JP2018182095A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の接合部材の這い上がりによる不具合を防止するとともに、低背化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置２０Ｃを実装する際、接合部材である半田３０が半導体基板の側面を這い上がったとしても、その側面を絶縁性樹脂５０で被覆することで、短絡不具合の発生を未然に防止する。また、半導体基板２１の裏面を覆う絶縁性樹脂の厚さを薄くし、あるいは無くすことができるので、半導体装置を低背化できる。【選択図】図１

Description

本発明は、小型化、薄型化の要求に応える半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体基板の周囲が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置およびその製造方法に関する。

電子機器の小型化に伴い、実装する半導体装置の小型化、低背化が求められている。そのため、半導体装置を実装基板上にベアチップ状態で直接接続する方法がとられている。図７は、ベアチップ状態の半導体装置２０Ａを実装基板１０上に実装した状態を示す図である。実装基板１０表面には、配線金属１１が形成されている。一方半導体装置２０Ａは、導電性の半導体基板２１の表面側（図面では下側）に図示しない半導体素子が形成されており、この半導体素子に接続する電極２２が半導体基板２１の表面に形成されている。また半導体基板２１表面は、電極２２の表面の一部を除き、絶縁膜２３で覆われている。一般的に実装基板１０に実装する際には、配線金属１１と電極２２が接合部材の半田３０により接続されている。

このように半導体装置２０Ａは、その表面は絶縁膜２３で覆われているものの、側面は半導体基板２１の切断面を露出する構造となっていた。そのため、実装基板１０に半田３０を用いて実装する際、位置ずれやチップの傾き等の不具合が発生した場合、図８に示すように半田３０が半導体基板２１の側面を這い上がり、導電性の半導体基板２１と短絡してしまうという問題があった。

そこで、半導体基板２１の側面を絶縁化する必要がある。その一つの方法として、半導体装置の側面を絶縁性樹脂で被覆することが考えられる。例えば特許文献１には、個片化した半導体チップを封止樹脂で被覆し、切断することで半導体装置の側面あるいは裏面を樹脂で覆い、その後個片化して半導体装置を形成する方法が開示されている。具体的にはまず、バンプ電極２２Ｂを備えた半導体チップ２０をインターポーザ４０上に実装する（図９ａ）。バンプ電極２２Ｂは高さが高い接合を形成するため、半田等の這い上がりによる不具合を防止することができる。その後、全面に絶縁性樹脂５０を塗布し、平坦化する（図９ｂ）。ダイシングテープ６０に絶縁性樹脂５０の平坦な表面を貼り付け、インターポーザ４０側からダイシングソー７０を用いて個片化する（図９ｃ）。ここで、個片化する際、絶縁性樹脂５０側からは切断位置を確認することができないため、配線等が形成されたインターポーザ４０側から切断することになる。また、絶縁性樹脂５０をダイシングテープ６０に貼り付けるため、絶縁性樹脂５０は平坦にする必要があった。その結果、個片化された半導体装置２０Ｂは、インターポーザ４０上に矩形の絶縁性樹脂が形成された構造となり、インターポーザ４０に形成された電極を実装基板等に実装する場合に半田の這い上がりが起こったとしても、ショート等の不具合が発生することがなくなる。

また、半導体チップ２０を被覆する絶縁性樹脂５０は、半導体チップ２０の信頼性を確保するために形成されるため、厚く形成されるのが一般的であった。

さらにまた特許文献２には、半導体ウエハをダイシングテープに貼り付け、個片化し、ダイシングシートをエキスパンドして間隔を広げ図９(ａ)に相当する状態とし、その間隙に封止樹脂を充填する（図９ｂに相当）技術が開示されている。その後、個片化する方法も図９（ｃ）に示す方法と同様で、封止樹脂をダイシングテープ６０に貼り付け、封止樹脂とは反対側を表面にしてダイシングソーにより個片化する方法が採られている。

