JP2022172792A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、第１半導体層と、第１半導体層の一方側に設けられた活性層と、活性層の第１半導体層と反対側において活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、第２半導体層の活性層と反対側において第２半導体層と接するよう設けられ、活性層から発される光を反射する反射電極と、を備える。第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとしたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす。【選択図】図２

Description

本発明は、窒化物半導体発光素子に関する。
特許文献１には、活性層において発された深紫外光を基板側から取り出すよう構成された窒化物半導体発光素子が開示されている。当該窒化物半導体発光素子は、基板上に、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層、ｐ型コンタクト層、及びｐ側反射電極を順次備える。
ｐ側反射電極は、深紫外光を反射する性質を有する電極である。窒化物半導体発光素子にｐ側反射電極を設けることにより、活性層から基板と反対側に向かって発された深紫外光が、ｐ側反射電極において基板側に向けて反射されるため、基板から取り出される光の発光出力が向上する。
特開２０２０－０９８９０８号公報
しかしながら、特許文献１に記載の窒化物半導体発光素子においては、発光出力をより向上させる観点から改善の余地がある。
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明は、前記の目的を達成するため、第１半導体層と、前記第１半導体層の一方側に設けられた活性層と、前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとしたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす、窒化物半導体発光素子を提供する。
本発明によれば、発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供することが可能となる。
実施の形態における、窒化物半導体発光素子の構成を概略的に示す模式図である。 実施例１における、第２半導体層の光学膜厚と初期発光出力及び残存発光出力との関係を示すグラフである。 実施例２における、第２半導体層の光学膜厚と順方向電圧との関係を示すグラフである。
［実施の形態］
本発明の実施の形態について、図１乃至図３を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。また、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の窒化物半導体発光素子の寸法比と一致するものではない。
（窒化物半導体発光素子１）
図１は、本形態における窒化物半導体発光素子１の構成を概略的に示す模式図である。窒化物半導体発光素子１（以下、単に「発光素子１」ともいう。）は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）又は半導体レーザ（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を構成するものとすることができる。本形態において、発光素子１は、紫外領域の波長の光を発する発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）である。特に、本形態の発光素子１は、中心波長が２００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の深紫外光を発する。本形態の発光素子１は、例えば殺菌（例えば空気浄化、浄水等）、医療（例えば光線治療、計測・分析等）、ＵＶキュアリング等の分野において用いることができる。
発光素子１は、基板２上に、第１半導体層３と活性層４と第２半導体層５とを順次備える。また、発光素子１は、第１半導体層３上に設けられたｎ側電極６と、第２半導体層５上に設けられたｐ側反射電極７とを備える。以下、便宜上、基板２、第１半導体層３、活性層４及び第２半導体層５の積層方向（図１の上下方向）を上下方向といい、基板２に対して第１半導体層３、活性層４及び第２半導体層５が積層された側（すなわち図１の上側）を上側といい、その反対側（すなわち図１の下側）を下側という。上下の表現は便宜的なものであり、例えば発光素子１の使用時における、鉛直方向に対する発光素子１の姿勢を限定するものではない。本形態において、発光素子１を構成する各層は、上下方向に厚みを有する。
発光素子１を構成する半導体としては、例えば、ＡｌａＧａｂＩｎ１－ａ－ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）にて表される２～４元系のＩＩＩ族窒化物半導体を用いることができる。また、これらのIII族元素の一部は、ホウ素（Ｂ）、タリウム（Ｔｌ）等に置き換えてもよい。また、窒素の一部をリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等で置き換えてもよい。以下、発光素子１の各構成要素について説明する。
（基板２）
