JP6409785B2 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
2…支持基板
2a…凹部
3…積層膜
3a…側面
3b…段差
4…高音速膜
4A…高音速支持基板
5…低音速膜
6…圧電薄膜
7,8…外部接続端子
9…接合材層
11…IDT電極
12…配線電極
13…引き出し電極部
14…パッド電極部
21…弾性波装置
22…支持枠
23…蓋材
24…アンダーバンプメタル層
31,41,51…弾性波装置
52…支持基板
52a…上面
52b…下面
53…ビアホール電極
61,71,75…弾性波装置
72…外部接続端子
81,81A,81B,81C,91…弾性波装置
82…接続配線
92…接続配線
101,111,121,122…弾性波装置
102…仕切り壁
Claims (20)
- 支持基板と、
前記支持基板上に積層されており、圧電薄膜を含む複数の膜を積層してなる積層膜と、
前記圧電薄膜の一方面に設けられたIDT電極と、
前記IDT電極に電気的に接続されている引き出し電極部と、
前記引き出し電極部に連ねられているパッド電極部と、
前記IDT電極が設けられている領域を囲むように設けられており、前記支持基板上に直接または間接に積層されている支持枠と、
前記支持枠上に設けられた蓋材と、
前記パッド電極部の上方に位置しており、前記支持枠及び前記蓋材を貫通するように設けられたアンダーバンプメタル層と、
前記アンダーバンプメタル層上の位置で、前記アンダーバンプメタル層と接合された外部接続端子とを備え、
前記積層膜のうち少なくとも前記圧電薄膜が、前記パッド電極部及び前記支持枠の下方には存在しないように設けられている、弾性波装置。 - 前記パッド電極部の下方において、前記パッド電極部と前記支持基板との間の前記積層膜が実質的に除去されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記パッド電極部の下面が、前記支持基板上面に設けられた凹部に入り込むようにして前記パッド電極部が前記支持基板上に積層されている、請求項2に記載の弾性波装置。
- 前記圧電薄膜は、圧電単結晶薄膜である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電薄膜には、Feが添加されている、請求項4に記載の弾性波装置。
- 前記積層膜が、
前記圧電薄膜の下に設けられており、かつ前記圧電薄膜を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が遅い低音速膜と、
前記低音速膜の下面に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高い高音速膜と、
を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記積層膜が、
前記圧電薄膜の下に設けられており、かつ前記圧電薄膜を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が遅い低音速膜と、
前記低音速膜の下面に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高い高音速膜と、
を有し、
前記パッド電極部と前記支持基板との間に、前記高音速膜及び前記低音速膜のうちの少なくとも1つの層がさらに設けられている、請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記圧電薄膜の下に設けられており、かつ前記圧電薄膜を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が遅い低音速膜を有し、
前記支持基板は、前記低音速膜の下に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高い高音速支持基板である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記外部接続端子が、金属バンプからなる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極が、前記積層膜上に設けられており、
前記引き出し電極部が、前記積層膜上面から前記積層膜の側面上を経て前記パッド電極部に連なっている、請求項1〜9のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記引き出し電極部が形成されている前記積層膜の前記側面が、上方に行くに連れて前記IDT電極側に近付くように、前記支持基板上面に対して傾斜している、請求項10に記載の弾性波装置。
- 前記積層膜の前記引き出し電極部が設けられている前記側面に段差が設けられている、請求項11に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極として、複数のIDT電極が備えられており、隣り合うIDT電極同士を電気的に接続しており、かつ前記積層膜の少なくとも一部の層上に設けられた接続配線をさらに備える、請求項1〜11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記接続配線の下方の一部に、前記積層膜のうち少なくとも前記圧電薄膜が存在しないように前記接続配線が設けられている、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記パッド電極部と前記支持基板との間の構造と、前記接続配線と前記支持基板との間の構造とが異なる、請求項13または14に記載の弾性波装置。
- 前記支持枠の下方に、前記積層膜が存在しない、請求項1〜15のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記積層膜の少なくとも一部の層と前記蓋材とに当接するように設けられた仕切り壁をさらに備える、請求項1または16に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板の下面側に請求項1〜17のいずれか1項に記載の弾性波装置がさらに構成されており、前記支持基板に、上面側の弾性波装置と、下面側の弾性波装置とを電気的に接続している接続電極が設けられている、弾性波装置。
- 前記接続電極が前記支持基板を貫通しているビアホール電極である、請求項18に記載の弾性波装置。
- 支持基板上に、圧電薄膜を含む複数の膜を積層してなる積層膜を積層する工程と、
前記圧電薄膜の一方面にIDT電極を設ける工程と、
前記IDT電極に電気的に接続される引き出し電極部を設ける工程と、
前記引き出し電極部に連ねられるパッド電極部を設ける工程と、
前記IDT電極が設けられている領域を囲むように、前記支持基板上に直接または間接に支持枠を積層する工程と、
前記支持枠上に蓋材を設ける工程と、
前記パッド電極部の上方の位置で、前記支持枠及び前記蓋材を貫通するようにアンダーバンプメタル層を設ける工程と、
前記アンダーバンプメタル層上の位置で、前記アンダーバンプメタル層と外部接続端子とを接合させる工程と、
を備え、
前記積層膜を積層する工程と前記パッド電極部を設ける工程は、
前記積層膜のうち少なくとも前記圧電薄膜を、前記パッド電極部の下方には形成させず、
前記支持枠を積層する工程において、前記積層膜のうち少なくとも前記圧電薄膜が前記支持枠の下方に存在しないように、前記支持枠を積層する、弾性波装置の製造方法。
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