特許第３７４１６７０号公報 特開２００３−２７３２７号公報

従来、ベアチップ状態の半導体装置を半田等の接合部材で実装する際、接合部材が導電性の半導体基板の側面を這い上がり、半導体基板と短絡してしまうという問題があった。この問題を解決する方法として、半導体装置の側面を絶縁性樹脂で覆う方法も提案されている。しかし従来提案されている方法は、インターポーザ４０を使用したり、絶縁性樹脂５０の表面をダイシングテープに密着させるため、半導体チップ上に厚い絶縁性樹脂を塗布する必要があり、半導体装置の低背化の妨げとなっていた。本発明は、半導体装置の接合部材の這い上がりによる不具合を防止するとともに、低背化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本願請求項１に係る半導体装置は、導電性の半導体基板の表面に形成された電極と、側面を被覆する絶縁性樹脂とを備えた半導体装置において、前記側面を被覆する絶縁性樹脂は、前記側面と平行な切断面を有することと、前記側面を被覆する絶縁性樹脂に連続して前記半導体基板の裏面を被覆する絶縁性樹脂を備え、該裏面を被覆する絶縁性樹脂は、前記裏面の中央部側を被覆する厚さに比べて前記裏面の周端部を被覆する厚さが薄く、表面が湾曲した凸形状となっていることを特徴とする。

本願請求項２に係る半導体装置は、導電性の半導体基板の表面に形成された電極と、側面を被覆する絶縁性樹脂とを備えた半導体装置において、前記絶縁性樹脂は、前記側面のみを被覆し、前記側面と平行な切断面を有するとともに、前記電極が形成された前記半導体基板表面側の前記側面の一部を被覆し、前記半導体基板裏面側の前記側面の一部を露出していることを特徴とする。

本願請求項３に係る半導体装置の製造方法は、導電性の半導体基板の表面に電極を備え、前記半導体基板の側面および裏面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、導電性の半導体基板表面に電極を形成する工程と、前記半導体基板および前記電極の表面を保護用部材に貼り付け、露出する前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の一部を除去して個片化し、前記保護用部材上に半導体チップを整列させる工程と、該整列した半導体チップの裏面と側面とを覆うように、前記半導体基板を除去した間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、前記絶縁性樹脂を前記半導体チップの側面に残し、前記間隙の前記絶縁性樹脂の一部を除去し、個々の半導体装置に個片化する工程と、を含み、前記間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程は、前記間隙に充填された前記絶縁性樹脂表面の高さが、前記半導体チップの裏面上を被覆する前記絶縁性樹脂表面の高さより低くなるように前記絶縁性樹脂を充填する工程であり、前記個片化する工程は、前記半導体チップの裏面上に凸形状の前記絶縁性樹脂を残し、前記間隙に充填された前記絶縁性樹脂の一部を除去する工程であることを特徴とする。

本願請求項４に係る半導体装置の製造方法は、導電性の半導体基板の表面に電極を備え、前記半導体基板の側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、導電性の半導体基板表面に電極を形成する工程と、前記半導体基板および前記電極の表面を保護用部材に貼り付け、露出する前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の一部を除去して個片化し、前記保護用部材上に半導体チップを整列させる工程と、該整列した半導体チップの側面の前記半導体基板の表面側の一部を覆うように、前記半導体基板を除去した間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、前記絶縁性樹脂を前記半導体チップの側面に残し、前記間隙の前記絶縁性樹脂の一部を除去し、個々の半導体装置に個片化する工程と、を含み、前記間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程は、前記間隙に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程であることを特徴とする。

本発明によれば、絶縁性を保ちつつ、半導体基板の裏面を覆う絶縁性樹脂の厚さを薄くし、あるいは無くすことができるので、半導体装置の小型化、低背化を実現することが可能となる。

また、半導体基板の側面および裏面を被覆する絶縁性樹脂を薄くすることで、矩形の半導体チップを覆う絶縁性樹脂の外形を丸みを帯びた形状とすることができ、半導体チップの欠け等を防ぐことができるという利点がある。

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面を保護用部材に貼り付けた後、絶縁性樹脂で被覆する工程や個片化する工程を保護用部材に貼り付けた状態のままで行うことができ、非常に簡便な方法である。特に、２００μｍ程度の薄い半導体基板であっても問題なく本発明により製造することが可能となり、より低背化を実現できるという利点がある。

