JP2008140841A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11と、基板11に積層されたn層121、発光層122、およびp層123が順次積層された半導体層12と、半導体層12に積層され、発光層122からの光を基板11方向へ反射する反射電極13と、反射電極13に積層されたp電極15とを有する発光素子10において、反射電極13は、Pt層とした第1反射電極131と、Ag層とした第2反射電極132と、Cr層、Mo層またはTi層とした第3反射電極133とで形成されている。p電極15は、反射電極13全体を覆うように形成することで、Ag層とした第2反射電極132でのマイグレーションの成長による発光不良を防止することができる。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態に係る発光素子を、図面に基づいて説明する。まずは、本実施の形態に係る発光素子の構成について、図1に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る発光素子を示す図である。
11 基板
12 半導体層
121 n層
122 発光層
123 p層
13 反射電極
131 第1反射電極
132 第2反射電極
133 第3反射電極
14 n電極
141 nコンタクト電極
142 nボンディング電極
15 p電極
151 pコンタクト電極
152 pボンディング電極
A 領域
R1,R2 レジスト膜
Claims (3)
- 基板と、前記基板に積層された発光層を含む半導体層と、前記半導体層に積層され、発光層からの光を前記基板方向へ反射する第1電極と、前記第1電極に積層され、少なくともボンディング電極を含む第2電極とを有する発光素子において、
前記第1電極は、Ag層と、前記Ag層上に積層された保護層とを少なくとも含み、
前記保護層は、Cr層、Mo層またはTi層で形成されていることを特徴とする発光素子。 - 前記第2電極は、前記第1電極全体を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記第2電極のうち前記保護層と接する層は、前記保護層と同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の発光素子。
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