JP2006066903A5

JP2006066903A5 -

Info

Publication number: JP2006066903A5
Application number: JP2005219266A
Authority: JP
Filing date: 2005-07-28
Publication date: 2009-01-15

Claims

半導体層上に形成された透光性電極および該透光性電極上に形成されたボンディングパッド電極からなり、該ボンディングパッド電極が少なくとも透光性電極と接する面に反射層を有することを特徴とする半導体発光素子用の正極。
反射層と透光性電極との密着強度が、剥離強度で４９０ｍＮ（５０ｇｆ）以上である請求項１に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極の、素子が発光する発光波長における光の透過率が６０％以上である請求項１または２に記載の半導体発光素子用の正極。
反射層がＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ族金属およびこれらの金属の少くとも一種を含む合金からなる群より選ばれた金属からなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
半導体発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
反射層がＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、およびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなる群より選ばれた金属である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
反射層の厚さが２０〜３０００ｎｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
ボンディングパッド電極が層状構造であり、反射層に加えて、Ｔｉ、ＣｒもしくはＡｌからなるバリア層、および／またはＡｕもしくはＡｌからなる最上層を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極のボンディングパッド電極側が金属からなる層である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極のボンディングパッド電極側が透明材料からなる層である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極が、金属以外の透明材料のみからなる請求項１０に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極の最表面層に光を取り出すための加工が施されている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極の最表面層が透明材料である請求項１２に記載の半導体発光素子用の正極。
透光性電極がｐ型半導体層に接するコンタクト層および該コンタクト層上の電流拡散層を有する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
コンタクト層が白金族金属またはその合金である請求項１４に記載の半導体発光素子用の正極。
コンタクト層が白金である請求項１５に記載の半導体発光素子用の正極。
コンタクト層の厚さが０．１〜７．５ｎｍである請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
コンタクト層の厚さが０．５〜２．５ｎｍである請求項１７に記載の半導体発光素子用の正極。
電流拡散層が金、銀および銅からなる群から選ばれた金属または少なくともそれらの一種を含む合金である請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
電流拡散層が金または金合金である請求項１９に記載の半導体発光素子用の正極。
電流拡散層の厚さが１〜２０ｎｍである請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
電流拡散層の厚さが３〜６ｎｍである請求項２１に記載の半導体発光素子用の正極。
電流拡散層が導電性の透明材料である請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透明材料がＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛、フッ素ドープ酸化錫、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化ビスマスおよび酸化マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類である請求項１０、１１、１３および２３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透明材料がＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛およびフッ素ドープ酸化錫からなる群から選ばれた少なくとも１種類である請求項２４に記載の半導体発光素子用の正極。
透明材料の厚さが１０〜５０００ｎｍである請求項１０、１１、１３および２３〜２５のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
透明材料の厚さが１００〜１０００ｎｍである請求項２６に記載の半導体発光素子用の正極。