基板２は、活性層４が発する光（本形態においては深紫外光）を透過する材料からなる。基板２は、例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板である。基板２の成長面（すなわち基板２の上面）は、ｃ面である。なお、基板２の成長面は、基板２のｃ面との間にオフ角度を有していてもよい。なお、基板２として、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）基板等を用いてもよい。ここで、「ＡｌＧａＮ」は、ＩＩＩ族元素の組成（すなわちアルミニウム（Ａｌ）及びガリウム（Ｇａ）の合計の組成）と窒素（Ｎ）の組成との比が１：１であり、アルミニウムの組成比とガリウムの組成比とを任意とした３元混晶である。
（第１半導体層３）
第１半導体層３は、基板２と活性層４との間に形成された半導体層である。本形態において、第１半導体層３は、バッファ層３１とｎ型クラッド層３２とを有する。
バッファ層３１は、基板２上に形成されている。本形態において、バッファ層３１は、窒化アルミニウムにより形成されている。なお、バッファ層３１は、基板２上に形成される窒化アルミニウム層と当該窒化アルミニウム層上に形成されるアンドープの窒化アルミニウムガリウム層とによって構成してもよい。なお、基板２が窒化アルミニウム基板又は窒化アルミニウムガリウム基板である場合、バッファ層３１は必ずしも設けなくてもよい。
ｎ型クラッド層３２は、バッファ層３１上に形成されている。ｎ型クラッド層３２は、例えば、ｎ型の不純物としてシリコン（Ｓｉ）がドープされたＡｌｑＧａ１－ｑＮ（０≦ｑ≦１）からなる。組成ＡｌｑＧａ１－ｑＮの下付きのｑは、Ａｌ組成比（ＡｌＮモル分率ともいう。）を示している。本形態において、ｎ型クラッド層は、ｎ型のＡｌＧａＮからなる（すなわち０＜ｑ＜１が満たされる。）。なお、ｎ型の不純物としては、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等を用いてもよい。ｎ型クラッド層３２は、１μｍ以上４μｍ以下の膜厚を有し、例えば２μｍ程度の膜厚とすることができる。ｎ型クラッド層３２は、単層構造でもよく、複数層構造でもよい。
（活性層４）
活性層４は、ｎ型クラッド層３２上に形成されている。活性層４は、障壁層４１と井戸層４２とが交互に積層され、井戸層４２を複数備えた多重量子井戸構造を有する。本形態において、活性層４は、障壁層４１と井戸層４２とをそれぞれ３つずつ有し、下端に障壁層４１が位置し、上端に井戸層４２が位置する。各障壁層４１は、ＡｌｒＧａ１－ｒＮ（０＜ｒ≦１）からなる。各井戸層４２は、ＡｌｓＧａ１－ｓＮ（０≦ｓ＜１）からなる。各障壁層４１のＡｌ組成比ｒは、各井戸層４２のＡｌ組成比ｓよりも大きい（すなわちｒ＞ｓを満たす）。
活性層４は、多重量子井戸構造内で電子及び正孔を再結合させて所定の波長の光を発生させる。本形態においては、活性層４は、波長３６５ｎｍ以下の深紫外光を出力するために、バンドギャップが３．４ｅＶ以上となるよう構成されている。特に本形態において、活性層４は、中心波長が２００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の深紫外光を発生することができるよう構成されている。活性層４が発する光の中心波長は、２４０ｎｍ以上、３６５ｎｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。活性層４がＡｌＧａＮからなる場合において、発光波長が短波長になる（すなわち活性層４のＡｌ組成比が高くなる）と、ｃ軸方向よりもａ軸方向又はｍ軸方向への発光が強くなり得る。そのため、発光波長がある値よりも長い（すなわち活性層４のＡｌ組成比がある値よりも低い）方が、活性層４からｃ軸方向に向かう光が強くなる結果、基板２から出力される光の発光出力を向上させやすい。なお、障壁層４１及び井戸層４２の数は３つずつに限定されるものではなく、それぞれ２つずつ設けられていてもよいし、それぞれ４つ以上ずつ設けられていてもよい。また、活性層４は、１つの井戸層４２を有する単一量子井戸構造となるよう構成されていてもよい。
以下において、３つの井戸層４２のうち、第２半導体層５に隣接する井戸層４２を上端井戸層４２１という。発光素子１への通電により３つの井戸層４２のそれぞれが発光するが、上端井戸層４２１が最も強く発光しやすい。
（第２半導体層５）
第２半導体層５は、活性層４の上端井戸層４２１の上側において上端井戸層４２１に接するよう形成されている。第２半導体層５は、ｐ型半導体層（本形態においては、後述の第２電子ブロック層５１２、ｐ型クラッド層５２、及びｐ型コンタクト層５３）を少なくとも含む層である。第２半導体層５の全体は、活性層４が発する深紫外光の中心波長において５０％以上の透過率を有することが好ましい。本形態において、第２半導体層５は、電子ブロック層５１、ｐ型クラッド層５２及びｐ型コンタクト層５３を下側から順に積層した積層構造を有する。
電子ブロック層５１は、電子が活性層４からｐ型クラッド層５２側へリークするオーバーフロー現象の発生を抑制することによって活性層４への電子注入効率を向上させる役割を有する。電子ブロック層５１は、下側から順に、第１電子ブロック層５１１及び第２電子ブロック層５１２を積層した積層構造を有する。
第１電子ブロック層５１１は、活性層４の上端井戸層４２１に接するよう設けられている。第１電子ブロック層５１１は、例えばアンドープのＡｌｔＧａ１－ｔＮ（０＜ｔ≦１）からなる。第１電子ブロック層５１１のＡｌ組成比ｔは、８０％以上とすることが好ましく、本形態においては窒化アルミニウムからなる（すなわちｔ＝１）。Ａｌ組成比が大きいほど電子の通過を抑制する電子ブロック効果が高い。そこで、Ａｌ組成比の大きい第１電子ブロック層５１１を活性層４に隣接する位置に形成することにより、活性層４に近い位置において高い電子ブロック効果が得られ、３つの井戸層４２における電子の存在確率を確保しやすい。なお、本形態において、第１電子ブロック層５１１は、アンドープの層としたが、これに限られず、ｎ型不純物を含有する層、ｐ型不純物を含有する層、又はｎ型不純物及びｐ型不純物の双方を含有する層であってもよい。これらの場合において、第１電子ブロック層５１１が含有する不純物は、第１電子ブロック層５１１の全体に含まれていてもよいし、第１電子ブロック層５１１の一部に含まれていてもよい。
