JP2004207742A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の導電型の領域と、
   第２の導電型の領域と、
   該第１導電型の領域と該第２導電型の領域との間に配置され、該第２導電型の領域における波長λ_nを有する光を放射することができる活性領域と、
   該活性領域により放射された光を反射する表面と、
   を含み、
   前記第１導電型の領域と前記第２導電型の領域のうちの一方は、前記活性領域と前記反射表面との間に配置され、
   前記活性領域は、約０．２５λ_nに等しいか又はそれ以下の全厚を有し、
   前記活性領域の一部分は、前記反射表面から０．６λ_nと０．７５λ_nの間に位置する、 ことを特徴とする発光装置。
2. 前記活性領域は、障壁層により分離された２つの量子井戸層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記活性領域の物理的中心は、抽出効率の極大値から０．０５λ_n以内に対応する電極の表面からの距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記活性領域の輝度の中心は、抽出効率の極大値から０．０５λ_n以内に対応する電極の表面からの距離に位置することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. 電極は、前記活性領域により放射された光に対して８０％よりも大きい反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 前記活性領域は、少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物層を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
7. 電極は、銀を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
8. 電極の表面から０．６λ_nと０．７５λ_nの間に位置する前記活性領域の前記部分は、該活性領域の第１の部分を含み、
   該活性領域の第２の部分は、前記電極の表面から１．２λ_nと１．３５λ_nの間に位置する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
9. 前記反射表面は、金属電極の表面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
10. 前記反射表面は、分散型ブラッグ反射器の表面であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。