラミックスにより構成されてもよい。また、圧電基板２は、絶縁性基板上に圧電膜を積層してなる圧電基板であってもよい。本発明の第１の実施形態は、ＬｉＮｂＯ_３を用いた。

圧電基板２の主面上に、ＩＤＴ電極３〜５が設けられている。ＩＤＴ電極３〜５は、それぞれ、弾性波共振子を構成している。すなわち、ＩＤＴ電極３〜５は、本発明における機能素子部を構成している。

ＩＤＴ電極３の一端が配線電極６に電気的に接続されており、他端が配線電極７に電気的に接続されている。配線電極７には、ＩＤＴ電極４，５の各一端も電気的に接続されている。ＩＤＴ電極４，５の他端は配線電極８，９にそれぞれ電気的に接続されている。

上記ＩＤＴ電極３〜５及び配線電極６〜９は、適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、ＮｉＣｒ膜上に、Ｐｔ膜、Ｔｉ膜及びＡｌ膜が積層されている積層金属膜が用いられている。なお、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向の両側には反射器が設けられてもよい。必要に応じて設けられる反射器とＩＤＴ電極とが、圧電基板の主面上に単数または複数設けることによって、１ポート型共振子、ラダー型フィルタ、または縦結合共振子型フィルタなどを構成することができる。

なお、図２では、後述するビア導体１４ａ〜１４ｆが設けられている部分を一点鎖線の円で示すこととする。

図１に示すように、ＩＤＴ電極３〜５を覆うように、保護部材１０が積層されている。保護部材１０は、本実施形態では、酸化ケイ素からなる。

保護部材１０は、保護部１０ａと、支持部１０ｂとを有する。保護部１０ａは、ＩＤＴ電極３〜５を被覆している。また、支持部１０ｂは、保護部１０ａの外側の領域に位置している。従って、支持部１０ｂは、ＩＤＴ電極３〜５が形成されているそれぞれの機能素子部を囲むように位置している。保護部１０ａにおいては、上面に開いた凹部１０ａ１が設けられている。この凹部１０ａ１は、ＩＤＴ電極３〜５の上方に位置している。すなわち、圧電基板２の主面を平面視したとき、凹部１０ａ１とＩＤＴ電極３〜５とが重なり合っている。または、圧電基板２の主面を平面視したとき、凹部１０ａ１は、１ポート型共振子、ラダー型フィルタ、縦結合共振子型フィルタにおける弾性表面波の伝搬路に重なり合っている。よって、保護部材１０は、絶縁性材料からなることが好ましい。このような絶縁性材料としては、上記酸化ケイ素の他、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ゲルマニウムまたはアルミナなどが挙げられる。従って、好ましくは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ゲルマニウム及びアルミナのうち少なくとも１種を主成分とする絶縁性材料を用いることが望ましい。それによって、十分な電気的絶縁性を発現させることができる。なお、ＩＤＴ電極３〜５の電気的絶縁性が確保できれば、保護部材１０が、絶縁性材料を主体として、一部に導電性材料を含む構成であってもよい。

上記凹部１０ａ１の底面に、特性調整膜としての周波数調整膜１２が積層されている。周波数調整膜１２は、各弾性波共振子の周波数を調整するために設けられている。本実施形態では、周波数調整膜１２は、窒化ケイ素からなる。もっとも、周波数調整膜１２は、他の音速変化作用を有する適宜の材料により形成することができる。

なお、周波数調整膜１２に限らず、特性調整膜として、他の特性を調整するために、適宜の材料からなる特性調整膜を設けてもよい。

上記保護部材１０上には、カバー部材１３が積層されている。それによって、凹部１０ａ１が封止され、中空の空間Ｆが形成されている。より具体的には、カバー部材１３は、保護部材１０の支持部１０ｂの上面１０ｂ１に貼り合わされている。

カバー部材１３は、ポリイミドからなる。もっとも、カバー部材１３は、ポリイミド以外の他の合成樹脂により形成されてもよい。また、カバー部材１３は、絶縁性材料であれば、合成樹脂に限らず、セラミックスにより形成されてもよい。

上記カバー部材１３は、板状の形状を有する。カバー部材１３は、第１の主面１３ａと、第１の主面１３ａと反対側の第２の主面１３ｂとを有する。第２の主面１３ｂ側から、保護部材１０の支持部１０ｂの上面１０ｂ１にカバー部材１３が積層されている。