ここで、Ａｌ組成比が高い第１電子ブロック層５１１の膜厚を大きくし過ぎると、発光素子１の全体の電気抵抗値が過度に大きくなることが懸念される。そのため、第１電子ブロック層５１１の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることがより好ましい。一方、第１電子ブロック層５１１の膜厚を小さくすると、トンネル効果によって電子が第１電子ブロック層５１１を下側から上側にすり抜ける確率が増大し得る。そこで、本形態の発光素子１においては、第１電子ブロック層５１１上に第２電子ブロック層５１２が形成されており、第１電子ブロック層５１１をすり抜ける電子を第２電子ブロック層５１２によってブロックしている。
第２電子ブロック層５１２は、第１電子ブロック層５１１よりも小さいＡｌ組成比を有する。第２電子ブロック層５１２は、例えば、ｐ型の不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたＡｌｕＧａ１－ｕＮ（０＜ｕ＜１）からなる。第２電子ブロック層５１２のＡｌ組成比ｕは、第１電子ブロック層５１１のＡｌ組成比よりも小さく、例えば４０％以上９０％以下とすることが好ましい。また、第２電子ブロック層５１２の膜厚は、電子ブロック効果の確保及び電気抵抗値低減の観点から１ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。また、第２電子ブロック層５１２の膜厚は、第１電子ブロック層５１１の膜厚以上であることが好ましい。ｐ型の不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、炭素（Ｃ）等を用いてもよい。なお、本形態において、第２電子ブロック層５１２は、ｐ型不純物を含有した層としたが、これに限られず、アンドープの層、ｎ型不純物を含有した層、又はｎ型不純物及びｐ型不純物の双方を含有する層であってもよい。第２電子ブロック層５１２が含有する不純物は、第２電子ブロック層５１２の全体に含まれていてもよいし、第２電子ブロック層５１２の一部に含まれていてもよい。また、電子ブロック層５１は、単層構造としてもよい。
ｐ型クラッド層５２は、第２電子ブロック層５１２上に形成されている。ｐ型クラッド層５２は、下側から順に、第１ｐ型クラッド層５２１及び第２ｐ型クラッド層５２２を積層した積層構造を有する。
第１ｐ型クラッド層５２１は、例えばｐ型の不純物としてマグネシウムがドープされたＡｌｖＧａ１－ｖＮ（０≦ｖ＜１）からなる。Ａｌ組成比ｖは、７０％以下とすることが好ましい。
第２ｐ型クラッド層５２２は、上側の位置ほどＡｌ組成比が小さくなるように、上下方向におけるＡｌ組成比の分布が傾斜した組成傾斜層である。第２ｐ型クラッド層５２２は、例えばｐ型の不純物としてマグネシウムがドープされた窒化アルミニウムガリウムからなる。第２ｐ型クラッド層５２２において、その下端部のＡｌ組成比をＡｌ組成比ｗとし、その上端部のＡｌ組成比をＡｌ組成比ｘとしたとき、Ａｌ組成比ｗ，ｘと第１ｐ型クラッド層５２１のＡｌ組成比ｖとは、ｘ＜ｗ≦ｖの関係を満たす。第２ｐ型クラッド層５２２の第１ｐ型クラッド層５２１側の端部のＡｌ組成比であるＡｌ組成比ｗと、第１ｐ型クラッド層５２１のＡｌ組成比ｖとは、略等しいことが好ましい。また、Ａｌ組成比ｗ，ｖのそれぞれは、第２電子ブロック層５１２のＡｌ組成比ｕ未満であることが好ましい。第２ｐ型クラッド層５２２の膜厚は、１０ｎｍ以下であることが好ましい。また、第２ｐ型クラッド層５２２の膜厚は、第１ｐ型クラッド層５２１の膜厚以下であることが好ましい。
本形態の発光素子１は、組成傾斜層としての第２ｐ型クラッド層５２２を設けることにより、第２ｐ型クラッド層５２２の上下に隣接するｐ型コンタクト層５３と第１ｐ型クラッド層５２１との間において、Ａｌ組成比が急変することを抑制している。これにより、格子不整合に起因する転位の発生を抑制することができる。かかる転位が発生すると、活性層４において電子と正孔との非発光性再結合率が高くなり、活性層４から発される光が減少し得る。そのため、発光出力を確保する観点から、発光素子１においては、組成傾斜層としての第２ｐ型クラッド層５２２を設けることが好ましい。なお、ｐ型クラッド層５２は、単層構造としてもよい。
ｐ型コンタクト層５３は、第２ｐ型クラッド層５２２上に形成されている。ｐ型コンタクト層５３は、ｐ側反射電極７とオーミック接触するｐ型半導体層であり、例えば、マグネシウム等のｐ型の不純物が高濃度にドープされたｐ型のＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０≦ｙ＜１）からなる。ｐ型コンタクト層５３のＡｌ組成比ｙは、第２ｐ型クラッド層５２２のｐ型コンタクト層５３側の端部のＡｌ組成比ｘ以下であり、４０％以下とすることが好ましい。本形態においてｐ型コンタクト層５３は、Ａｌ組成比ｙが０％であり、ｐ型のＧａＮからなる。
ｐ型コンタクト層５３の厚みは、２００ｎｍ以下であることが好ましい。本形態のように、ｐ型コンタクト層５３がｐ型のＧａＮからなる場合、ｐ型コンタクト層５３は深紫外光を吸収する層となる。そのため、本形態においては、ｐ型コンタクト層５３における深紫外光の吸収を減らすべく、ｐ型コンタクト層５３の厚みを３０ｎｍ以下とすることがより好ましい。以下、第１電子ブロック層５１１の膜厚をｔ１、第２電子ブロック層５１２の膜厚をｔ２、第１ｐ型クラッド層５２１の膜厚をｔ３、第２ｐ型クラッド層５２２の膜厚をｔ４、ｐ型コンタクト層５３の膜厚をｔ５とする。このとき、膜厚ｔ１，ｔ２，ｔ４，ｔ５は、ｔ１≦ｔ４≦ｔ５≦ｔ２の関係を満たすことが好ましい。
