KR101907453B1 - 탄성파 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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다이스케 세키야
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막을 이용하고 있으며, 층간 절연막 상의 배선의 크랙이나 단선이 생기기 어려운, 탄성파 장치를 제공한다.
압전 기판(2) 상에 복수의 IDT 전극이 마련되어 있고, 복수의 IDT 전극을 전기적으로 접속하고 있는 복수의 배선을 포함하며, 복수의 배선이 제1 배선(11) 및 제2 배선(12)을 가지며, 제1 배선(11)의 일부를 피복하도록 무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막(13)이 마련되어 있고, 제2 배선(12)의 일부가, 제1 배선(11)의 일부와 층간 절연막(13)을 통해 입체 교차하고 있으며, 입체 교차 부분(B)에서, 제2 배선(12)이 층간 절연막(13)의 외측의 영역으로부터 층간 절연막(13) 상에 이르러 있는 부분에서 압전 기판(2) 상에 마련되어 있고, 압전 기판(2)의 주면에 수직인 방향으로 봤을 때에 제2 배선(12)과 적어도 일부가 겹치도록 하면서, 층간 절연막(13) 내에 이르도록 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있는, 탄성파 장치(1).

Description

탄성파 장치 및 그 제조 방법{ELASTIC WAVE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은, 압전 기판 상에 복수의 배선이 입체 교차하고 있는 부분을 가지는 탄성파 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 휴대전화기의 듀플렉서 등에 탄성파 장치가 널리 이용되고 있다. 이 종류의 탄성파 장치에서는, 압전 기판 상에서, 상당한 수의 배선이 라우팅되어 있다. 따라서 하기의 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 압전 기판 상에서, 배선끼리를 무기 절연막을 통해 입체 교차시킨 구조가 알려져 있다. 특허문헌 1에서는, 압전 기판 상에 IDT 전극 및 입체 교차 부분을 가지는 배선이 형성되어 있다. 또한 압전 기판 상에 수지로 이루어지는 지지 부재 및 덮개재가 적층되고, 중공(中空) 부분이 구성되어 있다.
한편, 하기의 특허문헌 2에서는, 압전 기판 상에 IDT 전극과, 입체 교차 부분을 가지는 배선이 마련되어 있다. 그리고 수지로 이루어지는 지지 부재가 입체 교차 부분을 피복하지 않도록, 입체 교차 부분이 지지 부재에 마련된 개구에 노출되어 있다.
하기의 특허문헌 3에는, 기판 상에 수지로 이루어지는 층간 절연막을 가지는 배선의 입체 교차 부분이 개시되어 있다.
일본 특허공보 제5141852호 WO2009/116222 일본 공개특허공보 2009-182407호
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 입체 교차 부분에서, 무기 절연막 상의 요철이나 하방(下方)의 배선의 요철에 의해 무기 절연막 상의 배선에 크랙이나 단선이 생길 우려가 있었다. 또한 수지로 이루어지는 지지 부재와 압전 기판의 선팽창계수 차에 의해, 상기 무기 절연막 상의 배선에 큰 열응력이 생기기 쉽다는 문제도 있었다.
한편, 특허문헌 2에서는, 입체 교차 부분이 수지로 이루어지는 지지 부재로 피복되어 있지 않다. 따라서 상기 열응력을 완화할 수 있다. 그러나 설계의 자유도가 낮아져, 소형화가 곤란해진다. 또한 무기 절연막 상의 배선에서의 크랙이나 탄성 불량이 생길 우려가 역시 있었다.
특허문헌 3에 기재된 입체 교차 부분에서는, 층간 절연막이 수지로 이루어진다. 그 때문에, 층간 절연막 표면이 둥그스름하다. 따라서 상방(上方)의 배선의 크랙이나 단선은 생기기 어렵다.
그러나 수지로 이루어지는 층간 절연막에서는, 역시 압전 기판과 수지의 선팽창계수 차가 크기 때문에, 절연층상의 배선에 큰 열응력이 생기기 쉽다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막을 사용하고 있으며, 층간 절연막 상의 배선의 크랙이나 단선이 생기기 어려운, 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 마련된 복수의 IDT 전극과, 상기 압전 기판 상에 마련되어 있고, 상기 복수의 IDT 전극을 전기적으로 접속하고 있는 복수의 배선을 포함하며, 상기 복수의 배선이, 제1 배선과, 상기 제1 배선과는 다른 전위에 접속되는 제2 배선을 가지고, 상기 압전 기판 상에서, 상기 제1 배선의 일부를 피복하도록 마련되어 있으며, 무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 배선의 일부가, 상기 제1 배선의 일부와 상기 층간 절연막을 통해 입체 교차하고 있으며, 상기 입체 교차하고 있는 부분에서, 상기 층간 절연막의 외측의 영역으로부터 상기 층간 절연막이 마련되어 있는 영역으로 연장되어 있고, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서 상기 제2 배선의 하면(下面)에 적층되어 있으며, 상기 층간 절연막이 마련되어 있는 영역에서, 상기 층간 절연막 및 상기 제2 배선의 하방에 위치하고 있는, 제1 보조 배선 전극을 더 포함한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 제1 보조 배선 전극이, 상기 입체 교차하고 있는 부분에서, 상기 제1 배선의 한쪽 측 및 다른 쪽 측의 쌍방에 마련되어 있다. 이 경우에는, 제1 배선의 한쪽 측 및 다른 쪽 측의 쌍방에서, 제2 배선의 크랙이나 단선 불량을 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막이, 상기 제1 배선의 한쪽 측 및 다른 쪽 측에 위치하고 있는 제1 및 제2 측면을 가지며, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면이 상방으로 감에 따라 상기 층간 절연막의 중앙에 위치하도록 경사져 있는 경사면으로 되어 있고, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서, 상기 제1 보조 배선 전극과 상기 제2 배선의 계면이 상기 층간 절연막으로 가까이 감에 따라 상방으로 가도록 경사져 있으며, 상기 층간 절연막의 상기 제1 및 제2 측면의 상기 압전 기판의 상면(上面)에 대한 경사 각도가 상기 제1 보조 배선 전극과 상기 제2 배선의 상기 계면의 상기 압전 기판의 상면에 대한 경사 각도보다도 크게 되어 있다. 