KR100994567B1 - 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 n형 화합물 반도체층, 상기 n형 화합물 반도체층의 소정 영역 상에 적층된 공진층, 상기 공진기층 상에 적층된 p형 화합물 반도체층, 상기 p형 및 n형 화합물 반도체층 상에 각각 형성된 전극, 상기 전극 상에 적층된 본딩용 금속막 및 상기 공진기층의 레이저광이 방출되는 면과 마주하는 면에 적층된 고 반사막을 구비하되, 상기 본딩용 금속막의 두께가 상기 고 반사막 두께의 1배 이상인 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.

Description

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법{Semiconductor laser diode and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조과정에서 고 반사막 형성후 처리 과정에서 나타나는 문제점을 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드의 평면도이다.
도 3은 도 2를 3-3방향으로 절개한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조 방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 제1 또는 제2 실시예에 따른 반도체 레이저 다이오드 제조 과정에서 고 반사막 형성 및 처리 공정이 완료된 후의 반도체 레이저 다이오드에 대한 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
40, 60:반도체 레이저 다이오드 40a:n형 화합물 반도체층
40b:p형 화합물 반도체층 42, 44:제1 및 제2 본딩용 금속막
43:전극 46:공진기층
48:고 반사막 50:폴리머막
100:적층물 62, 64:본딩용 금속막
S:단차
1. 발명의 분야
본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
웨이퍼 상에 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 과정에서 p형 전극과 n형 전극을 형성한 다음, 각 전극 상에 본딩용 금속막이 증착된다. 이후, 완성된 반도체 레이저 다이오드에서 한 면으로만 레이저광이 방출되도록 하기 위해, 레이저광이 방출될 수 있는 다른 한 면에 고 반사막을 증착한다. 이때, 상기 고 반사막은 상기 p형 및 n형 전극 상에 적층된 본딩용 금속막에도 증착된다. 상기 본딩용 금속막 상에 고 반사막이 존재하는 경우, 반도체 레이저 다이오드가 동작될 때 발생되는 열이 원활하게 방출될 수 없을 뿐만 아니라 플립칩 본딩에 방해가 된다. 이에 따라, 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조 방법에서는 상기한 바와 같이 고 반사막을 형성한 후, 반응성 이온 식각(Reactive Ion-beam Etching) 공정을 이용하여 상기 본딩용 금속막 상에 적층된 고 반사막을 제거하는 공정을 실시한다.
그런데, 본딩용 금속막과 고 반사막사이의 접착력 약화로 인해 상기 본딩용 금속막 상에 적층된 고 반사막의 일부는 상기 본딩용 금속막과 접착되지 않은 상태로 존재하게 된다. 이러한 원인으로 상기 반응성 이온 식각 공정이 완료된 후에도 상기 본딩용 금속막 상에 고 반사막의 일부가 남게 된다.
도 1은 이러한 결과를 보여준다. 도 1에서 참조번호 10은 상기 반응성 이온 식각 공정에서 고 반사막이 제거된 본딩용 금속막을 나타낸다. 그리고 참조번호 20은 상기 반응성 이온 식각 공정이 완료된 후에도 본딩용 금속막(10) 상에 남아 있는 고 반사막을 나타낸다.
이와 같이, 종래 기술에 의한 반도체 레이저 다이오드(이하, 종래의 레이저 다이오드라 함)의 경우, 본딩용 금속막 상에 적층된 고 반사막을 제거하기 위한 반응성 이온 식각 공정을 실시한 후에도 상기 본딩용 금속막 상에 고 반사막의 일부가 남아 있기 때문에, 종래의 레이저 다이오드는 열 방출효율이 크게 저하될 수 있다. 그리고 플립칩 본딩에서 본딩력이 약화될 수 있고, 아예 본딩이 이루어지지 않을 수 있다.