また、第２半導体層５の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とする。第２半導体層５の光学膜厚Ｌは、第２半導体層５の上端から下端までの間の上下方向の光学的距離である。なお、「光学膜厚」ではなく単に「膜厚」といったときは、実際の膜厚（すなわち物理膜厚）を意味するものとする。ある半導体層の光学膜厚は、当該半導体層の膜厚に、当該半導体層の屈折率を乗算することで得られる。本形態において、第１電子ブロック層５１１の屈折率をｎ１、第２電子ブロック層５１２の屈折率をｎ２、第１ｐ型クラッド層５２１の屈折率をｎ３、第２ｐ型クラッド層５２２の屈折率をｎ４、ｐ型コンタクト層５３の屈折率をｎ５としたとき、第２半導体層５の光学膜厚Ｌは、Ｌ＝（ｔ１×ｎ１）＋（ｔ２×ｎ２）＋（ｔ３×ｎ３）＋（ｔ４×ｎ４）＋（ｔ５×ｎ５）にて表される。各層の屈折率は、各相のＡｌ組成比に応じた値となる。なお、半導体層の屈折率は、その半導体層のＡｌ組成比に応じて変動するところ、上下方向においてＡｌ組成比が変動する第２ｐ型クラッド層５２２の屈折率ｎ４は、第２ｐ型クラッド層５２２の下側に隣接する第１ｐ型クラッド層５２１の屈折率ｎ３と、第２ｐ型クラッド層５２２の上側に隣接するｐ型コンタクト層５３の屈折率ｎ５との平均値（すなわち、（ｎ３＋ｎ５）／２）として算出してもよい。また、本形態において、単に屈折率といったときは、特に断らない限り、活性層４が発する深紫外光の中心波長における屈折率を意味するものとする。
活性層４から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、任意の数値を値ｍ（ｍ＝１又はｍ＝２）としたとき、光学膜厚Ｌ、波長λ、及び値ｍは、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす。すなわち、ｍ＝１の場合は、０．４８λ≦Ｌ≦０．７５λの関係が満たされ、ｍ＝２の場合は、０．９６λ≦Ｌ≦１．２０λの関係が満たされる。ｍ＝１の場合に光学膜厚Ｌが採り得る範囲は、０．７５λ－０．４８λ＝０．２７λである一方、ｍ＝２の場合に光学膜厚Ｌが採り得る範囲は、１．２０λ－０．９６＝０．２４λである。ｍ＝１の場合、光学膜厚Ｌは、０．５５λ［ｎｍ］以上０．７０λ［ｎｍ］以下とすることが好ましい。また、ｍ＝２の場合、光学膜厚Ｌは、１．０２λ［ｎｍ］以上１．１５λ［ｎｍ］以下とすることが好ましい。これら光学膜厚Ｌの好ましい範囲については、後述する実験例１にて裏付けられる。
なお、本形態において、第２半導体層５は、電子ブロック層５１、ｐ型クラッド層５２及びｐ型コンタクト層５３を有するものを示したが、これに限られない。例えば、第２半導体層５は、電子ブロック層及びｐ型コンタクト層のみによって構成することもできる。また、第２半導体層５は、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層のみによって構成することもできる。さらに、第２半導体層５は、ｐ型コンタクト層のみによって構成することも可能である。
（ｐ側反射電極７）
ｐ側反射電極７は、ｐ型コンタクト層５３上に形成されている。ｐ側反射電極７は、活性層４から発される深紫外光を反射する反射電極である。ｐ側反射電極７は、活性層４が発する光の中心波長において５０％以上、好ましくは６０％以上の反射率を有する。ｐ側反射電極７は、ロジウム（Ｒｈ）を含む金属であることが好ましい。ロジウムを含む金属は、深紫外光に対する反射率が高く、かつ、ｐ型コンタクト層５３との接合性も高い。本形態においては、ｐ側反射電極７は、ロジウムの単膜からなる。活性層４から上側に発された光は、ｐ側反射電極７と第２半導体層５との界面において反射される。
（ｎ側電極６）
ｎ側電極６は、ｎ型クラッド層３２上に形成されている。ｎ側電極６は、活性層４が発する深紫外光の中心波長において５０％以上の反射率を有することが好ましい。ｎ側電極６は、例えば、ｎ型クラッド層３２の上にチタン（Ｔｉ）、アルミニウム、チタン、金（Ａｕ）が順に積層された多層膜で形成することができる。ｎ側電極６を、活性層４から発される光を反射しやすい電極によって構成することにより、発光素子１の発光出力を向上させることができる。例えば、上下方向に対して傾斜する方向に進んだ深紫外光は、基板２の下端部と空気層等との間において反射することがあるが、かかる反射光がｎ側電極６において再度反射されることで、基板２から取り出される光をより多くすることが可能となる。なお、ｎ側電極６はこれに限られず、活性層４が発する深紫外光の中心波長において５０％未満の反射率を有していてもよい。
本形態の発光素子１は、ｐ側反射電極７及びｎ側電極６のそれぞれが金（Ａｕ）バンプ等を用いて図示しない実装基板に電気的に接続され、基板２側から光が取り出される、いわゆるフリップチップ実装型の発光素子である。なお、これに限られず、発光素子をいわゆる縦型の発光素子とすることも可能である。縦型の発光素子は、ｐ側電極とｎ側電極とによって活性層がサンドイッチされた発光素子である。縦型の発光素子の一例として、ｎ側電極が、活性層から発される光を反射し難い材料からなり、活性層から発される光がｎ側電極側から取り出される構成を採用することができる。また、縦型の発光素子の他の例として、ｎ側電極を、活性層が発する光を反射する反射電極とし、ｐ側電極を、活性層が発する光を反射し難い電極とし、ｐ側電極側から光を取り出す構成を採用することもできる。この例においては、反射電極としてのｎ側電極と活性層との間に設けられる半導体層である第２半導体層はｎ型半導体層を含む層となり、活性層における第２半導体層と反対側に設けられる第１半導体層はｐ型半導体を含む層となる。また、この例においては、ｎ型半導体層を含む第２半導体層の光学膜厚が、前述した数値範囲となるよう設計される。なお、発光素子を縦型とする場合、基板及びバッファ層は、レーザーリフトオフ等により除去することが好ましい。
（直接出射光ＥＬ１と反射出射光ＥＬ２との干渉について）