이 경우에는, 제2 배선의 크랙이나 단선 불량을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 보조 배선 전극의 상기 제2 배선이 적층되어 있는 부분에서의 표면 조도(surface roughness)가, 상기 제1 보조 배선 전극의 상기 층간 절연막에 의해 피복되어 있는 부분에서의 표면 조도보다도 크다. 이 경우에는, 층간의 밀착 강도를 효과적으로 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 보조 배선 전극의 상기 제2 배선과 접촉하는 부분이, Cu를 포함하는 Al 합금층이며, CuAl2 금속 간 화합물로 이루어지는 볼록부를 가진다. 이 경우에는, 표면 조도를 효과적으로 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 제1 배선이 연장되는 방향으로 연장되어 있으며, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서 상기 제1 배선에 적층되어 있고, 상기 층간 절연막 상에 이르러 있으며, 상기 제2 배선과는 사이를 두고 있는, 제2 보조 배선 전극이 더 포함되어 있다. 이 경우에는, 제1 배선의 에칭 등에 의한 영향을 완화할 수 있고, 배선 저항의 증가를 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막의 상기 제1, 제2 측면의 상기 경사 각도가 50°이하이다. 이 경우에는, 제2 배선의 크랙이나 단선을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막의 상기 제1, 제2 측면이, 경사 각도가 상대적으로 큰 하방 측면부와, 경사 각도가 상대적으로 작은 상방 측면부를 가진다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막이, 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 유전체 재료층과, 상기 제1 유전체 재료층 상에 적층된 제2 유전체 재료층을 가진다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막이 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 유전체 재료층과, 상기 제1 무기 유전체 재료와 다른 제2 무기 유전체 재료로 이루어지는 제2 유전체 재료층을 가지고, 상기 제1 유전체 재료층의 측면이 상기 하방 측면부를 구성하고 있으며, 상기 제2 유전체 재료층의 측면이 상기 상방 측면부를 구성하고 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 압전 기판 상에 마련되어 있고, 상기 IDT 전극이 면한 중공부를 형성하기 위해 상기 IDT 전극을 둘러싸도록 마련된 지지 부재와, 상기 중공부를 밀봉하기 위해 상기 지지 부재 상에 마련된 덮개재가 더 포함되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정 국면에서는, 상기 지지 부재가 적어도 하나의 상기 입체 교차하고 있는 부분 상에 이르도록 마련되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법은, 본 발명에 따라 구성되어 있는 탄성파 장치를 얻는 것이며, 상기 압전 기판 상에 상기 IDT 전극을 형성하는 공정과, 상기 압전 기판 상에 상기 제1 보조 배선 전극을 형성하는 공정과, 상기 압전 기판 상에서, 상기 제1 배선의 일부 및 상기 제1 보조 배선 전극의 일부를 덮도록 상기 층간 절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간 절연막에서 상기 제1 배선과 교차하는 방향으로 연장되도록, 상기 압전 기판 상에 상기 제2 배선을 형성하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 어느 특정 국면에서는, 상기 제1 보조 배선 전극의 형성을, 포토리소그래피-에칭법에 의해 실시한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막의 형성을 상기 층간 절연막의 드라이 에칭에 의해 실시한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 제조 방법의 또 다른 특정 국면에서는, 상기 층간 절연막이, 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 무기 유전체 재료층과, 상기 제1 무기 유전체 재료와는 다른 제2 무기 유전체 재료로 이루어지는 제2 무기 유전체 재료층을 가지며, 상기 제1 무기 유전체 재료층 및 상기 제2 무기 유전체 재료층을 에칭법에 의해 형성할 때, 상기 제1 무기 유전체 재료층의 에칭 속도를, 상기 제2 무기 유전체 재료층의 에칭 속도보다도 높게 한다.
본 발명에 따른 탄성파 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 무기 유전체 재료를 사용한 배선의 입체 교차 부분에서, 제2 배선의 크랙이나 단선 불량을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 1(a) 및 도 1(b)는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분을 확대하여 나타내는 부분 컷아웃 평면도 및 도 1(a) 중의 I-I선을 따른 단면도이다.
도 2(a) 및 도 2(b)는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도 및 그 압전 기판 상의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 3은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분을 나타내는 정면 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분을 나타내는 정면 단면도이다.
도 5(a) 및 도 5(b)는, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분의 부분 컷아웃 평면도 및 도 5(a) 중의 II-II선을 따른 부분의 단면도이다.
도 6(a) 및 도 6(b)는, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분의 부분 컷아웃 평면도 및 도 6(a) 중의 III-III선을 따른 부분의 단면도이다.
