JP2022153201A - Iii族窒化物半導体素子とその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 252
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 53
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 101000823089 Equus caballus Alpha-1-antiproteinase 1 Proteins 0.000 description 11
- 101000651211 Homo sapiens Transcription factor PU.1 Proteins 0.000 description 11
- 102100027654 Transcription factor PU.1 Human genes 0.000 description 11
- 101000796140 Homo sapiens Ankyrin-1 Proteins 0.000 description 10
- 101000617808 Homo sapiens Synphilin-1 Proteins 0.000 description 10
- 102100021997 Synphilin-1 Human genes 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 201000008112 hereditary spherocytosis type 1 Diseases 0.000 description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 101000879761 Homo sapiens Sarcospan Proteins 0.000 description 2
- 101000836906 Homo sapiens Signal-induced proliferation-associated protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 102100027163 Signal-induced proliferation-associated protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 102100023502 Snurportin-1 Human genes 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
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- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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Abstract
Description
1.半導体発光素子(LED)
図1は、第1実施形態の発光素子100の概略構成図である。発光素子100は、フェイスアップ型の半導体発光素子である。発光素子100は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有する。図1に示すように、発光素子100は、基板110と、バッファ層120と、n型コンタクト層130と、n側静電耐圧層140と、n側組成変化層150と、発光層160と、電子ブロック層170と、p型コンタクト層180と、透明電極TE1と、p電極P1と、n電極N1と、を有している。
2-1.バンド構造とIn組成
図2は、第1の実施形態の発光素子100のn側組成変化層150および発光層160の積層構造とバンド構造との間の関係を示す図である。図2の下側から順に、半導体の積層構造、In組成、バンド構造が示されている。
組成連続変化層151のバンドギャップは、障壁層162から遠ざかるほど大きい。組成連続変化層151のバンドギャップは、中間層152に近づくほど小さい。
3-1.第1の方法
図3は、第1の実施形態の発光素子100のn側組成変化層150および発光層160の形成方法を示す図(その1)である。図3は、n側組成変化層150および発光層160のバンド構造とガスの供給量との対応関係を示している。図3は、井戸層161がInGaNであり、障壁層162がGaNである場合を示している。図3では、左側から右側に向かって時間が進行する。第1の実施形態では、n側組成変化層150および発光層160を有機金属化学気相成長法(MOCVD法)によりエピタキシャル成長させる。
図4は、第1の実施形態の発光素子100のn側組成変化層150および発光層160の形成方法を示す図(その2)である。図4に示すように、TMGの流量は供給量SPG1で一定である。NH3 の流量は供給量SPA1で一定である。N2 の流量は、H2 の供給量とN2 の供給量の合計が一定になるように供給量SPN1から供給量SPN0の間で変化させる。
第1の実施形態の発光素子100の製造方法について説明する。第1の実施形態では、有機金属化学気相成長法(MOCVD法)により、各半導体層の結晶をエピタキシャル成長させる。この製造方法は、基板110に中間層152と組成連続変化層151、153とを有する下地層を成長させる工程と、下地層より上層に井戸層161と障壁層162とを有する発光層160を成長させる工程と、を有する。
第1の実施形態の発光素子100は、発光層160の直下にn側組成変化層150を有する。組成連続変化層151、153ではIn組成が指数関数的に変化する。このため、基板110の側から発光層160に加わる応力は抑制される。これにより、歪が緩和される。その結果、結晶品質が向上するとともに、形成されるピエゾ電界が弱まる。したがって、発光素子100の発光効率は高い。
6-1.TMIの時間的変化
第1の実施形態では、組成連続変化層151、153を形成する際にTMIの流量を一定の供給量SPI1としている。しかし、組成連続変化層151、153を成長させる際に、TMIの流量を変化させてもよい。TMIを変化させる場合であっても、In組成を指数関数的に変化させることができる。例えば、H2 の流量を変化させながら、TMIの流量を変化させてもよい。
組成変化層150の中間層152を成長させる際のTMIの流量と、発光層160の井戸層161を成長させる際のTMIの流量と、は変えてもよい。その場合には、発光層160の井戸層161を成長させる際のTMIの流量は、組成変化層150の中間層152を成長させる際のTMIの流量よりも多い。