한편, 상기 반응성 이온 식각 공정을 이용하여 상기 본딩용 금속막 상에 적층된 고 반사막을 제거하는 과정에서 상기한 바와 같은 문제점들이 발견되면서 상기 반응성 이온 식각 공정 대신에 고 반사막을 용해시킬 수 있는 BOE(Buffered Oxide Etchant)를 이용한 습식 식각 공정을 이용하여 상기 고 반사막을 제거하려는 시도가 있었으나, 상기 고 반사막과 상기 BOE가 반응하지 않는 관계로 원하는 바를 이루지 못하고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, p형 및 n형 전극 상에 구비된 본딩용 금속막으로부터 고 반사막을 깨끗이 제거할 수 있는 반도체 레이저 다이오드를 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 n형 화합물 반도체층, 상기 n형 화합물 반도체층의 소정 영역 상에 적층된 공진층, 상기 공진기층 상에 적층된 p형 화합물 반도체층, 상기 p형 및 n형 화합물 반도체층 상에 각각 형성된 전극, 상기 전극 상에 적층된 본딩용 금속막 및 상기 공진기층의 레이저광이 방출되는 면과 마주하는 면에 적층된 고 반사막을 구비하되, 상기 본딩용 금속막의 두께가 상기 고 반사막 두께의 1배 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드를 제공한다.
상기 고 반사막은 단일막 또는 실리콘 산화막 및 티타늄 산화막이 순차적으로 적층된 이중막일 수 있다.
상기 고 반사막은 상기 본딩용 금속막 둘레의 전극 상으로 확장되어 있을 수 있다.
상기 본딩용 금속막은 상기 고 반사막보다 열 팽창계수가 큰 단일막 또는 열 팽창계수가 큰 물질막을 포함하는 이중막일 수 있다.
상기 본딩용 금속막이 이중막인 경우, 상부막의 두께가 상기 고 반사막 두께의 1배 이상일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 n형 화합물 반도체층, 공진기층 및 p형 화합물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 n형 및 p형 화합물 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계, 상기 전극 상에 본딩용 금속막을 형성하는 단계, 상기 본딩용 금속막 상에 상기 공진기층의 레이저광이 방출될 면과 마주하는 면을 덮는 고 반사막을 형성하는 단계 및 상기 고 반사막이 형성된 결과물을 냉각하여 상기 본딩용 금속막 상에 적층된 고 반사막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법을 제공한다.
상기 본딩용 금속막의 두께는 상기 고 반사막의 두께의 1배 이상이 되도록 형성할 수 있다. 또한, 상기 본딩용 금속막은 상기 고 반사막보다 열 팽창계수가 큰 물질막으로 형성할 수 있다.
상기 본딩용 금속막을 이중막으로 형성하는 경우, 상부막은 상기 고 반사막 두께의 1배 이상으로 형성할 수 있다.
본 발명은 또한 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판 상에 n형 화합물 반도체층, 공진기층 및 p형 화합물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 n형 및 p형 화합물 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계, 상기 전극 상에 본딩용 금속막을 형성하는 단계, 상기 본딩용 금속막 상에 상기 본딩용 금속막과 접착력이 약한 물질막을 증착하는 단계, 상기 물질막 상으로 상기 공진기층의 레이저광이 방출될 면과 마주하는 면을 덮는 고 반사막을 형성하는 단계 및 상기 물질막 을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법을 제공한다.
상기 물질막은 폴리머막으로 형성할 수 있다.
상기 본딩용 금속막은 귀금속막 혹은 귀금속막을 포함하는 이중막으로 형성할 수 있다.
이러한 본 발명을 이용하면, p형 및 n형 전극 상에 형성된 본딩용 금속막으로부터 고 반사막을 깨끗하게 제거할 수 있다. 따라서 반도체 레이저 다이오드 동작 중에 발생되는 열을 효과적으로 그리고 정상적으로 제거할 수 있고, 본딩 공정에서 본딩력이 약화되거나 아예 본딩이 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
먼저, 본 발명의 실시예에 의한 반도체 레이저 다이오드(이하, 본 발명의 레이저 다이오드라 함)에 대해 설명한다.
도 2는 고 반사막 제거 공정이 완료된 시점에서의 웨이퍼로부터 분리된 본 발명의 레이저 다이오드의 평면을 보여준다. 도 2에서 참조번호 40은 본 발명의 레이저 다이오드를 나타내고, 42는 n형 전극(미도시) 상에 형성된 제1 본딩용 금속막을, 44는 p형 전극(미도시) 상에 형성된 제2 본딩용 금속막을 나타낸다. 그리고 참조부호 S는 제1 본딩용 금속막(42)이 적층된 영역과 상기 제2 본딩용 금속막(44)이 적층된 영역간의 단차를 나타낸다. 도면상으로는 구분이 되지 않지만, 제2 본딩용 금속막(44)이 적층된 영역이 돌출되어 있다.