도 7(a) 및 도 7(b)는, 본 발명의 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분의 부분 컷아웃 평면도 및 도 7(a) 중의 IV-IV선을 따른 부분의 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 제7 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분의 정면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써, 본 발명을 명백하게 한다.
또한 본 명세서에 기재된 각 실시형태는, 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 2(a) 및 도 2(b)는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 정면 단면도 및 압전 기판 상의 전극 구조를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 2(b)에서는, 도 2(a) 중의 덮개재(5) 및 범프(bump)(8a, 8b)를 제거한 구조가 모식적으로 평면도에서 나타나 있다. 또한 도 2(a)는, 도 2(b) 중의 A-A선을 따른 부분에서의 탄성파 장치(1)의 단면을 나타내고 있다.
탄성파 장치(1)는, 압전 기판(2)을 가진다. 압전 기판(2)은, LiTaO3, LiNbO3 등의 압전 단결정으로 이루어진다. 압전 기판(2)은, 압전 세라믹스로 이루어지는 것이어도 된다.
압전 기판(2) 상에 적어도 하나의 IDT 전극(3)이 마련되어 있다. 실제로는, 복수의 IDT 전극이 마련되고, 탄성파 필터가 구성되어 있다. 도 2(b)에서는, IDT 전극 및 반사기가 구성되어 있는 부분을, X를 직사각형의 테두리로 둘러싼 기호로 약도적으로 나타내고 있다.
보다 구체적으로는, 압전 기판(2) 상에 3IDT형의 종결합 공진자형 탄성파 필터(9a)나 복수의 탄성파 공진자(9b)가 마련되어 있다. 종결합 공진자형 탄성파 필터(9a)에서는, 3개의 IDT 전극이 탄성파 전파 방향을 따르도록 마련되어 있다. 이 3개의 IDT 전극이 마련되어 있는 영역의 양측에 반사기가 마련되어 있다. 즉, 종결합 공진자형 탄성파 필터(9a)는, 3IDT형의 종결합 공진자형 탄성파 필터이다. 복수의 탄성파 공진자(9b)는, 각각, IDT 전극의 양측에 반사기가 마련되어 있는, 1포트형 공진자이다.
이들의 1포트형 탄성파 공진자(9b)나 종결합 공진자형 탄성파 필터(9a)가, 배선 전극(10)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다.
또한 소형화를 도모하기 위해, 파선으로 나타내는 입체 교차 부분(B)이 복수 마련되어 있다. 탄성파 장치(1)의 특징은, 이 배선의 입체 교차 부분(B)의 구조에 있다.
도 1(a) 및 도 1(b)는, 입체 교차 부분(B)을 확대하여 나타내는 부분 컷아웃 평면도 및 도 1(a) 중의 I-I선을 따른 단면도이다.
입체 교차 부분(B)에서는, 제1 배선(11)과, 제2 배선(12)이, 층간 절연막(13)을 통해 입체 교차하고 있다. 보다 구체적으로는, 압전 기판(2) 상에 제1 배선(11)이 제1 방향으로 연장되어 있다. 여기서 제1 방향이란, 입체 교차 부분(B)에서, 제1 배선(11)이 연장되는 방향을 말하는 것으로 한다. 또한 제2 배선(12)은, 제1 배선(11)과 다른 전위에 접속된다.
제1 배선(11)을 피복하도록, 무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막(13)이 마련되어 있다. 이 층간 절연막(13) 상에서, 제1 방향과 직교하는 방향인 제2 방향으로 연장되는 제2 배선(12)이 마련되어 있다. 따라서 층간 절연막(13)을 통해 제1 배선(11)과 제2 배선(12) 사이의 절연이 도모되고 있다.
또한 입체 교차 부분에서 제2 배선(12)이 연장되는 방향이 제2 방향이다. 그리고 이 제2 방향은, 제1 방향과 교차하는 방향이면 되고, 직교하는 방향에는 한정되지 않는다.
본 실시형태의 특징은, 이 입체 교차 부분(B)에서, 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있는 것에 있다.
제1 보조 배선 전극(14, 15)은, 압전 기판(2) 상에 마련되어 있고, 제2 방향으로 연장되어 있다. 제1 배선(11)의 한쪽 측에 제1 보조 배선 전극(14)이, 다른 쪽 측에 제1 보조 배선 전극(15)이 마련되어 있다.
제1 보조 배선 전극(14)은, 제2 방향에서 층간 절연막(13)의 외측의 영역으로부터 층간 절연막(13)이 마련되어 있는 영역에 이르도록 배치되어 있다. 제1 보조 배선 전극(15)도, 제2 방향에서, 층간 절연막(13)이 마련되어 있는 부분보다도 외측의 영역으로부터, 층간 절연막(13)이 마련되어 있는 영역에 이르도록 배치되어 있다. 단, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 내측단(14a, 15a)은, 제1 배선(11)과 층간 절연막(13)을 통해 사이를 두고 있다. 또한 내측단이란, 층간 절연막(13)의 중심 측에 위치하고 있는 단부로 한다.
층간 절연막(13)은, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 상면(13a)과, 제1, 제2 측면(13b, 13c)을 가진다. 여기서, 제1 측면(13b) 및 제2 측면(13c)은, 상방으로 감에 따라 층간 절연막(13)의 중앙 측을 향하도록 경사져 있는 경사면으로 되어 있다.
