JP2002033282A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 窒化物半導体と異なる異種基板の上に、
周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成された第１の保護膜と、
前記第１の保護膜を覆って、基板全面に形成された第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層の全面に形成された窒化物半導体から成る欠陥分散層と、
前記欠陥分散層上に、周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成された第２の保護膜と、
前記第２の保護膜を覆って、基板全面に形成された第２窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板。
【請求項２】 窒化物半導体と異なる異種基板の上に、
周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成された窒化物半導体から成るシード結晶と、
前記シード結晶を覆って、基板全面に形成された第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層の全面に形成された窒化物半導体から成る欠陥分散層と、
前記欠陥分散層上に、周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成された保護膜と、
前記保護膜を覆って、基板全面に形成された第２窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板。
【請求項３】 前記欠陥分散層の厚さが、３０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】 前記保護膜が、融点１２００℃以上の金属、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及びこれらの多層膜から成る群から選択された１種から成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】 窒化物半導体と異なる異種基板の上に、第１の保護膜を周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成する工程と、
前記第１の保護膜を覆って、基板全面に、第１窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第１窒化物半導体層の全面に、窒化物半導体から成る欠陥分散層を形成する工程と、
前記欠陥分散層上に、第２の保護膜を周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成する工程と、
前記第２の保護膜を覆って、基板全面に、第２窒化物半導体層を形成する工程とを備えた窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】 窒化物半導体と異なる異種基板の上に、窒化物半導体から成るシード結晶を周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成する工程と、
前記シード結晶を覆って、基板全面に、第１窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第１窒化物半導体層の全面に、窒化物半導体から成る欠陥分散層を形成する工程と、
前記欠陥分散層上に、保護膜を周期的なストライプ状、格子状又は島状に形成する工程と、
前記保護膜を覆って、基板全面に、第２窒化物半導体層を形成する工程とを備えた窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】 さらに、前記異種基板を除去する工程を備えた請求項５又は６に記載の窒化物半導体基板の製造方法。