JP2005295363A - 弾性表面波体 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、弾性表面波体の薄型化を図ることを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波体は、シリコン基板12と、このシリコン基板12の上面に設けた圧電体薄膜13と、この圧電体薄膜13の上面に設けた櫛型電極14により構成した弾性表面波素子と、この弾性表面波素子と電気的に接続し圧電体薄膜13の上面の弾性表面波素子外部分に設けたパッド電極15と、このパッド電極15下方の圧電体薄膜13とシリコン基板12とを貫通するスルーホール17と、このスルーホール17に充填した導電性材料と、シリコン基板12の下面側に設けた外部端子24とを備え、パッド電極15と外部端子24とは、スルーホール17内の導電性材料を介して電気的に接続した弾性表面波素子であり、これにより、弾性表面波体の薄型化を図ることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、主に移動体通信機器などで使用される弾性表面波体に関するものである。
従来のこの種弾性表面波体は、例えば特許文献1の図1に記載されているように櫛形電極部4を圧電基板(弾性表面波素子1と記載)上に形成し、その圧電基板は多層基板8上に実装され、この多層基板8に外部端子が設けられていた。
特開平7−99420号公報
上記従来例においては低背化が出来ないという問題があった。
すなわち従来例においては櫛形電極部4を形成するための基板(圧電基板)と、外部端子を設ける多層基板8が別体で、基板二枚構成となるので、低背化には限界が発生してしまうものであった。
そこで、本発明は、弾性表面波素子の薄型化を図ることを目的とするものである。
そして、この目的を達成するために、本発明は、基板と、この基板の上面に形成した圧電体薄膜と、この圧電体薄膜の上面に形成した櫛形電極により構成した弾性表面波素子と、この弾性表面波素子と電気的に接続し前記圧電体薄膜の上面の前記弾性表面波素子外部分に設けたパッド電極と、このパッド電極下方の前記圧電体薄膜と前記基板とを貫通するスルーホールと、このスルーホールに充填した導電性材料と、前記基板の下面側に設けた外部端子とを備え、前記パッド電極と前記外部端子とは、前記スルーホール内の導電性材料を介して電気的に接続したことを特徴とする。
本発明の効果は、弾性表面波素子の薄型化を図ることである。すなわち、櫛形電極と電気的に接続したパッド電極はその下面に設けたスルーホールを介して外部端子との電気的導通を確保することができるため、機能面を上面にして圧電体薄膜を基板上に設けることが可能になる。つまり基板を一枚とすることができるため弾性表面波体の薄型化を図ることができる。
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1から請求項7に記載の発明について図1を参照しながら説明する。
図1において、シリコン基板12は、その上面に圧電体薄膜13が設けられている。この圧電体薄膜13は、窒化アルミ、酸化亜鉛、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウムなどで構成したものであり、シリコン基板12上にスパッタリング法あるいはCVD法などにより形成したものである。
この圧電体薄膜13は、その上面の所望の位置に櫛形電極14が設けられ、圧電体薄膜13の表面に弾性表面波を励起する(以下、この櫛形電極14の占める領域を弾性表面波素子の機能面29という)。
また、圧電体薄膜13は、その上面の櫛形電極14により構成した弾性表面波素子外部分に電極パッド15を有する。この電極パッド15は電気抵抗を下げるために櫛形電極14よりも厚く成膜されている。
さらに、櫛形電極14及びパッド電極15は、保護膜16により保護されている。この保護膜16は、封止プロセスでガスが発生しても電極の腐食が起きないように保護する目的で形成される。なお、この保護膜16は、通常SiO2などの誘電率の低い誘電体で形成される。
そして、シリコン基板12および圧電体薄膜13は、電極パッド15の下面にスルーホール17を有する。このスルーホール17は、ドライエッチング法などによってシリコン基板12に設けた垂直に深い貫通穴であり、金属などで構成する導電性材料を充填する。このスルーホール17内の導電性材料は、電極パッド15と電気的に接続され、後述のように、シリコン基板12の下面側に設けた外部端子24との導通がとれるようになっている。
また、スルーホール17は、貫通穴側壁に絶縁物18を有し、この絶縁物18は、シリコン基板12に導電性材料が流出することを防ぐもので、例えば、CVD法などによりSiO2などの誘電体で形成される。
