JP2006108161A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 透光性基板と、この透光性基板の上に積層された半導体層とを有し、ｎ電極とｐ電極とが前記透光性基板に対して前記半導体層側に形成され、発光した光を前記透光性基板側から放射するフリップチップ型の半導体発光素子において、
   前記半導体層の最上層であるコンタクト層と、
   該コンタクト層上に形成された前記光に対して透明な透明導電膜と、
   該透明導電膜上に形成された絶縁性保護薄膜と、
   該絶縁性保護膜上に形成された金属から成る前記光に対して高反射率を有する反射膜と、
   該反射膜上に形成されると共に前記透明導電膜の一部と接合するように形成された電極層とを有し、
   前記反射膜の周囲は前記絶縁性保護膜に覆われていることを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記透明導電膜は、その周辺部の少なくとも一部に、前記絶縁性保護膜が形成されていない露出部を有し、その露出部上に前記電極層の一部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記透明導電膜はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子。
4. 前記絶縁性保護膜は酸化硅素又は窒化硅素のうち少なくとも１つから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の半導体発光素子。
5. 前記反射膜はアルミニウム、銀、アルミニウ合金、又は銀合金のうち少なくとも１つから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の半導体発光素子。
6. 前記電極層は、金、金とチタンの多層膜、又は、金とチタンの合金から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の半導体発光素子。