活性層４から発せられた光のうち、活性層４から下側に発されて直接的に基板２から取り出される光を直接出射光ＥＬ１と呼び、活性層４から上側に発されてｐ側反射電極７において反射された後に基板２から取り出される光を反射出射光ＥＬ２と呼ぶこととする。図１において、直接出射光ＥＬ１と反射出射光ＥＬ２のそれぞれの一例を、矢印にて模式的に表している。なお、実際、活性層４からは、あらゆる方向に深紫外光が発されるものの、図１においては、活性層４から真下に発された直接出射光ＥＬ１と、活性層４から真上に発された反射出射光ＥＬ２とを模式的に表している。また、前述のごとく、活性層４の３つの井戸層４２のうち、上端井戸層４２１が最も強く発光するため、図１においては、便宜上、直接出射光ＥＬ１及び反射出射光ＥＬ２のそれぞれの発生源を上端井戸層４２１として図示している。
反射出射光ＥＬ２は、活性層４から発され、第２半導体層５の下端から上端まで伝搬し、第２半導体層５とｐ側反射電極７との界面において反射され、第２半導体層５の上端から下端まで伝搬した後に、直接出射光ＥＬ１と干渉する。すなわち、第２半導体層５は、反射出射光ＥＬ２が直接出射光ＥＬ１と干渉するまでに往復する層である。それゆえ、第２半導体層５の光学膜厚は、反射出射光ＥＬ２と直接出射光ＥＬ１との間の光路差に直接関係し、第２半導体層５の光学膜厚の値によっては、直接出射光ＥＬ１と反射出射光ＥＬ２とが互いに強め合うよう干渉したり、互いに弱め合うよう干渉したりする。
ここで、前述のごとく、活性層４からは、あらゆる方向に深紫外光が発される。そのため、発光素子１内においては、活性層４から下側にまっすぐ発される直接出射光ＥＬ１及び活性層４から上側にまっすぐ発される反射出射光ＥＬ２だけではなく、活性層４から斜め下側に発される直接出射光、及び活性層４から斜め上側に発される反射出射光がすべて干渉し合う。
（実験例１）
本実験例は、発光素子１において、第２半導体層５の光学膜厚を種々変更した試料１～試料１８につき、初期発光出力及び残存発光出力を実験により評価した例である。
試料１～試料１８は、第２半導体層５の光学膜厚Ｌ以外については互いに同じ構成を有する。試料１～試料１８のそれぞれは、前述の発光素子１と同様の構成を有する。試料１～試料１８は、互いに第１ｐ型クラッド層５２１の膜厚が異なり、これによって互いに光学膜厚Ｌが異なっている。各試料の第１ｐ型クラッド層５２１の膜厚及び各試料の光学膜厚Ｌは、後述の表１に記載している。
そして、本実験例においては、試料１～試料１８のそれぞれの初期発光出力と、試料１，試料４，試料９，試料１４，試料１７のそれぞれの残存発光出力とを測定した。各試料の初期発光出力は、製造直後の各試料に３５０ｍＡの電流を流したときの発光出力である。また、残存発光出力は、１０００時間継続して３５０ｍＡの電流を流した後の各試料の発光出力である。初期発光出力及び残存発光出力は、試料１～試料１８のそれぞれの下側に設置した光検出器によって測定した。下記の表１に、各試料の第２半導体層５を構成する各層（すなわち第１電子ブロック層５１１、第２電子ブロック層５１２、第１ｐ型クラッド層５２１、第２ｐ型クラッド層５２２、及びｐ型コンタクト層５３）の膜厚、各試料が発した光の中心波長、各試料の第２半導体層５の光学膜厚Ｌ、各試料の初期発光出力及び残存発光出力を示す。
Figure 2022172792000002
表１に示した各試料の各層の膜厚は、透過型電子顕微鏡によって測定したものである。また、表１の第２半導体層５の光学膜厚Ｌは、第１電子ブロック層５１１、第２電子ブロック層５１２、第１ｐ型クラッド層５２１、第２ｐ型クラッド層５２２及びｐ型コンタクト層５３のそれぞれの膜厚及び屈折率に基づいて算出したものである。発光波長での第２半導体層５の各層の屈折率は、当該各層のＡｌ組成比に基づいて決まるところ、試料１～試料１８のそれぞれにおいて、第１電子ブロック層５１１はＡｌ組成比が略１００％であり、第２電子ブロック層５１２のＡｌ組成比は略８０％であり、第１ｐ型クラッド層５２１のＡｌ組成比は略５５％であり、第２ｐ型クラッド層５２２の上端のＡｌ組成比は第１ｐ型クラッド層５２１のＡｌ組成比と同等（すなわち略５５％）であり、第２ｐ型クラッド層５２２の下端のＡｌ組成比はｐ型コンタクト層５３のＡｌ組成比と同等（すなわち略０％）であり、ｐ型コンタクト層５３のＡｌ組成比は略０％であった。そこで、第１電子ブロック層５１１の屈折率をＡｌＮの屈折率である２．３０とし、第２電子ブロック層５１２の屈折率をＡｌ０．８Ｇａ０．２Ｎの屈折率である２．３８とし、第１ｐ型クラッド層５２１の屈折率をＡｌ０．５５Ｇａ０．４５Ｎの屈折率である２．４４とし、第２ｐ型クラッド層５２２の屈折率を、第１ｐ型クラッド層５２１の屈折率とｐ型コンタクト層５３の後述の屈折率との平均値である２．５２とし、ｐ型コンタクト層５３の屈折率をＧａＮの屈折率である２．６０として、第２半導体層５の光学膜厚Ｌを算出した。第２半導体層５の各層の屈折率は、波長２８０ｎｍの光における屈折率である。表１においては、各試料の光学膜厚Ｌを、各試料から出力された光の中心波長λを用いて表している。これにより、各試料の第２半導体層５の光学膜厚Ｌが、各試料において出力される光の中心波長λの何倍の厚みであるかを分かりやすくしている。
図２において、第２半導体層５の光学膜厚Ｌと初期発光出力との関係を丸プロットにて表し、第２半導体層５の光学膜厚Ｌと残存発光出力との関係を菱形プロットにて表している。また、参考として、丸プロットの近似曲線と菱形プロットの近似曲線とを、それぞれ二点鎖線にて表している。