なお、ドライエッチング法などで用いるエッチング剤は、シリコン基板12及び圧電体薄膜13等を通過し、異種の材料を用いている電極パッド15で止まるので機能面29に与える影響が少ない。
シリコン基板12は、その下面に、ビアホール17aを有する第1の絶縁体膜19と、この第1の絶縁体膜19の下面に設けた第2の絶縁体膜20とからなる。また、この第2の絶縁体膜20は再配線用電極21を有し、再配線用電極21とスルーホール17とに充填した導電性材料はそれぞれ電気的に接続し、パッド電極15と外部端子24とを電気的に接続している。さらに、この第2の絶縁体膜20は、外部端子24が所定の場所のみに形成されるように、必要な部分のみが開口するように形成する。
外部端子24は、まず、第2の絶縁体膜20の開口部分にスパッタ等の密着性の高い被膜プロセスで第1の金属膜22を作製し、次に、その上に重ねるようにめっき等の手法により第2の金属膜23を形成し、その後、この第2の金属膜23上に形成したものである。
一方、電極パッド15の上面に設けた保護膜16は、さらにその上部に圧電体薄膜13の機能面29を保護するため、接着樹脂26を介して接着した樹脂フィルム25を有する。
ここで、接着樹脂26は、樹脂フィルム25の表面全体に塗布されていてもよいが、圧電体薄膜13の機能面29を避けた領域のみに塗布されていることが望ましい。このようにすることによって、振動空間30を容易に作り出すことができ、樹脂フィルム25がたわんで弾性表面波の機能面29に接触することを防ぐことができる。
また、接着樹脂26は感光性樹脂により構成されている。これにより、接着部分のパタンを容易に作製することができるため、弾性表面波素子の生産性を向上することができる。なお、接着樹脂26は硬化する際に有機ガスが発生しないものが望ましい。すなわち、振動空間30に有機ガス等が出ると弾性表面波に影響が出る可能性があるためである。したがって、熱硬化するものよりは化学反応や光によって硬化するものが望ましい。
このようにして形成した弾性表面波素子は、その上面および外周にスパッタリング等の薄膜プロセスで形成した第3の金属膜27を有する。これにより、弾性表面波素子を密閉するため、圧電体薄膜13の機能面29が外気から保護されるので信頼性が確保される。
また、第3の金属膜27は、その上面にさらにめっき等のプロセスで形成した第4の金属膜28を有する。これにより、第4の金属膜28により第3の金属膜27に厚みを持たせることで、抵抗が下がり導電性も高められ、さらにシールド効果を高めることができる。
以上のような構成において、本実施の形態1の弾性表面波体の薄型化を図ることができる。すなわち、櫛形電極14も外部端子24も一枚のシリコン基板12に設けるので、薄型化が図れるのである。また、圧電体薄膜13はシリコン基板12上に形成されているため、シリコン基板12から第4の金属膜28までの厚みは、シリコン基板12の厚みに、圧電体薄膜13、樹脂フィルム25、接着樹脂26、第3の金属膜27、第4の金属膜28等の膜厚を加えたもので決まる。これらは薄膜であり、シリコン基板12と圧電体薄膜13との間に隙間を設ける必要はないため、この結果として、弾性表面波素子の薄型化を図ることができる。
また、基板をシリコン基板12とすることにより、弾性表面波素子の薄型化を図ることができる。すなわち、一般に弾性表面波素子で使用されるタンタル酸リチウム基板は劈開性を持つ結晶であり、セラミクスなどの十分な強度を持つ別の基板で補強する必要があるとされる。ところが、シリコン基板12は強度が高いので上記実施の形態で説明した構造をとることで、0.3mm以下で作製することも可能である。この結果として、弾性表面波素子の薄型化を図ることができる。
さらに、この構造によれば、弾性表面波チップの大きさの範囲内で電極の引き出し等の再配線などを行うことができるので、弾性表面波チップと全く同様のサイズまでパッケージ全体を小型化することができる。
(実施の形態2)
以下、実施の形態2を用いて、本発明の特に請求項8から請求項13に記載の発明について図2を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態1と同一の構成をとるものについては、同一符号を付し、説明を簡略化する。
図2において本発明の実施の形態2の特徴は、まず、第1の絶縁体膜19と第2の絶縁体膜20との間に、グランド電極31および第3の絶縁体膜32を形成した点である。すなわち、シリコン基板12側から順に、第1の絶縁体膜19、グランド電極31、第3の絶縁体膜32、第2の絶縁体膜20となるように形成した。