제1 배선(11) 및 제2 배선(12)은, 도 2(b)에 나타낸 탄성파 공진자(9b)나 종결합 공진자형 탄성파 필터(9a)를 구성하고 있는 IDT 전극(3)에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 제1 배선(11)은, 상기 IDT 전극과, 바람직하게는, 동시에 또한 동일한 재료로 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라 제조 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 이 제1 배선(11) 및 IDT 전극을 형성하는 금속 재료에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. Al, Pt, Cu, Au, Ti, Ag, W, Ni, Cr 또는 Mo 등의 금속이 사용될 수 있다. 또한 금속은, 순금속에 한하지 않고, 합금이어도 된다. 또한 IDT 전극 및 제1 배선(11)은, 하나의 금속층에 의해 형성되어도 되고, 복수의 금속층을 적층하여 이루어지는 적층 금속막이어도 된다.
또한 제1 보조 배선 전극(14, 15)도, 또한 제1 배선(11) 및 IDT 전극과 동일한 재료로 동일한 프로세스로 형성하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 제1 배선(11) 및 제1 보조 배선 전극(14, 15)은, 최상부에 AlCu층을 가지는 적층 금속막으로 이루어진다. 보다 구체적으로는, 압전 기판 상에 Ti막 및 AlCu층을 적층한 구조를 가진다. 상기 제1 배선(11), IDT 전극 및 제1 보조 배선 전극(14, 15)은, 증착이나 스퍼터링 등의 박막 형성법에 의해 형성할 수 있다. 바람직하게는, 이러한 성막법에 의해 금속막을 성막한 후 에칭함으로써, 소정 형상의 IDT 전극, 제1 배선(11) 및 제1 보조 배선 전극(14, 15)을 형성하는 것이 바람직하다.
층간 절연막(13)은, 무기 유전체 재료로 이루어진다. 이러한 재료로는, 무기 유전체 재료인 한, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 탄화규소, 산화탄탈, 산화티탄, 질화티탄, 알루미나 등을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 층간 절연막(13)은 산화규소로 이루어진다.
상기 층간 절연막(13)은, 스퍼터링이나 증착 등의 성막 방법에 의해 절연막을 형성한 후, 포토리소그래피-에칭법에 의해 패터닝함으로써 얻어진다. 에칭법은 특별히 한정되지 않고, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 등을 무기 유전체 재료의 종류에 따라 선택하면 된다.
바람직하게는, 포토레지스트를 형성한 후에, 에칭에 앞서 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 이에 따라 포토레지스트의 단면 형상이 둥그스름하기 때문에, 드라이 에칭에 의해 레지스트의 둥그스름한 단면 형상을 패터닝 후의 층간 절연막(13)에 전사할 수 있다.
그리고 상기 층간 절연막(13)을 형성한 후에 제2 배선(12)을 형성한다. 제2 배선(12)은, 본 실시형태에서는, Ti, AlCu 및 Pt의 적층막으로 이루어진다. 제2 배선(12)을 구성하는 재료에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 제1 배선(11)과 동일한 금속 재료를 사용할 수 있다. 또한 제2 배선(12)에 대해서도, 단층이어도 되고, 복수의 금속층을 적층하여 이루어지는 적층 금속막이어도 된다.
또한 제2 배선(12)의 형성에 대해서도, 포토리소그래피-에칭법을 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우의 에칭법에 대해서도 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는, 후술하는 바와 같이, 알칼리계의 현상액을 사용하여 에칭하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 탄성파 장치(1)에서는, 입체 교차 부분(B)에서, 상기 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있기 때문에, 층간 절연막(13) 상에서의 제2 배선(12)의 크랙이나 단선이 생기기 어렵다. 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있지 않은 경우, 층간 절연막(13)의 상면은, 제1 배선(11)이 마련되어 있는 부분의 상방과 그 제2 방향 외측에서, 높이가 다른 것이 된다. 즉, 제1 배선(11)이 마련되어 있는 부분의 바로 위에서는, 층간 절연막(13)의 두께가 두껍고, 제2 방향에서, 제1 배선(11)이 마련되어 있는 영역의 외측에서는, 층간 절연막(13)의 높이가 상대적으로 낮아져 양자 간에 단차가 생긴다. 그 때문에, 이 단차상에서, 제2 배선(12)에도 단차가 생기고, 열충격이 가해졌을 때 등에서, 상기 단차에서 제2 배선에 크랙이 생기거나, 단선이 생길 우려가 있다.
이에 반하여, 본 실시형태에서는, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 내측단(14a, 15a)이 층간 절연막(13)의 내부에 이르도록 마련되어 있기 때문에, 층간 절연막(13)의 상면(13a)이, 제1 배선(11)의 상부와, 그 제2 방향 외측 부분에서 그다지 변화되지 않는다. 그 때문에, 도 1(b)의 화살표(C1, C2)로 나타내는 부분 부근에서의 제2 배선(12)의 크랙이나 단선을 확실하게 억제할 수 있다.
또한 제2 배선(12)의 층간 절연막(13)이 마련되어 있는 부분의 상방에 위치하고 있는 부분의 상면(12a)과, 외측 영역에서의 제2 배선(12)의 상면(12b) 사이에는, 높이(H)의 단차가 생겼지만, 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있기 때문에, 이 단차의 높이(H)를, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 두께분만큼 작게 할 수 있다. 이에 따라서도, 상기 단차 부근에서의 크랙이나 단선을 억제할 수 있다.