好ましくは、後述する製造方法において説明するように、保護部材１０の支持部１０ｂの上面１０ｂ１は平坦化処理されている。それによって、カバー部材１３と保護部材１０の支持部１０ｂの上面１０ｂ１との接合力及び密着性を効果的に高めることができる。よって、空間Ｆをより確実に封止することができる。上記空間Ｆは、ＩＤＴ電極３〜５の上方に配置され、ＩＤＴ電極３〜５が構成されている弾性表面波共振子部分の励振を妨げないために設けられている。

保護部材１０の保護部１０ａは、ＩＤＴ電極３〜５からなる機能素子部を保護する機能を果たす。また、本実施形態では、保護部材１０が圧電基板２と線膨張係数が異なる酸化ケイ素からなるため、周波数温度特性を高めることができる。すなわち、周波数温度係数の絶対値を小さくすることができる。

上記カバー部材１３及び支持部１０ｂを貫通するように貫通孔が設けられている。この貫通孔内を充填するようにビア導体１４ａ〜１４ｆが設けられている。図１に示すように、ビア導体１４ｂ，１４ｅ上に、バンプ１５，１５が接合されている。なお、図２に示したビア導体１４ａ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｆ上にもバンプが接合されている。

上記ビア導体１４ａ〜１４ｆは、適宜の金属もしくは合金からなる。本実施形態では、Ｎｉからなる。また、上記バンプ１５は、本実施形態では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだからなる。もっとも、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ以外の他の金属を用いてもよい。

電子部品装置１では、上記ＩＤＴ電極３〜５からなる機能素子部を囲むように、保護部材１０の支持部１０ｂが設けられている。支持部１０ｂに、ＩＤＴ電極３〜５を保護している保護部１０ａが同じ材料で一体に設けられている。保護部１０ａによる耐湿性を得るために、ＩＤＴ電極の上面から凹部の底面までの保護部１０ａの厚みは、５ｎｍ以上であることが好ましい。

従って、電子部品装置１では、耐湿性能を高めることが可能となる。また、特許文献１に記載のように、支持部材と保護部材とを境界面を有するように積層した構造では、励振空間の体積が大きくなるという問題があった。これに対して、本実施形態では、保護部１０ａと支持部１０ｂとが間に境界面を設けないように一体に形成されているため、寸法ずれを考慮することなく保護部１０ａと支持部１０ｂを形成することができる。従って、励振空間である空間Ｆを小さくすることができる。よって、温度変化による内圧変化が生じ難い。

さらに、保護部１０ａと支持部１０ｂとの間に境界面が存在しないため、保護部１０ａと支持部１０ｂとの間でのクラックやボイドも生じ難い。

次に、図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）、（ｂ）を参照して、第１の実施形態の電子部品装置の製造方法を説明する。

なお、以下においては、１つの電子部品装置１の製造方法を説明するが、マザー基板上に集合した状態で各工程を実施し、最後にマザーの積層体を切断することにより個々の電子部品装置１を得ることが望ましい。

まず、図３（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、蒸着やスパッタリングなどの薄膜形成方法を用いて、ＩＤＴ電極３〜５及び配線電極６〜９を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、酸化ケイ素膜１０Ａを形成する。この酸化ケイ素膜１０Ａは、スパッタリングやコーティング法などの適宜の方法により形成することができる、次に、図３（ｄ）に示すように、酸化ケイ素膜１０Ａの上面を、エッチバックあるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨などにより平坦化する。なお、酸化ケイ素膜１０Ａの上面が成膜後に十分な平坦性を有している場合には、ＣＭＰ研磨などを省略してもよい。

次に、図４（ａ）に示すように、エッチングにより、凹部１０ａ１，１０ａ１を形成する。この凹部１０ａ１，１０ａ１は、前述した空間Ｆを形成する部分に相当する。このエッチングは、イオンミリング等の適宜の方法により行ない得る。このエッチングにより、保護部１０ａと、支持部１０ｂとが形成されることになる。

次に、図４（ｂ）に示すように、周波数調整膜１２を形成する。周波数調整膜１２の形成は、スパッタリングまたはコーティング法などの適宜の方法により行ない得る。周波数調整膜１２は、前述した凹部１０ａ１の底面に設ける。