このグランド電極31は、できるだけ広い面積をとるように形成されており、グランド端子(図示せず)と接続されている。また、このグランド電極31は、このシリコン基板12の一辺の縁33まで延長されており、外周を覆うように形成される第3の金属膜27、第4の金属膜28と接続されている。
このようにすることで、グランドの面積が広くなり、グランド電位が安定し、さらに外周を覆う金属の電位がより理想グランドに近くなることでシールドの効果が増すことになる。
なお、第1、第2、第3の絶縁体膜19、20、32はさらに多層に形成することが可能であり、それぞれの界面に電極パタンを形成することで、位相線路や、インダクタ、キャパシタなどを構成することができる。特に、キャパシタは絶縁体膜の両側に対向するように電極を構成すればよく、この絶縁体膜の層を強誘電体にすれば、大きなキャパシタンスを得ることも可能である。
さらに、これら第1、第2、第3の絶縁体膜19、20、32の材料は、SiO2などをスパッタリング等で作製した方が、ファインなパタンを形成するには有利であるが、第3の絶縁体膜32はシリコンの熱酸化膜でよく、また、残りの絶縁体膜はポリイミドなどで作製すれば、コストをかけずに膜厚の制御、ファインなパタンやスルーホールの形成が可能である。また、ポリイミドならば、絶縁体膜の厚みを数十ミクロンといった厚みをもたせることも可能であり、膜厚の制御もコストをかけずに自由にできるので有利である。
本発明は、弾性表面波体の薄型化ができるという効果を有し、主に移動体通信機器などで使用される弾性表面波体に有用である。すなわち、弾性表面波体の厚みは、主に、基板の厚みに圧電体薄膜、めっき電極、接着樹脂、樹脂フィルム等の膜厚を加えたもので決まり、一枚の基板で構成するので、この結果として、弾性表面波体の薄型化を図ることができる。
本発明の実施の形態1における弾性表面波体の断面図 本発明の実施の形態2における弾性表面波体の断面図
符号の説明
12 シリコン基板
13 圧電体薄膜
14 櫛形電極
15 パッド電極
16 保護膜
17 スルーホール
18 絶縁物
19 第1の絶縁体膜
20 第2の絶縁体膜
21 再配線用電極
22 第1の金属膜
23 第2の金属膜
24 外部端子
25 樹脂フィルム
26 接着樹脂
27 第3の金属膜
28 第4の金属膜
29 弾性表面波素子の機能面
30 振動空間
31 グランド電極
32 第3の絶縁体膜
33 シリコン基板の一辺の縁

Claims (13)

  1. 基板と、
    この基板の上面に設けた圧電体薄膜と、
    この圧電体薄膜の上面に設けた櫛形電極により構成した弾性表面波素子と、
    この弾性表面波素子と電気的に接続し前記圧電体薄膜の上面の前記弾性表面波素子外部分に設けたパッド電極と、
    このパッド電極下方の前記圧電体薄膜と前記基板とを貫通するスルーホールと、
    このスルーホールに充填した導電性材料と、
    前記基板の下面側に設けた外部端子とを備え、
    前記パッド電極と前記外部端子とは、前記スルーホール内の導電性材料を介して電気的に接続した弾性表面波体。
  2. 外部端子は、基板と、この基板の下面に設けた絶縁体膜をそれぞれ貫通したスルーホール、ビアホール内の導電性材料を介して、パッド電極と電気的に接続した請求項1に記載の弾性表面波体。
  3. 絶縁体膜は少なくとも、
    基板の下面において、ビアホールを有する第1の絶縁体膜と、
    この第1の絶縁体膜の下面において、再配線用電極を有する第2の絶縁体膜とからなり、スルーホール、ビアホールに充填した導電性材料と再配線用電極とを電気的に接続し、
    パッド電極と外部端子とを電気的に接続する請求項2に記載の弾性表面波体。
  4. 弾性表面波素子上を樹脂フィルムでカバーした請求項1に記載の弾性表面波体。
  5. 樹脂フィルムは、弾性表面波が伝搬する部分に対応する部分以外の面に塗布した接着樹脂により基板側に接着した請求項4に記載の弾性表面波体。
  6. 接着樹脂は感光性樹脂とした請求項5に記載の弾性表面波体。
  7. 樹脂フィルムの表面と基板の側面には、金属箔を設けた請求項5に記載の弾性表面波体。
  8. 第1の絶縁体膜はシリコンの熱酸化膜とした請求項3に記載の弾性表面波体。
  9. 絶縁体膜の少なくとも1層は強誘電体とした請求項3に記載の弾性表面波体。
  10. 絶縁体膜はポリイミドにより構成した請求項3に記載の弾性表面波体。
  11. 絶縁体膜の少なくとも1層は、面の50%以上の領域が接地された単一のグランド電極とした請求項3に記載の弾性表面波体。
  12. グランド電極は弾性表面波素子の少なくとも一辺の縁まで延長した請求項11に記載の弾性表面波体。
  13. 金属膜はグランド電極と接触した請求項11に記載の弾性表面波体。
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