本発明の第１の実施例の半導体装置の説明図である。 本発明の第１の実施例の半導体装置製の造工程を説明する図である。 本発明の第２の実施例の半導体装置の説明図である。 本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工程を説明する図である。 本発明の第３の実施例の半導体装置の説明図である。 本発明の第４の実施例の半導体装置の映像工程を説明する図である。 半導体チップを実装基板上に実装した状態を示す図である。 実装時に半田の這い上がりが発生した場合の説明図である。 半導体装置を絶縁性樹脂で被覆する従来の製造方法の説明図である。

本発明は、半導体基板の側面あるいはさらに裏面を薄い絶縁性樹脂で覆った半導体装置およびその製造方法を提案するものである。特に本発明の半導体装置は、半導体装置を実装する際、半田等の接合部材が半導体基板の側面を這い上がったとしても、その側面を絶縁性樹脂で被覆しており、短絡等の不具合の発生を未然に防止している。以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。

まず、本発明の第１の実施例について、半導体基板の側面および裏面を絶縁性樹脂で被覆する構造の半導体装置を例にとり、詳細に説明する。図１（ａ）は第１の実施例の半導体装置の断面図を、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す半導体装置をファイスダウン状態で実装した際、半田が這い上がった状態の説明図である。本実施例の半導体装置２０Ｃは、図１（ａ）に示すように導電性の半導体基板２１の表面側に図示しない半導体素子が形成されており、この半導体素子に接続する電極２２が半導体基板２１の表面に形成されている。また半導体基板２１の表面は、電極２２表面の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。さらに本実施例の半導体基板２１の側面および裏面は、絶縁性樹脂５０で被覆されている。その結果、半導体基板２１の表面および側面、さらには裏面が、絶縁膜２３と絶縁性樹脂５０により被覆された構造となる。

このような構造の半導体装置２０Ｃを実装基板１０に実装する際、図１（ｂ）に示すように半田３０の這い上がりが発生したとしても、半導体基板２１の表面を覆う絶縁膜２３と側面を覆う絶縁性樹脂５０が存在するため、電極２２と半導体基板２１との間で短絡等の不具合が発生することがなくなる。

なお、本実施例の半導体装置２０Ｃは、以下に説明する方法により製造することによって、裏面を覆う絶縁性樹脂５０が、角部に丸みを帯びた凸形状とすることができる。このようは形状の半導体装置２０Ｃとすることでハンドリングする際、欠け等の発生を防ぐことができる。また、裏面を覆う絶縁性樹脂５０を厚く形成する必要はなく、半導体装置の低背化に好適な形状となっている。以下、本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。

図２に本実施例の半導体装置の製造方法を示す。まず、通常の半導体装置の製造方法に従い、導電性の半導体基板２１の表面側（図２の下側）に所望の半導体素子を形成し、この半導体素子に接続する電極２２を半導体基板２１の表面に形成する。半導体基板２１の表面は、電極２２表面の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。その後、半導体基板２１表面をダイシングテープ６０（保護用部材に相当）に貼り付ける。半導体基板２１の裏面側からダイシングソー７０Ａを用いて半導体基板２１および絶縁膜２３の一部を格子状に切削除去し個片化し、個々の半導体チップに個片化する。図２（ａ）は、個片化工程の途中工程を示しており、図中点線で示す領域が切削除去される領域である。

個片化された半導体チップ２０は、ダイシングテープ６０上に所定の間隔（ダイシングソー７０Ａにより切削除去された幅）を保ち配置した状態となる。一例としては、厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ａを使用して半導体基板２１を切断すると、切削除去される幅は３０μｍ程度となる。一般的な半導体装置の製造工程では、このように個片化した後にダイシングテープ６０をエキスパンドし、半導体チップ間の間隔を広げる。しかしながら本実施例では、整列状態を保つために、ダイシングテープ６０をエキスパンドしないことが好ましい。

