JP2013510397A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 基板（１）と、少なくとも１つの６ｎｍ以下の厚さの極薄金属膜（３）と接触する４から１０ｎｍの厚さの導電膜（２）からなる層状構造と、を備え、前記２つの膜が異なる材料である電極において、
前記導電膜がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択され、
前記超薄型金属薄膜がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択されることを特徴とする電極。 - 請求項１に記載の電極において、
極薄金属膜が、周囲雰囲気中、またはＯ２富化雰囲気中で熱処理されていることを特徴とする電極。 - 請求項１、２のいずれかに記載の電極において、
前記層状構造の上に金属格子または網状構造をさらに備えることを特徴とする電極。 - 請求項１〜３のいずれかに記載の電極において、
前記導電膜がＣｕであることを特徴とする電極。 - 請求項４に記載の電極において、
前記極薄金属膜がＮｉであることを特徴とする電極。 - 請求項４に記載の電極において、
前記極薄金属膜がＴｉであることを特徴とする電極。 - 請求項５に記載の電極において、
前記Ｃｕ膜が４から１０ｎｍの厚さであり、前記Ｎｉ極薄金属膜が１から３ｎｍの厚さであることを特徴とする電極。 - 請求項６に記載の電極において、
前記Ｃｕ膜が４から１０ｎｍの厚さであり、前記Ｔｉ極薄金属膜が３から５ｎｍの厚さであることを特徴とする電極。 - 請求項１〜８のいずれかに記載の電極において、
極薄金属膜を１つのみ有し、前記導電膜のほうが前記基板に近いことを特徴とする電極。 - 請求項１〜８のいずれかに記載の電極において、
極薄金属膜を１つのみ有し、前記極薄金属膜のほうが前記基板に近いことを特徴とする電極。 - 請求項１〜１０のいずれかに記載の電極において、
少なくとも１つの極薄金属層と接触する少なくとも１つの別の膜（４）をさらに備え、前記別の膜が、
（ｉ）酸化ニッケル、酸化銅、酸化クロム、酸化チタン、ＴａまたはＮｂドープした酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化スズ、Ｆドープした酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、ＡｌまたはＧａドープした酸化亜鉛、ＩＴＯおよびこれらの混合物の群から、または、
（ｉｉ）Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎおよびこれらの混合物の群から選択されることを特徴とする電極。 - 請求項１〜１１のいずれかに記載の少なくも１つの電極を備えることを特徴とする光電子デバイス。
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