도 2를 3-3방향으로 절개한 단면을 보여주는 도 3을 참조하면, 참조번호 46은 활성층과 클래드층 등을 포함하여 레이저광이 방출하는 공진기층을 나타낸다. 그리고 참조부호 L은 공진기층(46)으로부터 방출되는 레이저광을 나타낸다. 공진기층(46)을 중심으로 상하로 p형 화합물 반도체층(40b)과 n형 화합물 반도체층(40a)이 존재한다. p형 화합물 반도체층(40b)은 상부가 리지 형태일 수 있으나, 편의 상 상부가 평평한 단일층으로 도시하였다. n형 화합물 반도체층(40a)은 버퍼층 등을 포함할 수 있으나, 편의 상 단일층으로 도시하였다. p형 화합물 반도체층(40b) 상에 p형 전극(43)이 적층되어 있고, p형 전극(43)의 소정 영역 상에 제2 본딩용 금속막(44)이 적층되어 있다. 제2 본딩용 금속막(44) 둘레의 p형 전극(43)은 고 반사막(48)으로 덮여 있다. 고 반사막(48)은 n형 화합물 반도체층(40a), 공진기층(46) 및 p형 화합물 반도체층(40b)을 포함하는 적층물(100)의 좌측 측면을 덮고 있다. 이에 따라, 적층물(100)의 좌측 측면의 반사율이 우측 측면의 반사율보다 높게 된다. 따라서 공진기층(46)에서 발생된 레이저광(L)은 고 반사막(48)이 덮이지 않은 적층물(100)의 우측 측면으로 방출된다.
제2 본딩용 금속막(44)은 제1 두께(t1)로 적층되어 있고, 고 반사막(48)은 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)로 적층되어 있다. 제1 두께(t1)는 제2 두께(t2)보다 1배 이상 두꺼운 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5배 이상이다.
또한, 제2 본딩용 금속막(44)은 고 반사막(48)보다 열 팽창계수가 큰 물질막 인 것이 바람직하다.
예를 들면, 고 반사막(48)이 실리콘 산화막(SiO2)과 티타늄 산화막(TiO2)이 순차적으로 적층된 산화막인 경우, 하기한 바와 같이 제조 공정에서 제2 본딩용 금속막(44) 상에 적층된 고 반사막(48)은 완전히 제거되어야 하고, 제2 본딩용 금속막(44)과 접촉되는 것은 실리콘 산화막이기 때문에, 제2 본딩용 금속막(44)은 실리콘 산화막의 열 팽창계수(0.55×10-6/K)보다 큰 열 팽창계수를 갖는 귀금속(noble metal)으로 된 물질막이 바람직하다. 이에 따라, 제2 본딩용 금속막(44)은 골드(Au)막, 은(Ag)막 또는 백금(Pt)막 일 수 있다. 골드막, 은막 및 백금막의 열 팽창계수는 각각 14.2×10-6/K, 19.7×10-6/K, 8.9×10-6/K로써 실리콘 산화막의 열 팽창계수보다 훨씬 크다.
상기 사항은 n형 전극 상에 적층된 제1 본딩용 금속막(42)에도 동일하게 적동된다.
한편, 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)은 단일막으로 도시되어 있으나, 각각은 상부 및 하부막으로 된 이중막일 수 있다. 이 경우, 상기한 사항들은 고 반사막(43)과 상기 상부막사이에 적용될 수 있다.
다음, 상술한 바와 같은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드에 대한 제조 방법을 도 4 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
<제1 실시예>
고 반사막(48)과 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)사이의 열 팽창계수차이 를 이용하는 방법이다.