複数のn側組成変化層150を繰り返し形成してもよい。繰り返し回数は、例えば、5回以下である。好ましくは、3回以下である。
組成変化層150は中間層152を有さなくてもよい。その場合には、組成連続変化層151、153が互いに接触することとなる。
井戸層161はInGaN層に限らず、障壁層162はGaNに限らない。井戸層161は、III 族窒化物半導体であればよい。障壁層162は、III 族窒化物半導体であればよい。ただし、障壁層162のバンドギャップは井戸層161のバンドギャップよりも大きい。
組成連続変化層151、153および中間層152は、InGaN層以外のIII 族窒化物半導体層であってもよい。
組成連続変化層151、153および中間層152の膜厚は、特に限定されない。中間層152の膜厚は1原子層以上5nm以下であるとよい。組成連続変化層151、153の膜厚は、3nm以上100nm以下であるとよい。好ましくは、5nm以上50nm以下である。より好ましくは、5nm以上30nm以下である。
組成連続変化層151、153および中間層152の成膜速度は、特に限定されない。半導体層の品質の観点から、成膜速度は0.5nm/min以上50nm/min以下であるとよい。
組成連続変化層151および組成連続変化層153のうち一方のみを形成してもよい。その場合には、中間層152は、中間層152よりバンドギャップの大きな半導体層と、組成連続変化層と、に挟まれて配置されている。
第1の実施形態では、水素ガスの供給量を線形に変化させる。しかし、水素ガスの供給量の変化量を途中で変えてもよい。その場合には、水素ガスの供給量は傾きの異なる2以上の線形変化をする。
第1の実施形態の技術をフェイスアップ型のLEDのみならずフェイスダウン型のLEDに適用してもよい。その場合には、透明電極の代わりに高い反射率を備える金属電極を用いればよい。
n側組成変化層150は不純物をドープされていない層である。しかし、n側組成変化層150はn型の不純物またはp型の不純物がドープされていてもよい。
静電耐圧層140を形成しなくてもよい場合がある。
上記の変形例を自由に組み合わせてもよい。
第2の実施形態について説明する。
図5は、第2の実施形態のレーザー素子200の概略構成図である。レーザー素子200は、基板S1と、n型コンタクト層210と、n側クラッド層220と、n側ガイド層230と、n側組成変化層240と、活性層250と、p側ガイド層260と、p側電子障壁層270と、p側クラッド層280と、p型コンタクト層290と、透明電極TE2と、n電極N2と、p電極P2と、を有する。
第1の実施形態と同様に、レーザー素子200では、活性層250に加わる歪が緩和されている。
第1の実施形態とその変形例と自由に組み合わせてよい。
第3の実施形態について説明する。
第1の実施形態および第2の実施形態の中間層と組成連続変化層は3次元構造体に応用することができる。例えば、ナノワイヤのような柱状の3次元結晶である。ナノワイヤの途中に活性層を挿入するスタック型の場合には、活性層に隣接する位置に中間層と組成連続変化層とを設けることができる。ナノワイヤの周囲を活性層で同軸状に覆うコアシェル型の場合も同様に、活性層に隣接する位置に中間層と組成連続変化層とを設けることができる。
第1の実施形態から第3の実施形態までを変形例を含めて組み合わせることができる場合がある。
1.サンプルの製作
サンプルを製作するためにMOCVD法を用いた。GaN基板の上にGaN層を成長させたテンプレート基板を製作した。そして、GaN層の上にTMI、TMG、NH3 、H2 、N2 を供給してInGaN層を成膜した。その際に、H2 の流量、TMIの流量を変化させた。そして、成長させた半導体のIn組成等を測定した。
図6は、キャリアガスに占める水素ガスの流量と半導体のIn組成との間の関係を示すグラフ(その1)である。図6の横軸はキャリアガスに占める水素ガスの流量(vol%)である。図6の縦軸は半導体のIn組成である。
図8は、n側組成変化層を形成した場合の発光層の表面のAFM画像である。図8には、原子ステップが観察される。
図10は、n側組成変化層を形成した場合の半導体発光素子のフォトルミネッセンスの強度を示すグラフである。図10の横軸はフォトルミネッセンスのピーク波長である。図10の縦軸はフォトルミネッセンスの強度である。
このように、組成変化層は歪を緩和する。これにより、発光層等の上層の半導体の結晶性を向上させる。
第1の態様におけるIII 族窒化物半導体素子は、基板と、活性層と、基板と活性層との間の下地層と、を有する。活性層は、井戸層と障壁層とを有する。下地層は、組成連続変化層を有する。井戸層はInを含むIII 族窒化物半導体層である。障壁層はIII 族窒化物半導体層である。組成連続変化層は、井戸層と障壁層との境界面に垂直な方向に対してIn組成が変化するIII 族窒化物半導体層である。組成連続変化層では、In組成が流線形に連続的に変化する。
110…基板
120…バッファ層
130…n型コンタクト層
140…n側静電耐圧層
150…n側組成変化層
151、153…組成連続変化層
152…中間層
160…発光層
161…井戸層
162…障壁層
170…電子ブロック層
180…p型コンタクト層
TE1…透明電極
N1…n電極
P1…p電極
200…レーザー素子
300…太陽電池
Claims (10)
- 基板と、
活性層と、
前記基板と前記活性層との間の下地層と、
を有するIII 族窒化物半導体素子において、
前記活性層は、
井戸層と障壁層とを有し、
前記下地層は、
組成連続変化層を有し、
前記井戸層はInを含むIII 族窒化物半導体層であり、
前記障壁層はIII 族窒化物半導体層であり、
前記組成連続変化層は、
前記井戸層と前記障壁層との境界面に垂直な方向に対してIn組成が変化するIII 族窒化物半導体層であり、
In組成が流線形に連続的に変化すること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項1に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記下地層は、
中間層を有し、
前記中間層はInを含むIII 族窒化物半導体層であり、
前記中間層の膜厚は、
前記井戸層の膜厚よりも薄く、
前記中間層のIn組成は、
前記井戸層のIn組成以下であり、
前記組成連続変化層は、