その後、この整列状態を保ったまま全面に絶縁性樹脂５０を塗布する。塗布方法はスクリーン印刷方法等を採用することができる。絶縁性樹脂５０は、半導体基板２１表面の電極２２と接続する半田の這い上がりを絶縁すれば足り、半導体基板２１の側面および裏面を被覆する絶縁性樹脂５０の厚さが薄くても何ら問題はない。半導体基板２１の裏面を被覆する絶縁性樹脂５０を薄く形成するため、絶縁性樹脂５０は、図２（ｂ）に示すように先に半導体基板２１の一部を切削除去した領域の表面が凹状となる程度に塗布し、この凹部を埋めて表面が平坦になるほど厚く塗布する必要はない。一方、半導体基板２１の側面を覆う絶縁性樹脂５０は、半導体基板２１の側面に突出する構造となるため、短絡等を防止するために必要な範囲を超えて形成することが好ましい場合には、図２（ｂ）に示す程度に厚く塗布してもよい。

次に、ダイシングソー７０Ｂを用いて個々の半導体装置に個片化する。このとき本実施例では、絶縁性樹脂５０を塗布した状態のまま、換言すると半導体基板２１の表裏を変えることなく、絶縁性樹脂５０側から切断する。絶縁性樹脂５０側の表面は、位置合わせの基準となるような半導体チップの電極２２等は露出していない。しかし本実施例では、絶縁性樹脂５０表面には凹部が格子状に配置しており、この凹部に沿って切断することができる。なお切断に使用するダイシングソー７０Ｂは、図２(ａ)で説明したダイシングソー７０Ａより幅の狭いものを使用する。具体的には、厚さ１５μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して絶縁性樹脂５０を切断すると、切削除去される幅は、１５μｍ程度となり、両側にそれぞれ厚さ７．５μｍ程度の絶縁性樹脂５０が残る。この残った絶縁性樹脂５０が、半導体基板２１の側面を被覆する絶縁性樹脂５０となる。なお図２（ｃ）は、個片化工程の様子を示しており、図中点線で示す領域が切削除去される領域を示している。

このように形成した半導体装置２０Ｃは、半導体基板の裏面を被覆する絶縁性樹脂の厚さが、中央部側に比べて、半導体基板周端部を覆う厚さが薄くなる。絶縁性樹脂表面はなだらかに連続しているから、絶縁性樹脂表面は角部に丸みを帯びた（湾曲した）凸形状となる。また半導体基板周端部から側面側を覆う絶縁性樹脂は、塗布された表面を有する凸形状の部分から、ダイシングソー７０Ｂによって切断された切断面に連続する。

前述のとおり、半導体基板周端部を覆う絶縁性樹脂が湾曲した形状となることで、実装時等にこの周端部に加わる衝撃を緩和することができ、半導体チップの欠け等を防止することができる。

また、半導体チップ上に形成される絶縁性樹脂の厚さは、その表面を平坦にするほど厚く形成する必要がなく、半導体装置の低背化に効果が大きい。

さらにまた、本実施例の製造方法によれば、一旦ダイシングシート６０に貼り付ければ、そのまま半導体チップの個片化、絶縁性樹脂の充填、半導体装置の個片化と製造工程を進めることができ、特に２００μｍ程度と薄い半導体基板に対しても適用することができ、半導体装置の低背化が可能となる。

次に第２の実施例について説明する。上記第１の実施例では、半導体基板の側面および裏面を絶縁性樹脂で被覆した場合を例にとり説明したが、本発明の半導体装置は、必ずしも裏面を絶縁性樹脂で被覆する必要はない。例えば、図３に示すように半導体装置の電極が形成されている表面側に選択的に絶縁性樹脂５０を形成することも可能である。

図３(ａ)は第２の実施例の半導体装置の断面図を、図３（ｂ）は図３(ａ)に示す半導体装置をファイスダウン状態で実装した際、半田が這い上がった状態の説明図である。本実施例の半導体装置２０Ｄは、図３（ａ）に示すように導電性の半導体基板２１の表面に図示しない半導体素子が形成されており、この半導体素子に接続する電極２２が半導体基板２１の表面に形成されている。また半導体基板２１の表面は、電極２２の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。さらに本実施例の半導体基板２１の側面の一部は、絶縁性樹脂５０で被覆されている。その結果、半導体基板２１の表面側は、絶縁膜２３と絶縁性樹脂５０により被覆された構造となる。

このような構造の半導体装置２０Ｄを実装基板１０に実装する場合、図３（ｂ）に示すように半田３０の這い上がりが発生したとしても、半導体基板２１の表面を覆う絶縁膜２３と側面の一部を覆う絶縁性樹脂５０が存在するため、電極２２と半導体基板２１との間で短絡等の不具合が発生することがなくなる。