次に、図４（ｃ）に示すように、イオンミリング等により周波数調整膜１２の膜厚を調整し、周波数調整を行なう。

次に、図４（ｄ）に示すように、カバー部材１３を積層する。それによって、前述した空間Ｆが形成されることになる。

さらに、図５（ａ）に示すように、支持部１０ｂ及びカバー部材１３を貫通するようにビアホールを形成する。このビアホールの形成は、レーザーやイオンミリングなどの適宜の方法により行ない得る。次に、図５（ｂ）に示すように、上記ビアホール内に、ビア導体１４ｂ，１４ｅを形成する。このビア導体１４ｂ，１４ｅはめっき法により形成することができる。もっとも、めっきに限らず、スパッタリング法等を用いてもよい。

さらに、上記ビア導体１４ｂ，１４ｅ上に、図１に示すバンプ１５，１５を接合する。このようにして、電子部品装置１を得ることができる。

本実施形態では、支持部１０ｂの上面１０ｂ１が平坦面とされている。同様に、カバー部材１３の第２の主面１３ｂも好ましくは平坦面とされている。そのため、カバー部材１３と支持部１０ｂの上面１０ｂ１との密着性が高められている。

加えて、各機能素子部の上方に位置している空間Ｆ上のカバー部材部分と、支持部１０ｂの上面１０ｂ１上のカバー部材部分とが連ねられている。すなわち、各機能素子部の上方に位置している空間Ｆ上のカバー部材部分が、空間Ｆの周囲においては、上記保護部材１０の支持部１０ｂの上面１０ｂ１に接合されている。従って、中空の空間Ｆ上の領域におけるカバー部材１３の変形を効果的に抑制することができる。また、カバー部材１３と、保護部材１０との接合面積を大きくすることができる。それによっても、カバー部材１３と保護部材１０との密着性を高めることができる。そして、封止された中空の空間Ｆの密閉性を高めることができる。変形の抑制によりカバー部材１３の上下方向のたわみ量を小さくできる。それによって、カバー部材と凹部の底面との干渉を抑制できる。たわみ量の減少により、中空の空間Ｆの凹部の深さ、または凹部の側壁の高さを低くできるため、空間Ｆの容積が小さくできる。なお、保護部材に比べて弾性率が小さいたわみ量の大きいカバー部材では、たわみ量を減少できる本発明を適応することが好ましい。また、カバー部材１３の厚みが薄くとも、カバー部材１３のたわみを小さくでき、カバー部材１３と凹部１０ａ１の底面との接触も生じ難い。カバー部材１３の厚みを薄くすることで、電子部品装置の小型化を図ることができる。好ましくは、図４（ａ）の工程により凹部１０ａ１を形成した後に、エッチング、イオンミリングなどの工法によって、凹部１０ａ１の底面を平坦化してもよい。上記工法を用いることで、凹部１０ａ１の底面と保護部材１０の上面とを同じ工程で平坦化することができる。保護部材１０の上面が平面形状を有しておれば、周波数調整膜１２を高精度に形成することができる。

また、好ましくは、図６に部分拡大断面図で示す突起部１３ｃが設けられていてもよい。この突起部１３ｃは、カバー部材１３の第２の主面１３ｂから下方に突出している。そして、突起部１３ｃは、樹脂からなるカバー部材１３を保護部材１０に貼り合わせた際に樹脂の一部が変形し飛び出すことにより形成され得る。この突起部１３ｃは、凹部１０ａ１の側壁に接合している。この場合には、突起部１３ｃにより、空間Ｆの密閉性をより一層高めることができる。

図７は、第２の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。第２の実施形態の電子部品装置２１では、カバー部材２３が金属層２４を有することを除いては、第１の実施形態とほぼ同様である。従って、同一部分については同一の参照番号を付することにより、第１の実施形態の説明を援用することとする。

カバー部材２３では、ポリイミドからなる第１のカバー部材２３Ａ上に、ポリイミドからなる第２のカバー部材２３Ｂが積層されている。また、第１のカバー部材２３Ａと第２のカバー部材２３Ｂとの間には、金属層２４が積層されている。この金属層２４は、ＩＤＴ電極３〜５が形成されている部分の上方の領域に設けられている。すなわち、機能素子部において金属層２４が設けられている。この金属層２４を設けることにより、中空の空間Ｆ上のカバー部材２３がたわみ難くなる。また、金属層２４が存在することで、外部からの湿度の流入を抑制でき、耐湿性に優れる構造にすることができる。さらには、金属層２４をグラウンド電位に接続されているバンプ１５と接続することで、各機能素子部を外部に対して電磁シールドすることができる。それによって、電子部品装置の電気的特性の安定化を図ることができる。