前記中間層に向かってIn組成が流線形に連続的に変化すること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項2に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記組成連続変化層は、
前記活性層に近づくにつれてIn組成が指数関数的に増加する第1組成連続変化層を有し、
前記中間層は、
前記第1組成連続変化層と前記活性層との間に位置していること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項2または請求項3に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記組成連続変化層は、
前記活性層に近づくにつれてIn組成が指数関数的に減少する第2組成連続変化層を有し、
前記第2組成連続変化層は、
前記中間層と前記活性層との間に位置していること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項4に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記第2組成連続変化層は、
前記活性層の前記障壁層と接触しており、
前記接触箇所では、
前記第2組成連続変化層のIn組成と前記障壁層のIn組成とは同じであること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項2から請求項5までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記井戸層の格子定数は、
前記中間層の格子定数以上であること
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 請求項6に記載のIII 族窒化物半導体素子において、
前記中間層の格子定数は、
前記組成連続変化層の格子定数の平均値より大きく、
前記組成連続変化層の格子定数の平均値は、
前記障壁層の格子定数より大きいこと
を含むIII 族窒化物半導体素子。 - 基板に中間層と組成連続変化層とを有する下地層を成長させる工程と、
前記下地層より上層に井戸層と障壁層とを有する発光層を成長させる工程と、
を有し、
前記井戸層はInを含むIII 族窒化物半導体層であり、
前記障壁層はIII 族窒化物半導体層であり、
前記中間層はInを含むIII 族窒化物半導体層であり、
前記組成連続変化層は、
積層方向に対してIn組成が変化するIII 族窒化物半導体層であり、
前記下地層を成長させる工程では、
キャリアガスとして水素ガスを含むガスを用いるとともに、
前記水素ガスの流量を変化させながら前記組成連続変化層を成長させること
を含むIII 族窒化物半導体素子の製造方法。 - 請求項8に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造方法において、
前記下地層を成長させる工程では、
前記水素ガスの流量を線形的に変化させること
を含むIII 族窒化物半導体素子の製造方法。 - 請求項9に記載のIII 族窒化物半導体素子の製造方法において、
前記下地層を成長させる工程では、
前記水素ガスの流量を線形的に減少させながら第1組成連続変化層を成長させ、
前記第1組成連続変化層を成長させた後に、前記水素ガスの流量を一定にしながら前記中間層を成長させ、
前記中間層を成長させた後に、前記水素ガスの流量を線形的に増加させながら第2組成連続変化層を成長させること
を含むIII 族窒化物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021056316A JP2022153201A (ja) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | Iii族窒化物半導体素子とその製造方法 |
US17/703,656 US20220310874A1 (en) | 2021-03-29 | 2022-03-24 | Group iii nitride semiconductor device and method for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2022153201A true JP2022153201A (ja) | 2022-10-12 |
Family
ID=83365111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2021056316A Pending JP2022153201A (ja) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | Iii族窒化物半導体素子とその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220310874A1 (ja) |
JP (1) | JP2022153201A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299685A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Lumileds Lighting Us Llc | Iii族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造 |
-
2021
- 2021-03-29 JP JP2021056316A patent/JP2022153201A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-24 US US17/703,656 patent/US20220310874A1/en active Pending
Patent Citations (1)
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JP2002299685A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Lumileds Lighting Us Llc | Iii族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220310874A1 (en) | 2022-09-29 |
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