まず、初期発光出力の結果につき説明する。図２のグラフにおける丸プロットから、第２半導体層５の光学膜厚Ｌが大きくなるにつれて、初期発光出力の極大値と極小値とが繰り返し現れていることが分かる。ここで、図２のグラフにおいては、初期発光出力のピークが左右２箇所に表れており、左側（すなわち光学膜厚Ｌが小さい側）に位置するピークの方が、右側（すなわち光学膜厚Ｌが大きい側）に位置するピークよりも大きいピークとなっていることが分かる。そして、０．４８λ以上０．７５λ以下の比較的広い光学膜厚Ｌの範囲である第１膜厚範囲Ｒ１と、０．９６λ以上１．２０λ以下の比較的狭い光学膜厚Ｌの範囲である第２膜厚範囲Ｒ２とにおいて、１００ｍＷ以上の高い初期発光出力が得られることが分かる。この高い初期発光出力が得られる光学膜厚Ｌの範囲である第１膜厚範囲Ｒ１と第２膜厚範囲Ｒ２とは、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとおいたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの不等式にまとめることができる。つまり、光学膜厚Ｌが０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λを満たすことにより、高い初期発光出力が得られる。また、光学膜厚Ｌは、０．５０ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たすことがより好ましい。
また、図２から、光学膜厚Ｌを、第１膜厚範囲Ｒ１のうちの０．５５λ以上０．７０λ以下の範囲とすると顕著に高い初期発光出力が得られることが分かる。また、図２から、光学膜厚Ｌを、第２膜厚範囲Ｒ２のうち１．０２λ以上１．１５λ以下とすると第２膜厚範囲Ｒ２内において高い初期発光出力が得られることが分かる。
次に、残存発光出力の結果につき説明する。図２のグラフにおける菱形プロットから、第２半導体層５の光学膜厚Ｌが大きくなるにつれて、残存発光出力の極大値と極小値とが繰り返し現れていることが分かる。そして、初期発光出力の場合と同様、光学膜厚Ｌが０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たすとき、高い残存発光出力が得られていることが図２から分かる。さらに、図２から、第２半導体層５の光学膜厚Ｌが第２膜厚範囲Ｒ２にある場合は、光学膜厚Ｌが第１膜厚範囲Ｒ１にある場合よりも高い残存発光出力が得られることが分かる。つまり、光学膜厚Ｌを第２膜厚範囲Ｒ２とすることにより、発光素子１の発光出力が経時的に低下することを抑制しやすくなる。
（実験例２）
本実験例は、実験例１の試料１～試料１８のそれぞれについて、順方向電圧を測定した例である。結果を図３に示す。図３から分かるように、第２半導体層５の光学膜厚Ｌが小さくなるほど、順方向電圧は小さくなることが分かる。本実験例の結果及び実施例１の図２の結果を考慮すると、第２半導体層５の光学膜厚Ｌを、第１膜厚範囲Ｒ１とすることにより、初期発光出力及び残存発光出力を確保しつつ、順方向電圧を低減することができることが分かる。
（実施の形態の作用及び効果）
本形態の窒化物半導体発光素子１においては、第２半導体層５上に接するようｐ側反射電極７が設けられている。かかる構成において、第２半導体層５の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、活性層４から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとしたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす。この不等式は、０．４８λ以上０．７５λ以下の比較的広い光学膜厚Ｌの範囲である第１膜厚範囲Ｒ１と、０．９６λ以上１．２０λ以下の比較的狭い光学膜厚Ｌの範囲である第２膜厚範囲Ｒ２とを表す不等式である。この不等式を満たすことにより、図２の丸プロット及び菱形プロットにて示すごとく、高い初期発光出力及び残存発光出力が得られる。これは、第２半導体層５が、前述の不等式の関係を満たすことにより、反射出射光ＥＬ２と直接出射光ＥＬ１とが互いに強め合うよう干渉するようになるためである。
また、光学膜厚Ｌが満たす不等式０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λのうち、値ｍを１とすることができる。すなわち、第２半導体層５の光学膜厚Ｌを、第１膜厚範囲Ｒ１（つまり０．４８λ以上０．７５λ以下の範囲）の膜厚とすることができる。これにより、図２の丸プロットから分かるように、より高い初期発光出力が得られる。また、第１膜厚範囲Ｒ１は、第２膜厚範囲よりも広い範囲であるため、製造時に第２半導体層５の光学膜厚を第１膜厚範囲Ｒ１内に収めやすく、製造を容易にしやすい。また、図３から分かるように、順方向電圧を低減することができる。
また、光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下とすることができる。これにより、図２の丸プロットから分かるように、発光素子１において、顕著に高い初期発光出力が得られる。
また、光学膜厚Ｌが満たす不等式０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λのうち、値ｍを２とすることができる。すなわち、第２半導体層５の光学膜厚Ｌを、第２膜厚範囲Ｒ２（つまり０．９６λ以上１．２０λ以下）とすることができる。これにより、図２の菱形プロットから分かるように、第２膜厚範囲Ｒ２の光学膜厚Ｌを有する発光素子１の中でも、顕著に高い初期発光出力が得られる。また、図２から分かるように、第２膜厚範囲Ｒ２においては残存発光出力が高い。すなわち、光学膜厚Ｌを第２膜厚範囲Ｒ２とすることにより、発光出力が経時的に劣化することを抑制することができる。
また、光学膜厚Ｌは、１．０２λ以上１．１５λ以下とすることができる。これにより、図２の丸プロットから分かるように、光学膜厚Ｌが第２膜厚範囲Ｒ２にある発光素子１の中でも、顕著に高い初期発光出力が得られる。