구체적으로, 도 4를 참조하면, 기판(미도시) 상에 버퍼층 등을 포함하는 n형 화합물 반도체층(40a)과 레이저광이 방출되는 공진기층(46)을 순차적으로 형성한다. 이어서 공진기층(46) 상에 p형 화합물 반도체층(40b)을 순차적으로 형성한다. 이 과정에서 p형 화합물 반도체층(40b)의 상부는 리지 형태로 가공할 수 있다. 계속해서 p형 화합물 반도체층(40b) 상에 p형 전극(43)을 형성한다. 이때, n형 전극(미도시)도 동시에 형성한다. p형 전극(43) 상에 제2 본딩용 금속막(44)을 제1 두께(t1)로 형성한다. 도시하지는 않았지만, 상기 n형 전극 상에도 동일한 두께로 제1 본딩용 금속막(42)을 적층한다. 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)은 하기될 고 반사막(43)으로 사용되는 유전막, 예를 들면 실리콘 산화막보다 열 팽창계수는 크되, 반응 및 접착력은 낮은 귀금속들, 예컨대 골드막, 은막, 백금막으로 형성할 수 있다. 이와 같이 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)을 형성한 다음, n형 화합물 반도체(40a), 공진기층(46) 및 p형 화합물 반도체층(40b)을 포함하는 적층물(100)의 한 측면, 예컨대 도면상 좌측 측면과 p형 전극(43)의 노출된 면과 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)의 전면을 덮는 고 반사막(48)을 형성한다. 고 반사막(48)은 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 형성한다. 고 반사막(48)은 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)보다 열 팽창계수가 낮은 유전막으로 형성하고, 두께는 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 고 반사막(48)은 귀금속보다 열 팽창계수가 훨씬 낮은 실리콘 산화막과 티타늄 산화막을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다. 이때, 고 반사막(48)은 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)의 두께가 고 반사막(48) 두께의 1배 이상이 되도록 형성하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 제1 두께(t1)가 제2 두께(t2)의 1.5배가 되도록 형성할 수 있다.
한편, 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)은 각각 상부 및 하부막으로 이루어진 이중막으로 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 상부막을 귀금속막으로 형성할 수 있고, 상기 하부막은 금속막, 예를 들면 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다. 그리고 상기 이중막 중에서 고 반사막(43)과 접촉되는 것은 상기 상부막이므로, 상부막을 제1 두께(t1)로 형성할 수 있고, 고 반사막(43)은 상기한 바와 같이 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이 고 반사막(43)을 형성하는 과정에서 웨이퍼 온도는 150℃까지 상승된 다음, 고 반사막(43)이 형성된 후 냉각된다. 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)과 고 반사막(43)사이의 반응 및 접착력은 약한 반면, 열 팽창계수 차는 상기한 바와 같이 크기 때문에, 상기 냉각과정에서 고 반사막(43)은 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)으로부터 깨끗하게 분리된다. 도 5는 이러한 결과를 보여준다.
이와 같이 본 발명에 의한 반도체 레이저 다이오드 제조 방법은 종래와 같이 반응성 이온 식각 공정을 실시하지 않으면서도 제1 및 제2 본딩용 금속막(42, 44)으로부터 고 반사막(43)을 깨끗하게 제거할 수 있다.
<제2 실시예>
리프트 오프(lift off) 방식을 이용하여 본딩용 금속막으로부터 고 반사막을 제거하는 경우로써, 제1 실시예에서 언급된 부재들에 대한 설명은 생략한다. 하기 설명은 제1 본딩용 금속막(42)에도 그대로 적용될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 실시예에 따라 제2 본딩용 금속막(44)을 형성하는 공정까지 진행한다. 이후, 제2 본딩용 금속막(44) 상에 표면 에너지가 매우 작은 폴리머막(50), 예컨대 감광막을 형성한다.
제2 본딩용 금속막(44) 상에 폴리머막(50)을 형성하는 것은 물질들사이의 접착력 세기가 다음 순서로 작아짐을 감안한 것이다.
동종 금속>고체-용액>금속-산화물>금속-폴리머
이와 같이 제2 본딩용 금속막(44)과 폴리머막(50)사이의 접착력의 세기는 가장 약하므로, 후속 고 반사막(43) 형성 공정이 완료된 후, 제2 본딩용 금속막(44)으로부터 폴리머막(50)을 쉽게 제거할 수 있다.
상기와 같이 폴리머막(50)을 형성한 다음, 적층물(100)의 좌측 측면과 p형 전극(43)이 노출된 면을 덮는 고 반사막(48)을 폴리머막(50) 상에 형성한다. 고 반사막(48)을 형성한 다음, 폴리머막(50)을 제거하는데, 이 과정에서 폴리머막(50) 상에 적층된 고 반사막(43)도 함께 제거된다. 이렇게 해서, 제2 본딩용 금속막(44) 상에는 고 반사막(43)이 존재하게 않게 되고, 도 7에 도시한 바와 같이, 표면이 깨끗한 제2 본딩용 금속막(44)을 얻을 수 있다.