なお、本実施例の半導体装置２０Ｄは、以下に説明する方法により製造することができる。まず、通常の半導体装置の製造方法に従い、導電性の半導体基板２１の表面側（図４の下側）に所望の半導体素子を形成し、この半導体素子に接続する電極２２を半導体基板２１の表面に形成する。半導体基板２１の表面は、電極２２の表面の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。その後、半導体基板２１表面をダイシングテープ６０（保護用部材に相当）に貼り付ける。半導体基板２１の裏面側からダイシングソー７０Ａを用いて半導体基板２１および絶縁膜２３の一部を格子状に切削除去し個片化し、個々の半導体チップに個片化する。図４（ａ）は、個片化工程の途中工程を示しており、図中点線で示す領域が切削除去される領域である。ここまでの工程は、上記第1の実施例と同様の工程である。

その後、整列状態を保った状態で絶縁性樹脂５０を塗布する。ここで本実施例では上記第１の実施例と異なり、半導体基板２１の切削除去された領域に選択的に絶縁性樹脂５０を充填する（図４ｂ）。絶縁性樹脂５０は、半導体基板２１表面の電極２２と接続する半田の這い上がりを絶縁すれば足り、半導体基板２１の側面を被覆する厚さや高さは、適宜設定すれば良い。

次に、ダイシングソー７０Ｂを用いて個々の半導体装置に個片化する。上記第１の実施例同様、半導体基板２１の裏面側から切断する。本実施例では、半導体基板２１の裏面側には絶縁性樹脂５０が充填された凹部が格子状に配置していることが視認でき、上記第１の実施例に比べて容易に切断することができる。なお、切断に使用するダイシングソー７０Ｂは、図４(ａ)で説明したダイシングソー７０Ａより幅の狭いものを使用する。具体的には、厚さ１５μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して絶縁性樹脂５０を切断すると、切削除去される幅は１５μｍ程度となり、両側にそれぞれ厚さ７．５μｍ程度の絶縁性樹脂５０が残る。この残った絶縁性樹脂５０が、半導体基板２１の側面を被覆する絶縁性樹脂５０となる。なお図４（ｃ）は、個片化工程の様子を示しており、図中点線で示す領域が切削除去される領域を示している。

このように形成した半導体装置２０Ｄは、半導体基板の裏面を被覆する絶縁性樹脂がないので、上記第１の実施例で説明した半導体装置２０Ｃよりもさらに低背化が可能となる。また、本実施例の製造方法によっても、一旦ダイシングシート６０に貼り付ければ、そのまま半導体チップの個片化、絶縁性樹脂の充填、半導体装置の個片化と製造工程を進めることができ、特に２００μｍ程度と薄い半導体基板に対しても適用することができ、半導体装置のさらなる低背化が可能となる。

次に第３の実施例について説明する。上記第１の実施例では、半導体基板の側面および裏面を完全に絶縁性樹脂で被覆する場合を例にとり説明したが、裏面は必ずしも完全に被覆する必要はない。例えば図５に示すように半導体基板２１の側面と裏面の一部に選択的に絶縁性樹脂５０を形成することも可能である。

本実施例の半導体装置２０Ｅの製造方法は、上記第１の実施例で説明した絶縁性樹脂を塗布する際、半導体基板２１の裏面に選択的に塗布することを除けば、上記第１の実施例で説明した方法と同一であるので、詳細な説明は省略する。

次に第４の実施例について説明する。本実施例は、個々の半導体チップに個片化する方法が上記実施例とは相違する。図６に本実施例の半導体装置の製造方法を示す。まず、通常の半導体装置の製造方法に従い、導電性の半導体基板２１の表面に所望の半導体素子を形成し、この半導体素子に接続する電極２２が半導体基板２１の表面に形成されている。また半導体基板２１表面は、電極２２の表面の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。その後本実施例では、通常のフォトグラフ法により、隣接する半導体素子間の絶縁膜２３及び半導体基板２１の一部を除去し、凹部２４を形成する（図５ａ）。

