JP2009032843A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子32と、半導体素子32の上部に設けられ、内側に空洞部38を形成する枠材36と、枠材36の周囲を覆うモールド樹脂層42と、を備える。枠材36は同一の樹脂を含む樹脂膜(第1樹脂膜57a,第2樹脂膜58a)から形成されている。空洞部38内に半導体素子32の能動領域34が露出している
【選択図】図1
Description
第一に、微小フタや微小壁が導体を含む場合、素子の電極パッドに接続するように設けられたワイヤと接触し電気的に短絡する可能性があった。
本発明においては、枠材は樹脂膜から形成されているので、電気的な短絡が抑制される。
第1実施形態の半導体装置を、図1に記載の断面図を用いて説明する。図1においては、半導体装置がリードフレーム上に搭載された例によって説明する。
第1樹脂膜57aと第2樹脂膜58aは、同一の樹脂を含む樹脂膜により形成されている。
そのような樹脂としては、熱および光により硬化可能な樹脂を含むことができる。
図2(a)〜(c)、図3(a)〜(b)は本実施形態の製造工程断面図である。図4(a)〜(c)は本実施形態の製造工程平面図である。
図2〜4においては半導体素子32の部分を示しているが、製造工程を説明するためのものであり、実際にはウエハ状態で製造される。
本実施形態においては、空洞部38内には半導体素子32の能動領域34が露出している。これにより、寄生容量の影響を低減することができ、トランジスタを高性能化することができる。
これにより、製造工程において枠材36に対する熱応力が抑制され、枠材36の破壊が抑制されている。そのため、空洞部38への封止樹脂等の浸入が抑制され、製品の信頼性が向上する。このように、本発明の半導体装置は、製造安定性に優れる構造を有している。
枠材36は樹脂膜から形成されるので、物理的または化学的な能動領域34へのダメージを抑制することができ、製造安定性に優れるとともに製品の歩留まりが向上する。
例えば、半田付けは、半田材を事前につけておく必要があり、半田を付着させる際、素子に付着し、素子を破壊させる可能性がある。
溶接は、材料を溶解する際に、温度あるいは溶解した材料によって、素子にダメージを与える可能性がある。
これにより、光照射により所望の形状に成形することができるとともに、加熱により樹脂膜をBステージ化して接着性を付与することができるので、製造安定性に優れた構成を備える。
31 リードフレーム
32 半導体素子
34 能動領域
36 枠材
38 空洞部
40 ワイヤ
42 モールド樹脂層
51 半導体基板
52 ゲート電極
53 ソース電極
54 ドレイン電極
55 配線
56 配線
57 塗布膜
57a 第1樹脂膜
58 第2樹脂膜
58a 第2樹脂膜
59 能動領域
Claims (11)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の上部に設けられ、内側に空洞部を形成する枠材と、
前記枠材の周囲を覆うモールド樹脂層と、を備え、
前記枠材は同一の樹脂を含む樹脂膜から形成され、
前記空洞部内に前記半導体素子の能動領域が露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記枠材は、
前記半導体素子の前記能動領域を囲むように立設する第1樹脂膜と、
前記第1樹脂膜に囲まれる空間を上方から密封する蓋材としての第2樹脂膜と、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置において、
前記第1および第2樹脂膜は、熱および光により硬化する樹脂からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂膜は、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子を覆うように液状の樹脂組成物を塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜をパターニングし、前記半導体素子の能動領域を囲むように立設する第1樹脂膜を形成する工程と、
前記半導体素子を覆うように第2樹脂膜を載置するとともに前記第2樹脂膜を前記第1樹脂膜の上端部に圧着し、前記第1樹脂膜に囲まれる空間を密封することにより、空洞部を有する枠材を形成する工程と、
前記枠材の周囲を覆うようにモールド樹脂層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2樹脂膜はシート状であり、
前記枠材を形成する前記工程は、
ウェハ上の複数の前記半導体素子を覆うようにシート状の前記第2樹脂膜を載置するとともに前記第2樹脂膜を前記第1樹脂膜の上端部に圧着し、前記空洞部を有する複数の前記枠材を形成する工程を含み、
前記モールド樹脂層を形成する工程の前に、複数の前記半導体素子間の前記第2樹脂膜を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法において、
前記塗布膜は熱および光により硬化可能な樹脂を含み、
前記第1樹脂膜を形成する前記工程は、
前記塗布膜の未露光部分を除去することにより前記第1樹脂膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記枠材を形成する前記工程の前に、前記第1樹脂膜を加熱する工程を含み、
前記第1樹脂膜に囲まれる空間を密封する前記工程において、
前記第2樹脂膜を加熱された状態の前記第1樹脂膜の上端部に圧着することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2樹脂膜は、熱および光により硬化可能な樹脂を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記枠材を形成する前記工程の後に、
前記枠材を加熱硬化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5乃至10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1および第2樹脂膜は、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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