上記第１，第２のカバー部材２３Ａ，２３Ｂは、ポリイミドからなるが、他の合成樹脂により形成されてもよい。また、第１，第２のカバー部材２３Ａ，２３Ｂは、セラミックスなどの他の絶縁性材料で形成されていてもよい。さらに、第１のカバー部材２３Ａと第２のカバー部材２３Ｂは、異なる材料により形成されていてもよい。

第１のカバー部材２３Ａと第２のカバー部材２３Ｂが同じ材料からなる場合には、材料の種類を少なくすることができる。また、製造工程の簡略化を図ることができる。

他方、第１のカバー部材２３Ａと第２のカバー部材２３Ｂとが異なる材料からなる場合には、材料の種類を選択することにより、絶縁性や機械的強度等を高めることができる。

金属層２４は、適宜の金属により形成することができる。本実施形態では、金属層２４はＣｕ膜からなる。

電子部品装置２１においては、他の構成は第１の実施形態と同様であり、保護部１０ａ及び支持部１０ｂが間に境界面を有しないように同一材料により一体に形成されているため、本実施形態においても、耐湿性を高めることができ、かつ小型化を図ることができる。加えて、上記のように、金属層２４によって、カバー部材２３のたわみ抑制、耐湿性能の向上、機能素子部の電磁シールドを確実に果たすことができる。

図８は、第３の実施形態に係る電子部品装置の正面断面図である。第３の実施形態の電子部品装置３１では、カバー部材３３が圧電基板からなる。その他の構成については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。このように、カバー部材３３を、圧電基板２と同様に圧電材料により形成してもよい。より好ましくは、圧電基板２と同じ材料によりカバー部材３３を形成することが望ましい。それによって、材料の種類を低減することができる。さらには、圧電基板２とカバー部材３３との線熱膨張係数が等しくなるため、温度変化時の反りが抑制され、クラックが生じ難くなる。

電子部品装置３１においても、保護部１０ａ及び支持部１０ｂは第１の実施形態と同様に構成されているため、耐湿性を高めることができる。また、ＩＤＴ電極の励振空間として機能する中空の空間Ｆの容積を小さくすることができる。空間Ｆ内に存在する気体の容積は温度変化によって変化する。中空の空間Ｆの容積を小さくすることで、受圧面積が小さくなり容積変化によって支持部１０ｂ及びカバー部材３３に作用する力を小さくすることができる。従って、空間Ｆで発生する力を小さくできるため、支持部１０ｂとカバー部材３３の接合部の亀裂、剥離が生じ難い。さらに、支持部１０ｂ及びカバー部材３３に作用する力を小さくできれば、カバー部材３３の厚みを薄くしても接合部の亀裂、剥離を抑制できる。このため、電子部品装置３１の小型化を図ることができる。

図９は、第４の実施形態の電子部品装置の正面断面図である。

電子部品装置４１では、周波数調整膜が設けられておらず、また保護部１０ａの厚みが、支持部１０ｂの高さに比べてかなり薄くされている。その他の電子部品装置４１の構成は第１の実施形態の電子部品装置１と同様である。

このように、周波数調整膜は必ずしも設けられずともよい。また、保護部１０ａの厚みについても、特に限定されない。本実施形態では、保護部１０ａの厚みが薄く、周波数調整膜が設けられていないため、空間Ｆの高さが大きくされている。もっとも、図９に示す状態よりも空間Ｆの高さが低くなるように支持部１０ｂの高さを低くすることが望ましい。それによって、電子部品装置４１では、低背化を進めることができる。

上記第１〜第４の実施形態では、１つのＩＤＴを有する機能素子部が複数設けられていた。もっとも、本発明では、１つの機能素子部が、複数のＩＤＴ電極を有していてもよい。すなわち、機能素子部は、少なくとも１つのＩＤＴ電極を有しておればよく、それによって、各機能素子部において弾性波素子を形成することができる。さらに、第１〜第４の実施形態では、複数の機能素子部が電気的に接続されていたが、単一の機能素子部のみが設けられていてもよい。