또한 상술한 특허문헌 3에서는, 층간 절연막이 수지로 이루어지기 때문에, 층간 절연막 상면이 곡면상이 되어, 그 위에 형성되는 제2 배선에서의 크랙이나 단선은 생기기 어렵다. 이에 반하여, 무기 절연막에 의해 층간 절연막을 형성한 경우 종래, 층간 절연막의 상면의 요철에 의해, 위에 형성되는 제2 배선에서, 열충격 등이 가해지면 크랙이나 단선이 생기는 경향이 있었다. 본 발명은, 이러한 무기 절연막으로 이루어지는 층간 절연막을 이용한 구성에서의 과제를 해결하기 위해 실시된 것이며, 해결 수단으로서 상기 제1 보조 배선 전극(14, 15)을 마련한 것에 특징을 가진다.
도 2(a) 및 도 2(b)로 되돌아가서, 탄성파 장치(1)는, 상기 입체 교차 부분(B)을 가지는 것을 특징으로 하며, 그 밖의 구조에 대해서는, 종래부터 주지의 탄성파 장치와 동일하게 구성되어 있다. 즉, 압전 기판(2) 상에 단자 전극(6a~6g)이 마련되어 있다. 이 단자 전극(6a~6g) 상에 수지로 이루어지는 지지 부재(4)가 마련되어 있다. 이 지지 부재(4)를 관통하도록 도 2(a)에 나타내는 언더 범프 메탈층(7a, 7b)이 마련되어 있다. 또한 지지 부재(4) 상에 중공부를 형성하기 위한 덮개재(5)가 접합되어 있다. 덮개재(5)는, 제1 합성 수지층(5a)과 제2 합성 수지층(5b)을 적층한 구조를 가진다. 단, 덮개재(5)는, 단일의 수지층에 의해 형성되어 있어도 되고, 혹은 수지 이외의 재료로 형성되어 있어도 된다. 언더 범프 메탈층(7a, 7b)은 덮개재(5)를 관통하여 덮개재(5)의 외표면에 이르러 있다. 그리고 언더 범프 메탈층(7a, 7b) 상에 범프(8a, 8b)가 접합되어 있다.
탄성파 장치(1)에서는, 압전 기판(2)과, 지지 부재(4)와 덮개재(5)에 의해, IDT 전극(3)이 면한 중공부가 구성되어 있다. 즉, 이른바 웨이퍼 레벨 패키지 구조(WLP 구조)의 탄성파 장치(1)가 구성되어 있다.
이하, 도 3~도 8을 참조하여, 본 발명의 다른 실시형태의 탄성파 장치를 설명하지만, 이하에서는, 요부가 되는 입체 교차 부분만을 설명하는 것으로 한다. 입체 교차 부분 이외의 구성에 대해서는 상기 제1 실시형태의 설명을 인용함으로써 생략한다.
도 3은, 본 발명의 제2 실시형태의 탄성파 장치에서의 입체 교차 부분을 나타내는 정면 단면도이다.
압전 기판(2) 상에 제1 배선(11), 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 형성되어 있다. 또한 층간 절연막(13)이 제1 배선(11)을 덮도록 형성되어 있다. 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 내측단(14a, 15a)은 제1 실시형태와 마찬가지로, 층간 절연막(13)이 마련되어 있는 영역에 이르도록 형성되어 있다. 그리고 층간 절연막(13)을 덮도록, 제2 방향으로 연장되는 제2 배선(12)이 마련되어 있다.
제1 보조 배선 전극(14, 15)과, 제2 배선(12)의 계면은, 층간 절연막(13)에 근접함에 따라 상방으로 가도록 경사져 있다.
제2 실시형태가 제1 실시형태와 다른 부분은, 도 3에서의 층간 절연막(13)의 제2 방향 외측에 위치하고 있는 제1 측면(13b)의 경사 각도(X1)가, 제1 보조 배선 전극(14)과 제2 배선(12)의 계면의 경사 부분의 경사 각도(X2)보다도 큰 것에 있다. 이에 따라, 도 3의 화살표(C3)로 나타내는 바와 같이, 제2 배선(12)의 상면에서의 단차부에서의 변화를 완화시키는 것이 가능하게 되어 있다. 따라서 화살표(C3)로 나타내는 부분에서의 크랙이나 단선을 억제할 수 있다. 또한 제1 배선(11)의 다른 쪽 측에서도, 층간 절연막(13)의 제2 측면(13c)의 경사 각도가 제1 보조 배선 전극(15)과 제2 배선(12)의 계면의 경사 부분의 경사 각도보다도 커져 있다. 따라서 제1 보조 배선 전극(14) 측과 마찬가지로, 제2 배선(12)의 상면에서의 단차부에서의 변화를 완화시키는 것이 가능하게 되어 있다. 제1, 제2 측면(13b, 13c)의 경사 각도는 50°이하인 것이 바람직하다. 이에 따라, 제2 배선(12)의 크랙이나 단선을 효과적으로 억제할 수 있다.
이러한 구조는, 제2 배선(12)을 패터닝할 때의 에칭용 현상액에 의해, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 최상부의 층을 에칭함으로써 달성할 수 있다. 예를 들면, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 표층이 Al 또는 AlCu 합금 등의 Al을 주체로 하는 재료인 경우, 알칼리계의 현상액을 사용하여 에칭하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 표층이 에칭되고, 제2 배선(12)과 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 계면의 상기 경사 부분의 경사 각도(X2)를, 경사 각도(X1)보다도 작게 할 수 있다.