その後、残された半導体基板２１の一部によって一体化されている半導体基板２１表面をバックグラインドテープ８０（保護用部材に相当）に貼り付ける。半導体基板２１の裏面側から半導体基板２１をエッチング法あるいは研磨法等により図５（ｂ）に点線で示す厚さまで薄膜化する。その結果、先に形成した凹部２４が露出し、個々の半導体チップ２０に個片化される（図５ｃ）。個片化された半導体チップ２０は、先に形成した凹部２４の幅に相当する間隔を保ち、バックグラインドテープ８０上に整列することになる。

以下、上記第１乃至第３の実施例で説明したように絶縁性樹脂５０を塗布し、塗布した絶縁性樹脂５０の一部を除去することで、先に説明した半導体装置２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅを形成することが可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、半導体装置の接合部材の這い上がりによる不具合を防止するとともに、低背化を実現する半導体装置およびその製造方法を提供することが可能となる。

なお本発明は、上記実施例に限定されるものでないことは言うまでもない。例えば、個片化を行う際、ダイシングソーを用いる代わりに、レーザーダイシング法であってもよい。

１０：実装基板、１１：配線金属、２０Ａ〜２０Ｅ：半導体装置、２０：半導体チップ、２１：半導体基板、２２：電極、２３：絶縁膜、３０：半田、４０：インターポーザ、５０：絶縁性樹脂、６０：ダイシングテープ、７０：ダイシングソー、８０：バックグラインドシート

Claims (4)

1. 導電性の半導体基板の表面に形成された電極と、側面を被覆する絶縁性樹脂とを備えた半導体装置において、
   前記側面を被覆する絶縁性樹脂は、前記側面と平行な切断面を有することと、
   前記側面を被覆する絶縁性樹脂に連続して前記半導体基板の裏面を被覆する絶縁性樹脂を備え、該裏面を被覆する絶縁性樹脂は、前記裏面の中央部側を被覆する厚さに比べて前記裏面の周端部を被覆する厚さが薄く、表面が湾曲した凸形状となっていることを特徴とする半導体装置。
2. 導電性の半導体基板の表面に形成された電極と、側面を被覆する絶縁性樹脂とを備えた半導体装置において、
   前記絶縁性樹脂は、前記側面のみを被覆し、前記側面と平行な切断面を有するとともに、前記電極が形成された前記半導体基板表面側の前記側面の一部を被覆し、前記半導体基板裏面側の前記側面の一部を露出していることを特徴とする半導体装置。
3. 導電性の半導体基板の表面に電極を備え、前記半導体基板の側面および裏面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、
   導電性の半導体基板表面に電極を形成する工程と、
   前記半導体基板および前記電極の表面を保護用部材に貼り付け、露出する前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の一部を除去して個片化し、前記保護用部材上に半導体チップを整列させる工程と、
   該整列した半導体チップの裏面と側面とを覆うように、前記半導体基板を除去した間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、
   前記絶縁性樹脂を前記半導体チップの側面に残し、前記間隙の前記絶縁性樹脂の一部を除去し、個々の半導体装置に個片化する工程と、を含み、
   前記間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程は、前記間隙に充填された前記絶縁性樹脂表面の高さが、前記半導体チップの裏面上を被覆する前記絶縁性樹脂表面の高さより低くなるように前記絶縁性樹脂を充填する工程であり、
   前記個片化する工程は、前記半導体チップの裏面上に凸形状の前記絶縁性樹脂を残し、前記間隙に充填された前記絶縁性樹脂の一部を除去する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 導電性の半導体基板の表面に電極を備え、前記半導体基板の側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、
   導電性の半導体基板表面に電極を形成する工程と、
   前記半導体基板および前記電極の表面を保護用部材に貼り付け、露出する前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板の一部を除去して個片化し、前記保護用部材上に半導体チップを整列させる工程と、
   該整列した半導体チップの側面の前記半導体基板の表面側の一部を覆うように、前記半導体基板を除去した間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、
   前記絶縁性樹脂を前記半導体チップの側面に残し、前記間隙の前記絶縁性樹脂の一部を除去し、個々の半導体装置に個片化する工程と、を含み、
   前記間隙に前記絶縁性樹脂を充填する工程は、前記間隙に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images