また、第２半導体層５は、ｐ型のＧａＮによって形成されるとともにｐ側反射電極７と接するｐ型コンタクト層５３を含み、ｐ型コンタクト層５３の厚みは、３０ｎｍ以下である。前述のごとく、本形態においては、反射出射光ＥＬ２と直接出射光ＥＬ１とが互いに強め合うよう第２半導体層５の光学膜厚Ｌを工夫している。しかしながら、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層５３は、深紫外光等の短波長の光を吸収しやすい。そして、本形態においてｐ型コンタクト層５３の厚みが３０ｎｍを超えると、反射出射光ＥＬ２が第２半導体層５を往復する際に特にｐ型コンタクト層５３に吸収されやすくなり、反射出射光ＥＬ２と直接出射光ＥＬ１とが互いに強め合うよう第２半導体層５の厚みを工夫した効果が少なくなる。そこで、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層５３の厚みを３０ｎｍ以下とすることにより、第２半導体層５を往復して直接出射光ＥＬ１と干渉する反射出射光ＥＬ２を増やすことができ、基板２から発される光の発光出力をより高くすることができる。
また、第２半導体層５は、活性層４から発される光の中心波長において、透過率が５０％以上である。これによっても、第２半導体層５を往復して直接出射光ＥＬ１と干渉する反射出射光ＥＬ２を増やすことができ、基板２から発される光の発光出力をより高くすることができる。
また、第２ｐ型クラッド層５２２は、ｐ型コンタクト層５３に近い位置程、Ａｌ組成比が高くなるよう構成されている。それゆえ、第２ｐ型クラッド層５２２の上下に隣接する層、すなわちｐ型コンタクト層５３と第１ｐ型クラッド層５２１との間でＡｌ組成比が急激に変動し、格子不整合に起因する転位の発生を抑制することができる。第２半導体層５中に転位が生じると、活性層４において電子と正孔との非発光性再結合率が高くなり、活性層４から発される光が減少し得るところ、本形態のように組成傾斜層としての第２ｐ型クラッド層５２２を設けることにより、発光出力を一層向上させることができる。
以上のごとく、本形態によれば、発光出力を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供することができる。
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
［１］本発明の第１の実施態様は、第１半導体層（３）と、前記第１半導体層（３）の一方側に設けられた活性層（４）と、前記活性層（４）の前記第１半導体層（３）と反対側において前記活性層（４）と接するよう設けられた第２半導体層（５）と、前記第２半導体層（５）の前記活性層と反対側において前記第２半導体層（５）と接するよう設けられ、前記活性層（４）から発される光を反射する反射電極（７）と、を備え、前記第２半導体層（５）の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層（４）から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとしたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす、窒化物半導体発光素子（１）である。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の発光出力を向上させることができる。
［２］本発明の第２の実施態様は、第１の実施態様において、前記値ｍが１であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の初期発光出力を向上させることができる。また、窒化物半導体発光素子（１）の生産性を向上させることができる。
［３］本発明の第３の実施態様は、第２の実施態様において、前記光学膜厚Ｌが、０．５５λ以上０．７０λ以下であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の初期発光出力を一層向上させることができる。
［４］本発明の第４の実施態様は、第１の実施態様において、前記値ｍが２であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の発光出力が経時的に劣化することを抑制することができる。
［５］本発明の第５の実施態様は、第４の実施態様において、前記光学膜厚Ｌが１．０２λ以上１．１５λ以下であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の初期発光出力を向上させることができる。
［６］本発明の第６の実施態様は、第１乃至第５のいずれか１つの実施態様において、前記第２半導体層（５）が、ｐ型のＧａＮによって形成されるとともに前記反射電極（７）と接するｐ型コンタクト層（５３）を含み、前記ｐ型コンタクト層（５３）の厚みが、３０ｎｍ以下であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の発光出力を向上させることができる。
［７］本発明の第７の実施態様は、第１乃至第６のいずれか１つの実施態様において、前記第２半導体層（５）が、前記中心波長において、透過率が５０％以上であることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の発光出力を向上させることができる。
［８］本発明の第８の実施態様は、第１乃至第７のいずれか１つの実施態様において、前記第２半導体層（５）が、前記活性層（４）側から順に、第１ｐ型クラッド層（５２１）、第２ｐ型クラッド層（５２２）、及びｐ型コンタクト層（５３）を有し、前記第２ｐ型クラッド層（５２２）が、前記ｐ型コンタクト層（５３）に近い位置程、Ａｌ組成比が高くなるよう構成されていることである。
これにより、窒化物半導体発光素子（１）の発光出力を向上させることができる。
（付記）