また、カバー部材は、複数のカバー部材層を積層した構成を有していてもよいが、この場合、好ましくは、少なくとも１つのカバー部材層が、無機耐湿膜からなることが望ましい。この無機耐湿膜としては、例えば酸化ケイ素、窒化珪素、アルミナなどの材料からなる膜を挙げることができる。上記無機耐湿膜は、好ましくは、上記空間Ｆの上方を少なくとも覆うように設けることが望ましい。それによって、耐湿性をより一層効果的に高めることができる。

また、上記カバー部材は、無機絶縁性材料により形成されてもよい。このような無機絶縁性材料としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、サファイア及びシリコンからなる群から選択された１種の材料を好適に用いることができる。

なお、上述した電子部品装置の実施形態では、電子部品装置として弾性波装置を示したが、本発明の電子部品装置は弾性波装置に限定されない。すなわち、上面に空間を必要とする機能素子部が構成されている電子部品装置に広く本発明を適用することができる。このような電子部品装置としては、例えば圧電薄膜共振装置が挙げられる。すなわち、機能素子部としての圧電薄膜共振部の上方に、圧電薄膜共振部の振動を妨げないための空間を形成してなる電子部品装置であってもよい。

１…電子部品装置
２…圧電基板
３〜５…ＩＤＴ電極
６〜９…配線電極
１０…保護部材
１０ａ…保護部
１０ａ１…凹部
１０ｂ…支持部
１０ｂ１…上面
１０Ａ…酸化ケイ素膜
１２…周波数調整膜
１３…カバー部材
１３ａ，１３ｂ…第１，第２の主面
１３ｃ…突起部
１４ａ〜１４ｆ…ビア導体
１５…バンプ
２１，３１，４１…電子部品装置
２３，３３…カバー部材
２３Ａ，２３Ｂ…第１，第２のカバー部材
２４…金属層

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられている機能素子部と、
   上面と下面とを有し、前記機能素子部の上方において前記上面に凹部が設けられており、かつ前記機能素子部を覆うように前記基板上に設けられる保護部材と、
   前記保護部材の前記凹部が封止されてなる空間を有するように、前記保護部材上に積層されたカバー部材とを備える、電子部品装置。
2. 前記カバー部材が、上面と下面とを有し、前記保護部材側に位置する前記カバー部材の前記下面が平坦面とされている、請求項１に記載の電子部品装置。
3. 前記保護部材の前記上面のうち、前記カバー部材が積層されている部分が平坦面とされている、請求項１または２に記載の電子部品装置。
4. 前記凹部の底面に設けられており、前記凹部の深さよりも厚みが薄い特性調整膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品装置。
5. 前記空間において、前記凹部の側壁と接合している突起部が前記カバー部材の前記下面に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品装置。
6. 前記保護部材が絶縁性材料を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品装置。
7. 前記絶縁性材料が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化ゲルマニウム及びアルミナのうち少なくとも１種を主成分とする絶縁性材料からなる、請求項６に記載の電子部品装置。
8. 前記カバー部材が、合成樹脂からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品装置。
9. 前記カバー部材が、複数のカバー部材層を積層してなる積層体からなる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品装置。
10. 前記カバー部材の複数のカバー部材層のうち、少なくとも１つのカバー部材層が金属層からなる、請求項９に記載の電子部品装置。
11. 前記金属層が、前記空間の上方を覆うように設けられている、請求項１０に記載の電子部品装置。
12. 少なくとも１つのカバー部材層が、無機耐湿膜からなる、請求項９に記載の電子部品装置。
13. 前記無機耐湿膜が、前記空間の上方を覆うように設けられている、請求項１２に記載の電子部品装置。
14. 前記カバー部材が無機絶縁性材料からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品装置。
15. 前記無機絶縁性材料が、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、サファイア及びシリコンからなる群から選択された１種の材料である、請求項１４に記載の電子部品装置。
16. 前記カバー部材が、前記基板と同一材料からなる、請求項１４または１５に記載の電子部品装置。
17. 前記基板が圧電薄膜からなり、前記機能素子部と前記基板により薄膜圧電素子が形成されている、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の電子部品装置。
18. 前記基板が圧電基板であり、前記機能素子部が、少なくとも１つのＩＤＴ電極を有し、弾性波素子が構成されている、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の電子部品装置。

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