도 4는, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분을 나타내는 정면 단면도이다. 제3 실시형태에서는, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 제2 배선(12)과 접촉하는 면의 표면 조도가, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 층간 절연막(13)으로 피복되어 있는 영역에서의 상면의 표면 조도보다도 거칠게 되어 있다. 따라서 제1 보조 배선 전극(14, 15)과 제2 배선(12)의 밀착성을 높일 수 있다. 그 밖의 구성은, 제3 실시형태는 제1 실시형태와 동일하다. 따라서 제1 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘한다.
제3 실시형태에서는, 제2 배선(12)이 적층되는 부분에서, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 상면의 표면 조도가 상대적으로 거칠게 되어 있다. 즉, 볼록부(D)가 복수 형성되어 있다. 이들의 볼록부는, 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 바람직하게는, 제1 보조 배선 전극(14, 15) 및 층간 절연막(13)을 형성한 후에 에칭을 실시함으로써 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 상면이 Cu를 포함하는 Al계 합금인 경우, 알카리성 현상액에 의해 에칭하는 것이 바람직하다. 그 경우, CuAl2 금속 간 화합물로 이루어지는 볼록부(D)가 형성된다. 이는, CuAl2 금속 간 화합물을 포함하는 층과, Al-α 고용체로 이루어지는 층에서, 알칼리에 대한 에칭 속도가 다르기 때문이다. 이에 따라, 제1 보조 배선 전극(14, 15)의 상면에 상기 볼록부(D)를 마련할 수 있고, 표면 조도를 높일 수 있다.
또한 Al-Cu 합금에 한하지 않고, Al-Cu-Mg 합금, Al-Cu-Si 합금 등의 Cu를 포함하는 다른 Al계 합금을 사용한 경우에도 동일한 효과가 얻어진다.
제3 실시형태의 탄성파 장치에서는, 볼록부(D)가 형성됨으로써 제1 보조 배선 전극(14, 15)과 제2 배선(12)의 밀착 강도가 높아져, 제2 배선(12)의 박리를 억제할 수 있다. 또한 접촉 면적이 높아지기 때문에, 제1 보조 배선 전극(14, 15)과 제2 배선(12) 사이의 전기적인 접촉 저항을 낮게 할 수 있다. 또한 Al을 주체로 하는 표층의 산화층의 영향을 받기 어려워지고, 이에 따라서도, 상기 접촉 저항을 낮출 수 있다.
도 5(a) 및 도 5(b)는, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 입체 교차 부분의 부분 컷아웃 평면도 및 도 5(a) 중의 II-II선을 따른 단면도이다.
도 5(a)로부터 명백한 바와 같이, II-II선을 따른 면은, 상술한 제1 방향으로 연장되는 단면이다. 본 실시형태에서는, 제1 방향에서, 층간 절연막(13)의 외측으로부터 층간 절연막(13) 상에 이르도록, 제2 보조 배선 전극(21, 22)이 마련되어 있다. 제2 보조 배선 전극(21, 22)은, 제2 배선(12)과 사이를 두고 있다. 그 밖의 구성은, 본 실시형태는, 제1 실시형태와 동일하다. 따라서 제2 배선(12)이 연장되는 제2 방향에서는, 도 1(b)에 나타낸 구조와 동일한 구조를 가지며, 동일한 작용 효과를 가진다.
제4 실시형태에서는, 제1 방향에서, 제2 보조 배선 전극(21, 22)이, 제1 배선(11)으로 피복되어 있는 부분으로부터 층간 절연막(13)의 상면에 이르도록 마련되어 있다. 따라서 제1 배선(11)에서의 배선 저항을 낮출 수 있다. 특히, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 제1 배선(11)이 층간 절연막(13)의 형성 후에 에칭에 노출되면, 제1 배선(11)의 막두께가, 층간 절연막(13)으로 피복되어 있지 않은 부분에서 얇아진다. 그 때문에, 제1 배선(11)의 배선 저항이 증가할 우려가 있다. 이에 반하여, 본 실시형태에서는, 제2 보조 배선 전극(21, 22)이 적층되어 있기 때문에, 제1 배선(11)에서의 배선 저항의 증대를 억제할 수 있다.
상기 제2 보조 배선 전극(21, 22)은, 적절한 금속 혹은 합금에 의해 형성할 수 있다. 또한 단일의 금속막에 한하지 않고, 적층 금속을 사용해도 된다.
도 6(a) 및 도 6(b)는, 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분의 부분 컷아웃 평면도 및 도 6(a) 중의 III-III선을 따른 단면도이다.
본 실시형태에서도, 제1 배선(11)과 제2 배선(12)이 층간 절연막(13)을 통해 입체 교차하고 있다. 그리고 제1 및 제2 실시형태와 마찬가지로, 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있다.
제5 실시형태가 제1 실시형태 및 제2 실시형태와 다른 부분은, 층간 절연막(13)이 하방의 제1 유전체 재료층으로서의 제1 층간 절연막층(13A)과, 제1 층간 절연막층(13A) 상에 마련된 제2 유전체 재료층으로서의 제2 층간 절연막층(13B)을 가지는 것에 있다. 여기서는, 제1 층간 절연막층(13A)의 측면(13a1, 13a2)의 압전 기판(2)의 상면에 대한 경사 각도(E1)가, 제2 층간 절연막층(13B)의 측면(13b1, 13b2)의 압전 기판(2)의 상면에 대한 경사 각도(E2)보다도 큰 것에 있다.