도 8은 상술한 방법으로 본딩용 금속막으로부터 고 반사막이 제거된 반도체 레이저 다이오드의 평면을 보여준다. 도 8에서 참조번호 60은 반도체 레이저 다이오드를, 62는 p형 전극 상에 형성된 본딩용 금속막으로써, 상기한 제2 본딩용 금속막(44)에 해당된다. 그리고 참조번호 64는 n형 전극 상에 형성된 본딩용 금속막으 로써, 상기한 제1 본딩용 금속막(42)에 해당된다.
도 8에 도시된 본딩용 금속막(62, 64)의 표면은 도 1에 도시된 본딩용 금속막(10)의 표면과 달리 이 물질이 없이 깨끗한 것을 볼 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 제조 방법을 이용하는 경우, 본딩용 금속막으로부터 고 반사막을 완전히 제거할 수 있지만, 간혹 본딩용 금속막 상에 소량의 고 반사막이 남을 수 있을 것이다. 이 경우에는 붙였다 뗄 수 있는 접착막(adhesive layer)을 이용하여 본딩용 금속막 표면에 남아 있을 수 있는 소량의 고 반사막을 제거할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 고 반사막과 본딩용 금속막사이의 두께비가 상기한 바와 다를 수 있는 물질로 고 반사막 또는 본딩용 금속막을 형성할 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 경우, 본딩용 금속막이 고 반사막보다 적어도 1배 이상 두껍게 형성되고, 고 반사막보다 열 팽창계수가 큰 귀금속막으로 형성된다. 또는 고 반사막 형성 동안에 본딩용 금속막이 폴리머막으로 보호된다. 따라서 본 발명을 이용하면, 본딩용 금속막으로부터 고 반사막 을 완전히 제거할 수 있으므로, 반도체 레이저 다이오드 동작 중에 발생되는 열을 효과적으로 그리고 정상적으로 제거할 수 있다. 또한 본딩 공정에서 본딩력이 약화되거나 본딩이 이루어지지 않는 것을 방지할 수 있다.

Claims (14)

  1. n형 화합물 반도체층;
    상기 n형 화합물 반도체층의 소정 영역 상에 적층된 공진기층;
    상기 공진기층 상에 적층된 p형 화합물 반도체층;
    상기 p형 및 n형 화합물 반도체층 상에 각각 형성된 전극;
    상기 전극 상에 적층된 본딩용 금속막; 및
    상기 공진기층의 레이저광이 방출되는 면과 마주하는 면에 적층된 반사막을 구비하되,
    상기 본딩용 금속막의 두께가 상기 반사막 두께의 1배 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사막은 단일막 또는 이중막인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 반사막은 실리콘 산화막 및 티타늄 산화막이 순차적으로 적층된 이중막인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반사막은 상기 본딩용 금속막 둘레의 전극 상으로 확장된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막은 상기 반사막보다 열 팽창계수가 큰 단일막 또는 열 팽창계수가 큰 물질막을 포함하는 이중막으로 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막이 이중막으로 된 경우, 상부막의 두께가 상기 반사막 두께의 1배 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막은 귀금속막인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 상부막은 귀금속막인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
  9. 기판 상에 n형 화합물 반도체층, 공진기층 및 p형 화합물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 n형 및 p형 화합물 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계;
    상기 전극 상에 본딩용 금속막을 형성하는 단계;
    상기 본딩용 금속막 상에 상기 공진기층의 레이저광이 방출될 면과 마주하는 면을 덮는 반사막을 형성하는 단계; 및
    상기 반사막이 형성된 결과물을 냉각하여 상기 본딩용 금속막 상에 적층된 반사막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막의 두께는 상기 반사막의 두께의 1배 이상이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막은 상기 반사막보다 열 팽창계수가 큰 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막은 귀금속막으로, 상기 반사막은 유전막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막으로부터 상기 반사막을 제거한 후, 상기 본딩용 금속막에 접착막을 붙였다 떼는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서, 상기 본딩용 금속막은 이중막으로 형성하되, 상부막을 상기 반사막 두께의 1배 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법.
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