以上、本発明の実施の形態を説明したが、前述した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
１…発光素子
２…基板
３…第１半導体層
４…活性層
５…第２半導体層
５２１…第１ｐ型クラッド層
５２２…第２ｐ型クラッド層
５３…ｐ側コンタクト層
７…ｐ側反射電極（反射電極）
本発明は、前記の目的を達成するため、第１半導体層と、前記第１半導体層の一方側に設けられた活性層と、前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］としたとき、前記光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下、又は、０．９６λ以上１．２０λ以下を満たす、窒化物半導体発光素子を提供する。
本発明は、前記の目的を達成するため、第１半導体層と、前記第１半導体層の一方側に設けられ、中心波長が３６５ｎｍ以下の光を発する活性層と、前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］としたとき、前記光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下、又は、０．９６λ以上１．２０λ以下を満たす、窒化物半導体発光素子を提供する。
本発明は、前記の目的を達成するため、成長面がｃ面である基板と、前記基板の前記成長面に成長された第１半導体層と、前記第１半導体層の一方側に設けられ、中心波長が２６０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の光を発する活性層と、前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記反射電極は、ロジウムを含む金属からなり、前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］としたとき、前記光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下、又は、０．９６λ以上１．２０λ以下を満たす、窒化物半導体発光素子を提供する。
本発明は、前記の目的を達成するため、成長面がｃ面である基板と、前記基板の前記成長面に成長された第１半導体層と、前記第１半導体層の一方側に設けられ、中心波長が２６０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下の光を発し、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造の活性層と、前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記反射電極は、ロジウムを含む金属からなり、前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］としたとき、前記光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下、又は、０．９６λ以上１．２０λ以下を満たし、前記複数の井戸層のうちの最も前記第２半導体層に配された上端井戸層は、前記第２半導体層に隣接しているとともに、前記複数の井戸層の中で最も強く発光する、窒化物半導体発光素子を提供する。

Claims (8)

  1. 第１半導体層と、
    前記第１半導体層の一方側に設けられた活性層と、
    前記活性層の前記第１半導体層と反対側において前記活性層と接するよう設けられた第２半導体層と、
    前記第２半導体層の前記活性層と反対側において前記第２半導体層と接するよう設けられ、前記活性層から発される光を反射する反射電極と、を備え、
    前記第２半導体層の光学膜厚を光学膜厚Ｌ［ｎｍ］とし、前記活性層から発される光の中心波長を波長λ［ｎｍ］とし、１及び２のうちの任意の数値を値ｍとしたとき、０．４８ｍλ≦Ｌ≦０．５ｍλ＋（－０．０５ｍ＋０．３）λの関係を満たす、
    窒化物半導体発光素子。
  2. 前記値ｍは、１である、
    請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  3. 前記光学膜厚Ｌは、０．５５λ以上０．７０λ以下である、
    請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
  4. 前記値ｍは、２である、
    請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  5. 前記光学膜厚Ｌは、１．０２λ以上１．１５λ以下である、
    請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。
  6. 前記第２半導体層は、ｐ型のＧａＮによって形成されるとともに前記反射電極と接するｐ型コンタクト層を含み、
    前記ｐ型コンタクト層の厚みは、３０ｎｍ以下である、
    請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
  7. 前記第２半導体層は、前記中心波長において、透過率が５０％以上である、
    請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
  8. 前記第２半導体層は、前記活性層側から順に、第１ｐ型クラッド層、第２ｐ型クラッド層、及びｐ型コンタクト層を有し、
    前記第２ｐ型クラッド層は、前記ｐ型コンタクト層に近い位置程、Ａｌ組成比が高くなるよう構成されている、
    請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
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