그 때문에, 상기 측면(13a1, 13a2)으로부터 측면(13b1, 13b2)에 걸친 부분상에서의 제2 배선(12)의 변화가 완화되어 있다. 그 때문에, 제2 배선(12)에서의 크랙이나 단선을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한 제1 층간 절연막층(13A) 및 제2 층간 절연막층(13B)은, 레지스트의 단면 형상을 전사함으로써 형성할 수 있다. 즉, 포토레지스트를 형성한 후에 열처리를 실시하면, 패터닝된 레지스트의 단면 형상은 둥그스름해진다. 이 상태에서 드라이 에칭하면, 레지스트의 둥그스름한 단면 형상을, 제1, 제2 층간 절연막층(13A, 13B)에 전사할 수 있다. 또한 레지스트의 단면 형상을, 제1 층간 절연막층(13A)을 형성한 경우와, 제2 층간 절연막층(13B)을 형성하는 경우로 다르게 해 두면 된다.
이 경우, 제1 층간 절연막층(13A)과, 제2 층간 절연막층(13B)은, 동일 재료로 형성해도 되고, 다른 재료로 형성해도 된다.
도 7(a) 및 도 7(b)는, 제6 실시형태에 따른 탄성파 장치의 입체 교차 부분을 설명하기 위한 부분 컷아웃 평면도 및 도 7(a) 중의 IV-IV선을 따른 단면도이다.
제6 실시형태에서는, 제5 실시형태와 마찬가지로, 층간 절연막(13)이, 제1 층간 절연막층(13A)과 제2 층간 절연막층(13B)을 가진다. 여기서는, 제1 층간 절연막층(13A)과 제2 층간 절연막층(13B)은 다른 유전체 재료로 형성되어 있다. 그리고 제1 층간 절연막층(13A) 및 제2 층간 절연막층(13B)은, 절연막을 성막한 후에 에칭함으로써 형성되어 있다. 이 경우, 바람직하게는, 제1 층간 절연막층(13A)을 패터닝할 때의 에칭 속도를, 제2 층간 절연막층(13B)을 형성하기 위한 에칭 속도보다도 높아지도록 드라이 에칭하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 경사 각도(E1)를 경사 각도(E2)보다도 크게 할 수 있다. 즉, 제5 실시형태와 동일한 경사 각도 관계를 실현할 수 있다.
따라서 제6 실시형태에서도 제5 실시형태와 마찬가지로, 제1 층간 절연막층(13A)과 제2 층간 절연막층(13B)이 이어지는 부분의 상방에서, 제2 배선(12)의 변화를 완화시킬 수 있다. 따라서 제2 배선(12)의 크랙이나 단선을 보다 효과적으로 억제할 수 있다.
또한 상술해 온 제1~제6 실시형태에 따른 입체 교차 부분은, 탄성파 장치에서, 압전 기판(2) 상에서 노출되어 있어도 되고, 혹은 수지 등으로 이루어지는 지지 부재에 의해 피복되어 있어도 된다. 즉, 도 2(a) 및 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)에서는, 수지로 이루어지는 지지 부재(4)를 사용함으로써 중공부가 형성되어 있었다. 소형화를 도모하기 위해서는, 입체 교차 부분은 이 지지 부재(4)에 의해 도 8에 나타내는 바와 같이 피복되어 있어도 된다. 도 8에 나타내는 제7 실시형태에서, 입체 교차 부분은, 도 1(b)와 동일하다. 입체 교차 부분(B) 상에 지지 부재(4)가 형성되어 있었다고 해도, 제2 배선(12)에 가해지는 응력을, 제1 보조 배선 전극(14, 15)이 마련되어 있음으로써 저감할 수 있다. 즉, 지지 부재(4)를 형성하기 위한 수지층 형성 시의 압력이 가해지고, 제2 배선(12) 등의 만곡이나 단선 등이 생길 우려가 있지만, 제2 배선(12)에서, 상술한 바와 같이 크랙이나 단선의 우려가 작다. 따라서 지지 부재(4)를, 입체 교차 부분(B)을 덮도록 마련해도 된다. 그 결과, 탄성파 장치(1)의 소형화를 진행시킬 수 있으면서, 설계의 자유도를 높일 수 있다.
또한 본 발명은, 상술한 WLP 구조의 탄성파 장치에 한하지 않고, 다양한 구조의 탄성파 장치에 널리 이용할 수 있다.
1: 탄성파 장치 2: 압전 기판
3: IDT 전극 4: 지지 부재
5: 덮개재 5a, 5b: 제1, 제2 합성 수지층
6a~6g: 단자 전극 7a, 7b: 언더 범프 메탈층
8a, 8b: 범프 9a: 종결합 공진자형 탄성파 필터
9b: 탄성파 공진자 10: 배선 전극
11, 12: 제1, 제2 배선 12a, 12b: 상면
13: 층간 절연막 13A, 13B: 제1, 제2 층간 절연막층
13a: 상면 13a1, 13a2: 측면
13b, 13c: 제1, 제2 측면 13b1, 13b2: 측면
14, 15: 제1 보조 배선 전극 14a, 15a: 내측단
21, 22: 제2 보조 배선 전극

Claims (16)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 마련된 복수의 IDT 전극과,
    상기 압전 기판 상에 마련되어 있고, 상기 복수의 IDT 전극을 전기적으로 접속하고 있는 복수의 배선을 포함하며,
    상기 복수의 배선이 제1 배선과, 상기 제1 배선과는 다른 전위에 접속되는 제2 배선을 가지며,
    상기 압전 기판 상에서, 상기 제1 배선의 일부를 피복하도록 마련되어 있고, 무기 유전체 재료로 이루어지는 층간 절연막을 더 포함하며,
    상기 제2 배선의 일부가, 상기 제1 배선의 일부와 상기 층간 절연막을 통해 입체 교차하고 있으며,
    상기 입체 교차하고 있는 부분에서, 상기 층간 절연막의 외측의 영역으로부터 상기 층간 절연막이 마련되어 있는 영역으로 연장되어 있고, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서 상기 제2 배선의 하면(下面)에 적층되어 있으며, 상기 층간 절연막이 마련되어 있는 영역에서, 상기 층간 절연막 및 상기 제2 배선의 하방(下方)에 위치하고 있는, 제1 보조 배선 전극을 더 포함하고,
    상기 층간 절연막이, 상기 제1 배선의 한쪽 측 및 다른 쪽 측에 위치하고 있는 제1 및 제2 측면을 가지며, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면이, 상방(上方)으로 감에 따라 상기 층간 절연막의 중앙에 위치하도록 경사져 있는 경사면으로 되어 있고, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서, 상기 제1 보조 배선 전극과 상기 제2 배선의 계면이 상기 층간 절연막으로 가까이 감에 따라 상방으로 가도록 경사져 있으며,
    상기 층간 절연막의 상기 제1 및 제2 측면의 상기 압전 기판의 상면(上面)에 대한 경사 각도가, 상기 제1 보조 배선 전극과 상기 제2 배선의 상기 계면의 상기 압전 기판의 상면에 대한 경사 각도보다도 크게 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 보조 배선 전극이, 상기 입체 교차하고 있는 부분에서, 상기 제1 배선의 한쪽 측 및 다른 쪽 측의 쌍방에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 보조 배선 전극의 상기 제2 배선이 적층되어 있는 부분에서의 표면 조도(surface roughness)가, 상기 제1 보조 배선 전극의 상기 층간 절연막에 의해 피복되어 있는 부분에서의 표면 조도보다도 큰 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 보조 배선 전극의 상기 제2 배선과 접촉하는 부분이, Cu를 포함하는 Al 합금층이며, CuAl2 금속 간 화합물로 이루어지는 볼록부를 가지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  6. 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 배선이 연장되는 방향으로 연장되어 있고, 상기 층간 절연막의 외측의 영역에서 상기 제1 배선에 적층되어 있으며, 상기 층간 절연막 상에 이르러 있고, 상기 제2 배선과는 사이를 두고 있는, 제2 보조 배선 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 상기 제1, 제2 측면의 상기 경사 각도가 50°이하인 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 상기 제1, 제2 측면이, 경사 각도가 상대적으로 큰 하방 측면부와, 경사 각도가 상대적으로 작은 상방 측면부를 가지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  9. 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 층간 절연막이, 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 유전체 재료층과, 상기 제1 유전체 재료층 상에 적층된 제2 유전체 재료층을 가지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 층간 절연막이 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 유전체 재료층과, 상기 제1 무기 유전체 재료와 다른 제2 무기 유전체 재료로 이루어지는 제2 유전체 재료층을 가지며, 상기 제1 유전체 재료층의 측면이 상기 하방 측면부를 구성하고 있고, 상기 제2 유전체 재료층의 측면이 상기 상방 측면부를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  11. 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압전 기판 상에 마련되어 있고, 상기 IDT 전극이 면한 중공(中空)부를 형성하기 위해 상기 IDT 전극을 둘러싸도록 마련된 지지 부재와,
    상기 중공부를 밀봉하기 위해 상기 지지 부재 상에 마련된 덮개재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지 부재가 적어도 하나의 상기 입체 교차하고 있는 부분 상에 이르도록 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
  13. 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 기재된 탄성파 장치의 제조 방법으로서,
    상기 압전 기판 상에 상기 IDT 전극을 형성하는 공정과,
    상기 압전 기판 상에 상기 제1 보조 배선 전극을 형성하는 공정과,
    상기 압전 기판 상에서, 상기 제1 배선의 일부 및 상기 제1 보조 배선 전극의 일부를 덮도록 상기 층간 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 층간 절연막에서 상기 제1 배선과 교차하는 방향으로 연장되도록, 상기 압전 기판 상에 상기 제2 배선을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 보조 배선 전극의 형성을 포토리소그래피-에칭법에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 층간 절연막의 형성을 상기 층간 절연막의 드라이 에칭에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 층간 절연막이, 제1 무기 유전체 재료로 이루어지는 제1 무기 유전체 재료층과, 상기 제1 무기 유전체 재료와는 다른 제2 무기 유전체 재료로 이루어지는 제2 무기 유전체 재료층을 가지며, 상기 제1 무기 유전체 재료층 및 상기 제2 무기 유전체 재료층을 에칭법에 의해 형성할 때, 상기 제1 무기 유전체 재료층의 에칭 속도를, 상기 제2 무기 유전체 재료층의 에칭 속도보다도 높게 하는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치의 제조 방법.
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